JPH03153014A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
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- JPH03153014A JPH03153014A JP1293328A JP29332889A JPH03153014A JP H03153014 A JPH03153014 A JP H03153014A JP 1293328 A JP1293328 A JP 1293328A JP 29332889 A JP29332889 A JP 29332889A JP H03153014 A JPH03153014 A JP H03153014A
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- laser beam
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 24
- 230000004075 alteration Effects 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000013518 transcription Methods 0.000 abstract 1
- 230000035897 transcription Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、レチクル等に形成されたパターンを基板の
表面上に形成された所定厚みのレジストに転写する投影
露光装置に関する。
表面上に形成された所定厚みのレジストに転写する投影
露光装置に関する。
第４図は従来の投影露光装置の概略構成図である。この
投影露光装置は、レチクル１に形成されたパターンを基
板２上のレジスト３に転写する装置であり、露光光源た
るパルスレーザ−発生ユニットＡを有している。同図に
示すように、パルスレーザ−発生ユニットＡは、パワー
サプライ１０と、パワーサプライ１０からのパルスエネ
ルギーに基づいてパルスエキシマレーザ−光を発生し、
そのパルスエキシマレーザ−光を所定方向に出射するレ
ーザー発生部２０′とで構成されている。
投影露光装置は、レチクル１に形成されたパターンを基
板２上のレジスト３に転写する装置であり、露光光源た
るパルスレーザ−発生ユニットＡを有している。同図に
示すように、パルスレーザ−発生ユニットＡは、パワー
サプライ１０と、パワーサプライ１０からのパルスエネ
ルギーに基づいてパルスエキシマレーザ−光を発生し、
そのパルスエキシマレーザ−光を所定方向に出射するレ
ーザー発生部２０′とで構成されている。
このレーザ発生部２０′は、第５図に示すように、反射
鏡２１．レーザー共振器２２および出力鏡２３とからな
り、パルスエキシマレーザ−光Ｌ１の光軸上にこの順で
配設されている。レーザー共振器２２において発生した
光は反射鏡２１により全反射され、レーザー共振器２２
に入射される。レーザー共振器２２では、その入射光に
より誘導放出がおこり、位相がそろえられる。こうして
生成されたレーザー光は、出力鏡２３により一部反射さ
れるとともに、残りのレーザー光が出力鏡２３を透過し
て、パルスレーザ−光り、としてレーザ発生部２０′か
ら出射される。
鏡２１．レーザー共振器２２および出力鏡２３とからな
り、パルスエキシマレーザ−光Ｌ１の光軸上にこの順で
配設されている。レーザー共振器２２において発生した
光は反射鏡２１により全反射され、レーザー共振器２２
に入射される。レーザー共振器２２では、その入射光に
より誘導放出がおこり、位相がそろえられる。こうして
生成されたレーザー光は、出力鏡２３により一部反射さ
れるとともに、残りのレーザー光が出力鏡２３を透過し
て、パルスレーザ−光り、としてレーザ発生部２０′か
ら出射される。
また投影露光装置には、第４図に示すように、レーザー
発生部２０′とレチクル１との間に集光レンズ３０が設
けられ、この集光レンズ３０を介してレーザー発生部２
０′からのパルスレーザ−光Ｌ１がレチクル１に照射さ
れる。そして、レチクル１を透過したレーザー光がレチ
クル１とレジスト３との間に設けられた投影レンズ４０
によりレジスト３に結像される。
発生部２０′とレチクル１との間に集光レンズ３０が設
けられ、この集光レンズ３０を介してレーザー発生部２
０′からのパルスレーザ−光Ｌ１がレチクル１に照射さ
れる。そして、レチクル１を透過したレーザー光がレチ
クル１とレジスト３との間に設けられた投影レンズ４０
によりレジスト３に結像される。
