JPH01226708A - 窒化ケイ素超微細粉末の製造方法 - Google Patents

窒化ケイ素超微細粉末の製造方法

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JPH01226708A
JPH01226708A JP5164588A JP5164588A JPH01226708A JP H01226708 A JPH01226708 A JP H01226708A JP 5164588 A JP5164588 A JP 5164588A JP 5164588 A JP5164588 A JP 5164588A JP H01226708 A JPH01226708 A JP H01226708A
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nitride powder
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 の1 この発明はSi 02−NH3−CI )−1n系を反
応系とする窒化ケイ素の超微細粉末とその製造方法に関
する。
従」ヒ2玉」L 従来は、比表面積が約10i2/(jのシリカ粉末、も
しくは比表面積が約1012/9のシリカ粉末に種子粉
末として窒化ケイ素、炭化ケイ素および酸窒化ケイ素粉
末のうち少なくとも1種を混合した混合粉末をアンモニ
アと炭化水素の混合ガス気流中で加熱することにより、
窒化ケイ素粉末を得ていた。後者の方法で用いられてい
た窒化ケイ素、炭化ケイ素および酸窒化ケイ素粉末の比
表面積は約15園2/gであった。
が ゛ しよ−とする  、 比表面積が約10m2/qのシリカ粉末からは比表面積
が1〜2■2/9程度の窒化ケイ素粉末が得られる。
また、シリカ粉末に、例えば窒化ケイ素粉末を混合した
混合粉末を加熱して窒化ケイ素粉末を得る方法では、出
発物質の窒化ケイ素粉末が結晶核として働きその上に窒
化ケイ素粉末が成長する。このため、添加した窒化ケイ
素粉末よりも小さい粒径の粉末は合成できない。従って
、この方法で得られる窒化ケイ素粉末は比表面積が高々
5〜10112/Qであった。
以上のような比表面積をもつ窒化ケイ素粉末は、燃焼性
に乏しく、またその粉末から得られる焼結体は、十分な
強度を有していない。
11へ11 以上の問題点に鑑み、本発明は従来の窒化ケイ素粉末(
比表面積が高々5〜1012/g>に比べて、比表面積
が50〜250s2/Qと格段に微粒の窒化ケイ素超微
粉末とその製法を提供することを目的としている。
11へ11 前述の目的を達成するため、に、第1の発明は請求項1
記載の窒化ケイ素超微粉末、第2の発圓は請求項2記載
の窒化ケイ素超微粉末の製造方法を要旨としている。
、  ゛するための 上記目的を達成するために、本発明の窒化ケイ素超微粉
末は、比表面積が20〜250ya2/gであり、総酸
素含有量が10重量%以下で、総炭素含有量が0.1生
伍%以下である。
前述の窒化ケイ素超微粉末を製造するために、比表面積
50〜30012/Q、純度99゜8%以上のシリカ粉
末をアンモニアと炭化水素の混合ガス気流中で加熱する
比表面積50〜300m2101純度99゜8%以上の
シリカ粉末は例えば、四塩化ケイ素を酸水素炎中で加熱
しすることにより得ることができる。
シリカ粉末の比表面積が50I12/g以下では、反応
性が鈍く反応速度が遅くなる。従って、発生する結晶核
数が少なくなるとともに生成される窒化ケイ素の粒子は
相当大きくなってしまう。また比表面積が300m2/
a以上のシリカ粉末は実質的に製造が困難である。
純度が99.8%以下(不純物が0.2%以上)では、
ウィスカー状窒化ケイ素が生成し易く、生成される窒化
ケイ素の形状が不規則となる。
本発明による窒化ケイ素の製造方法における好ましい条
件について説明すると、加熱温度は800〜1600℃
が望ましい。800℃以下では反応が進みづらい傾向に
ある。また1 600℃以上ではアンモニアの熱分解が
著しく、シリカを還元窒化する作用が低下する傾向にな
る。
さらに、アンモニアと炭化水素の混合ガスの混合比は炭
化水素を炭素基準のCH4に換1LTNHs /CH4
−0,5〜2000(容最比)であることが望ましい。
