JPH01214082A - レーザ光源 - Google Patents
レーザ光源Info
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- JPH01214082A JPH01214082A JP4040188A JP4040188A JPH01214082A JP H01214082 A JPH01214082 A JP H01214082A JP 4040188 A JP4040188 A JP 4040188A JP 4040188 A JP4040188 A JP 4040188A JP H01214082 A JPH01214082 A JP H01214082A
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
- H01S3/108—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ産業上の利用分野
本発明はレーザ光源に対し、特に電気的変調信号によっ
て光強度を変調された出力レーザ光を発生し得るように
したものである。
て光強度を変調された出力レーザ光を発生し得るように
したものである。
Ｂ発明の概要
本発明はレーザ光源において、レーザ媒質から得られる
基本波レーザ光及び変調用レーザ光の和周波を有する出
力レーザ光を得るようにしたことにより、実用上歪なく
光強度を変調してなる出力レーザ光を得ることができる
。
基本波レーザ光及び変調用レーザ光の和周波を有する出
力レーザ光を得るようにしたことにより、実用上歪なく
光強度を変調してなる出力レーザ光を得ることができる
。
Ｃ従来の技術
光情報伝送装置、例えば光記録再生装置においては、光
記録媒体に光情報を記録する際に、光記録媒体を照射す
るレーザ光として、記録すべき情報によって変調された
レーザ光を用いるようになされている。
記録媒体に光情報を記録する際に、光記録媒体を照射す
るレーザ光として、記録すべき情報によって変調された
レーザ光を用いるようになされている。
ところでかかるレーザ光源としてできるだけ単波長のレ
ーザ光を使用すれば、その分伝送し得る情報量を増大で
きると考えられることに基づいて、例えば緑色ないし青
色程度の単波長の出カレーザ光を非線形光学結晶素子の
第２高調波発生機能を利用して得るようにしたレーザ光
源が考えられている。
ーザ光を使用すれば、その分伝送し得る情報量を増大で
きると考えられることに基づいて、例えば緑色ないし青
色程度の単波長の出カレーザ光を非線形光学結晶素子の
第２高調波発生機能を利用して得るようにしたレーザ光
源が考えられている。
因に半導体レーザによって励起される固体レーザ（例え
ばＹＡＧ）から例えば９００ （ｎｍ）程度の波長の基
本波レーザ光を得、この基本波レーザ光を、第２高調波
レーザ光と位相整合するように非線形光学結晶素子に供
給すれば、４５０ （ｎｍ）程度の波長を有する緑色な
いし青色領域の出力レーザ光を得ることができる。
ばＹＡＧ）から例えば９００ （ｎｍ）程度の波長の基
本波レーザ光を得、この基本波レーザ光を、第２高調波
レーザ光と位相整合するように非線形光学結晶素子に供
給すれば、４５０ （ｎｍ）程度の波長を有する緑色な
いし青色領域の出力レーザ光を得ることができる。
ここで半導体レーザのレーザ光を直接非線形光学結晶素
子に供給する手法も提案されているが、実際上、光学的
特性が良好でかつ効率良くレーザ光を発生できるような
半導体レーザを得ることができないために、実用化には
困難性がある。これに対してレーザ媒質として固体レー
ザを用いれば、半導体レーザとしてそれ程光学的特性が
良好なものを使用しなくても、実用上十分な光学的特性
及び効率の出力レーザ光を固体レーザがら発生させるこ
とができる。
子に供給する手法も提案されているが、実際上、光学的
特性が良好でかつ効率良くレーザ光を発生できるような
半導体レーザを得ることができないために、実用化には
困難性がある。これに対してレーザ媒質として固体レー
ザを用いれば、半導体レーザとしてそれ程光学的特性が
良好なものを使用しなくても、実用上十分な光学的特性
