JPH01217244A - ウエーハ付着塵埃検査方法 - Google Patents

ウエーハ付着塵埃検査方法

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JPH01217244A
JPH01217244A JP4321788A JP4321788A JPH01217244A JP H01217244 A JPH01217244 A JP H01217244A JP 4321788 A JP4321788 A JP 4321788A JP 4321788 A JP4321788 A JP 4321788A JP H01217244 A JPH01217244 A JP H01217244A
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dust
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angle
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Yoshihiro Giga
儀賀 愛博
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    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/94Investigating contamination, e.g. dust

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  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「目次] 概要 産業上の利用分野 従来の技術 発明が解決しようとする問題点 問題点を解決するための手段 作用 実施例 一実施例(第1〜6図) 拡張 発明の効果 [概要] ウェーハに付着した塵埃の分布を知得するウェーハ付着
塵埃検査方法に関し、 より正確な塵埃分布を知得することを目的とし、カメラ
をウエーノい向け、該カメラの光軸と60〜120°な
す角度方向からウェーハへ光を照射し、ウェーハに付着
している塵埃からの散乱光をカメラで捕らえ、ウェーハ
ーにの塵埃分布を知得するウェーハ付着塵埃検査方法に
おいて、該カメラの光軸のウェーハ」二への投影線に直
交する線と該ウェーハのオリエンテーションフラットと
のなす角を、15〜35°または60〜75°の範囲内
の所定値にする構成とする。
[産業上の利用分野] 本発明はウェーハに付着した塵埃の分布を知得するウェ
ーハ付着塵埃検査方法に関する。
[従来の技術] ウェーハに付着した塵埃はデバイス欠陥を引き起こす。
したがって、この塵埃を検査し、塵埃付着量が多くなっ
た場合には、その原因を究明してこれを低減する必要が
ある。
塵埃はこれに照射された光を散乱させるので、カメラを
ウェーハへ向け、ウェーハへ光を照射し、ウェーハに付
着している塵埃からの散乱光をカメラで捕らえることに
より、ウェーハ上の塵埃分布を視覚化することが可能で
ある。
[発明が解決しようとする問題点] しかし、アルミ配線パターンをウェーハに形成した後に
この検査を行うと、アルミ配線の段差分布からの反射光
と塵埃による散乱光とを区別することができず、この反
射光を塵埃として誤検出し、正確な塵埃分布を知得する
ことができない。
本発明の目的は、上記問題点に鑑み、ウェーハに付着し
ている塵埃のより正確な分布を知得することができるウ
ェーハ付着塵埃検査方法を提供することにある。
[問題点を解決するための手段] この目的を達成するために、本発明に係るウェーハ塵埃
付着検査方法では、カメラをウェーハへ向け、カメラの
光軸のウェーハ上への投影線に直交する線とウェーハの
オリエンテーションフラットとのなす角を、15〜35
°または60〜75゜の範囲内の所定値にし、カメラの
光軸と60−120°なす角度方向からウェーハへ光を
照射する。
[作用] ウェーハに4=1着している塵埃からの散乱光をカ=3
− メラで捕らえ、その輝度から塵埃を判別し、つ工−ハ上
の塵埃分布を知得する。
ウェーハにアルミ配線パターンが形成されていても、そ
の段差部からの反射光は殆どカメラへ入射されず、アル
ミ配線パターンの段差部と塵埃とを区別することができ
る。
[実施例] (1)−実施例 第2図は本発明が適用される塵埃検査装置の構成要素配
置図である。
