JPH01230777A - プラズマ重合膜の形成法 - Google Patents
プラズマ重合膜の形成法Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（発明の目的〉
産業上の利用分野
本発明は、プラズマを用いて基板上に水素あるいはフッ
素を含むアモルファス炭素膜をコーティングするプラズ
マ重合膜の形成法に関する。
素を含むアモルファス炭素膜をコーティングするプラズ
マ重合膜の形成法に関する。
従、来の技術
表面が親水性の基板に疎水性の膜を着膜する場合、その
基板と膜の接着力は必ずしも充分なものではない。
基板と膜の接着力は必ずしも充分なものではない。
このような場合、密着性を強化するために従来から基板
上にヘキサメチルジシラザンのような界面活性剤を塗布
することによって親水性の表面を疎水化したのち、疎水
性の膜を着膜する方法が用いられている。
上にヘキサメチルジシラザンのような界面活性剤を塗布
することによって親水性の表面を疎水化したのち、疎水
性の膜を着膜する方法が用いられている。
しかし、ヘキサメチルジシラザンのような界面活性剤の
使用は、○ＩＨ基、ＮＨ３基、Ｃ０ＯＨ基のような置換
型水素を持つ基板には優れた接着力の向上を示すが、こ
のような官能基を持たない基板、金属基板、セラミック
ス基板、ガラス基板、等にはそれ程有効ではない。
使用は、○ＩＨ基、ＮＨ３基、Ｃ０ＯＨ基のような置換
型水素を持つ基板には優れた接着力の向上を示すが、こ
のような官能基を持たない基板、金属基板、セラミック
ス基板、ガラス基板、等にはそれ程有効ではない。
一方、炭化水素、フッ化炭素あるいはフッ化炭化水素、
あるいはこれらの混合物をプラズマ重合させた水素ある
いはフッ素を含むアモルファス炭素膜を基板上にコーテ
ィングする方法では、この炭素膜が著しく疎水性のため
どのような基板を用いても基板と膜の間の接着力は非常
に弱いものである。
あるいはこれらの混合物をプラズマ重合させた水素ある
いはフッ素を含むアモルファス炭素膜を基板上にコーテ
ィングする方法では、この炭素膜が著しく疎水性のため
どのような基板を用いても基板と膜の間の接着力は非常
に弱いものである。
この場合、接着力の強化のためにヘキサメチルジシラザ
ンのような界面活性剤を用いても上記のような理由で有
効には作用しない。
ンのような界面活性剤を用いても上記のような理由で有
効には作用しない。
解決しようとする問題点
本発明は、基板上に炭化水素、フッ化炭素あるいはフッ
化炭化水素、あるいはこれらの混合物をプラズマ重合さ
せた水素あるいはフッ素を含むアモルファス炭素膜を形
成する場合、極めて基板との接着力の強いプラズマ重合
膜を形成する方法を提供しようとするものである。
化炭化水素、あるいはこれらの混合物をプラズマ重合さ
せた水素あるいはフッ素を含むアモルファス炭素膜を形
成する場合、極めて基板との接着力の強いプラズマ重合
膜を形成する方法を提供しようとするものである。
（発明の構成）
問題を解決ザるための手段
本発明は、基板上に上記のアモルファス炭素膜を形成す
る場合、あらかじめ基板上にカルボキシル基を含む有機
化合物、あるいは、）ノミノ基あるいはイミノ基を含む
有機化合物をプラズマ重合させた膜（以下、下層膜とい
う）を形成したのち、アモルファス炭素膜（以下、上層
膜という）を形成することを特徴とする。
る場合、あらかじめ基板上にカルボキシル基を含む有機
化合物、あるいは、）ノミノ基あるいはイミノ基を含む
有機化合物をプラズマ重合させた膜（以下、下層膜とい
う）を形成したのち、アモルファス炭素膜（以下、上層
膜という）を形成することを特徴とする。
このように下層膜を基板と上層膜の媒体とすることによ
って、著しくその接着強度を増大させることができる。
って、著しくその接着強度を増大させることができる。
カルボキシル基を含む有機化合物およびアミノ基あるい
はイミノ基を含む有機化合物には種類に特に制限はない
が、好ましくは分子中に不飽和結合を有する化合物が適
している。
はイミノ基を含む有機化合物には種類に特に制限はない
が、好ましくは分子中に不飽和結合を有する化合物が適
している。
上層膜の１京斜には、メタン、エタン、プロパン、エヂ
レン、ブヂレン、プロピレン、アセチレン、ブタジェン
、イソプレン、ベンゼン、トルエンあるいはキシレンの
ような炭化水素、あるいは四フッ化炭素、六フッ化二炭
