JPH01220141A - 光学式情報再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光学式ビデオディスク、コンパクトディスク
、或いは光ディスク等の光学的に情報が記録されている
情報記録媒体から、その情報を再生すべくこれを読取る
光学式情報再生装置に関する。

〔従来の技術〕

従来のこの種の光学式情報再生装置の構成としては、第
１０図に示すものが、その半導体レーザ装置としては第
１１図に示すものがあり、以下これについて説明する。

１は半導体レーザ光源で、これより発したレーザ光はハ
ーフミラ−２の表面で反射され、対物レンズ３に入射さ
れる。

対物レンズ３は入射光を集束し、ディスク４に照射し、
このディスク４から反射された光は対物レンズ３、ハー
フミラ−２に同じ経路を通って戻る。

ハーフミラ−２の裏面で反射された光は受光素子５に到
達し、受光素子５で光電変換されてディスク４の情報が
電気信号として取り出される。

一方、半導体レーザ光源ｌからは前記と反対面からも光
を発し、その光はハーフミラ−２とは反対面に設置され
たモニタ受光素子６に入り、その出力によって負帰還回
路７が半導体レーザ光源１の出力をコントロールし、半
導体レーザ光源１の出力を一定に保つものである。

そして、この半導体レーザ光源１は、ステム８に取付け
られているヒートシンク９のシリコン基板１０に取付け
られており、又受光素子６はステム１上に設置されてい
るものである。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の光学式情報再生装置においては、１つのステム８
上に半導体レーザ光源１と、その後方の該半導体レーザ
光源ｌからの光線が照射される受光素子６とが設けられ
ている。

そして、これ等には取付部品たるヒートシンク９、リー
ドビン１１等が必要であり、半導体レーザ光源１と受光
素子６との関連位置と相まって、装置が大型化する欠点
があった。

本発明は、従来の光学式情報再生装置の前述の問題点を
解消するために、ディスクの情報を読取るための第１の
受光素子と、光源の光量を一定化するために光源の出力
をコントロールするための第２の受光素子を１つの受光
素子体に形成することによって、部品点数を滅じ装置の
小型化、軽量化を図ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記の目的を達成するために、本発明の光学式情報再生
袋装置においては、光源の一面から発した光線を対物レ
ンズを介してディスクに照射し、このディスクを経過し
た光線を受光して電気信号に変換する第１の受光素子と
、前記光源の面から発した光線をディスクを経由せずに
受光し、光源の発光量をコントロールする第２の受光素
子とを１つの受光素子体の２つの部分に形成するもので
ある。

第１の受光素子、第２の受光素子は、１つの受光素子体
の両面に形成され、又この１つの受光素子にはディスク
への光線の通過する孔、スリット等の光線通路を形成す
ることが望ましい。

更に、この通路の周囲に、ディスクを経由しない光線を
受光する第２の受光素子を設け、或いは第２の受光素子
の受光面にはマスクを設けて受光域を一定化し、受光量
の上限の一定化と、各受光素子間の受光域のバラツキを
無くすことが効果的である。

［作　用〕 前記のように構成された光学式情報再生装置においては
、光源から発した光線は、対物レンズと経由して集束さ
れてディスクに照射され、これ経由した光線と、前記の
光源から発し、ディスクを経由しない光線とは、受光素
子体の第１の受光素子の受光面と、第２の受光素子の受
光面に至る。

そして、第１の受光素子で光電変換されてディスクの情
報は電気信号として、第２の受光素子で光電変換されて
、光源の発光量をコントロールする電気信号となるもの
である。

この第１の受光素子と第２の受光素子とは、１つの受光
素子の両面に形成することで、反対方向から来るディス
クを経由した光線、しない光線の受光が可能となる。

この受光素子に孔やスリット等の光線の通路を形成する
ことによって、これを通過した光線をディスクに照射で
き、又、この通路の周囲に第２の受光素子を形成するこ
とで、ディスクを照射する光線と第２の受光素子に至る
光線の単位面積当りの光量を同一に近づけることかでき
る。

更に、第２の受光素子の受光面に設けたマスクによって
、第２の受光素子に到達する受光面の面積を一定化する
ことができるものである。

〔実施例〕

次に、本発明の一実施例を、第１図〜第３図について説
明する。

２１は半導体レーザ光源で、その−面から出た光線は発
散光であるので、その一部の光線２２がハーフミラ−２
３の表面で反射され、対物レンズ２４で集束されてディ
スク２５を照射する。

