JPH11306574A - 受光素子一体型半導体レーザユニットおよび光ピックアップ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体レーザチップからのレーザ光が多重反
射を繰り返しながら信号再生用受光素子に導かれてしま
うことを防止可能な構成の受光素子一体型半導体レーザ
ユニットを提案すること。 【解決手段】 半導体レーザユニット１の半導体基板２
の表面部分２ａのうち、半導体レーザチップ４の出射光
軸Ａを中心として一定の幅を持って当該出射光軸Ａに沿
って延びる帯状領域１１には、ダミー受光素子１２の受
光面１２１が形成されている。半導体レーザチップ４か
ら出射されたレーザ光Ｌ１のうち、プリズム６の反射面
６１から外れたノイズ光Ｌ１１は上記の受光面１２１で
受光吸収される。このように、ノイズ光Ｌ１１を吸収で
きるので、そのノイズ光Ｌ１１が半導体基板表面で反射
することによって信号再生用受光素子３の受光面に導か
れてしまうことを防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザチッ
プと受光素子が同一のパッケージ内に近接して設置され
た構成の受光素子一体型半導体レーザユニットおよびそ
れを用いた光ピックアップ装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＣＤ、ＤＶＤ、ＭＯなどの光ディスクの
記録・再生に用いられる光ピックアップ装置では、小
型、軽量化、部品点数削減、および各光学素子のアライ
メント調整の簡略化などの要求に対応するために、同一
のパッケージ内に半導体レーザチップおよびフォトダイ
オードが組み込まれた受光素子一体型半導体レーザユニ
ット（以下では、半導体レーザユニット）が用いられつ
つある。この半導体レーザユニットとしては、例えば、
特開平６−１１９６５１号公報に開示されているものが
ある。

【０００３】この公開公報に開示されている半導体レー
ザユニットでは、半導体基板に光ディスクからの戻り光
を受光するための信号再生用フォトダイオードが作り込
まれ、その半導体基板に半導体レーザチップが実装され
ている。また、半導体基板には半導体レーザチップから
のレーザ光を半導体基板の法線方向に立ち上げる立ち上
げミラーが固定されている。なお、この半導体レーザユ
ニットでは、光ディスクからの戻り光を信号再生用フォ
トダイオードに導くための回折格子がパッケージに取り
付けられている。

【０００４】ここで、半導体レーザチップから出射され
るレーザ光は大きな広がり角を持っている。すなわち、
空間的指向性が悪い。このため、上記の半導体レーザユ
ニットでは、半導体レーザチップから出射されたレーザ
光の一部は、立ち上げミラーから外れて、半導体基板の
表面を直に照射する。このように半導体基板が光照射さ
れると、その場所で光吸収によるキャリアが生成され、
このキャリアに起因した拡散電流が発生する。この拡散
電流が半導体基板に対して作り込まれている信号再生用
フォトダイオードのＰＮ接合された部分に達すると、光
ディスクからの戻り光のみを精度良く検出することがで
きなくなる。すなわち、信号再生用フォトダイオードの
出力信号には上記の拡散電流が含まれるので、その出力
信号のＳ／Ｎ比が低下する。

【０００５】従来においては、信号再生用フォトダイオ
ードが形成された部分を除く半導体基板表面に金属膜か
らなる遮光膜を形成し、この遮光膜によってレーザ光の
一部が半導体基板表面で吸収されてしまうことを防止し
ている。この遮光膜は半導体基板に形成された電子回路
部分や配線部分などの上にも絶縁膜を介して容易に形成
することができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レーザ
光が半導体基板表面に吸収されるのを遮光膜によって防
止する構成では、その遮光膜でレーザ光が反射してしま
うので、半導体レーザチップから出射されたレーザ光の
うち、立ち上げミラーから外れた光成分は遮光膜で反射
した後、パッケージの内壁と当該遮光膜で多重反射を繰
り返しながら信号再生用フォトダイオードに入射してし
まうという問題がある。

【０００７】一般的に、光ピックアップ装置において、
信号再生用フォトダイオードが検出する光ディスクから
の戻り光の強度は、半導体レーザチップから出射された
時点のレーザ光強度の１／１００程度に減衰している。
このため、上記のように半導体レーザチップから出射さ
れたレーザ光の一部が信号再生用フォトダイオードに入
射すると、そのレーザ光がノイズとなりＳ／Ｎ比が非常
に低下してしまう。