及び効率の出力レーザ光を固体レーザがら発生させるこ
とができる。
このように、半導体レーザによって励起される固体レー
ザのレーザ光を供給することにより、非線形光学結晶素
子から第２高調波でなる単波長の出力レーザ光を得る構
成において、半導体レーザの駆動電流を電気的変調信号
によって変調すれば、非線形光学結晶素子の出力レーザ
光の光強度を変調信号に応じて変化させることができ、
か（して実用上光情報として伝送し得る出力レーザ光を
得ることができると考えられる。
ザのレーザ光を供給することにより、非線形光学結晶素
子から第２高調波でなる単波長の出力レーザ光を得る構
成において、半導体レーザの駆動電流を電気的変調信号
によって変調すれば、非線形光学結晶素子の出力レーザ
光の光強度を変調信号に応じて変化させることができ、
か（して実用上光情報として伝送し得る出力レーザ光を
得ることができると考えられる。
Ｄ発明が解決しようとする問題点
ところがこのようにした場合、固体レーザの蛍光寿命が
長いために、実用上変調信号として使用し得る周波数範
囲が制限される問題がある。
長いために、実用上変調信号として使用し得る周波数範
囲が制限される問題がある。
例えば固体レーザとしてＮｄ：ＹＡＧを用いた場合、そ
の蛍光寿命（すなわち固体レーザをパルス状励起光によ
って励起した後発生したレーザ光が消滅するまでの時間
）は約２００ （、ｕｓ）程度の時定数をもち、従って
変調信号がこの時定数以上の周波数成分をもっている場
合には固体レーザのレーザ光が変調信号に応答し得な（
なる。
の蛍光寿命（すなわち固体レーザをパルス状励起光によ
って励起した後発生したレーザ光が消滅するまでの時間
）は約２００ （、ｕｓ）程度の時定数をもち、従って
変調信号がこの時定数以上の周波数成分をもっている場
合には固体レーザのレーザ光が変調信号に応答し得な（
なる。
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、非線形光
学結晶素子に対する励起源として、蛍光寿命に基づいて
決まる応答時定数が大きなレーザ媒体を用いても、これ
により変調信号の周波数が制限されないようにしたレー
ザ光源を提案しようとするものである。
学結晶素子に対する励起源として、蛍光寿命に基づいて
決まる応答時定数が大きなレーザ媒体を用いても、これ
により変調信号の周波数が制限されないようにしたレー
ザ光源を提案しようとするものである。
Ｅ問題点を解決するための手段
かかる問題点を解決するため本発明においては、共振器
ＣＡＶ内にレーザ媒質１６と共に設けた非線形光学結晶
素子１１に対してレーザ媒質１６から得られる基本波レ
ーザ光ＬＡ２と、この基本波レーザ光ＬＡ２とは異なる
波長をもつ変調用レーザ光ＬＡ３とを供給することによ
り、非線形光学結晶素子１１において、基本波レーザ光
ＬＡ２及び変調用レーザ光ＬＡ３の和周波の波長を有し
、かつ変調用レーザ光ＬＡ３の光強度の変化に応じて光
強度が変化する出力レーザ光ＬＡ５を発生するようにす
る。
ＣＡＶ内にレーザ媒質１６と共に設けた非線形光学結晶
素子１１に対してレーザ媒質１６から得られる基本波レ
ーザ光ＬＡ２と、この基本波レーザ光ＬＡ２とは異なる
波長をもつ変調用レーザ光ＬＡ３とを供給することによ
り、非線形光学結晶素子１１において、基本波レーザ光
ＬＡ２及び変調用レーザ光ＬＡ３の和周波の波長を有し
、かつ変調用レーザ光ＬＡ３の光強度の変化に応じて光
強度が変化する出力レーザ光ＬＡ５を発生するようにす
る。
Ｆ作用
非線形光学結晶素子１１において基本波レーザ光ＬＡ２
と変調用レーザ光ＬＡ３の和周波の波長を有する出力レ
ーザ光ＬＡ５を形成するようにしたことにより、変調用
レーザ光ＬＡ３として、光学的特性が良好ではあるがパ
ワーが小さい発光素子（例えば半導体レーザ）、を使用
し得、これにより全体として実用上光学的変調特性が良
好でかつ効率良（出力レーザ光ＬＡ５を送出し得るよう
なレーザ光源を容易に得ることができる。
と変調用レーザ光ＬＡ３の和周波の波長を有する出力レ
ーザ光ＬＡ５を形成するようにしたことにより、変調用
