JPH01231355A - ガラス膜形成方法 - Google Patents
ガラス膜形成方法Info
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- JPH01231355A JPH01231355A JP5755088A JP5755088A JPH01231355A JP H01231355 A JPH01231355 A JP H01231355A JP 5755088 A JP5755088 A JP 5755088A JP 5755088 A JP5755088 A JP 5755088A JP H01231355 A JPH01231355 A JP H01231355A
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- glass
- glass film
- heating
- adherend
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、例えばＩＣパッケージの封着等に用いられ
るガラス膜形成方法に関する。
るガラス膜形成方法に関する。
第４図は、集積回路の一例を示す断面図である。
この集積回路は、いずれもセラミック製のパッケージ基
板４と蓋６から成るＩＣパッケージ２内に、ＩＣチップ
８を収納し、それとリードフレーム１２間をワイヤ１０
でボンディングし、そしてパッケージ基板４、蓋６およ
びリードフレーム１２間をそれぞれガラス膜１４で封止
（封着）したものである。
板４と蓋６から成るＩＣパッケージ２内に、ＩＣチップ
８を収納し、それとリードフレーム１２間をワイヤ１０
でボンディングし、そしてパッケージ基板４、蓋６およ
びリードフレーム１２間をそれぞれガラス膜１４で封止
（封着）したものである。
このガラス膜１４による封着は、より具体的には、低融
点ガラス粉末（例えばＰｂ０−Ｂ、Ｏ，系）、昇華性バ
インダーおよび溶剤を混練して成るガラスペーストを、
ＩＣパッケージ２の所望部分に例えばスクリーン印刷し
た後、それを加熱炉（例えばバッチ炉、連続炉）で加熱
して溶着させていた。
点ガラス粉末（例えばＰｂ０−Ｂ、Ｏ，系）、昇華性バ
インダーおよび溶剤を混練して成るガラスペーストを、
ＩＣパッケージ２の所望部分に例えばスクリーン印刷し
た後、それを加熱炉（例えばバッチ炉、連続炉）で加熱
して溶着させていた。
上記の場合、ガラス膜１４内にピンホー゛ルが存在する
と、ＩＣパッケージ２内の気密性を保つことが不可能に
なり、集積回路の信顛性低下等を来たすようになる。
と、ＩＣパッケージ２内の気密性を保つことが不可能に
なり、集積回路の信顛性低下等を来たすようになる。
これを防止するためには、ガラスペースト中のガラス粉
末が軟化するまでに、バインダーをほぼ完全に飛散させ
る必要がある。
末が軟化するまでに、バインダーをほぼ完全に飛散させ
る必要がある。
ところが、上記のような通常の加熱炉を用いる従来の方
法では、例えば第５図に示すように、ガラスペースト１
４ｐをその周囲の表面から加熱するようになるため、ガ
ラスペースト１４Ｐの内部がそのバインダーの飛散温度
に達したとき、表面では既にガラス粉末の軟化が起きて
いてこれが妨げになって、中のバインダーを飛散させる
ことが困難となり、そのためガラス膜１４内にピンホー
ルができてしまうという問題があった。
法では、例えば第５図に示すように、ガラスペースト１
４ｐをその周囲の表面から加熱するようになるため、ガ
ラスペースト１４Ｐの内部がそのバインダーの飛散温度
に達したとき、表面では既にガラス粉末の軟化が起きて
いてこれが妨げになって、中のバインダーを飛散させる
ことが困難となり、そのためガラス膜１４内にピンホー
ルができてしまうという問題があった。
そこでこの発明は、このような点を改善して、ピンホー
ルの無い気密性の高いガラス膜を形成することができる
ガラス膜形成方法を提供することを目的とする。
ルの無い気密性の高いガラス膜を形成することができる
ガラス膜形成方法を提供することを目的とする。
この発明のガラス膜形成方法は、低融点ガラス粉末、昇
華性バインダーおよび溶剤を混練して成るガラスペース
トを被着体に付与した後、被着体の下側から当該被着体
およびその上のガラスペーストを加熱し、それによって
被着体上にガラス膜を形成することを特徴とする。
華性バインダーおよび溶剤を混練して成るガラスペース
トを被着体に付与した後、被着体の下側から当該被着体
