JPH01221820A

JPH01221820A - 角形ヒステリシス磁性リード片の製造法ならびにリードスイッチ

Info

Publication number: JPH01221820A
Application number: JP587589A
Authority: JP
Inventors: Ryo Masumoto; 量増本; Yuetsu Murakami; 雄悦村上; Naoji Nakamura; 直司中村
Original assignee: Research Institute for Electromagnetic Materials
Current assignee: Research Institute for Electromagnetic Materials
Priority date: 1989-01-17
Filing date: 1989-01-17
Publication date: 1989-09-05

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明はりマネントリードスイッチ、記憶素子、フェリ
ードおよびランチングリレーなどに用いる角形ヒステリ
シス磁性リード片の製造法ならびにそのリードスイッチ
に関するもので、その目的とするところは残留磁束密度
が大きく、角張率のすぐれた角形ヒステリシス特性を有
しかつ鍛造、加工が容易な角形ヒステリシス磁性リード
片ならびにリードスイッチを得るにある。

現在、電磁機器におけるリードスイッチ、記憶素子、フ
ェリードおよびランチングリレー用の磁性材料として、
残留磁束密度が大きく、角形性のヒステリシスを示し、
用途に応じて数エルステッドから数１００エルステツド
の保磁力を有する角形性磁性合金が使用されている。こ
れらの成品においては高度な加工を必要とするもの、あ
るいはガラス封着などの作業を必要とするものなどがあ
り、したがって、加工性に富み、かつ磁気特性が高温加
熱によっても安定であることが望まれている。

従来、このような特性を有する磁性材料としてはＦｅ−
Ｃ系合金、Ｆｅ−Ｍｎ系合金、Ｆｅ−Ｃ。

系合金およびＦ　ｅ　−Ｎ　ｉ系合金等がある。しかし
Ｆｅ−Ｃ系合金およびＦｅ−Ｍｎ系合金は安価で加工性
にすぐれているが、高温加熱によって磁気特性が著るし
く劣化する欠点−を有し、またＦｅ−Ｃｏ系合金および
Ｆｅ−Ｎｉ系合金は高価なコバルトあるいはニッケルを
多量に含み、かつ高度な加工技術を必要とするため高価
であって、工業的に充分満足し得るものとは言い難い。

先に本発明者らはＦｅ−Ｎｂ系合金（特公昭５１−３１
０８８号、特公昭５６−２１４０号）、Ｆｅ−Ｔａ系合
金（特公昭５６−３１３４９号）、Ｆｅ−Ｍｏ系合金（
特開昭５３−１０８８２４号）およびＦｅ−Ｗ系合金（
特開昭５３−１０８８２３号）は保磁力が２工ルステツ
ド以上を有する角形ヒステリシス磁性合金であることを
提案したが、本発明はこれらの合金系について、角張性
を改善するためになされたもので、角張率のすぐれた角
形ヒステリシス磁性リード片の製造法ならびにそのリー
ドスイッチに関するものである。

リードスイッチはパルス磁界によって安定で正確にスイ
ッチ動作することが必要であり、そのためにはリード片
に用いる磁性材料は数エルステッドから数１０エルステ
ッドの保磁力を有し、角形率（Ｂ　ｒ、／　Ｂ　ｌ。。

）とともに角張率、ｒぶ石−ワ習；丁罷（（ＢＨ）ｎ＋
：最大エネルギー積）が良好であることが望まれる。

上記先願の従来製造法では、第２図に示すように、溶体
化処理後冷間加工を施し、ついで加熱処理することによ
って角形磁気特性を付与していたが、−度の加熱処理に
より急速に析出が進行するので、析出物は不均一で一様
でないため、第１図に点線で示すヒステリシスループ（
ａ）のような角形率が良くとも第２象限における角張率
が悪い磁性材料となる。

本発明者らは角張率のすぐれた磁性材料の製造法を幾多
研究した結果、析出現象は原子の拡散によって進行し、
その析出過程は析出核の生成とその析出核の成長の二段
階によって行われることから、溶体化処理後に施す加熱
処理を二段階とし、先ず第１段加熱処理（焼戻）によっ
て析出核ができるだけ多数生成するようにし、ついで第
２段加熱処理（焼戻）によってこの析出核を適度な大き
さに成長させる方法を知見し本発明を完成するに至った
。