レーザ光ＬＡ３として、光学的特性が良好ではあるがパ
ワーが小さい発光素子（例えば半導体レーザ）、を使用
し得、これにより全体として実用上光学的変調特性が良
好でかつ効率良（出力レーザ光ＬＡ５を送出し得るよう
なレーザ光源を容易に得ることができる。
Ｇ実施例
以下図面について、本発明の一実施例を詳述する。
（Ｇ１）第１の実施例
第１図において、ｌは全体としてレーザ光源を示し、波
長変換手段として非線形光学結晶素子１１を有し、その
基本波レーザ光供給源１２として励起回路１３の励起信
号Ｓｌによって励起される励起光源用半導体レーザ１４
から構成される装置ザ光ＬＡＩを集光レンズ系１５を通
って例えばＮｄ：ＹＡＧでなる固体レーザで構成された
レーザ媒質１６の入射面１６Ａを照射することによって
レーザ媒質１６を励起するようになされている。
長変換手段として非線形光学結晶素子１１を有し、その
基本波レーザ光供給源１２として励起回路１３の励起信
号Ｓｌによって励起される励起光源用半導体レーザ１４
から構成される装置ザ光ＬＡＩを集光レンズ系１５を通
って例えばＮｄ：ＹＡＧでなる固体レーザで構成された
レーザ媒質１６の入射面１６Ａを照射することによって
レーザ媒質１６を励起するようになされている。
かくしてレーザ媒質１６においてコヒーレンジが良く、
しかもパワーが比較的大きい基本波レーザ光ＬＡ２が発
生され、これが非線形光学結晶素子１１を通って出力ミ
ラー１７の入射面１７Ａに射出する。
しかもパワーが比較的大きい基本波レーザ光ＬＡ２が発
生され、これが非線形光学結晶素子１１を通って出力ミ
ラー１７の入射面１７Ａに射出する。
ここで出力ミラー１７の入射面１７Ａ及びレーザ媒１ｔ
１６の入射面１６Ａは、基本波レーザ光ＬＡ２を反射す
るような反射特性を有し、かくして基本波レーザ光ＬＡ
２は、入射面１６Ａ及び１７Ａ間を繰り返し共振動作し
、これにより、入射面１６Ａ及び１７Ａ間に共振器ＣＡ
Ｖが形成される。
１６の入射面１６Ａは、基本波レーザ光ＬＡ２を反射す
るような反射特性を有し、かくして基本波レーザ光ＬＡ
２は、入射面１６Ａ及び１７Ａ間を繰り返し共振動作し
、これにより、入射面１６Ａ及び１７Ａ間に共振器ＣＡ
Ｖが形成される。
出力ミラー１７の射出面１７Ｂの外側における共振器Ｃ
ＡＭの光軸上には、ハーフミラ−１８が設けられ、変調
信号形成回路２１の変調信号Ｓ２によって駆動される変
調用半導体レーザ２２において発生される変調用レーザ
光ＬＡ３がハーフミラ−１８において反射されて出力ミ
ラー１７の射出面１７Ｂ、入射面１７Ａを通って共振器
ＣＡＶの光軸上を非線形光学結晶素子１１に供給される
。
ＡＭの光軸上には、ハーフミラ−１８が設けられ、変調
信号形成回路２１の変調信号Ｓ２によって駆動される変
調用半導体レーザ２２において発生される変調用レーザ
光ＬＡ３がハーフミラ−１８において反射されて出力ミ
ラー１７の射出面１７Ｂ、入射面１７Ａを通って共振器
ＣＡＶの光軸上を非線形光学結晶素子１１に供給される
。
このようにして非線形光学結晶素子１１には、基本波レ
ーザ光ＬＡ２と、変調用レーザ光ＬＡ３とでなる互いに
異なる周波数を有する２つのレーザ光が通るが、非線形
光学結晶素子１１はこれら２つのレーザ光ＬＡ２及びＬ
Ａ３に対して位相整合条件を満足する光学特性を有し、
かくして非線形光学結晶素子ｌｌにおいて基本波レーザ
光ＬＡ２の周波数Ｗ１と変調用レーザ光ＬＡ３の周波数
Ｗｇとの和の周波数として Ｗ３−ｗ、＋ｗ、 ・・・・・−（１
）で表される周波数Ｗ、の和周波レーザ光ＬＡ４を発生
する。
ーザ光ＬＡ２と、変調用レーザ光ＬＡ３とでなる互いに
異なる周波数を有する２つのレーザ光が通るが、非線形
光学結晶素子１１はこれら２つのレーザ光ＬＡ２及びＬ
Ａ３に対して位相整合条件を満足する光学特性を有し、
かくして非線形光学結晶素子ｌｌにおいて基本波レーザ
光ＬＡ２の周波数Ｗ１と変調用レーザ光ＬＡ３の周波数
Ｗｇとの和の周波数として Ｗ３−ｗ、＋ｗ、 ・・・・・−（１
）で表される周波数Ｗ、の和周波レーザ光ＬＡ４を発生
する。
この和周波レーザ光ＬＡ４は出力ミラー１７を通り、さ
らにハーフミラ−１８を通って出力レーザ光ＬＡ５とし
て送出される。
