JPH01212437A - パタン露光方法および紫外線露光装置 - Google Patents

パタン露光方法および紫外線露光装置

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JPH01212437A
JPH01212437A JP63037079A JP3707988A JPH01212437A JP H01212437 A JPH01212437 A JP H01212437A JP 63037079 A JP63037079 A JP 63037079A JP 3707988 A JP3707988 A JP 3707988A JP H01212437 A JPH01212437 A JP H01212437A
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JP
Japan
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wavelength
exposure
light source
projection lens
laser
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Pending
Application number
JP63037079A
Other languages
English (en)
Inventor
Kiichi Takamoto
喜一 高本
Yoshio Kawai
義夫 河合
Yoshiharu Ozaki
尾崎 義治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP63037079A priority Critical patent/JPH01212437A/ja
Publication of JPH01212437A publication Critical patent/JPH01212437A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体集積回路などの製造に用いられるパタ
ンを形成するための露光方法および露光装置に藺するも
のである。
(従来技術) 半導体集積回路の製造において、パタン形成装置として
紫外線縮小投影露光装置が一般に用いられている。紫外
線縮小投影露光装置では、レチクルに形成した拡大パタ
ンを縮小投影レンズにより縮小してウェハ上に投影しパ
タンを形成する。紫外線縮小投影露光装置においては、
投影レンズのNA(開口数)の増大、光源の短波長化な
どによりウェハ上に形成できるパタンの微細化が図られ
ている。ところで、紫外線縮小投影露光装置において、
このような手段により形成できるパタンか微細化するに
つれて、投影レンズの焦点深度が浅くなるという問題が
生じてくる。
投影レンズの焦点深度の低下に対処する方法として、多
重結像露光法がある。この方法は、「福田他:FLEX
による焦点深度の増大(1)、1987年春季応用物理
学会学術講演会講演予稿集(2)p、 4484 、お
よび「福田他: FLEXによる焦点深度の増大(If
)、1987年秋季応用物理学会学術講演会講演予稿集
(2) p、 424Jに記載されている。
この方法を適用している従来の紫外線縮小投影露光装置
の構成を第5図に示す0図において、1は五線あるいは
g線を発生する光源、2は照明光学系、3はレチクル、
4は投影レンズ、5はウェハ、6はXYZステージであ
る。多重結像露光法では、一つの露光フィールドにパタ
ンを露光する場合、XYZステージ6により、ウェハ5
をZ方向に移動させて結像面の位置を変化させながら露
光する。
このとき、ウェハ5の2方向への移動は機械的に行うた
め、ウェハ5のZ値が所定の値になった後に光を照射す
るという過程を繰り返す、五線を光源とし、N A−0
,42の投影レンズを搭載した紫外線縮小投影露光装置
に、この方法を適用し、従来の露光法では±1nであっ
た焦点深度を±2.51まで広げている。
(発明が解決しようとする課題) このように多重結像露光法は、焦点深度の増大に有効で
あるが、ウェハを機械的に2方向に移動させる従来の方
法では、一つの露光フィールドにパタンを露光する場合
、ウェハのZ方向への移動と露光とを繰り返すため、ス
ループットが従来の露光法と比較して1/2以下に低下
するという欠点があった。
本発明は、レーザ光を光源上する紫外線露光装置におい
て、スルーブツトを低下させることなく多重結像露光法
によりパタン露光する手段を備えた紫外線露光装置を提
供することを目的とする。
(課題を解決するための手段) 上記の目的を達成するため本発明は、レーザを光源とす
る紫外線露光装置を用いたパタン露光方法であって、該
光源から発生する光の波長を変化させながらパタンを露
光することを特徴とするパタン露光方法を発明の要旨と
するものである。
さらに本発明は、レーザを光源とする紫外線露光装置で
あって、該光源から発生するレーザ光の波長を制御する
手段を備え、λa及びλ1をあらかじめ設定した波長と
した場合、光源からの光を照射して一露光フィールドへ
パタン露光する時間内にレーザ光の波長をλ1からλa