【０００８】本発明の課題は、このような点に鑑みて、
半導体レーザから出射されたレーザ光の一部が信号再生
用受光素子に導かれてしまうことを防止可能な構成の受
光素子一体型レーザユニットを提案することにある。

【０００９】また、本発明の課題は、本発明の受光素子
一体型半導体レーザユニットが組み込まれた光ピックア
ップ装置を提案することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明では、入射した光を吸収してこの光によって
励起されるキャリアを再結合するように構成されている
ダミー受光素子を、半導体基板上の適当な領域に形成す
ることによって、立ち上げミラーなどの反射面から外れ
た光成分などのノイズ光を当該ダミー受光素子で吸収す
るようにしている。これにより、ノイズ光が信号再生用
受光素子に導かれることを防止する。

【００１１】すなわち、本発明の受光素子一体型半導体
レーザユニットは、半導体基板と、この半導体基板の表
面部分に受光面が形成された信号再生用受光素子と、前
記半導体基板の基板面に平行に出射光軸を向けるように
当該半導体基板の表面部分に設置された半導体レーザチ
ップと、前記半導体レーザチップにおいて、前記出射光
軸の方向で対向する第１および第２の端面から出射され
た第１および第２のレーザ光のうち、前記第１のレーザ
光を前記半導体基板の法線方向に立ち上げる反射面とを
有する光ピックアップ装置用の受光素子一体型半導体レ
ーザユニットにおいて、前記半導体基板の前記表面部分
のうち、前記出射光軸を含む所定の幅を持って当該出射
光軸に沿って延びる帯状領域にダミー受光素子の受光面
を形成する。

【００１２】本発明の受光素子一体型半導体レーザユニ
ットでは、半導体レーザチップから出射された第１およ
び第２のレーザ光のうち、反射面から外れた光成分や第
２のレーザ光は、出射光軸に沿って延びる帯状領域に入
射する。この帯状領域にはダミー受光素子の受光面が形
成されているので、それらの光成分（ノイズ光）は半導
体基板表面で反射せずにダミー受光素子で吸収される。
従って、半導体基板表面でのノイズ光の反射を防げるの
で、信号再生用受光素子に当該ノイズ光が導かれてしま
うことを防止できる。また、ダミー受光素子はノイズ光
の吸収によって励起されたキャリアを強制的に再結合す
るように構成されているので、このダミー受光素子でノ
イズ光を吸収したとしても、これに起因して信号再生用
受光素子の出力信号にノイズ電流成分が含まれることは
ない。

【００１３】本発明において、前記信号再生用受光素子
の受光面の形成場所としては、前記表面部分のうち、前
記帯状領域から側方に外れた位置とすることが望まし
い。このような位置に信号再生用受光素子の受光面を形
成しておけば、半導体レーザチップから出射された第１
および第２のレーザ光が当該受光面に入射してしまうこ
とをより確実に防ぐことができる。

【００１４】ここで、半導体レーザチップのレーザ光出
力は、半導体基板の表面部分に当該半導体レーザチップ
から出射されたレーザ光の一部を検出するモニター用受
光素子を形成し、この受光素子の検出結果に基づいて、
フィードバック制御されるのが一般的である。モニター
用のレーザ光としては、反射面から外れた光成分（第１
のレーザ光の一部）が用いられることがある。このよう
な場合は、前記帯状領域のうち、前記反射面から外れた
前記第１のレーザ光が入射する領域に前記モニター用受
光素子の受光面を形成しておけば良い。

【００１５】また、第１のレーザ光が光記録媒体の記録
再生用等として利用され、第２のレーザ光がモニター光
として用いられる場合がある。このような場合は、前記
帯状領域のうち、前記第２のレーザ光が入射する領域
に、モニター用受光素子の受光面を形成すれば良い。

【００１６】本発明において、半導体基板に信号処理回
路を作り込む場合は、前記半導体基板の表面部分で前記
帯状領域によって区画された２つの表面領域のうち、前
記信号再生用受光素子の受光面が形成されている表面領
域以外の領域に、前記信号処理回路を形成し、この信号
処理回路を金属膜からなる遮光膜で覆うことが望まし
い。

【００１７】ここで、半導体レーザチップは半導体基板
の表面部分にサブマウントを介して設置することができ
る。また、その表面部分に半導体レーザチップ取付け用
の凹状のチップ取付け部を形成し、そこに設置するよう
にしても良い。このような凹状のチップ取付け部を表面
部分に形成する場合は、そのチップ取付け部を前記帯状
領域に形成し、当該チップ取付け部の壁面のうち、前記
半導体レーザチップのレーザ光が入射する壁面に前記反
射面を構成するようにすれば良い。