らにハーフミラ−１８を通って出力レーザ光ＬＡ５とし
て送出される。
以上の構成において、出力レーザ光ＬＡ５のパワーＰ、
は次式 ％式％（２） のように、 基本波レーザ光ＬＡ２の電場の強さＥｔｗ
ｔ＋と、 変調用レーザ光ＬＡ３の電場の強さＥ（１）
との積に比例する。ここでｄ、７．は変換定数である。
は次式 ％式％（２） のように、 基本波レーザ光ＬＡ２の電場の強さＥｔｗ
ｔ＋と、 変調用レーザ光ＬＡ３の電場の強さＥ（１）
との積に比例する。ここでｄ、７．は変換定数である。
かくして（２）式に基づいて出力レーザ光ＬＡ５は、変
調用レーザ光ＬＡ３の光強度、従って変調信号Ｓ２に応
じてパワーが変化し、その結果変調信号Ｓ２の情報をも
つ光情報を送出することができる。
調用レーザ光ＬＡ３の光強度、従って変調信号Ｓ２に応
じてパワーが変化し、その結果変調信号Ｓ２の情報をも
つ光情報を送出することができる。
か（するにつき、変調用半導体レーザ２２は、直流から
数（ＧＨｚ）程度に亘る広帯域な応答特性をもっており
、これに応じて出力レーザ光ＬＡ５として変調信号Ｓ２
の情報を実用上高い忠実度で伝送し得る光情報を得るこ
とができる。
数（ＧＨｚ）程度に亘る広帯域な応答特性をもっており
、これに応じて出力レーザ光ＬＡ５として変調信号Ｓ２
の情報を実用上高い忠実度で伝送し得る光情報を得るこ
とができる。
以上の構成によれば、レーザ媒１ｉｒ１６に対する励起
用レーザ光ＬＡＩの光強度を変化させる必要はないので
、レーザ媒質１６として例えばＮｄ ：ＹＡＧのように
２００ （＃Ｓ）程度に大きい時定数を呈するような
蛍光寿命をもつものを用いたとしても、出力レーザ光Ｌ
Ａ５として当該時定数による悪影響を受けないようにし
得る。
用レーザ光ＬＡＩの光強度を変化させる必要はないので
、レーザ媒質１６として例えばＮｄ ：ＹＡＧのように
２００ （＃Ｓ）程度に大きい時定数を呈するような
蛍光寿命をもつものを用いたとしても、出力レーザ光Ｌ
Ａ５として当該時定数による悪影響を受けないようにし
得る。
これに加えて上述の構成によれば、変調用半導体レーザ
２２として、主として光学的特性を重視して光学的特性
ができるだけ良好なものを選定するようにしさえすれば
、パワーとしてそれ程大きなものを選定する必要をなく
し得る（例えば数１０〔−一〕程度のものを選定すれば
良い）。
２２として、主として光学的特性を重視して光学的特性
ができるだけ良好なものを選定するようにしさえすれば
、パワーとしてそれ程大きなものを選定する必要をなく
し得る（例えば数１０〔−一〕程度のものを選定すれば
良い）。
これに対して基本波レーザ光ＬＡ２を発生する基本波レ
ーザ光供給源１２として、主としてパワーを重視して光
学的特性としては実用上コヒーレンジを満足し得る程度
のものを選定すれば良い。
ーザ光供給源１２として、主としてパワーを重視して光
学的特性としては実用上コヒーレンジを満足し得る程度
のものを選定すれば良い。
その結果出力レーザ光ＬＡ５として光学的特性がほぼ変
調用半導体レーザ２２によって決まる良好な光学的特性
を有し、かつパワーが主として基本波レーザ光供給源１
２のレーザ媒質１６によって決まる十分大きなパワーを
もつことになり、その結果変調信号に対する応答性が良
好でかつパワーが大きな出力レーザ光を容易に発生する
ことができる。
調用半導体レーザ２２によって決まる良好な光学的特性
を有し、かつパワーが主として基本波レーザ光供給源１
２のレーザ媒質１６によって決まる十分大きなパワーを
もつことになり、その結果変調信号に対する応答性が良
好でかつパワーが大きな出力レーザ光を容易に発生する
ことができる。
（Ｇ２）第２の実施例
第２図は本発明の第２の実施例を示すもので、第１図と
の対応部分に同一符号を付して示すように、ハーフミラ
−１８を共振器ＣＡＶ内に設けたことを除いて第１図の
場合と同様の構成を有する。
の対応部分に同一符号を付して示すように、ハーフミラ
−１８を共振器ＣＡＶ内に設けたことを除いて第１図の
場合と同様の構成を有する。
すなわち第２図の実施例の場合、ハーフミラ−１８は非
線形光学結晶素子１１及び出力ミラー１７間に介挿され
