JPH01214196A - 混成集積回路 - Google Patents
混成集積回路Info
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- JPH01214196A JPH01214196A JP4118188A JP4118188A JPH01214196A JP H01214196 A JPH01214196 A JP H01214196A JP 4118188 A JP4118188 A JP 4118188A JP 4118188 A JP4118188 A JP 4118188A JP H01214196 A JPH01214196 A JP H01214196A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は混成集積回路に関し、特に絶縁性樹脂層と薄膜
導体層を積、１１−た薄膜多層基板を使用する混成集積
回路に関する。
導体層を積、１１−た薄膜多層基板を使用する混成集積
回路に関する。
従来、この種の薄膜多層基板は、第３図に示される様に
、セラミックス基板１上に、ポリイミド層２および配線
Ｎ３を設け、この配線層３上に配線間絶縁９回路保護お
よびハンダ濡れの制限領域の形成を目的としたポリイミ
ド層２が形成される。
、セラミックス基板１上に、ポリイミド層２および配線
Ｎ３を設け、この配線層３上に配線間絶縁９回路保護お
よびハンダ濡れの制限領域の形成を目的としたポリイミ
ド層２が形成される。
通常、配線層３となる導体層は、ＡｕまたはＣｕ等がス
パッタ法もしくはメツキ法により膜状に形成され、しか
るのちエツチング法により回路パターンが形成される。
パッタ法もしくはメツキ法により膜状に形成され、しか
るのちエツチング法により回路パターンが形成される。
Ａｕ、Ｃｕはハンダ濡れ性が良好であるために、ハンダ
濡れの必要のない部分を、ポリイミドのような耐熱性絶
縁樹脂で覆うことにより、容易にハンダによる部品搭載
用の電極（コンタクトホール１１）が形成される。
濡れの必要のない部分を、ポリイミドのような耐熱性絶
縁樹脂で覆うことにより、容易にハンダによる部品搭載
用の電極（コンタクトホール１１）が形成される。
この他に類似した例としては、第４図に示される様に、
セラミックス基板１上の厚膜導体１２上にハンダ溶着電
＠１４およびハンダバンプ１５を形成し、周囲にハンダ
濡れ性のない低融点ガラス等からなるハンダ広がり防止
膜１３を形成した例がみられる。
セラミックス基板１上の厚膜導体１２上にハンダ溶着電
＠１４およびハンダバンプ１５を形成し、周囲にハンダ
濡れ性のない低融点ガラス等からなるハンダ広がり防止
膜１３を形成した例がみられる。
上述した従来の混成集積回路は、ハンダの濡れ広がりを
防止する機能を配線層３を覆うポリイミド層２などの絶
縁性樹脂層のみに負わせているために、ハンダの濡れ広
がりを防止する効果が十分ではなく、初期の部品搭載時
に良好な接続が得られても、経時変化により急速に接続
部分が劣化し、信頼性に支障を来たす。実験結果によれ
ば、基板上の配線層３にＡｕを用い、Ｐｂ−５ｎハンダ
により電子部品を搭載した場合、１５０℃１００時間の
高温放置により、多量のＳｎを主成分とするハンダが、
配線層３とポリイミド層２との界面に浸透し、ハンダ接
続部の形状が著しく劣化するここが知られた。このよう
に樹脂層（２）と、配線Ｒ３とからなる薄膜多層基板の
電極部分には、ハンダ濡れ広がりを防止する必要がある
。
防止する機能を配線層３を覆うポリイミド層２などの絶
縁性樹脂層のみに負わせているために、ハンダの濡れ広
がりを防止する効果が十分ではなく、初期の部品搭載時
に良好な接続が得られても、経時変化により急速に接続
部分が劣化し、信頼性に支障を来たす。実験結果によれ
ば、基板上の配線層３にＡｕを用い、Ｐｂ−５ｎハンダ
により電子部品を搭載した場合、１５０℃１００時間の
高温放置により、多量のＳｎを主成分とするハンダが、
配線層３とポリイミド層２との界面に浸透し、ハンダ接
続部の形状が著しく劣化するここが知られた。このよう
に樹脂層（２）と、配線Ｒ３とからなる薄膜多層基板の
電極部分には、ハンダ濡れ広がりを防止する必要がある
。
本発明の目的は、このような問題を解決し、電極部のハ
ンダの濡れ広がりや染み込みを防止し、ハンダ接続部の
信頼性を高めた混成集積回路を提供することにある。
ンダの濡れ広がりや染み込みを防止し、ハンダ接続部の
信頼性を高めた混成集積回路を提供することにある。
本発明の構成は、絶縁基板上に絶縁性樹脂層と薄膜導体
層とを積層してなる薄膜多層基板を備え、外部接続電極
が最上層の前記絶縁性樹脂に設けられたコンタクトホー