すなわち本発明の角形ヒステリシス磁性リード片の製造
法を図面を参照して説明すると、１、　（第３図Ｃ参照
）溶体化処理→第２段加熱処理→冷間加工→くリード片成
形〉→第２段加熱処理２、（第３図Ｃ参照）溶体化処理→冷間加工→くリード片成形〉→第２段加熱
処理→〈リード片成形〉 →第２段加熱処理（但し、リード片成形はどちらか１ケ
所で行うものとする）３、（第３図Ｃ参照）溶体化処理→冷間加工→第１段加熱処理→冷間加工→く
リード片成形〉→第２段加熱処理上記の溶体化処理は合金の組成に応じて加熱温度および
加熱時間は適宜選択して施されるものであるが、約９０
０℃以上の高温度で加熱した後急冷（水冷、油冷、空冷
など）することによって、過飽和な組織を形成せしめる
とともに格子欠かんを凍結させ、また冷間加工後に施さ
れる加熱において、微細な金属間化合物を析出させて保
磁力を増大させるために必要である。

また上記の冷間加工はスェージング、線引、圧延加工お
よびプレス加工などによって行われ、合金組織の結晶の
容易磁化方位を加工方向に配向させ磁気的異方性を高め
る効果、また微小な金属間化合物の析出核を一様に分散
させると同時に配向性を高める効果、さらに格子欠かん
を導入し、次の加熱処理において析出核の多数の生成を
促す効果などがあり、特に加工率５０％以上の加工を施
した場合にこれらの効果が著しるしい。

また上記の第１段加熱処理は溶体化処理および冷間加工
によって導入された格子欠かんならびに粒界などを発生
源として析出初期において微小な析出核の多数の生成を
促進することを目的とし、また第２段加熱処理は加工歪
の除去、再結晶化とともに均一で一様に分散した微小な
析出核の成長を適度に促進し、所望の保磁力を得ようと
するものである。したがって、一般に第１段加熱処理の
温度は第２段加熱処理の温度より比較的低く、またほぼ
同じ温度なら加熱時間は比較的短くて良い。

すなわち第１段加熱処理の目的と第２段加熱処理の目的
とは本質的に異なり、また従来法の加熱処理とも根本的
に相違するものである。これらの加熱処理は空気中好ま
しくは非酸化性雰囲気中あるいは真空中で行い合金組成
によって加熱温度および加熱時間を適宜選択して行うが
、特に４００℃以上１０００℃位迄の加熱温度において
その効果が大きい。

すなわち４００℃以下では原子の移動が小さく、析出が
困難となり、１０ｏｏ℃以上では磁気異方性の消滅し、
相変態によって角形性が損われ保磁力が小さくなるから
である。

本発明の製造法によれば合金組織の地は冷間加工方向に
容易磁化方位を有し、さらにこの地に均一な大きさの微
細な金属間化合物が一様に分散析出することによって、
保磁力（Ｈｃ）の大きさの逆磁界において、ピンニング
されていた磁壁が一瞬にして移動を完了するので、第１
図の実線すのような角張率のすぐれた角形ヒステリシス
リーブを示す磁性合金が得られるのである。

従来、リード片の製造は、加熱処理を施して角形磁気特
性を得た後、第２図Ｘ印の時点でツブシ加工、切断など
によって第４図に示すようなへら状の形状のリード片を
成形しているが、この方法では析出物の成長による析出
硬化および合金組織の脆弱化などによって、リード片成
形時に傷、クラック等が発生し易く、またその加工歪に
よって磁気特性は著るしく劣化し、この状態ではリード
片として使用できないので、さら加工歪の除去のため回
復加熱処理（点線）を施しているが、元通りの磁気特性
に回復しないなどの欠点が多い。

本発明者らは種々検討した結果、第２図、第３図Ａ、Ｂ
、Ｃの製造法において析出物を成長させる前の・印の時
点でリード片を成形することにより、これらの欠点のな
い角形ヒステリシス磁性合金の製造法を見い出した。

すなわち、本発明の角形ヒステリシス磁性合金の製造法
によれば析出物の成長のない状態においてリード片を成
形するので、傷、クランクの発生もな（、またリード片
成形後の加熱処理は加工歪の除去とともに適度な析出物
の成長を同時に図れるので、従来法のように回復加熱処
理は不要で、したがってそれに伴う磁気特性の劣化もな
い。