【００１８】本発明の受光素子一体型半導体レーザユニ
ットはＣＤやＤＶＤ等の光ディスクの記録・再生用の光
ピックアップ装置に組み込むことが可能である。すなわ
ち、半導体レーザチップと、当該半導体レーザチップか
ら出射されたレーザ光を光記録媒体に集光する対物レン
ズとを有し、前記光記録媒体からの戻り光を信号再生用
受光素子に導くように構成された光ピックアップ装置に
おいて、本発明の受光素子一体型半導体レーザユニット
を使用することができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。

【００２０】［実施の形態１］ （受光素子一体型半導体レーザユニットの構成）図１
（Ａ）は本発明を適用した受光素子一体型半導体レーザ
ユニット（半導体レーザユニット）の要部を示す斜視
図、図１（Ｂ）はそのユニットの概略断面構成図であ
る。半導体レーザユニット１は、信号再生用受光素子３
が作り込まれたシリコンなどからなる半導体基板２の表
面に半導体レーザチップ４が搭載された構成をしてい
る。なお、半導体基板２は銀ペースト等を用いて不図示
のリードフレームにダイボンディングされた後、リード
と半導体基板２に形成されているパットとの間が金ワイ
ヤーによってワイヤーボンディングされ、しかる後に、
封止されて単独のパッケージの形態になる。そして、こ
のパッケージ化された状態で光ピックアップ装置に搭載
される。

【００２１】半導体基板２の表面部分２ａにおいて、そ
のほぼ中央にはサブマウント５が融着材などによって固
定されており、このサブマウント５の上には半導体レー
ザチップ４が搭載されている。

【００２２】この半導体レーザチップ４は、第１のレー
ザ光（前方光）Ｌ１が出射される第１の出射端面４１
と、第２のレーザ光（後方光）Ｌ２が出射される第２の
出射端面４２とを備えている。半導体レーザチップ４の
出射光軸Ａは半導体基板２の基板面に平行となるように
設定されている。また、半導体レーザチップ４の第１お
よび第２の出射端面４１、４２における発光点は半導体
基板２の表面部分２ａから所定の高さに位置している。
この半導体レーザチップ４は、不図示のリードフレーム
のリードとワイヤーボンディングによって電気的に接続
されている。

【００２３】半導体基板２の表面部分２ａにおいて、半
導体レーザチップ４の第１の出射端面４１と出射光軸Ａ
の方向に所定の距離だけ離れた位置には三角柱状のプリ
ズム６が接着剤等によって固定されている。このプリズ
ム６は、出射光軸Ａに対して４５度傾斜した反射面６１
を備えており、この反射面６１が上記の第１の出射端面
４１と対峙した状態に配置されている。第１の出射端面
４１から出射された第１のレーザ光Ｌ１は、反射面６１
で半導体基板２の法線方向に立ち上げられる。

【００２４】ここで、半導体基板２の表面部分２ａのう
ち、出射光軸Ａを中心として所定の幅を持って当該出射
光軸Ａに沿って延びる帯状領域１１には、ダミー受光素
子１２の受光面１２１が形成されている。ダミー受光素
子１２は、入射した光を吸収して、その光によって励起
されるキャリアを強制的に再結合するように構成された
ものである。例えば、励起キャリアを半導体基板２の外
部に排除できるように構成されている。このため、この
ダミー受光素子１２の受光面１２で光吸収が生じて励起
キャリアが発生したとしても、その励起キャリアによっ
て発生する拡散電流が信号再生用受光素子３や後述する
モニター用受光素子の出力信号に含まれることはない。

【００２５】帯状領域１１は、一定の幅を持って出射光
軸Ａに沿って基板２の縁から縁まで伸びる矩形領域であ
る。この帯状領域１１の幅寸法、すなわち、帯状領域１
１の出射光軸Ａに直交する方向の寸法は、第１の出射端
面４１から出射された第１のレーザ光Ｌ１のうち、プリ
ズム６の反射面６１から外れた光成分（ノイズ光）１１
が入射する部分が当該帯状領域１１に完全に含まれるよ
うに設定されている。この帯状領域１１にはサブマウン
ト５やプリズム６が設置されている領域が含まれてい
る。