ところで、上記のように構成されたレーザー発生部２０
′ （第５図）から出射されるレーザー光Ｌ１は完全な
単一波長の光ではなく、第６図の曲線Ｃ１に示すように
、所定の帯域幅を持っている。
′ （第５図）から出射されるレーザー光Ｌ１は完全な
単一波長の光ではなく、第６図の曲線Ｃ１に示すように
、所定の帯域幅を持っている。
例えば、帯域幅の指標として半値幅を調べると、レーザ
ー光Ｌ の帯域幅Ｗ１は０．５ｎｍである。
ー光Ｌ の帯域幅Ｗ１は０．５ｎｍである。
第６図の直線ＳＬは上記装置の色収差量を示すものであ
り、同図に示すように、レーザー光Ｌ１の帯域幅Ｗｌが
０．５ｎｓである場合には、その色収差量は約４２μｍ
にもなる。すなわち、レーザー光Ｌ の成分光のうち中
心波長光Ｌ１ｏは第４図の実線に示すようにレジスト３
のほぼ中心位置で結像される。これに対して最大波長光
Ｌ１＋は同図の１点鎖線に示すように中心波長光Ｌ１ｏ
の結像位置よりもさらに深い位置で結像されるとともに
、最小波長光Ｌ１−は同図の２点鎖線に示すように中心
波長光Ｌ１ｏの結像位置よりも投影レンズ４０よりの位
置で結像されて、最大波長光Ｌ１＋の結像位置と最小波
長光Ｌｌ−のそれとの距離が約４２μｍにもなる。この
値は、通常レジスト３の厚みが１〜２μｍであることと
比較すると、非常に大きなものであり、上記構成の投影
露光装置では、十分な解像力が得られない。
り、同図に示すように、レーザー光Ｌ１の帯域幅Ｗｌが
０．５ｎｓである場合には、その色収差量は約４２μｍ
にもなる。すなわち、レーザー光Ｌ の成分光のうち中
心波長光Ｌ１ｏは第４図の実線に示すようにレジスト３
のほぼ中心位置で結像される。これに対して最大波長光
Ｌ１＋は同図の１点鎖線に示すように中心波長光Ｌ１ｏ
の結像位置よりもさらに深い位置で結像されるとともに
、最小波長光Ｌ１−は同図の２点鎖線に示すように中心
波長光Ｌ１ｏの結像位置よりも投影レンズ４０よりの位
置で結像されて、最大波長光Ｌ１＋の結像位置と最小波
長光Ｌｌ−のそれとの距離が約４２μｍにもなる。この
値は、通常レジスト３の厚みが１〜２μｍであることと
比較すると、非常に大きなものであり、上記構成の投影
露光装置では、十分な解像力が得られない。
そこで、第７図に示すように、反射鏡２１とレーザー共
振器２２との間に波長選択素子としてのエタロン２４を
配設して、パルスレーザ−光の帯域幅を狭めるという技
術が提案されている。この提案技術によれば、第７図の
ように構成されたレーザー発生部２０′から出射される
レーザー光Ｌ の帯域幅Ｗ２は０．００２ｎ■となり、
それに対応する色収差量は約０．１７μｍになる。すな
わち、第８図に示すように、最大波長光Ｌ 、中心波長
光２＋ Ｌ 、最小波長光Ｌ２−はレジスト３内で結像され、０ 上記問題が解消される。
振器２２との間に波長選択素子としてのエタロン２４を
配設して、パルスレーザ−光の帯域幅を狭めるという技
術が提案されている。この提案技術によれば、第７図の
ように構成されたレーザー発生部２０′から出射される
レーザー光Ｌ の帯域幅Ｗ２は０．００２ｎ■となり、
それに対応する色収差量は約０．１７μｍになる。すな
わち、第８図に示すように、最大波長光Ｌ 、中心波長
光２＋ Ｌ 、最小波長光Ｌ２−はレジスト３内で結像され、０ 上記問題が解消される。
しかし、投影露光装置ではパターンの微細化。
高精度化にともなって、投影レンズ４０として開口数が
高い高ＮＡレンズが採用されてきている。
高い高ＮＡレンズが採用されてきている。
したがって、投影レンズ４０の開口数の増大につれて焦
点深度が浅くなる。その結果、第８図に示すように、レ
ジスト３の中心位置付近のみに正確なパターンが転写さ
れる一方、レジスト３の表面やレジスト３と基板２との
境界部には正確なパターンが転写されない。そのため、
基板２（レジスト３）の高さを逐次変化させながら、パ
ターンの転写を行う、いわゆる分割露光等を行う必要が
あり、パターンの転写作業が複雑になる。
点深度が浅くなる。その結果、第８図に示すように、レ
ジスト３の中心位置付近のみに正確なパターンが転写さ
れる一方、レジスト３の表面やレジスト３と基板２との
境界部には正確なパターンが転写されない。そのため、
基板２（レジスト３）の高さを逐次変化させながら、パ
ターンの転写を行う、いわゆる分割露光等を行う必要が
あり、パターンの転写作業が複雑になる。
この発明は上記のような課題を解消するためになされた
もので、分割露光することなしに、しかも十分な解像力
をもってレチクルに形成されたパターンをレジストに転
写することができる投影露光装置を提供することを目的
とする。
もので、分割露光することなしに、しかも十分な解像力