図中、10はウェーハであり、格子状の縦スクライブラ
インウェーハ10a、横スクライブラインウェーハ10
bにより分割される各ダイにアルミ配線パターンが形成
されたものである。
12は1次元カメラであり、1次元イメージセンサを備
えて構成されており、ウェーハ10の上面の1ラインを
たとえば1024画素に分割して各画素の輝度を検出す
る。
I4.16は白色光源であり、ウェーハ10の上面を照
射する。
ウェーハlOに付着している塵埃を散乱光により検出す
るのに好ましいこれらの配置は、本発明者による理論的
、実験的解析の結果、次のとおりであることが分かった
すなわち、1次元カメラ12の光軸L1と光源14.1
6の各光軸I−3、L3とのなす角αは60〜120°
、ウェーハ10の面と光軸L1、L2、L3とのなす角
β、γ、δは略5度が好ましいことが分かった。また、
1次元カメラの光軸り、のウェーハ10上への投影線L
4に直交する線L5とウェーハlOのオリエンテーショ
ンフラット10Cとのなす角θは、縦スクライブライン
10aに位置合わせマークが形成されている場合には1
5〜30°、横スクライブライン10bに位置合わせマ
ークが形成されている場合には60〜75゜が好ましい
ことを発見した。
第5図はθ−0°の場合、第6図はθ−30°の場合の
1次元カメラ12の出力を示すグラフであり、横軸は1
画素の幅を単位とする画素位置、縦軸は輝度である。第
5図及び第6図はある特定のウェーハについての結果を
示すが、各種パターンのウェーハについても同様な結果
が得られた。
ここで、ウェーハ10に塵埃が付着していると、この塵
埃に照射された光は散乱され、■次元カメラI2でその
輝度が検出され、ピークとなってあられれる。ピーク高
さは、塵埃が大きいほど高い。
しかし、ウェーハ表面には薄膜被着による段差があるの
で、段差部からの反射光がバックグランド信号として検
出される。この段差部がアルミニウム配線である場合に
は、反射率が大きいので、第5図に示す如く、ピークと
なってあられれ、塵埃であるかどうかの区別ができず、
塵埃として誤検出される。第5図中、ピークASBはア
ルミニウム配線の段差部からの反射である。
一方、第6図にはこのようなピークが存在せず、しかも
バックグランドレベルが第5図のものより低い。
本発明はこのような知見に基づいて案出されたものであ
る。
次に、塵埃検査装置のノ\−ドウエア構成を第2図に基
づいて説明する。
ウェーハ10は円板であるステージ+8J二にその中心
を一致させて載置される。ステージ18は、移動ベース
20に固定されたパルスモータ22により回転駆動され
る。ウエーノ\10のオリエンテーションフラット10
cは投受光器24により検出される。この投受光器24
は移動ベース20に固定されている。移動ベース20に
はねじ棒26が螺貫されており、ねじ棒26がパルスモ
ータ28により回転駆動されると、移動ベース20がね
じ棒26の軸方向(X方向)へ移動する。このX方向は
主走査方向に直行する副走査方向である。
演算、制御等はマイクロコンビコータ30により行われ
る。すなわち、マイクロコンピュータ30はトライバ3
2.34を介してパルスモータ22.28を回転駆動し
、トライバ36を介して1次元カメラ12を駆動し、1
次元カメラ12から取り出された画素信号をアンプ38
、A/D変換器40を介して読み込み、キーボード42
から入カされるデータを考慮して塵埃を判別し、CRT
デイスプレィ44に塵埃分布を第3図に示す如く点で表
示する。
次に、マイクロコンピュータ30のソフトウェア構成を
第4図に基づいて説明する。
(+00)パルスモータ22を回転駆動する。投受光器
24によりウェーハ10のオリエンテーションフラット
10cが検出されると、この検出位置を基準として、そ
の後パルスモータ22へ所定数のパルスを供給し、第1
図に示す角θを設定値に等しくする。
この設定値は、ウェーハ10に形成されるパターンの種
類に応じて異なる。作業者は、このパターンの種類が変
わる毎に、角θを上記好ましい範囲15〜35°または
60〜75°で可変して輝度信号を読み取り、該設定値
を決定し、42を操作して角θの設定を行う。
(+02)次に、ドライバ36へスタート信号を供給し
て1次元カメラ12内の1次元イメージセンザを電気的
に主走査させ、各画素の輝度を順次読み取り、 (104)ピーク高さが所定値以−にのものを塵埃と判
別し、 (106)この塵埃をCRTデイスプレィ44上に、第
3図に示す如く点て表示する。