次に本発明のリード片の製造法について実施例によって
具体的に述べる。

９９．９％純度の電解鉄、９９．８％純度のニオビウム
、モリブデンおよびコバルトを用いた。試料を造るには
原料８００ｇを真空中で高周波誘導電気炉によって溶か
した後脱酸剤としてＭｎ０．５％を加え、よく撹拌した
均質な溶融合金とした０次に鋳型に注入し、得られた鋳
塊を約１２００℃で鍛造して直径１０Ｉｌ１１１の丸棒
とした。これを１１００℃の中間焼鈍と冷間線引を繰り
返して直径２．０ＩＩＩＩｌの線とした。この線を１０
００℃の真空中で１時間加熱した後水冷して溶体化処理
を施し、ついで第１段加熱処理として６００℃で３０分
間加熱した後冷間線引により直径０．５５＋ｓａ＋の細
線とした。この場合の加工率（減面率）は９２％である
。さらにこの線より長さ２５　ｃｍを切りとって試料と
し、第２段加熱処理として７００℃で２時間加熱した後
残留磁束密度Ｂｒ、磁場１００エルステツドのときの磁
束密度ＢＩＧ。との比率で表わした角形率Ｂｒ／Ｂ＋ｏ
。、角張率、酌ｉｉフ１７丁罷−（但し、（ＢＨ）ｍは最大エネル
ギー積）および保磁力）（ｃの値を測定して次のような
特性が得られた。

Ｈｃ＝２６．ＯＯｅ　　　Ｂｒ＝１９１００　ＧＢ　ｒ
／　Ｂ　、ｏ。＝０．９５　　％市／ＢＴＨｃ＝０．９
６０また、上記の冷間線引状態の直径０．５５　ａｍ線
の曲りを直線化加工して矯正し、ツブシ加工および切断
して第４図の寸法のリード片を成形した後同じように第
２段加熱処理として７００℃で２時間加熱したリード片
の磁気特性はＨｃ＝２６．２０ｅ　　　Ｂｒ＝１９１００　ＧＢ　ｒ
／　Ｂ　Ｉ　００＝０．９５５八ＢＨ）、／Ｂｒ−Ｈｃ
＝０．９６３であった。

前記電解鉄、９９．８％純度のタンタルおよび銅を用い
た。試料は大気中で実施例１と同様に溶解し、同様に鍛
造、中間焼鈍および冷間線引によって直径１．８１の線
とした。これを１１００℃の真空中で１時間加熱した後
空冷し、ついで冷間線引により直径０．５５ｍｎ＋（加
工率９０％）の細線とした。さらに第１段加熱処理とし
て５５０℃で３０分間加熱後空冷し、第２段加熱処理と
して６５０℃で１時間加熱し、次のような磁気特性を得
た。

Ｈｃ＝２１．５０ｅ　　　Ｂｒ＝１６３００　ＧＢ　ｒ
／　Ｂ　＝　ｏ。＝０．９５３５にフロＨｃ＝０．９５
０上記の冷間加工状態の直径０．５５　ｍｍの細線に直
線化加工を施して矯正した後、同様にリード片に成形し
、ついで第１段加熱処理として５５０℃で３０分間加熱
した後さらに第２段加熱処理として６５０℃で１時間加
熱したり一ド′片の磁気特性は次の通りであった。

Ｈｃ＝２１．３０ｅ　　　　Ｂｒ＝１６３５０　ＧＢ　
ｒ／　Ｂ　Ｉ　００＝０．９６０　（ｉｍ）１Ｈｃ＝０
．９５５また上記の冷間加工状態の直径０．５５　ｍｍ
の細線を、第１段加熱処理として５５０℃で３０分間加
熱した後直線化加工を施し曲りを矯正し、ついでこれを
リード片に成形した。さらにこれを第２段加熱処理とし
て６５０℃で１時間加熱したリード片の磁気特性は次の
通りであった。

Ｈｃ＝２１．４０ｅ　　　Ｂｒ＝１６３３０　ＧＢ　ｒ
／　Ｂ　ｌ　００＝０．９５８　　（ＢＨ）、／Ｂ口１
ｃ＝０．９５３ｃｏ＝１４００　　のリード　のｌ゛告
前記電解鉄、モリブデン６５％含有のフェロモリブデン
および９９．８％の純度のタングステンを用いた。試料
は真空中で実施例１と同様に溶解し、同様に鍛造、中間
焼鈍および冷間線引によって直径３ＩＩＩＩＩ＋の線と
した。これを１０５０℃の真空中で１時間加熱した後油
冷し、ついで冷間線引により直径１．２　ｎ＋ｍの線（
加工率８４％）とし、これに第１段加熱処理として７０
０℃で２０分間加熱した。さらに冷間線引により直径０
．５５　ｍｍの線（加工率７９％）とし、第２段加熱処
理として８００℃で３０分間加熱して次のような磁気特
性を得た。