NH3の量がNH3/CH4−0,5よりも少ないと、
NH3によるシリカの還元作用が弱くなり、反応が進行
せず窒化ケイ素が生成し難くなることがある。逆にNH
3の母がNH3/CH4−2000よりも多いと、生成
粉に含まれる全酸素量が多くなる傾向にある。
以下、第1図及び第1表を参照して本発明の実施例につ
いて説明する。
比表面8%200+12/Qの非晶質シリカ39をアル
ミナ製ボートへ充填し、内径が5Qmmのアルミナ炉心
管を有する炉を用いてNH3:300!l/時間、C3
H8:3Q /時間の混合ガス気流中において、140
0℃で2時間加熱して生成粉を得た。生成粉X線回折、
酸素分析及び比表面積(BET)を測定したところ、結
晶相としてSi 3 H4のみが同定された。また、総
酸素含有量が4.5%、総炭素含有量が0.03%、比
表面積は110w2/gであった。さらに、焼成時に相
対密度が95%に達する1mを調べたところ1630℃
であった。(第1実施例) 同様にして、表1に示す他の条件により実施例2〜4の
合成を行い、結果を第1表に示した。
第1表で雰囲気の組成(NH3/CH4)の欄は、C3
Haを炭素基準のCH4に換算した時の混合比を示して
いる。
また、第1図に出発物質であるシリカ粒子の比表面積〈
横軸)と得られた窒化ケイ素の比表面積(縦軸)との関
係を示した。比表面積はいずれも12/Clで示し、両
輪とも対数目盛を採用している。
他方、比較例1〜5について、実施例と同様にして特性
を測定し、結果を第1表に示した。
第1表の比表面積の欄を見ると、実施例1〜4の窒化ケ
イ素は比表面積が32〜17512/Qであり、比較例
と比べて格段に大きい比表面積を持つ(粒径が小さい)
ことが明らかである。
また、焼成時に相対密度が95%に達する温度の欄を見
ると、実施例1〜4では1600〜1680℃であり、
比較例の1700〜1710℃と比べて低いことがわか
る。これは、実施例1〜4の窒化ケイ素超微粉末が比較
例に比べて焼結性に富んでいることを示している。
R護し久カ」し 本発明によれば、従来の窒化ケイ素粉末に比べて非常に
大きな比表面積(20〜250w2/lをもつ窒化ケイ
素超微粉末を得ることができる。従って、この窒化ケイ
素超微粉末を用いることにより、高密度で高強度の窒化
ケイ素焼結体を得ることができる。
また、本発明の窒化ケイ素超微粉末は、焼結性に富んで
いて、従来のものに比べて低温で高密度の焼結体を得る
ことができる。例えば、1600℃以下の焼結温度でも
相対密度が95%以上の焼結体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、シリカ粒子と窒化ケイ素粒子の比表面積の関
係を示した図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、比表面積が20〜250m^2/gであり、総酸素
    含有量が10重量%以下で、総炭素含有量が0.1重量
    %以下である窒化ケイ素超微粉末。 2、比表面積50〜300m^2/g、純度99.8%
    以上のシリカ粉末をアンモニアと炭化水素の混合ガス気
    流中で加熱することを特徴とする窒化ケイ素超微粉末の
    製造方法。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5744602A (en) * 1980-07-05 1982-03-13 Bayer Ag Novel bonding agent, synthesis thereof and use as electrodeposition paint
JPS61242905A (ja) * 1985-04-19 1986-10-29 Toshiba Corp α型窒化ケイ素粉末の製造方法

Patent Citations (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JPS61242905A (ja) * 1985-04-19 1986-10-29 Toshiba Corp α型窒化ケイ素粉末の製造方法

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