の範囲で制御することを特徴とする紫外線露光装置を発
明の要旨とするものである。
しかして、従来の紫外線露光装置では、投影レンズの試
料をステージにより上下させることにより多重結像露光
法を実施してい、た0本発明は、試料の位置を固定した
ままで、光源の波長を変化させることにより投影レンズ
の結像面のZ方向の位置を変化させて多重結像露光法を
実施することを最も主要な特徴とする。
(作用) 以上のように、本発明によればレーザ光の波長を変化さ
せて多重結像露光法を行うため、焦点深度を太き(する
ことができる、さらに露光特性の改善を図ることができ
る。
(実施例) 次に本発明の実施例について説明する。なお、実施例は
一つの例示であって、本発明の精神を逸脱しない範囲で
、種々の変更あるいは改良を行いうることは言うまでも
ない。
本発明の実施例を第1図に示す1図において、100は
エキシマレーザ、tio、 lltは共振器、120は
エタロン、121はエタロン120の保持枠、130は
回転ステージ、140は放電管、150.151は窓、
160は反射鏡、17Gは拡散板、180は照明レンズ
、19Gは絞り、200はレチクル、21Gは投影レン
ズ、220 L* ’i エバ、23GはXYzステー
ジ、3004*回転ステージ130の制御装置である。
共振器11O8111、z夕oy12G 、放電管14
0 、 :t150.151ニよってエキシマレーザ1
00を構成している。この実施例では、エタロン12G
によりエキシマレーザ10Gから発生するレーザ光を単
色化するとともにレーザ光の波長を設定できるようにし
ている。レーザ光の基準波長を249n■とじ、エタロ
ン120を回転ステージ130で回転することにより、
波長を約248.94〜約249.06n−の範囲で変
化できるようにしている。制御装置300は、予め設定
された角度に基づいて回転ステ゛−ジ13Gを制御する
。制御装置300は、指定された角度に回転ステージ1
30を移動する機能と指定された二つの角度の範囲内で
回転ステージ13Gを連続的にあるいは間欠的に移動す
る機能を有する。
投影レンズ210のNA(開口数)は0.4、焦点距離
は80mm、倍率は115である。第2図は波長を横軸
に、焦点距離を縦軸にとり、波長と投影レンズ21Gの
焦点距離との関係を示す、波長を248.5nmから2
49.5n簡に変化させると、投影レンズ210の焦点
距離は79.985m−から80.015m閣に変化す
る。
この実施例の場合、物面となるレチクル200の面と投
影レンズ210の後主面との距j!1a(a:第1図に
図示)は480−一である。波長が2490−の場合、
投影レンズ210の前主面と像面となるウェハ220と
の距@b(b:第1図に図示)は96−である。
レーザ光の波長が変化すると、投影レンズ210の焦点
距離が変化するため、距離すが変化する。
距離すの変化は結像位置の変化となる。第3図は横軸に
波長、縦軸に結像位置の変化をとり、波長による結像位
置の変化を示す、この実施例では、投影レンズ210の
結像位置を±0.5nの範囲で変化させて多重結像露光
法を実施している。この場合、レーザ光の波長を248
.99n曽〜249.0In−の範囲で変化させて投影
レンズ210の結像位置の変化上0.5nを得ている。
なお、レーザ光の波長を変化させると距#bが変化する
ため、投影レンズ210の倍率が変化するが、その量は
わずかであり、無視できる。
つぎに、エキシマレーザ100の発振波長を変化させる
方法について説明する。エタロン120において、反射
面の間隔をd、反射面の法線と光軸とのなす角をθ、空
気の屈折率をnとすると、エタロン120を通過する光
の中心波長λ。は、λ*−2ndcosθ/m    
  (1)と表される。ただし、mは整数である0式(
1)において、(2nd/m)は定数となるので、中心
波長λ。はcowθの値に従って変化する。第4図は横
軸にエタロンの回転角をとり、縦軸に中心波長をとり、
エタロンの傾き角θと中心波長λ。の関係を示す、θ−
20sradのときにλ。関249n−となる場合を示
している。θΦ値を22mradから18mradにす
ると、レーザ光の波長が248.99nmから249.
01nsに変化する。ここで、エタロンの傾き角θを±
4 mradの範囲で変化させることは、周知の技術に
より容易にできるので、回転ステージ130の詳細につ
いては省略する。
つぎに、この実施例において、多重結像露光法によりパ
タンを露光する方法について説明する。
エキシマレーザ100から発振されるレーザ光は周波数
200〜500 Hzのパルス光であり、一つの露光フ
ィールドにパタン露光をするのに100から200発の
パルス光を照射する。レジストを塗布したウェハにパタ
ンを露光する場合、まず、中心波長λ。
= 249n+*のときの投影レンズ210の結像面に
レジスト表面がほぼ一致するような位置にウェハをセッ
トする。ここで、波長λaを24B、99n醜、波長λ
を249.O1n*とする。このとき、波長λaに対応
するエタロン120の回転角は22mrad、波長λb
に対応するエタロン120の回転角は18mradとな
る。つぎに、これら二つの回転角の値を制御値W300