、これにより変調用レーザ光ＬＡ３を出力ミラー１７を
介さずに直接非線形光学結晶素子１１に供給し得るよう
になされている。
線形光学結晶素子１１及び出力ミラー１７間に介挿され
、これにより変調用レーザ光ＬＡ３を出力ミラー１７を
介さずに直接非線形光学結晶素子１１に供給し得るよう
になされている。
第２図のように構成しても、第１図にについて上述した
と同様の効果を得ることができる。
と同様の効果を得ることができる。
（Ｇ３）他の実施例
（１） 第２図の実施例においては、ハーフミラ−１
８を非線形光学結晶素子１１及び出力ミラー１７間に介
挿したが、これに代え、レーザ媒質１６及び非線形光学
結晶素子１１間に介挿しても良い。
８を非線形光学結晶素子１１及び出力ミラー１７間に介
挿したが、これに代え、レーザ媒質１６及び非線形光学
結晶素子１１間に介挿しても良い。
（２） 上述の実施例においては、基本波レーザ光供
給源１２のレーザ媒質１６として、Ｎｄ：ＹＡＧでなる
固体レーザを用いた場合について述べたが、これに代え
、その他の固体レーザを用いたり、例えば気体レーザ等
の他のレーザを用いるようにしても良く、要はコヒーレ
ントな光源でかつパワーが比較的大きなレーザ媒質を用
いるようにすれば良い、この場合レーザ媒ｆ１６の励起
光源は、半導体レーザ１４に限らず例えばフラッシュラ
ンプ等の他の手段を用いるようにしても良い。
給源１２のレーザ媒質１６として、Ｎｄ：ＹＡＧでなる
固体レーザを用いた場合について述べたが、これに代え
、その他の固体レーザを用いたり、例えば気体レーザ等
の他のレーザを用いるようにしても良く、要はコヒーレ
ントな光源でかつパワーが比較的大きなレーザ媒質を用
いるようにすれば良い、この場合レーザ媒ｆ１６の励起
光源は、半導体レーザ１４に限らず例えばフラッシュラ
ンプ等の他の手段を用いるようにしても良い。
（３） 上述の実施例においては、出力レーザ光ＬＡ
５として変調信号形成回路２１から得られる変調信号Ｓ
２を用いた場合について述べたが、変調信号Ｓ２として
別途出力レーザ光ＬＡ５のパワーを検出する出力レーザ
光パワー検出手段を設け、その検出信号を変調信号Ｓ２
として変調用半導体レーザ２２にフィードバックするこ
とにより、出力レーザ光ＬＡ５のパワーを一定値に制御
する（すなわち自動パワー制？１１（ＡＰＣ）をする）
場合にも本発明を適用し得る。
５として変調信号形成回路２１から得られる変調信号Ｓ
２を用いた場合について述べたが、変調信号Ｓ２として
別途出力レーザ光ＬＡ５のパワーを検出する出力レーザ
光パワー検出手段を設け、その検出信号を変調信号Ｓ２
として変調用半導体レーザ２２にフィードバックするこ
とにより、出力レーザ光ＬＡ５のパワーを一定値に制御
する（すなわち自動パワー制？１１（ＡＰＣ）をする）
場合にも本発明を適用し得る。
Ｈ発明の効果
上述のように本発明によれば、非線形光学結晶素子の和
周波レーザ光発生作用を利用して変調用レーザ光によっ
て出力レーザ光に伝送情報を変調できるようにしたこと
により、忠実度が大きくかつパワーが大きな出力レーザ
光を得ることができる。
周波レーザ光発生作用を利用して変調用レーザ光によっ
て出力レーザ光に伝送情報を変調できるようにしたこと
により、忠実度が大きくかつパワーが大きな出力レーザ
光を得ることができる。
第１図は本発明によるレーザ光源の一実施例を示す路線
的系統図、第２図はその他の実施例を示す路線的系統図
である。 ｌ・・・・・・レーザ光源、１１・・・・・・非線形光
源結晶素子、１２・・・・・・基本波レーザ光供給源、
１３・・・・・・励起回路、１４・・・・・・励起光源
用半導体レーザ、１６・・・・・・レーザ媒ｆｆ、１８
・旧・・ハーフミラ−１２１・・・・・・変調信号形成
回路、２２・・・・・・変調用半導体レーザ。 Ｊ レーデ光淋 第２のフじ施イダリ 第 ２ 図
的系統図、第２図はその他の実施例を示す路線的系統図
である。 ｌ・・・・・・レーザ光源、１１・・・・・・非線形光
源結晶素子、１２・・・・・・基本波レーザ光供給源、
１３・・・・・・励起回路、１４・・・・・・励起光源
用半導体レーザ、１６・・・・・・レーザ媒ｆｆ、１８