【００２６】なお、この帯状領域１１の幅は、上述した
ように反射面６１から外れたノイズ光１１が入射する部
分が当該帯状領域１１に含まれるように設定されるべき
性質のものであり、第１のレーザ光Ｌ１の横方向（半導
体基板表面において出射光軸Ａに直交する方向）の広が
り角、半導体レーザチップ４の取付け高さ、プリズム６
の反射面６１の大きさ、第１の出射端面４１と反射面６
１との距離などに応じて決定されるものである。このた
め、例えば、帯状領域１１は一定幅ではなく、半導体基
板２の端に向かうにつれて幅が広がるように設定される
こともある。

【００２７】帯状領域１１のうち、半導体レーザチップ
４の第２の出射端面４２から出射された第２のレーザ光
Ｌ２が入射する部分を含む領域１４には半導体レーザチ
ップ４のレーザ光出力をフィードバック制御するための
モニター用受光素子１５の受光面１５１が形成されてい
る。この受光面１５１は、サブマウント５のプリズム６
とは反対側の端面の下から第２のレーザ光Ｌ２の出射方
向に向けて半導体基板２のほぼ縁まで延びている。本例
の半導体レーザユニット１では、このモニター用受光素
子１５の出力信号に基づいて半導体レーザチップ４のレ
ーザ光出力のフィードバック制御が行なわれる。

【００２８】半導体基板２の表面部分２ａでは、出射光
軸Ａに直交する方向において帯状領域１１によって区画
された２つの矩形領域（表面領域）１７、１８のうち、
矩形領域１７には信号再生用受光素子３の受光面３１が
形成されている。この受光面３１の形成場所は、半導体
レーザチップ４から出射光軸Ａに直交する方向に所定の
距離だけ離れた位置であり、帯状領域１１から側方に外
れた位置である。なお、この受光面３１は、光ピックア
ップ装置においてトラッキングおよびフォーカス制御を
各々３ビーム法および非点収差法によって行なう場合は
６分割される。

【００２９】これに対して、帯状領域１１の外側の矩形
領域１８、および矩形領域１７のうち、信号再生用受光
素子３の受光面３１を除く部分には、図１（Ａ）におい
て破線で示すように、信号処理回路１９が形成されてい
る。信号処理回路１９には、例えば、信号再生用受光素
子３やモニター用受光素子１５の出力信号を増幅する増
幅器などが含まれる。この信号処理回路１９でモニター
用信号や再生信号が生成されて外部の制御装置に供給さ
れる。

【００３０】この様に帯状領域１１を挟んで分割された
領域に信号処理回路１９を形成した場合、両者の間を配
線（図示せず）で結ぶ必要があるが、この配線はダミー
受光素子１２の上に絶縁膜を介して形成すれば良い。あ
るいは、帯状領域１１からなるダミー受光素子１２を、
出射光軸Ａに直交する方向の分割線で、任意の数に分割
し（図示せず）、それらＰＮ接合の形成されていない領
域に該配線を形成しても良い。

【００３１】これらの信号処理回路１９が形成された領
域には絶縁膜を介して金属膜からなる遮光膜２０が蒸着
によって形成されている。すなわち、半導体レーザユニ
ット１では、半導体基板２の表面部分２ａのうち、信号
再生用受光素子３、ダミー受光素子１２およびモニター
用受光素子１５のそれぞれの受光面３１、１２１および
１５１が形成された部分を除く領域には遮光膜２０が形
成されている。

【００３２】このような半導体レーザユニット１におい
て、半導体レーザチップ４の第１の出射端面４１から出
射された第１のレーザ光Ｌ１のうち、その中央部分の光
成分はプリズム６の反射面６１でほぼ９０度折り曲げら
れて半導体基板２の法線方向（上方向）に出射される。
これに対して、第１のレーザ光Ｌ１の外周部分の光成分
（ノイズ光）Ｌ１１は反射面６１から外れて帯状領域１
１に入射する。この帯状領域１１に入射したノイズ光Ｌ
１１は、この領域１１に形成されたダミー受光素子１２
の受光面１２１で吸収される。従って、半導体基板表面
のおけるノイズ光Ｌ１１の反射を防止できるので、信号
再生用受光素子３の受光面３１でノイズ光Ｌ１１が検出
されることはなく、検出対象である光ディスクからの戻
り光のみを精度良く検出できる。また、受光面１２１で
ノイズ光Ｌ１１を吸収することによって励起されるキャ
リアは強制的に再結合されるので、そのノイズ光Ｌ１１
を吸収したことによって信号再生用受光素子３の出力信
号にノイズ電流が含まれてしまうことはない。さらに、
半導体レーザユニット１では、信号再生用受光素子３の
受光面３１が帯状領域１１から側方に外れた位置に形成
されているので、半導体レーザチップ４から出射された
第１および第２のレーザ光Ｌ１およびＬ２の一部が直に
当該受光面３１に入射することをより確実に防ぐことが
できる。