このディスク２５で反射されて同じ経路を戻り、ハーフ
ミラ−２３に到達するが、ハーフミラ−２３の裏面で反
射された光線２６が受光素子体２７の一面に形成された
信号読取りパターン２８を有する第１の受光素子体ＰＤ
、に到達する。

一方、半導体レーザ光源２１の前記の面からの光線の一
部は、この光線が偏平な発散光であるためにその一部の
光線２９が受光素子体２７の第１の受光素子ＰＤ、の受
光面とは反対面に受光面がある第２の受光素子ＰＤ２に
到達する。

この受光素子体２７は、その基板シリコンがＮ型領域で
あるＮ層を形成し、その２個所に、通常はボロン選択拡
散によってＰ型領域となるＰ層が形成され、このＰ層と
Ｎ層とは接合中性層である空乏層Ｏを介してＰＮ接合を
されている。

そして、２個所のＰ層のうちの１は、信号読取りパター
ン２８を有する第１の受光素子ＰＤ、となってＰ層側が
受光面となり、他のＰ層が第２の受光素子ＰＤｚとなっ
てＮ層側が受光面となる。

この受光素子体２７は光が前記のＮ層である基板シリコ
ン中で吸収されると光エネルギーが価電子帯の電子を励
起し、光キャリアとして自由に動ける電子となるので、
Ｎ層をカソード、Ｐ層をアノードとすることによって外
部回路へ信号として取り出せる。

従って、対物レンズ２４からの光線２６は、第３図の信
号読取りパターン２８の第２の受光素子ＰＤ、でディス
ク情報として光電変換され、電気信号として取り出され
る。

一方、半導体レーザ光源２１から出て受光素子２７に到
達した光線２９は第２の受光素子ＰＤ。

に入射した光量が入射光量の信号として取り出される。

この入射光量の信号は、負帰還回路２０によって半導体
レーザ光源２１にフィードバックされ、その発光量を常
に一定化するものである。

次に、本発明の他の実施例を第４図、第５図について説
明する。

この実施例の受光素子体２７には孔３０を穿設し、所要
の位置に第１の受光素子ＰＤ、となるＰ層と、該孔３０
の周囲に第２の受光素子ＰＤ、となるＰ層を形成する。

そして、半導体レーザ光源２１から対物レンズ２４に到
る光線２２の経路中に孔３０を位置させディスク２５で
反射された光線２６の経路中に、第１の受光素子ＰＤ、
を位置させるものである。

従って、半導体レーザ光源２１からの光線２２が孔３０
を通り、ディスク２５で反射された光線２６は前実施例
と同様に光電変換され、情報の電気信号となる。

又、孔３０を通る光線２２の周囲の光線は、孔３０の周
囲に形成された第２の受光素子ＰＤ２によって、受光量
としての電気信号となり、半導体レーザ光源２１の発光
量をコントロールすることができる。

第６図は、受光素子体２７の孔３０に代えて、スリット
３１としたもので、その作用は第４図。

第５図のものと変らない。

更に、第７図〜第９図は他の実施例を示すもので、前実
施例の孔３０の周囲の受光面側に、孔３０よりも大きく
開口しているマスク３２を形成し、孔３０の周囲に形成
された第２の受光素子ＰＤ２に対する受光域を一定化す
るものである。

このマスク３２は金属蒸着、印刷、或いは基板シリコン
のその部分の形状を第９図のように凹面とする等の形状
変更によって形成するものである。

従って、前実施例の孔３０の周囲の第２の受光素子ＰＤ
、に対する受光域を一定化することによって、受光量の
上限を一定にし、モニタ信号処理用アンプの誤動作や、
各受光素子２７間のバラツキを無くし、負帰還回路の調
節を容易にすることができるものである。

前記各実施例において、受光素子体２７はディスク２５
からの光を光電変換した電気信号を増巾、演算等をする
回路を含んだ０ＥＩＣでもよく、ディスク２５を経由し
ない光線２９を光電変換し、光量信号として増巾する回
路、或いは半導体レーザ光源２１をコントロールする負
帰還回路を設けた０ＥＩＣとしてもよい。