およびその上のガラスペーストを加熱し、それによって
被着体上にガラス膜を形成することを特徴とする。
上記方法によれば、得られたガラス膜中にピンホールは
殆ど観察されなかった。これは、被着体の下側から加熱
することによって、ガラスペースト中のガラス粉末の加
熱・軟化が下層部から上層部へと順次進むため、バイン
ダーの上方への飛散が、軟化したガラスに妨げられるこ
と無く効果的に行われるようになるためであると考えら
れる。
殆ど観察されなかった。これは、被着体の下側から加熱
することによって、ガラスペースト中のガラス粉末の加
熱・軟化が下層部から上層部へと順次進むため、バイン
ダーの上方への飛散が、軟化したガラスに妨げられるこ
と無く効果的に行われるようになるためであると考えら
れる。
低融点ガラス粉末（組成： ＰｂＯＢ２Ｏ３系、軟化温
度： ４００’Ｃ，ＬＳ−２００２Ｍ旧日本気硝子製）
にビヒクルを加え、十分に混練してガラスペーストを作
った。
度： ４００’Ｃ，ＬＳ−２００２Ｍ旧日本気硝子製）
にビヒクルを加え、十分に混練してガラスペーストを作
った。
このビヒクルには、低温昇華性バインダー（アクリル系
樹脂で、ダイヤナール（商標）、ＢＲ−１０１、三菱レ
ーヨン類）をブチルカルピトールアセテートの溶剤に５
％溶解させたものを用い、ガラス粉末とビヒクルとの混
合比（重量比）を９＝１とした。
樹脂で、ダイヤナール（商標）、ＢＲ−１０１、三菱レ
ーヨン類）をブチルカルピトールアセテートの溶剤に５
％溶解させたものを用い、ガラス粉末とビヒクルとの混
合比（重量比）を９＝１とした。
そしてこのガラスペースト１４０ｐを、例えば第１図お
よび第２図に示すように、被着体の一例である前記と同
様のアルミナ類のパッケージ基板１４０の封止面に、ス
クリーン印刷によって４〜５回印刷し、これを試料とし
て次のような条件で加熱した。
よび第２図に示すように、被着体の一例である前記と同
様のアルミナ類のパッケージ基板１４０の封止面に、ス
クリーン印刷によって４〜５回印刷し、これを試料とし
て次のような条件で加熱した。
叉慧炎上
上記試料を、カーボンヒータ上で、第１図に示すように
、パッケージ基板４０の下側から加熱した。そのときの
加熱条件は、第３図に示すようなものとした（以下の実
験例２および比較例１．２においても同じ。）。即ち、
空気中において、ガラス粉末の軟化温度（４００″Ｃ）
未満である３゜ＯｏＣで６０分間加熱した後、ガラス粉
末の軟化温度以上である４５０°Ｃで２０分間加熱し、
そして自然冷却した。
、パッケージ基板４０の下側から加熱した。そのときの
加熱条件は、第３図に示すようなものとした（以下の実
験例２および比較例１．２においても同じ。）。即ち、
空気中において、ガラス粉末の軟化温度（４００″Ｃ）
未満である３゜ＯｏＣで６０分間加熱した後、ガラス粉
末の軟化温度以上である４５０°Ｃで２０分間加熱し、
そして自然冷却した。
これによって得られたガラス膜１４０を拡大鏡で観察し
たところ、その内部にピンホールは殆ど見られなかった
。
たところ、その内部にピンホールは殆ど見られなかった
。
裏腹炎主
上記試料を、電熱器上で実験例１と同様にして加熱した
。
。
これによって得られたガラス膜１４０を目視で観察した
ところ、この場合もその内部にピンホールは殆ど見られ
なかった。
ところ、この場合もその内部にピンホールは殆ど見られ
なかった。
几較炭上
比較のためにこの発明の範囲外の方法として、上記試料
を、カーボン匣（さや）に乗せ、通常のバッチ炉で第２
図に示すようにガラスペースト１４０ｐを周囲の表面か
ら加熱した。
を、カーボン匣（さや）に乗せ、通常のバッチ炉で第２
図に示すようにガラスペースト１４０ｐを周囲の表面か
ら加熱した。
これによって得られたガラス膜１４０を拡大鏡で観察し
たところ、その内部におよそ１０ｏｌＩｍ前後のピンホ
ールが数個見られた。
たところ、その内部におよそ１０ｏｌＩｍ前後のピンホ
ールが数個見られた。
ル較拠ｌ
同じく比較のために、上記試料を、アルミナ匣に乗せ、
比較例１と同様にして加熱した。
比較例１と同様にして加熱した。
これによって得られたガラス膜１４０を拡大鏡で観察し
たところ、その内部であってパッケージ基板４０との界
面付近に、およそ１１００ｕ前後のピンホールが見られ
た。
たところ、その内部であってパッケージ基板４０との界
面付近に、およそ１１００ｕ前後のピンホールが見られ
た。
以上から、ガラスペーストを付与した被着体の下側から