ルと接続される混成集積回路において、前記コンタクト
ホール上にハンダ濡れ性のない合名層を含む多層の薄膜
導体層を形成したことを特徴とする。
層とを積層してなる薄膜多層基板を備え、外部接続電極
が最上層の前記絶縁性樹脂に設けられたコンタクトホー
ルと接続される混成集積回路において、前記コンタクト
ホール上にハンダ濡れ性のない合名層を含む多層の薄膜
導体層を形成したことを特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。セラミック
ス基板１上にポリイミド層２と配線層３とからなる回路
形成を行ない、ハンダによる部品搭載に必要とされる電
極部にコンタクトホール３形成し、図に示される様に、
コンタクトホールを覆うようにＴｉ層４．Ｐｄ層５．Ａ
ｕ層６からなる電極を形成する。
ス基板１上にポリイミド層２と配線層３とからなる回路
形成を行ない、ハンダによる部品搭載に必要とされる電
極部にコンタクトホール３形成し、図に示される様に、
コンタクトホールを覆うようにＴｉ層４．Ｐｄ層５．Ａ
ｕ層６からなる電極を形成する。
ここで、配線層３としては、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｆｆ等が用
いられるが、これらはスパッタあるいはメツキにより形
成される。また、ポリイミド層２は、通常スピン塗布に
より５〜１０μｍ程度に成膜され、ＰＲ工程あるいはド
ライエツチング工程等の手法によりパターン化される。
いられるが、これらはスパッタあるいはメツキにより形
成される。また、ポリイミド層２は、通常スピン塗布に
より５〜１０μｍ程度に成膜され、ＰＲ工程あるいはド
ライエツチング工程等の手法によりパターン化される。
また、コンタクトホールを覆う多層薄膜電極は、Ｔｉ／
Ｐｄ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｃｕ、ＮｉＣｒ／Ｐ ｄ／ Ａｕ
、 Ｃｒ／Ｃｕ等の構成での適用が可能であるが、ハン
ダの染み込みを防止するためには、配線層３の密着層と
してＴｉあるいはＣｒを用いた構成の効果が高い。例え
ば、Ｔ ｉ ／ Ｃｕ構成と、Ｎ ｉ Ｃｒ ／ Ｐ
ｄ ／ Ａ ｕ ｆｆ４成の比較した場合、前者は１５
０℃２００Ｈの高温放置でも全くハンダの染み込みが認
められないのに対し、後者（’） 場合１５０℃１００
Ｈでもハンダの染み込みの開始が認められた。
Ｐｄ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｃｕ、ＮｉＣｒ／Ｐ ｄ／ Ａｕ
、 Ｃｒ／Ｃｕ等の構成での適用が可能であるが、ハン
ダの染み込みを防止するためには、配線層３の密着層と
してＴｉあるいはＣｒを用いた構成の効果が高い。例え
ば、Ｔ ｉ ／ Ｃｕ構成と、Ｎ ｉ Ｃｒ ／ Ｐ
ｄ ／ Ａ ｕ ｆｆ４成の比較した場合、前者は１５
０℃２００Ｈの高温放置でも全くハンダの染み込みが認
められないのに対し、後者（’） 場合１５０℃１００
Ｈでもハンダの染み込みの開始が認められた。
第２図は本発明の第２の実施例を示す断面図である。第
１実施例で示した薄膜電極をＴ ｉ ／ Ｃｕ構成とし
、Ｃｕ層７の上部にハンダ層８を設けてペデスタル構造
としている。ここで、ハンダ層８にはＰｂ−Ｓｎ合金を
用いるのが一般的であるが、これらは、半導体素子上に
ハンダバンプを形成するフリップチッププロセスと同様
の工程により容易に形成が可能である。また、バンプ電
極は、Ｐｂ−Ｓｎ合今以外の組成からなるハンダあるい
はＡｕ、Ｃｕ等により形成することもできる。
１実施例で示した薄膜電極をＴ ｉ ／ Ｃｕ構成とし
、Ｃｕ層７の上部にハンダ層８を設けてペデスタル構造
としている。ここで、ハンダ層８にはＰｂ−Ｓｎ合金を
用いるのが一般的であるが、これらは、半導体素子上に
ハンダバンプを形成するフリップチッププロセスと同様
の工程により容易に形成が可能である。また、バンプ電
極は、Ｐｂ−Ｓｎ合今以外の組成からなるハンダあるい
はＡｕ、Ｃｕ等により形成することもできる。
以上説明したように本発明は、絶縁性樹脂層と薄膜導体
層を積層してなる薄膜多層基板のコンタクトホール部分
に、コンタクトホールを覆う如く導体層からなる電極を
形成することにより、基板上に搭載する電子部品の接続
に用いられるハンダの染み込みを防止できる効果がある
。
層を積層してなる薄膜多層基板のコンタクトホール部分
に、コンタクトホールを覆う如く導体層からなる電極を
形成することにより、基板上に搭載する電子部品の接続
に用いられるハンダの染み込みを防止できる効果がある
。
また、コンタクトホールを覆う導体電極上にハンダバン