１（ｃ＝２８．６０ｅ、　　　Ｂｒ＝１８７００　ＧＢ
ｒ／Ｂ、ｏ。＝Ｏ，，９６７（ＢＨ）、／ロＨｃ＝０．
９６３また上記冷間加工状態の直径０．５５　ｍｍの線
を直線化加工によって矯正した後リード片に成形し、つ
いで第２段加熱処理として８００℃で３０分間加熱した
リード片の磁気特性はＨｃ＝２８．５０ｅ　　　Ｂｒ＝１８６５０　ＧＢ　ｒ
／　Ｂ　Ｉ　００＝０．９６５　　（Ｂ市四］ｃ＝０．
９６５であった。

実ｍ前記電解鉄およびコバルトとタングステン７５％含有の
フェロタングステンを用いた。試料はアルゴン雰囲気中
で実施例１と同様に溶解し、同様に鍛造、中間焼鈍およ
び冷間線引によって直径２ｍｎ＋の線とした。これを１
１５０℃の真空中で３０分間加熱した後水冷し、ついで
冷間線引により直径０．５５ｍｍの細線（加工率９２％
）とした。この冷間加工状態の線を直線化加工して矯正
し、リード片を成形した後７００℃で２時間加熱したリ
ード片の磁気特性ははＨｃ＝３５．７０ｅ　　　　　Ｂｒ＝１８８２０　　Ｇ
Ｂ　ｒ／　Ｂ　Ｉ　Ｏ０＝　０．９４５　ｒ　＝　０．
９３０であった。

尚、第１表には種々な合金について、１１００”ｃで１
時間加熱した後水冷して溶体化処理を施し、ついで本発
明の製造法にもとづいて表中に記載したように冷間加工
、第１段加熱処理および第２段加熱処理を施した場合の
磁気特性を示した。

第５図にはＦｅ−２％Ｎｂ−５％Ｔａ−２％Ｍ　ｏ　−
５％Ｗ合金にＶ、ＣｒあるいはＮｉを添加し、溶体化処
理後加工率９０％の冷間加工を施し、ついで第１段加熱
処理として６５０℃の温度で３０分間加熱後加工率９５
％の冷間加工を施し、さらにこれをリード片に成形した
後第２段加熱処理として７５０℃の温度で１時間加熱し
た本発明の製造法によって得られたリード片の磁気特性
を示す特性図である。

図から明らかなように、Ｖ、ＣｒあるいはＮｉを添加す
ると保磁力、角張率の何れも大きくなる。

しかし、残留磁束密度はＶ、Ｎｉ　、Ｃｒの何れも小さ
くなり、ＶＩＯ％以上、ＮｉｌＯ％以上、Ｃｒ２５％以
上は好ましくない。

第６図はＦｅ−２％Ｎｂ−５％Ｔａ−２％Ｍｏ　−５％
Ｗ合金にＣｒあるいはＣｏを添加し、同様な製造法によ
って得られたリード片の磁気特性を示す特性図である。

図から明らかなように、ＣｕあるいはＣｏの添加は保磁
力、角張率を高めるが、Ｃｕ２Ｏ％以上では残留磁束密
度が小さくなり、またＣｏ５０％以上では加工が困難と
なり、好ましくない。

第７図はＦｅ−２％Ｎｂ−５％Ｔａ−２％Ｍｏ　−５％
Ｗ合金にＴｉ、Ｚｒ、Ｉｆ、Ｓｉ、Ａｊ！あるいはＧｅ
を添加し、同様な製造法によって得られたリード片の磁
気特性を示す特性図である。図から見られるように、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ。

ＡｌあるいはＧｅを添加すると何れも保磁力、角張率を
高めるが、Ｔｉ　５％以上、Ｈｆ　５％以上、Ｓｉ　５
％以上あるいはＡ１５％以上では残留磁束密度が小さく
なり、またＺｒ　５％以上あるいはＧｅ５％以上では加
工が困難となり、好ましくない。

第８図はＦｅ−２％Ｎｂ−５％Ｔ　ａ　−２％Ｍ　ｏ　
−５％Ｗ合金にＧａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｎ、Ｓｂあるいは
Ｂｅを添加し、同様な製造法によって得られたリード片
の磁気特性を示す特性図である。図から明らかなように
、Ｇａ　、Ｉｎ　、Ｔｌ、Ｓｎ　。

ｓｂあるいはＢｅを添加すると何れも保磁力、角張率を
高めるが、Ｇａ　５％以上、Ｉｎ　５％以上、Ｂｅ　３
％以上あるいはＳｎ　５％以上を添加すると残留磁束密
度が小さくなり、またＴｆ５％以上あるいはＳｂ　５％
以上を添加すると加工が困難となり、好ましくない。