【００３３】また、半導体レーザユニット１では、帯状
領域１１にモニター用受光素子１５の受光面１５１が形
成されている。このため、第２のレーザ光Ｌ２が受光面
１５１から外れたとしても、その受光面１５１から外れ
た光成分は、モニター用受光素子１５の受光面１５１の
周囲の帯状領域１１に入射することになる。すなわち、
ダミー受光素子１２の受光面１２１に入射することにな
る。従って、この光成分もダミー受光素子１２の受光面
１２１に吸収され、半導基板表面で反射することはな
い。これにより、このモニター用受光素子１５の受光面
１５１から外れた光成分が信号再生用受光素子３の受光
面３１に導かれることも防止できる。

【００３４】さらに、半導体レーザユニット１では、半
導体基板２の表面部分２ａのうち、各受光面３１、１２
１および１５１を除く領域には遮光膜２０が形成されて
いる。また、この遮光膜２０で信号処理回路１９が光学
的に保護されている。このため、外部から進入した光等
が信号処理回路１９に入射してしまう可能性が極めて低
く抑えられている。従って、信号処理回路１９に光が入
射することによって生じる弊害を回避できる。例えば、
入射した光によってキャリアが励起され、この励起キャ
リアによって生じる拡散電流が信号処理回路１９の動作
状態を乱してしまうことや、信号再生用受光素子３やモ
ニター用受光素子１５のＰＮ接合部に流入してしまうこ
とを回避できる。

【００３５】（光ピックアップ装置への適用例）次に、
本発明を適用した半導体レーザユニット１を光ピックア
ップ装置に用いた例を説明する。図２には、半導体レー
ザユニット１が組み込まれた光ピックアップ装置の光学
系の概略構成を示してある。なお、図２には光ピックア
ップ装置における出射光および戻り光の様子を分かりや
すく示すために、半導体レーザチップ４、サブマウント
５およびプリズム６を１つの光源７５とし、その光源７
５から上方（半導体基板２の法線方向）に向けてレーザ
光ＬＡが出射されるものとして表してある。

【００３６】図２に示す光ピックアップ装置７０の光学
系は、本発明を適用した半導体レーザユニット１を有
し、この半導体レーザユニット１から光ディスク７２に
向けて、ホログラム素子７３および対物レンズ７４がこ
の順序に配列されている。

【００３７】半導体レーザユニット１の光源７５から出
射されたレーザ光ＬＡ、すなわち、半導体レーザチップ
１の第１の出射面４１から出射された第１のレーザ光Ｌ
１のうち、プリズム６の反射面６１で光軸が９０度折り
曲げられた光成分はホログラム素子７３に入射する。レ
ーザ光ＬＡのうち、ホログラム素子７３を透過した光成
分（０次回折光）は、対物レンズ７４を介して光ディス
ク７２の記録面７２ａに光スポットとして集光する。

【００３８】この集光した光は、光ディスク７２の記録
面７２ａで反射され、光ディスク７２からの戻り光ＬＢ
として、再び対物レンズ７４を通ってホログラム素子７
３に到達する。戻り光ＬＢはこのホログラム素子７３で
回折されて半導体レーザユニット１の信号再生用受光素
子３の受光面３１に導かれる。そして、この信号再生用
受光素子３の出力が信号処理回路１９で増幅処理および
演算処理されて外部の制御装置に供給され、その制御装
置で光ディスク７２に記録された情報が再生される。

【００３９】（実施の形態１の変形例）図３には半導体
レーザユニット１の変形例を示してある。図３（Ａ）は
その変形例の要部の斜視図、（Ｂ）はその概略断面構成
図である。なお、図３（Ａ）および（Ｂ）に示す半導体
レーザユニット１Ａにおいて、上述した半導体レーザユ
ニット１と共通する部分には同一の符号を付して、その
詳細な説明は省略する。

【００４０】本例の半導体レーザユニット１Ａでは、半
導体基板２の表面部分２ａに固定されたサブマウント６
を介して半導体レーザチップ４を搭載する代わりに、サ
ブマウント５が固定されるべき部分に凹状のチップ取付
け部５２をエッチングによって形成し、その底面部分に
半導体レーザチップ４を固定してある。