素あるいはバッツ化四炭素のようなフッ化炭素、あるい
は−フツ化炭化水素（ＦＨ３Ｇ） 、ニフツ化炭化水素
（Ｆ２ Ｈ２Ｃ）あるいは三フッ化炭化水素（Ｆ３ Ｈ
Ｃ）のようなフッ化炭化水素等を用いることがひきる。
レン、ブヂレン、プロピレン、アセチレン、ブタジェン
、イソプレン、ベンゼン、トルエンあるいはキシレンの
ような炭化水素、あるいは四フッ化炭素、六フッ化二炭
素あるいはバッツ化四炭素のようなフッ化炭素、あるい
は−フツ化炭化水素（ＦＨ３Ｇ） 、ニフツ化炭化水素
（Ｆ２ Ｈ２Ｃ）あるいは三フッ化炭化水素（Ｆ３ Ｈ
Ｃ）のようなフッ化炭化水素等を用いることがひきる。
あるいはこれらの炭化水素、フッ化炭素あるいはフッ化
炭化水素等の混合物を用いてもよい。
炭化水素等の混合物を用いてもよい。
好ましくは分子中に不飽和結合を有する原料が重合反応
に適している。
に適している。
基板には金属、セラミックス、ガラス、樹脂等を用いる
ことができる。
ことができる。
以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
実施例１
アルミニウム基板を密閉容器に入れ、流量１０ｃｃ／ｍ
ｉｎの水素を流しながら２００ＫＨ２、電力１００Ｗの
高周波でプラズマによる表面処理を３０秒間行なった。
ｉｎの水素を流しながら２００ＫＨ２、電力１００Ｗの
高周波でプラズマによる表面処理を３０秒間行なった。
そののち、メタアクリル酸の蒸気を密閉容器内に導入し
て２００ＫＨｚ 、電力１００Ｗの高周波で１０秒間、
メタアクリル酸のプラズマ処理を行ない、基板上に下層
膜を形成した。
て２００ＫＨｚ 、電力１００Ｗの高周波で１０秒間、
メタアクリル酸のプラズマ処理を行ない、基板上に下層
膜を形成した。
さらに、流ｆｆ１１０ｃｃ／ｍｉ ｎのブタジェンと流
量５ｃｃ／ｍｉｎの水素との混合ガスをながしながら、
２００ＫＨｚ 、電力１００Ｗの高周波で５分間、ブタ
ジェンのプラズマ処理を行ない基板上に疎水性の上層膜
を形成した。
量５ｃｃ／ｍｉｎの水素との混合ガスをながしながら、
２００ＫＨｚ 、電力１００Ｗの高周波で５分間、ブタ
ジェンのプラズマ処理を行ない基板上に疎水性の上層膜
を形成した。
実施例２
クロム基板を密閉容器に入れ、流ｆｎ１０ｃｃ／ｍｉｎ
の水素を流しながら２００ＫＨｚ 、電力１００Ｗの高
周波でプラズマによる表面処理を３０秒間行なった。
の水素を流しながら２００ＫＨｚ 、電力１００Ｗの高
周波でプラズマによる表面処理を３０秒間行なった。
そののち、ビニルアミノの蒸気を密閉容器内に導入して
２００ＫＩ−１ｚ、電力１００Ｗの高周波で１０秒間、
ビニルアミノのプラズマ処理を行ない基板上に下層膜を
形成した。
２００ＫＩ−１ｚ、電力１００Ｗの高周波で１０秒間、
ビニルアミノのプラズマ処理を行ない基板上に下層膜を
形成した。
さらに、流＠１ｏｃｃ／ｍｉ ｎのブタジェンと流ｆｉ
５Ｃ，ｃ／ｍ！ ｎの水素との混合ガスを流しながら、
２００ＫＩ−１ｚ、電力１００Ｗの高周波で５分間、ブ
タジェンのプラズマ処理を行ない基板上に疎水性の上層
膜を形成した。
５Ｃ，ｃ／ｍ！ ｎの水素との混合ガスを流しながら、
２００ＫＩ−１ｚ、電力１００Ｗの高周波で５分間、ブ
タジェンのプラズマ処理を行ない基板上に疎水性の上層
膜を形成した。
以上の二つの実施例の方法で形成された疎水性の上層膜
は、アルミニウム基板あるいはクロム基板に直接に形成
されたブタジェンのプラズマ処理による重合膜に比較し
、基板との接着力が飛躍的に増大することがわかった。
は、アルミニウム基板あるいはクロム基板に直接に形成
されたブタジェンのプラズマ処理による重合膜に比較し
、基板との接着力が飛躍的に増大することがわかった。
（発明の効果）
本発明によれば、基板上に炭化水素、フッ化炭素あるい
はフッ化炭化水素あるいはこれらの混合物をプラズマ重
合させアモルファス炭素膜を形成する場合、中間層を形
成することによって基板と極めて接着強度の強い膜を形
成できる特徴がある。
はフッ化炭化水素あるいはこれらの混合物をプラズマ重
合させアモルファス炭素膜を形成する場合、中間層を形
成することによって基板と極めて接着強度の強い膜を形
成できる特徴がある。
本発明は実用的にはＩＣのパッシベーション膜として有
効に利用できるが、その他、サビ止めとしての金属の疎
水化処理および膜厚を種々に変えることによって金属の