第９図はＦｅ−２％Ｎ　ｂ　−’５％Ｔａ−２％Ｍｏ　
−５％Ｗ合金にＭｎ　、ＡｕあるいはＡｇを添加し、同
様な製造法によって得られたリード片の磁気特性を示す
特性図である。図から明らかなように、Ｍｎ　、Ａｕあ
るいはＡｇを添加すると何れも保磁力、角張率を高める
が、Ｍｎ１５％以上では残留磁束密度が小さ（なり、ま
たＡｕ　１０％以上あるいはＡｇ　１０％以上では加工
が困難となり、好ましくない。

第１０図はＦｅ−２％Ｎｂ−５％Ｔａ−２％Ｍ　ｏ　−
５％Ｗ合金にＰｔ、ＣｅあるいはＣを添加し、同様な製
造法によって得られたリード片の磁気特性を示す特性図
である。図から明らかなように、ＰＬ、ＣｅあるいはＣ
を添加すると何れも保磁力、角張率を高めるが、Ｃ００
５％以上、Ｐｔ　５％以上、Ｃｅ、５％以上で何れも加
工が困難となり、好ましくない。

上記各実施例および第１表および図面かられかるように
Ｎｂ　、Ｔａ　、ＭｏおよびＷの１種または２種以上の
合計０．５〜２０％からなる合金とＶ。

Ｃｒ、Ｎｉ　、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｔｉ　、Ｚｒ、Ｈｆ　。

Ｓｉ、　Ａｇ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｎ。

Ｓｂ、Ｂｅ、Ｍｎ、Ａｕ、Ａｇ、白金族元素、希土類元
素およびＣの１種または２種以上の合計０．０１〜６０
％と残部Ｆｅからなる本発明の製造法による磁性材料よ
りなるリード片は保磁力が２工ルステツド以上で、残留
磁束密度が大きく、角張率の優れた角形ヒステリシス特
性を有する。

また本発明の製造法で得られた上記の磁性材料よりなる
リード片を使用したリードスイッチは安定で正確にスイ
ッチ動作する。

尚、本発明の製造法によるリード片は、その他の電気機
器において角形ヒステリシス特性を必要とするものにも
好適である。

尚、実施例および第１表に掲げた合金には比較的純度の
高いＮｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｖ。

Ｔｉ　、Ａｌ、Ｓｉ　、希土類元素およびＣ等を用いた
が、これらの代りに経済的に有利な一般市販のフェロあ
るいは母合金およびミツシュメタルを用いても溶解の際
脱酸、脱硫を充分に行えば、これらの金属を用いる場合
とほぼ同様な磁気特性と加工性が得られる。

次に本発明においてリード材料の組成を、ニオブ１０％
以下、タンタル２０％以下、モリブデン１５％以下およ
びタングステン２０％以下の１種または２種以上の合計
０．５〜２０％と、バナジウム１０％以下、クロム２５
％以下、ニッケル９％以下、銅２０％以下、コバルト５
０％以下、チタン５％以下、ジルコニウム５％以下、ハ
フニウム５％以下、珪素５％以下、アルミニウム５％以
下、ゲルマニウム５％以下、ガリウム５％以下、インジ
ウム５％以下、タリウム−５％以下、錫５％以下、アン
チモン５％以下、ベリリウム３％以下、マンガン１５％
以下、金１０％以下、ｗｉ１０％以下、白金族元素５％
以下、希土類元素５％以下および炭素０．５％以下の１
種または２種以上の合計ｏ、ｏｉ〜６０％と、残部鉄に
限定した理由は、各実施例および第１表から明らかなよ
うにその組成範囲の合金は残留磁束密度が大きく、角張
率のすぐれた角形ヒステリシスを示し、保磁力が２工ル
ステツド以上を有し、かつ加工が容易で高温加熱によっ
ても磁気特性が安定な磁性材料であるが、組成がこの範
囲をはずれると磁気特性は劣化し、かつ加工が困難とな
り角形ヒステリシス磁性材料としてリード片又はリード
スイッチに不適当となるからである。

ここでＮｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｉ　。

Ｃｕ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ａｆ。

Ｇｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｅ。

Ｍｎ　、　Ａｕ　、　Ａｇ　、白金族元素、希土類元素
およびＣは特に保磁力を高める効果が大きく、Ｃｏは特
に残留磁束密度を高める効果が大きく、Ｖ。

Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ａｕ。

Ａｇ　、白金族元素および希土類元素は特に角形性を良
好にする効果が大きく、Ｔｉ　、　　Ｓｉ　、　ＡＩｌ
。

Ｇｅ　、Ｂｅ　、Ｍｎおよび希土類元素は特に熱間およ
び冷間加工性を改善する効果が大きく、Ｍｏ。

Ｗ、Ｃｒ　、Ｎｉ　、ＭｎおよびＣｏは熱膨張係数を小
さくする効果が大きい。

また白金族元素はパラジウム、白金、ロジウム。

イリジウム、ルテニウム、オスミウムおよびレニウムか
らなり、希土類元素はイツトリウム、スカンジウム、ラ
ンタン、セリウム、プラセオジウム。

ネオジウム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウム
、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミ
ウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウムおよびル
テチウムからなるが、その効果はし）ずれも同様である
。

尚、カルシウム、マグネシウム、ストロンチウム、バリ
ウムおよび硼素は加工性を高める効、果があり、またカ
ルシウム、ビスマス、鉛＊　Ｌ　硫黄＋窒素、酸素およ
びセレンは保磁力および快削性を高める効果があるので
本発明のリード片の特性および加工性を損わない程度の
少量含有しても差し支えない。

【図面の簡単な説明】

第１図は角張率の異なる磁気ヒステリシスループを示す
図、第２図は従来の角形ヒステリシス磁性合金およびリード
片の製造法を示す模式図、第３図Ａ、ＢおよびＣは本発明の角形ヒステリシス磁性
材料よりなるリード片の製造法を示す模式図、第４図はリードスイッチのリード片の斜視図、第５図に
はＦｅ−２％Ｎｂ−５％Ｔａ−２％Ｍｏ　−５％Ｗ合金
にＶ、ＣｒあるいはＮｉを添加したリード片の磁気特性
図、第６図は同じ＜Ｆｅ−２％Ｎｂ−５％Ｔａ−２％Ｍｏ−
５％Ｗ合金にＣｕあるいはＣｏを添加したリード片の磁
気特性を示した特性図、第７図は同じ＜Ｆｅ−２％Ｎｂ−５％Ｔａ−２％Ｍｏ−
５％Ｗ合金にＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ。／ｌあるいはＧｅを添加したリード片の磁気特性を示し
た特性図、第８図は同じ＜Ｆｅ−２％Ｎｂ−５％Ｔａ−２％Ｍｏ−
５％Ｗ合金にＧａ、Ｉｎ、ＴＥ、Ｓｎ。ｓｂあるいはＢｅを添加したリード片の磁気特性を示し
た特性図、第９図は同じ＜Ｆｅ−２％Ｎｂ−５％Ｔａ−２％Ｍｏ−
５％Ｗ合金にＭｎ　、ＡｕあるいはＡｇを添加したリー
ド片の磁気特性を示した特性図、第１０図は同じ＜Ｆｅ
−２％Ｎｂ−５％Ｔａ−２％Ｍｏ−５％Ｗ合金にＰｔ、
ＣｅあるいはＣを添加したリード片の磁気特性を示した
特性図である。特許出願人　　財団法人電気磁気材料研究所第１図第２図第５図Ｖ　、　Ｃｒｏｒ　Ｎ；　（％）第６図Ｃ（１０ｒ　Ｃｏ　（％）第７図万ｌｒ　ｏｒ　Ｈｆ（％）　　　　Ｓ；、ＡＩ　ｏｒ　
（ｒｅ　（％”）第８図Ｑａ、Ｉｎｏｒ　ＴＩ（％）　　　　Ｓｑ、Ｓｂ　　０
ｒＢｅ（％ン第９図Ｍｑ、Ａｔ　ｏｒＡｐ−（％）第１θ図Ｐｔ　、Ｃｅ　ｏｒ　Ｃ（％） −１：’Ｊ６一