(+08)ウェーハ10上の副走査が完了していなけれ
ば、 (+10)パルスモータ28を所定角回転駆動し、ウェ
ーハ10を副走査方向へ1ピツヂ移動させる。
次に、上記(+02)へ戻って処理を繰り返す。
このようにして、ウェーハ10上に付着している塵埃の
分布をCRTデイスプレィ44に表示し、視覚化するこ
とができる。作業者はこれを目視し、塵埃付着量が多け
ればその原因を究明し、塵埃付着の低減化、すなわちデ
バイスの歩留まりの向上を図る。
(2)拡張 なお、本発明には外にも種々の変形例か含まれる。
たとえば、カメラは1次元カメラに限定されず、2次元
カメラであってもよいことは勿論である。
ただし、2次元カメラの場合には、画面全体のピント合
わせを行うことができないので、ピントの合っている帯
状領域の輝度データしか用いることができず、カメラに
対しウェーハを相対的に移動させてスキャンさせる必要
がある。
また、ウェーハへの照射光は白色光に限られず、単色光
を用い、特定サイズの塵埃による散乱光強度を強くする
構成であってもよい。さらに、この波長を変化させて、
該特定サイズを代えることにより、塵埃のサイズと数と
を知得する構成であってもよい。
[発明の効果コ 以上説明したように、本発明によれば、カメラをウェー
ハへ向け、カメラの光軸のウェーハ上への投影線に直交
する線とウェーハのオリエンテーションフラットとのな
す角を、15〜35°または60〜75°の範囲内の所
定値にし、カメラの光軸と60〜120°なす角度方向
からウェーハへ光を照射し、ウエーノ\に付着している
塵埃からの散乱光をカメラで捕らえ、その輝度からウェ
ーハ上の塵埃分布を知得するので、ウエーノ\にアルミ
配線パターンが形成されていても、その段差部からの反
射光が殆どカメラへ入射されず、したがって、塵埃を誤
検出することが殆どなく、より正確な塵埃分布を知得す
ることができるという優れた効果を奏し、半導体デバイ
スの歩留まり向上に寄与するところが大きい。
そのうえ、カメラ及び照射光源を移動させる必要がなく
、操作が極めて簡単であるという優れた効果も奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明が適用されたウエーノ\塵埃付着検査装
置の構成要素配置を示す斜視図、第2図は該装置のハー
ドウェア構成を示すブロック図、 第3図はデイスプレィに表示される塵埃分布図、第4図
は第2図のマイクロコンピュータの処理−11= 手順を示すフローチャート、 第5図は第1図における角θを零にしたときの、1次元
カメラの輝度出力を示す図、 第6図は核用θを30°にしたときの、■次元カメラの
輝度出力を示す図である。 図中 10はウェーハ 10aS Jobはスクライブライン ]Ocはオリエンテーションフラット 12は1次元カメラ I4.16は光源 L4は光軸り、のウェーハ面への投射線L5はL4に直
交する線 =13− 500                      
         、山、(Fイ立θ−30’

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  カメラ(12)をウェーハ(10)へ向け、該カメラ
    の光軸と60〜120°なす角度方向からウェーハ(1
    0)へ光を照射し、ウェーハ(10)に付着している塵
    埃からの散乱光をカメラで捕らえ、ウェーハ(10)上
    の塵埃分布を知得するウェーハ付着塵埃検査方法におい
    て、 該カメラ(12)の光軸のウェーハ(10)上への投影
    線に直交する線と該ウェーハ(10)のオリエンテーシ
    ョンフラット(10c)とのなす角を、15〜35°ま
    たは60〜75°の範囲内の所定値にすることを特徴と
    するウェーハ付着塵埃検査方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0427848A (ja) * 1990-05-23 1992-01-30 Hitachi Electron Eng Co Ltd 異物検査装置の試料走査方式

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0427848A (ja) * 1990-05-23 1992-01-30 Hitachi Electron Eng Co Ltd 異物検査装置の試料走査方式

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