装飾用着色膜等にも利用できる特徴がある。
効に利用できるが、その他、サビ止めとしての金属の疎
水化処理および膜厚を種々に変えることによって金属の
装飾用着色膜等にも利用できる特徴がある。
Claims (1)
- 基板上に炭化水素、フッ化炭素あるいはフッ化炭化水
素、あるいはこれらの混合物をプラズマ重合させた膜を
形成する場合、基板とこの膜の中間層としてカルボキシ
ル基を含む有機化合物、あるいは、アミノ基あるいはイ
ミノ基を含む有機化合物をプラズマ重合させた膜を形成
することを特徴とするプラズマ重合膜の形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63055597A JP2616797B2 (ja) | 1988-03-09 | 1988-03-09 | プラズマ重合膜の形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63055597A JP2616797B2 (ja) | 1988-03-09 | 1988-03-09 | プラズマ重合膜の形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01230777A true JPH01230777A (ja) | 1989-09-14 |
| JP2616797B2 JP2616797B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=13003181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63055597A Expired - Fee Related JP2616797B2 (ja) | 1988-03-09 | 1988-03-09 | プラズマ重合膜の形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2616797B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08501262A (ja) * | 1993-07-27 | 1996-02-13 | ターゲット セラピューティクス，インコーポレイテッド | ポリマーコーティングのための金属の前処理方法 |
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| WO2000071613A1 (en) * | 1999-05-20 | 2000-11-30 | Bausch & Lomb Incorporated | Surface treatment of silicone hydrogel contact lenses comprising hydrophilic polymer chains attached to an intermediate carbon coating |
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| JP2020531690A (ja) * | 2017-08-23 | 2020-11-05 | 江蘇菲沃泰納米科技有限公司Ｊｉａｎｇｓｕ Ｆａｖｏｒｅｄ Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．， Ｌｔｄ | 変調構造を有する高絶縁性ナノ保護コーティングの製造方法 |
| CN113413932A (zh) * | 2021-06-29 | 2021-09-21 | 郑州大学 | 一种微流控芯片材料的疏水改性方法 |
-
1988
- 1988-03-09 JP JP63055597A patent/JP2616797B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| CN113413932B (zh) * | 2021-06-29 | 2023-03-14 | 郑州大学 | 一种微流控芯片材料的疏水改性方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2616797B2 (ja) | 1997-06-04 |
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