Claims

【特許請求の範囲】１、重量比にてニオブ１０％以下、タンタル２０％以下
、モリブデン１５％以下およびタングステン２０％以下
の１種あるいは２種以上の合計０．５〜２０％と、バナ
ジウム１０％以下、クロム２５％以下、ニッケル９％以
下、銅２０％以下、コバルト５０％以下、チタン５％以
下、ジルコニウム５％以下、ハフニウム５％以下、珪素
５％以下、アルミニウム５％以下、ゲルマニウム５％以
下、ガリウム５％以下、インジウム５％以下、タリウム
５％以下、錫５％以下、アンチモン５％以下、ベリリウ
ム３％以下、マンガン１５％以下、金１０％以下、銀１
０％以下、白金族元素５％以下、希土類元素５％以下お
よび炭素０．５％以下の１種あるいは２種以上の合計０
．０１〜６０％と、残部鉄と、少量の不純物とからなる
合金を溶体化処理後、第１段加熱処理として４００〜９
００℃の温度で加熱し、ついで加工率５０％以上の冷間
加工を施した後、リード片に成形し、さらにこれを第２
段加熱処理として５００℃〜１０００℃の温度で加熱す
ることを特徴とする角形ヒステリシス磁性リード片の製
造法。２、重量比にてニオブ１０％以下、タンタル２０％以下
、モリブデン１５％以下およびタングステン２０％以下
の１種あるいは２種以上の合計０．５〜２０％と、バナ
ジウム１０％以下、クロム２５％以下、ニッケル９％以
下、銅２０％以下、コバルト５０％以下、チタン５％以
下、ジルコニウム５％以下、ハフニウム５％以下、珪素
５％以下、アルミニウム５％以下、ゲルマニウム５％以
下、ガリウム５％以下、インジウム５％以下、タリウム
５％以下、錫５％以下、アンチモン５％以下、ベリリウ
ム３％以下、マンガン１５％以下、金１０％以下、銀１
０％以下、白金族元素５％以下、希土類元素５％以下お
よび炭素０．５％以下の１種あるいは２種以上の合計０
．０１〜６０％と、残部鉄と、少量の不純物とからなる
合金を溶体化処理後加工率５０％以上の冷間加工を施し
、ついでリード片に成形した後、第１段加熱処理として
４００〜９００℃の温度で加熱し、さらに第２段加熱処
理として５００℃〜１０００℃の温度で加熱することを
特徴とする角形ヒステリシス磁性リード片の製造法。３、重量比にてニオブ１０％以下、タンタル２０％以下
、モリブデン１５％以下およびタングステン２０％以下
の１種あるいは２種以上の合計０．５〜２０％と、バナ
ジウム１０％以下、クロム２５％以下、ニッケル９％以
下、銅２０％以下、コバルト５０％以下、チタン５％以
下、ジルコニウム５％以下、ハフニウム５％以下、珪素
５％以下、アルミニウム５％以下、ゲルマニウム５％以
下、ガリウム５％以下、インジウム５％以下、タリウム
５％以下、錫５％以下、アンチモン５％以下、ベリリウ
ム３％以下、マンガン１５％以下、金１０％以下、銀１
０％以下、白金族元素５％以下、希土類元素５％以下お
よび炭素０．５％以下の１種あるいは２種以上の合計０
．０１〜６０％と、残部鉄と、少量の不純物とからなる
合金を溶体化処理後、加工率５０％以上の冷間加工を施
し、ついで第１段加熱処理として４００〜９００℃の温
度で加熱した後リード片に成形し、さらにこれを第２段
加熱処理５００℃〜１０００℃の温度で加熱することを
特徴とする角形ヒステリシス磁性リード片の製造法。４、重量比にてニオブ１０％以下、タンタル２０％以下
、モリブデン１５％以下およびタングステン２０％以下
の１種あるいは２種以上の合計０．５〜２０％と、バナ
ジウム１０％以下、クロム２５％以下、ニッケル９％以
下、銅２０％以下、コバルト５０％以下、チタン５％以
下、ジルコニウム５％以下、ハフニウム５％以下、珪素
５％以下、アルミニウム５％以下、ゲルマニウム５％以
下、ガリウム５％以下、インジウム５％以下、タリウム
５％以下、錫５％以下、アンチモン５％以下、ベリリウ
ム３％以下、マンガン１５％以下、金１０％以下、銀１
０％以下、白金族元素５％以下、希土類元素５％以下お
よび炭素０．５％以下の１種あるいは２種以上の合計０
．０１〜６０％と、残部鉄と、少量の不純物とからなる
合金を溶体化処理後、加工率５０％以上の冷間加工を施
し、ついで第１段加熱処理として４００〜９００℃の温
度で加熱後加工率５０％以上の冷間加工を施し、さらに
これをリード片に成形した後第２段加熱処理として５０
０℃〜１０００℃の温度で加熱することを特徴とする角
形ヒステリシス磁性リード片の製造法。５、重量比にてニオブ１０％以下、タンタル２０％以下