【００４１】詳しく説明すると、半導体基板２の表面部
分２ａにおいて、その中央部分（帯状領域１１に含まれ
る部分）にはほぼ矩形状の凹部であるチップ取付け部５
２が形成されている。このチップ取付け部５２の底面部
分に半導体レーザチップ４が固定されている。なお、半
導体レーザチップ４の取り付け方向は、図１を参照して
説明した半導体レーザユニット１と同一である。

【００４２】チップ取付け部５２の内壁を規定している
四周の壁面のうち、半導体レーザチップ４の第１の出射
面４１から出射された第１のレーザ光Ｌ１が入射する壁
面は出射光軸Ａに対して４５度傾斜した反射面６１とさ
れている。このため、第１のレーザ光Ｌ１はこの反射面
６１で光軸が９０度折り曲げられて半導体基板２の法線
方向に出射される。

【００４３】本形態では、帯状領域１１に形成されたモ
ニター用受光素子１５の受光面１５１は、反射面６１と
出射光軸Ａの方向において対向する壁面まで延びてお
り、半導体レーザチップ４の第２の出射面４２から出射
された第２のレーザ光Ｌ２をモニター光として検出でき
るようになっている。また、帯状領域１１に形成されて
いるダミー受光素子１２の受光面１２１は、残りの２つ
の壁面、すなわち、出射光軸Ａに直交する方向において
対向する壁面まで延びている。

【００４４】このような構成の半導体レーザユニット１
Ａにおいても、半導体レーザチップ４の第１の出射端面
４１から出射された第１のレーザ光Ｌ１のうち、チップ
取付け部５２の反射面６１から外れたノイズ光Ｌ１１は
帯状領域１１のダミー受光素子１２の受光面１２１で受
光吸収される。このため、半導体レーザユニット１と同
様の効果を奏する。

【００４５】［実施の形態２］上述した半導体レーザユ
ニット１、１Ａは、半導体レーザチップ４の第２のレー
ザ光（後方光）をモニター光として用いて当該半導体レ
ーザチップ４のレーザ光出力の制御を行なうリアモニタ
ー型の半導体レーザユニットである。本発明は、このよ
うなリアモニター型の半導体レーザユニットに限らず、
半導体レーザチップ４の第１のレーザ光（前方光）を用
いてレーザ光出力のフィードバック制御を行なうフロン
トモニター型の半導体レーザユニットに対しても適用可
能である。

【００４６】図４（Ａ）および（Ｂ）には、それぞれ、
フロントモニター型の半導体レーザユニットの要部の斜
視図およびその概略断面構成図を示してある。なお、本
形態の半導体レーザユニット１Ｂは、図１を参照に説明
した半導体レーザユニット１において、ダミー受光素子
１２の受光面１２１とモニター用受光素子１５の受光面
１５１の形成位置が異なる点を除いてほぼ同一の構成で
ある。

【００４７】本形態の半導体レーザユニット１Ｂでは、
出射光軸Ａの方向において、半導体レーザチップ１の第
１の出射端面４１を中心として帯状領域１１を２分割し
たときに、第１のレーザ光Ｌ１の出射方向側に位置する
領域には、モニター用受光素子１５の受光面１５１が形
成されている。残りの領域には、ダミー受光素子１２の
受光面１２１が形成されている。

【００４８】このように構成された半導体レーザユニッ
ト１Ｂでは、第１のレーザ光Ｌ１のうち、プリズム６の
反射面６１から外れた光成分Ｌ１１は、モニター用受光
素子１５の受光面１５１で受光される。この光成分１１
を受光したモニター用受光素子１５の受光結果に応じ
て、半導体レーザチップ４のレーザ光出力がフィードバ
ック制御される。すなわち、本例の半導体レーザユニッ
ト１Ｂでは、第１のレーザ光（前方光）の一部をモニタ
ー光として用いて、半導体レーザチップ４のレーザ光出
力がフィードバック制御される。

【００４９】ここで、本形態の半導体レーザユニット１
Ｂでは、半導体レーザチップ４の第２の出射端面４２か
ら出射された第２のレーザ光Ｌ２は、モニター光として
利用されないので、不要な光（ノイズ光）である。本形
態では、この第２のレーザ光Ｌ２は帯状領域１１におけ
る第２のレーザ光Ｌ２の出射方向側の領域に形成したダ
ミー受光素子１２の受光面１２１に入射し、そこで吸収
される。このように、半導体レーザチップ４から出射さ
れたレーザ光のうち、不要な光成分はダミー受光素子１
２によって吸収されるので、ノイズ光が半導体基板表面
で反射するのを防ぐことができる。従って、上述した半
導体レーザユニット１と同様に、不要な光が信号再生用
受光素子３の受光面３１に到達してしまうことを防止で
きる。