加熱すると、ピンホールの無い気密性の高いガラス膜が
得られることがわかる。
加熱すると、ピンホールの無い気密性の高いガラス膜が
得られることがわかる。
従ってこの方法を例えばＩＣパッケージの封着に用いれ
ば、ピンホールの無いガラス融着ができるため、気密性
の高いＩＣパッケージを得ることができる。勿論この方
法は、ＩＣパッケージの封着以外に用いることもできる
。
ば、ピンホールの無いガラス融着ができるため、気密性
の高いＩＣパッケージを得ることができる。勿論この方
法は、ＩＣパッケージの封着以外に用いることもできる
。
尚、上記のようなガラスペーストをパッケージ基板のよ
うな被着体に付与する方法としては、上記例のようなス
クリーン印刷性以外に、型枠を用いる成形法やシートを
用いるシート法等を用いることもできる。
うな被着体に付与する方法としては、上記例のようなス
クリーン印刷性以外に、型枠を用いる成形法やシートを
用いるシート法等を用いることもできる。
また、バッチ炉や連続炉の下部にヒータ等の加熱手段を
設ければ、これらを用いて上記のような加熱を行うこと
も勿論可能である。
設ければ、これらを用いて上記のような加熱を行うこと
も勿論可能である。
〔発明の効果］
以上のようにこの発明によれば、被着体の下側から当該
被着体およびその上のガラスペーストを加熱するように
したので、ピンホールの無い気密性の高いガラス膜を形
成することができる。
被着体およびその上のガラスペーストを加熱するように
したので、ピンホールの無い気密性の高いガラス膜を形
成することができる。
第１図は、実施例に係るガラス膜形成方法を説明するた
めの部分断面図である。第２図は、比較例のガラス膜形
成方法を説明するための部分断面図である。第３図は、
加熱条件の一例を示す図である。第４図は、集積回路の
一例を示す断面図である。第５図は、従来のガラス膜形
成方法説明するための部分断面図である。 ２０．・ ＩＣパッケージ、４，４０・・・パッケージ
基板、１４，１４０・・・ガラス膜、１４Ｐ、１４０ｐ
・・・ガラスペースト。
めの部分断面図である。第２図は、比較例のガラス膜形
成方法を説明するための部分断面図である。第３図は、
加熱条件の一例を示す図である。第４図は、集積回路の
一例を示す断面図である。第５図は、従来のガラス膜形
成方法説明するための部分断面図である。 ２０．・ ＩＣパッケージ、４，４０・・・パッケージ
基板、１４，１４０・・・ガラス膜、１４Ｐ、１４０ｐ
・・・ガラスペースト。
Claims (1)
- （１）低融点ガラス粉末、昇華性バインダーおよび溶剤
を混練して成るガラスペーストを被着体に付与した後、
被着体の下側から当該被着体およびその上のガラスペー
ストを加熱し、それによって被着体上にガラス膜を形成
することを特徴とするガラス膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5755088A JPH01231355A (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | ガラス膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5755088A JPH01231355A (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | ガラス膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01231355A true JPH01231355A (ja) | 1989-09-14 |
Family
ID=13058901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5755088A Pending JPH01231355A (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | ガラス膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01231355A (ja) |
-
1988
- 1988-03-11 JP JP5755088A patent/JPH01231355A/ja active Pending
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