・旧・・ハーフミラ−１２１・・・・・・変調信号形成
回路、２２・・・・・・変調用半導体レーザ。 Ｊ レーデ光淋 第２のフじ施イダリ 第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 共振器内にレーザ媒質と共に設けた非線形光学結晶素子
に対して上記レーザ媒質から得られる基本波レーザ光と
、この基本波レーザ光とは異なる波長をもつ変調用レー
ザ光とを供給することにより、上記非線形光学結晶素子
において、上記基本波レーザ光及び上記変調用レーザ光
の和周波の波長を有し、かつ上記変調用レーザ光の光強
度の変化に応じて光強度が変化する出力レーザ光を発生
する ことを特徴とするレーザ光源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63040401A JP2712233B2 (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | レーザ光源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63040401A JP2712233B2 (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | レーザ光源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01214082A true JPH01214082A (ja) | 1989-08-28 |
| JP2712233B2 JP2712233B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=12579639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63040401A Expired - Fee Related JP2712233B2 (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | レーザ光源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2712233B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6462621A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-09 | Ibm | Laser beam generation method and apparatus |
| JPS6482582A (en) * | 1987-07-27 | 1989-03-28 | Amoco Corp | Method and apparatus for forming interfering light emission in cavity by light mixture |
-
1988
- 1988-02-22 JP JP63040401A patent/JP2712233B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6482582A (en) * | 1987-07-27 | 1989-03-28 | Amoco Corp | Method and apparatus for forming interfering light emission in cavity by light mixture |
| JPS6462621A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-09 | Ibm | Laser beam generation method and apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2712233B2 (ja) | 1998-02-10 |
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