【００５０】（実施の形態２の変形例）なお、このよう
なフロントモニター型の半導体レーザユニット１Ｂにお
いても、図３を参照に説明した半導体レーザユニット１
Ａのように、帯状領域１１に凹状のチップ取付け部を形
成し、その底面部分に半導体レーザチップ４を固定した
構成を採用することも可能である。図５（Ａ）および
（Ｂ）には、それぞれ、その構成の半導体レーザユニッ
トの要部の斜視図およびその概略断面構成図を示してあ
る。なお、図５（Ａ）および（Ｂ）に示す半導体レーザ
ユニット１Ｃにおいて、上述した半導体レーザユニット
１Ａおよび１Ｂと共通する部分には同一の符号を付し
て、その詳細な説明は省略する。

【００５１】本例の半導体レーザユニット１Ｃでは、半
導体レーザユニット１Ａと同様に、帯状領域１１のうち
サブマウント５が固定されるべき部分に凹状チップ取付
け部５３をエッチングによって形成し、その底面部分に
半導体レーザチップ４を固定してある。なお、半導体レ
ーザチップ４の取り付け方向は図１を参照に説明した半
導体レーザユニット１と同一である。

【００５２】チップ取付け部５３の内壁を規定している
四周の壁面のうち、半導体レーザチップ４の第１の出射
面４１から出射された第１のレーザ光Ｌ１が入射する壁
面は出射光軸Ａに対して４５度傾斜した反射面６１とさ
れている。このため、第１のレーザ光Ｌ１はこの反射面
６１で光軸が９０度折り曲げられて半導体基板２の法線
方向に出射される。

【００５３】帯状領域１１に形成されたダミー用受光素
子１２の受光面１２１は、反射面６１と対向する壁面ま
で延びており、半導体レーザチップ４の第２の出射面４
２から出射された第２のレーザ光Ｌ２はそこで吸収され
る。出射光軸Ａに直交する方向において対向する双方の
壁面のうち、第１のレーザ光Ｌ１の出射方向寄りの約半
分の部分には、モニター用受光素子１５の受光面１５１
が延びている。残りの約半分の部分には、ダミー用受光
素子１２の受光面１２１が延びている。

【００５４】このような半導体レーザユニット１Ｃにお
いては、第１のレーザ光Ｌ１のうち、反射面６１から外
れた光成分Ｌ１１はモニター用受光素子１５の受光面１
５１に入射するモニター光として利用される。一方、半
導体レーザチップ４の第２の出射端面４２から出射され
た第２のレーザ光Ｌ２は、ダミー受光素子１２の受光面
１２１に入射し、そこで吸収される。この結果、半導体
レーザチップ４から出射されたレーザ光のうち、不要な
光成分（第２のレーザ光）Ｌ２はダミー受光素子１２に
よって吸収されるので、不要光が信号再生用受光素子３
の受光面３１に到達してしまうことを防止できる。

【００５５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の受光素子
一体型半導体レーザユニットでは、半導体基板表面のう
ち、半導体レーザチップの出射光軸を含む所定の幅を持
って当該出射光軸に沿って延びる帯状領域に形成したダ
ミー受光素子によって、半導体レーザチップから出射さ
れたレーザ光のうち不要な光（ノイズ光）を吸収する。
従って、半導体基板表面における当該ノイズ光の反射を
防ぐことができるので、多重反射してノイズ光が信号再
生用受光素子に導かれてしまうことを防止できる。ま
た、ダミー受光素子でノイズ光を吸収するので、ノイズ
光の吸収に起因した拡散電流が信号再生用受光素子に流
入することもない。従って、光記録媒体からの戻り光を
信号再生用受光素子で精度良く検出することが可能とな
り、信号再生用受光素子の出力信号のＳ／Ｎ比を高める
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）は本発明を適用した半導体レーザユニッ
トの要部の斜視図、（Ｂ）は（Ａ）の概略断面構成図で
ある。