プを形成しペデスタル構造とすることによって、十分な
ハンダを供給しハンダ濡れ不足による不良を防止でき、
確実な接続が得られる。また、導体層中にハンダ層れ性
のないＴｉ層あるいはＣｒ層を形成するここによって、
基板配線にハンダ濡れ性の良いＡｕやＣｕを用いても十
分にハンダの染み込みを防止することが可能となる。
プを形成しペデスタル構造とすることによって、十分な
ハンダを供給しハンダ濡れ不足による不良を防止でき、
確実な接続が得られる。また、導体層中にハンダ層れ性
のないＴｉ層あるいはＣｒ層を形成するここによって、
基板配線にハンダ濡れ性の良いＡｕやＣｕを用いても十
分にハンダの染み込みを防止することが可能となる。
即ち、本発明によれば基板と搭載される電子部品との接
続信頼性が十分に高いものとなり、また搭載時における
接続不良の低減を図かることが可能となる。
続信頼性が十分に高いものとなり、また搭載時における
接続不良の低減を図かることが可能となる。
第１図、第２図は本発明の第１および第２の実施例を示
す断面図、第３図、第４図は従来の混成集積回路の２つ
の例を示す断面図である。 １・・・セラミックス基板、２・・・ポリイミド層、３
・・・配線層、４・・・］゛ｉ層、５・・・Ｐｄ層、６
・・・Ａｕ層、７・・・Ｃｕ層、８・・・ハンダ層、１
１・・・コンタクトホール、１２・・・厚膜導体、１３
・・・ハンダ塩がり防止居、１４・・・ハンダ溶着電極
、１５・・・ハンダバンプ。
す断面図、第３図、第４図は従来の混成集積回路の２つ
の例を示す断面図である。 １・・・セラミックス基板、２・・・ポリイミド層、３
・・・配線層、４・・・］゛ｉ層、５・・・Ｐｄ層、６
・・・Ａｕ層、７・・・Ｃｕ層、８・・・ハンダ層、１
１・・・コンタクトホール、１２・・・厚膜導体、１３
・・・ハンダ塩がり防止居、１４・・・ハンダ溶着電極
、１５・・・ハンダバンプ。
Claims (2)
- （１） 絶縁基板上に絶縁性樹脂層と薄膜導体層とを積
層してなる薄膜多層基板を備え、外部接続電極が最上層
の前記絶縁性樹脂に設けられたコンタクトホールと接続
される混成集積回路において、前記コンタクトホール上
にハンダ濡れ性のない金属層を含む多層の薄膜導体層を
形成したことを特徴とする混成集積回路。 - （２） 薄膜導体層上にバンプ電極を形成した請求項（
１）記載の混成集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4118188A JPH01214196A (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | 混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4118188A JPH01214196A (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | 混成集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01214196A true JPH01214196A (ja) | 1989-08-28 |
Family
ID=12601254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4118188A Pending JPH01214196A (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | 混成集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01214196A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1154696A (ja) * | 1997-08-01 | 1999-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波多層誘電体基板およびマルチチップモジュール |
-
1988
- 1988-02-23 JP JP4118188A patent/JPH01214196A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1154696A (ja) * | 1997-08-01 | 1999-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波多層誘電体基板およびマルチチップモジュール |
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