、モリブデン１５％以下およびタングステン２０％以下
の１種あるいは２種以上の合計０．５〜２０％と、バナ
ジウム１０％以下、クロム２５％以下、ニッケル９％以
下、銅２０％以下、コバルト５０％以下、チタン５％以
下、ジルコニウム５％以下、ハフニウム５％以下、珪素
５％以下、アルミニウム５％以下、ゲルマニウム５％以
下、ガリウム５％以下、インジウム５％以下、タリウム
５％以下、希土類元素５％以下および炭素０．５％以下
の１種あるいは２種以上の合計０．０１〜６０％と、残
部鉄と、少量の不純物とからなる合金を溶体化処理後、
第１段加熱処理として４００〜９００℃の温度で加熱し
、ついで加工率５０％以上の冷間加工を施した後リード
片に成形し、さらにこれを第２段加熱処理として５００
℃〜１０００℃の温度で加熱して得た、残留磁束密度が
大きく、角張率のすぐれた角形ヒステリシス特性を有す
るリード片からなるリードスイッチ。６、重量比にてニオブ１０％以下、タンタル２０％以下
、モリブデン１５％以下およびタングステン２０％以下
の１種あるいは２種以上の合計０．５〜２０％と、バナ
ジウム１０％以下、クロム２５％以下、ニッケル９％以
下、銅２０％以下、コバルト５０％以下、チタン５％以
下、ジルコニウム５％以下、ハフニウム５％以下、珪素
５％以下、アルミニウム５％以下、ゲルマニウム５％以
下、ガリウム５％以下、インジウム５％以下、タリウム
５％以下、錫５％以下、アンチモン５％以下、ベリリウ
ム３％以下、マンガン１５％以下、金１０％以下、銀１
０％以下、白金族元素５％以下、希土類元素５％以下お
よび炭素０．５％以下の１種あるいは２種以上の合計０
．０１〜６０％と、残部鉄と、少量の不純物とからなる
合金を溶体化処理後、加工率５０％以上の冷間加工を施
し、ついでリード片に成形した後、第１段加熱処理とし
て４００℃〜９００℃の温度で加熱し、さらに第２段加
熱処理として５００〜１０００℃の温度で加熱して得た
、残留磁束密度が大きく、角張率のすぐれた角形ヒステ
リシス特性を有するリード片からなるリードスイッチ。７、重量比にてニオブ１０％以下、タンタル２０％以下
、モリブデン１５％以下およびタングステン２０％以下
の１種あるいは２種以上の合計０．５〜２０％と、バナ
ジウム１０％以下、クロム２５％以下、ニッケル９％以
下、銅２０％以下、コバルト５０％以下、チタン５％以
下、ジルコニウム５％以下、ハフニウム５％以下、珪素
５％以下、アルミニウム５％以下、ゲルマニウム５％以
下、ガリウム５％以下、インジウム５％以下、タリウム
５％以下、錫５％以下、アンチモン５％以下、ベリリウ
ム３％以下、マンガン１５％以下、金１０％以下、銀１
０％以下、白金族元素５％以下、希土類元素５％以下お
よび炭素０．５％以下の１種あるいは２種以上の合計０
．０１〜６０％と、残部鉄と、少量の不純物とからなる
合金を溶体化処理後、加工率５０％以上の冷間加工を施
し、ついで第１段加熱処理として４００℃〜９００℃の
温度で加熱した後、リード片に成形し、さらにこれを第
２段加熱処理として５００〜１０００℃の温度で加熱し
て得た、残留磁束密度が大きく、角張率のすぐれた角形
ヒステリシス特性を有するリード片からなるリードスイ
ッチ。８、重量比にてニオブ１０％以下、タンタル２０％以下
、モリブデン１５％以下およびタングステン２０％以下
の１種あるいは２種以上の合計０．５〜２０％と、バナ
ジウム１０％以下、クロム２５％以下、ニッケル９％以
下、銅２０％以下、コバルト５０％以下、チタン５％以
下、ジルコニウム５％以下、ハフニウム５％以下、珪素
５％以下、アルミニウム５％以下、ゲルマニウム５％以
下、ガリウム５％以下、インジウム５％以下、タリウム
５％以下、錫５％以下、アンチモン５％以下、ベリリウ
ム３％以下、マンガン１５％以下、金１０％以下、銀１
０％以下、白金族元素５％以下、希土類元素５％以下お
よび炭素０．５％以下の１種あるいは２種以上の合計０
．０１〜６０％と、残部鉄と、少量の不純物とからなる
合金を溶体化処理後、加工率５０％以上の冷間加工を施
し、ついで第１段加熱処理として４００℃〜９００℃の
温度で加熱後、加工率５０％以上の冷間加工を施し、さ
らにこれをリード片に成形した後第２段加熱処理として
５００〜１０００℃の温度で加熱して得た、残留磁束密
度が大きく、角張率のすぐれた角形ヒステリシス特性を
有するリード片からなるリードスイッチ。