に設定し、エタロン120の回転角θを22+mrad
から18mradまで変化させなから一フィールドの露
光に必要な数のパルス光をレジストに照射する。この結
果、レジスト表面を基準として、投影レンズの結像面の
位置を2方向に約−0,5Rから約±0.5 mまで移
動させなからパタンを露光したことになり、従来の多重
結像露光法で得られるのと同様な効果を得ることができ
る。
この実施例において、レーザ光の波長を固定して露光し
た場合の焦点深度は±0.5n程度であるが、波長を変
化させながら露光することによって焦点深度を±l#1
以上とすることができる。さらに、エタロンの回転角は
レーザ光の発振周波数に合わせて制御しているので、レ
ーザ光の波長を変化させるために、レーザ光の発振周波
数を変える必要がない、このため、本発明を実施するこ
とにより紫外線露光装置のスループットが低下すること
はない。
つぎに、レーザ光を一定の周波数で発振させている場合
、エタロンの回転速度を制御することによって、投影レ
ンズの結像面のZ方向の位置と照射するレーザのパルス
光との関係を任意に設定することができ、レジスト露光
特性の改善にも有効である。また、エタロンを、所定の
回転角度の範囲において、回転軸の回りに振動させた状
態にしてレーザ光を試料面に照射するようにしてもよい
なお、本発明の実施例では、エタロンをレーザの共振器
に挿入してレーザ光の波長を制御するようにしているが
、回折格子、プリズムなどの分散素子を挿入することに
よってもレーザ光の波長を制御できる。したがって、こ
のような分散素子を用いたレーザを光源とした紫外線露
光装置にも本発明を適用できる。また、本発明の実施例
では、波長249@@のレーザ光を光源とした紫外線露
光装置を対象としているが、その他の波長のレーザ光を
光源とした紫外線露光装置に本発明が適用できることは
明らかである。
(発明の効果) 以上説明したように、本発明によれば光源であるレーザ
光の波長を変化させて多重結像露光法を実施できるよう
にしているので、 (イ)スループットに影響することなく、焦点深度を大
きくできる、 (ロ)投影レンズの結像面の位置と照射パルス光との関
係を適正化することによって、露光特性の改善を図るこ
とができる、 という利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるエキシマレーザを光源とする遠紫
外線露光装置の構成、第2図は波長と投影レンズの焦点
距離との関係、第3図は波長による投影レンズの結像面
の変化を示す図、第4図はエタロンの回転角とエキシマ
レーザの中心波長との関係、第5図は従来の紫外線縮小
投影露光装置の構成を示す。 l・・・・・光源 2・・・・・照明光学系 3・・・・・レチクル 4・・・・・縮小投影レンズ 5.220 ・・ウェハ 6・・・・・XYZステージ 100 ・・・・エキシマレーザ 110、111・・共振器 120 ・・・・エタロン 121  ・・・・保持枠 13G ・・・・回転ステージ 14G ・・・・放電管 150、151・・窓 160 ・・・・反射鏡 170 ・・・・拡散板 180 ・・・・照明レンズ 190  ・ ・ ・ ・絞り 200  ・・・・レチクル 210 ・・・・投影レンズ 230 ・・・・XYzステージ 第1図 300−−−一制順7N! 5L表(nml 第2図 浪メL(nm) 第3図 エタロンのi私PI  (mradl

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)レーザを光源とする紫外線露光装置を用いたパタ
    ン露光方法であって、該光源から発生する光の波長を変
    化させながらパタンを露光することを特徴とするパタン
    露光方法。
  2. (2)レーザを光源とする紫外線露光装置であって、該
    光源から発生するレーザ光の波長を制御する手段を備え
    、λ_a及びλ_bをあらかじめ設定した波長とした場
    合、光源からの光を照射して一露光フィールドへパタン
    露光する時間内にレーザ光の波長をλ_aからλ_bの
    範囲で制御することを特徴とする紫外線露光装置。
JP63037079A 1988-02-19 1988-02-19 パタン露光方法および紫外線露光装置 Pending JPH01212437A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02244708A (ja) * 1989-03-17 1990-09-28 Hitachi Ltd 投影露光法及び装置
JPH11204894A (ja) * 1998-01-13 1999-07-30 Matsushita Electron Corp エキシマレーザ発振装置、及びそれを用いた縮小投影露光装置、ならびにその露光装置を用いたパターン形成方法
JP2004510177A (ja) * 2000-07-25 2004-04-02 クボタ リサーチ アソシエーツ、インク. 記録媒体用の露光システム

Cited By (3)

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