又、第２の受光素子ＰＤ、に照射する光線は、光ファイ
バーで導光したり、ミラーで反射させてもよい。

〔発明の効果〕

本発明は膜上のように、光源の一面からの光線をディス
クを経由した光線と、ディスクを経由しない光線として
、２つの受光素子が形成されている１つの受光素子体で
受光するものである。

従って、部品点数が少なくなると共に、スペースが少な
くてすみ、装置の小型化と軽量化を図ることができる。

そして、２つの受光素子の受光面を受光素子体の反対面
に形成することによって、ミラーによる光線の反射、光
ファイバーによる導光等を用いることな（、反対方向か
ら来るディスク経由の光線と経由しない光線の受光が可
能となる。

又、ディスクに到る光線の通路を受光素子体に形成した
ので、ディスクへの往路と復路の光線の位置を近づける
ことができ、ハーフミラ−の面積、厚さを縮小できるば
かりでなく、この光線の通路の周囲に第２の受光素子を
形成することによってディスクを照射する光線の周囲の
光線を第２の受光素子が受光することとなる。

そのため、ディスクを照射するための光源から出た光線
と、第２の受光素子に至る光線との単位面積当りの光量
は極めて接近すると共に、第２の受光素子への入射角は
直角に近くなり、光源の光量コントロールが正確に行え
、又受光面積が太き（とれるので、大きな出力が得られ
る。

更に、この第２の受光素子の受光面に形成したマスクに
よって、受光量の上限を一定にし、モニタ信号処理用ア
ンプの誤動作の防止や、受光面積のバラツキによる出力
のバラツキが少なくなり、各装置間の調整を一定化でき
るものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の構成図、 第２図はこれをハーフミラ−側から見た斜面図、第３図
は受光素子体の構成図、 第４図は本発明の他の実施例の要部の構成図、第５図は
その受光素子体の斜面図、 第６図は第５図の孔をスリットにした受光素子体の斜面
図、 第７図は本発明の他の実施例の要部の構成図、第８図は
その受光素子体の斜面図、 第９図は第８図の受光素子体のマスクを変えた斜面図、 第１０図は従来の装置の構成図、 第１１図は同上の光源チップの斜面図である。 ２１・・・半導体レーザ光源、２２．２６．２９・・・
光線、２３・・・ハーフミラ−１２４・・・対物レンズ
、２５・・・ディスク、２７・・・受光素子体、２８・
・・信号読取りパターン、３０・・・孔、３１・・・ス
リット、３２・・・マスク、ＰＤ、・・・第１の受光素
子、ＰＤ、・・・第２の受光素子。 特許出願人　　　　　パイオニア株式会社２ｒ 第３図 どじ 第４図 第５図 第７図

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）情報を再生するための光線を発する光源と、該光
   源の一面からの光線をディスクに集束して照射する対物
   レンズと受光素子体の一部に形成され、ディスクを経由
   した光線を受光してこれを情報の電気信号に光電変換す
   る第１の受光素子と、前記受光素子体の他の部分に形成
   され、前記光源の一面からの光線を、ディスクを経由し
   ないで受光してその受光量を光電変換し、光源の発光量
   をコントロールする第２の受光素子とを備えたことを特
   徴とする光学式情報再生装置。
2. （２）前記第１の受光素子と第２の受光素子との受光面
   を受光素子体の両面に形成したことを特徴とする請求項
   １項記載の光学式情報再生装置。
3. （３）前記第２の受光素子は受光素子体の端部に形成し
   たことを特徴とする請求項１項記載の光学式情報再生装
   置。
4. （４）前記光源から放射される偏平であり、前記第２の
   受光素子が前記光線の長径方向に広がる光線の一部を受
   光することを特徴とする請求項２項記載の光学式情報再
   生装置。
5. （５）前記受光素子体の一部に、ディスクを照射する光
   線の通る孔、スリット等の光線の通路を形成したことを
   特徴とする請求項１項記載の光学式情報再生装置。
6. （６）前記孔、スリット等の光線の通路の周囲に、第２
   の受光素子を形成したことを特徴とする請求項２項記載
   の光学式情報再生装置。
7. （７）第２の受光素子の受光面に、光線が第２の受光素
   子に到達する受光域を決定するマスクを形成したことを
   特徴とする請求項１項記載の光学式情報再生装置。