【図２】図１に示す半導体レーザユニットが組み込まれ
た光ピックアップ装置の光学系の一例を示す図である。

【図３】図１に示す半導体レーザユニットの変形例を示
す図である。

【図４】（Ａ）は本発明を適用したフロントモニター型
の半導体レーザユニットの要部の斜視図、（Ｂ）は
（Ａ）の概略断面構成図である。

【図５】図４に示した半導体レーザユニットの変形例を
示す図である。

【符号の説明】

１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ 半導体レーザユニット ２ 半導体基板 ２ａ 表面部分 ３ 信号再生用受光素子 ４ 半導体レーザチップ ５ サブマウント ６ プリズム １１ 帯状領域 １２ ダミー受光素子 １５ モニター用受光素子 １７、１８ 矩形領域（表面領域） １９ 信号処理回路 ２０ 遮光膜 ３１ （信号再生用受光素子の）受光面 ４１ 第１の出射端面 ４２ 第２の出射端面 ５２、５３ チップ取付け部 ６１ 反射面 ７０ 光ピックアップ装置 ７２ 光ディスク ７３ ホログラム素子 ７４ 対物レンズ １２１ （ダミー受光素子の）受光面 １５１ （モニター用受光素子の）受光面 Ａ 出射光軸 Ｌ１ 第１のレーザ光 Ｌ２ 第２のレーザ光

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板と、この半導体基板の表面部
   分に受光面が形成された信号再生用受光素子と、前記半
   導体基板の基板面に平行に出射光軸を向けるように当該
   半導体基板の表面部分に設置された半導体レーザチップ
   と、前記半導体レーザチップにおいて、前記出射光軸の
   方向で対向する第１および第２の端面から出射された第
   １および第２のレーザ光のうち、前記第１のレーザ光を
   前記半導体基板の法線方向に立ち上げる反射面とを有す
   る光ピックアップ装置用の受光素子一体型半導体レーザ
   ユニットにおいて、 前記半導体基板の表面部分のうち、前記出射光軸を含む
   所定の幅を持って当該出射光軸に沿って延びる帯状領域
   には、当該帯状領域に入射した光を吸収して、この光に
   よって励起されるキャリアを再結合するように構成され
   たダミー受光素子の受光面が形成されていることを特徴
   とする受光素子一体型半導体レーザユニット。
2. 【請求項２】 請求項１において、前記信号再生用受光
   素子の受光面は、前記表面部分のうち、前記帯状領域か
   ら側方に外れた位置に形成されていることを特徴とする
   受光素子一体型半導体レーザユニット。
3. 【請求項３】 請求項１または２において、前記帯状領
   域のうち、前記反射面から外れた前記第１のレーザ光が
   入射する領域には、当該半導体レーザチップのレーザ光
   出力をフィードバック制御するためのモニター用受光素
   子の受光面が形成されていることを特徴とする受光素子
   一体型半導体レーザユニット。
4. 【請求項４】 請求項１または２において、前記帯状領
   域のうち、前記第２のレーザ光が入射する領域には、前
   記半導体レーザチップのレーザ光出力をフィードバック
   制御するためのモニター用受光素子の受光面が形成され
   ていることを特徴とする受光素子一体型半導体レーザユ
   ニット。
5. 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかの項におい
   て、前記表面部分のうち、前記受光素子の受光面を除く
   領域には遮光膜が形成されていることを特徴とする受光
   素子一体型半導体レーザユニット。
6. 【請求項６】 請求項５において、前記半導体基板の表
   面部分で前記帯状領域によって区画された２つの表面領
   域のうち、前記信号再生用受光素子の受光面が形成され
   ている表面領域以外の領域には信号処理回路が形成され
   ており、当該信号処理回路は前記遮光膜で覆われている
   ことを特徴とする受光素子一体型半導体レーザユニッ
   ト。
7. 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれかの項におい
   て、前記帯状領域には前記半導体レーザチップを取り付
   けるための凹状のチップ取付け部が形成され、当該チッ
   プ取付け部の内壁を規定している壁面のうち、前記第１
   のレーザ光が入射する壁面に前記反射面が構成されてい
   ることを特徴とする受光素子一体型半導体レーザユニッ
   ト。
8. 【請求項８】 請求項１ないし７のいずれかの項に規定
   する受光素子一体型半導体レーザユニットと、当該受光
   素子一体型半導体レーザユニットの前記半導体レーザチ
   ップから出射されたレーザ光を光記録媒体に集光する対
   物レンズとを有し、前記光記録媒体からの戻り光を、前
   記受光素子一体型半導体レーザユニットの前記信号再生
   用受光素子の受光面に導くように構成されていることを
   特徴とする光ピックアップ装置。