をもってレチクルに形成されたパターンをレジストに転
写することができる投影露光装置を提供することを目的
とする。
この発明は、レーザー共振器と、前記レーザー共振器の
一方側に配置された反射鏡と、前記レーザー共振器の他
方側に配置された出力鏡とを備え、前記レーザー共振器
で生成した光を前記反射鏡と前記出力鏡との間で反射さ
せながら前記レーザー共振器内での誘導放出を利用して
レーザー光を生成して前記出力鏡により取り出し、その
レーザー光を用いて、原板に形成されたパターンを、基
板の表面上に形成された所定の厚みのレジストに転写す
るようにした投影露光装置であって、上記目的を達成す
るために、前記レーザー共振器と前記反射鏡との間に光
の帯域幅を狭くするための波長選択素子を配設するとと
もに、前記レーザー光の光軸に対し前記波長選択素子の
傾きを調整する傾き調整手段を設けている。
一方側に配置された反射鏡と、前記レーザー共振器の他
方側に配置された出力鏡とを備え、前記レーザー共振器
で生成した光を前記反射鏡と前記出力鏡との間で反射さ
せながら前記レーザー共振器内での誘導放出を利用して
レーザー光を生成して前記出力鏡により取り出し、その
レーザー光を用いて、原板に形成されたパターンを、基
板の表面上に形成された所定の厚みのレジストに転写す
るようにした投影露光装置であって、上記目的を達成す
るために、前記レーザー共振器と前記反射鏡との間に光
の帯域幅を狭くするための波長選択素子を配設するとと
もに、前記レーザー光の光軸に対し前記波長選択素子の
傾きを調整する傾き調整手段を設けている。
この発明における投影露光装置は、波長選択素子により
レーザー共振器から反射鏡に入射されるパルスレーザ−
光の帯域幅が狭帯域化され、色収差量が押えられて２、
解像力が高められる。また、傾き調整手段によりレーザ
ー光の光軸に対する前記波長選択素子の傾きが調整され
、出力鏡から出射されるレーザー光の中心波長がレジス
トの厚みに対応した範囲内で変化可能となる。したがっ
て、レーザー光の中心波長が比較的短い時にはレジスト
表面近傍に、長い場合には前記レジストと前記基板との
境界部近傍に、またそれらの中間に設定された場合には
前記レジストの中心位置近傍に、原板のパターンが十分
な解像力をもって転写される。
レーザー共振器から反射鏡に入射されるパルスレーザ−
光の帯域幅が狭帯域化され、色収差量が押えられて２、
解像力が高められる。また、傾き調整手段によりレーザ
ー光の光軸に対する前記波長選択素子の傾きが調整され
、出力鏡から出射されるレーザー光の中心波長がレジス
トの厚みに対応した範囲内で変化可能となる。したがっ
て、レーザー光の中心波長が比較的短い時にはレジスト
表面近傍に、長い場合には前記レジストと前記基板との
境界部近傍に、またそれらの中間に設定された場合には
前記レジストの中心位置近傍に、原板のパターンが十分
な解像力をもって転写される。
第１図はこの発明にかかる投影露光装置の一実施例を示
す概略構成図であり、第２図はそのレーザー発生部の構
成を示す図である。これらの図と第７図および第８図と
を比較してわかるように、この実施例が上記提案例に相
違する点は、レーザー光り。の光軸に対するエタロン２
４の傾き角度θ（第２図）を調整する傾き調整手段２５
が新たに設けられている点である。この傾き調整手段２
５は、エタロン２４の上下端をそれぞれ保持する第１お
よび第２の保持部材２６．２７と、第１および第２の保
持部材２６．２７の左右端に接続されたピエゾ素子２８
ａ、２８ｂ、２９ａ、２９ｂと、各ピエゾ素子２８ａ、
２８ｂ、２９ａ、２９ｂに適当な電位を与えてレーザー
光り。の光軸に対するエタロン２４の傾き角度θを調整
する傾き制御部（図示省略）とで構成されている。なお
、その他の点は上記提案例の構成と同一であり、ここで
はその詳細な説明を省略する。
す概略構成図であり、第２図はそのレーザー発生部の構
成を示す図である。これらの図と第７図および第８図と
を比較してわかるように、この実施例が上記提案例に相
違する点は、レーザー光り。の光軸に対するエタロン２
４の傾き角度θ（第２図）を調整する傾き調整手段２５
が新たに設けられている点である。この傾き調整手段２
５は、エタロン２４の上下端をそれぞれ保持する第１お
よび第２の保持部材２６．２７と、第１および第２の保
持部材２６．２７の左右端に接続されたピエゾ素子２８
ａ、２８ｂ、２９ａ、２９ｂと、各ピエゾ素子２８ａ、
２８ｂ、２９ａ、２９ｂに適当な電位を与えてレーザー
光り。の光軸に対するエタロン２４の傾き角度θを調整
する傾き制御部（図示省略）とで構成されている。なお
、その他の点は上記提案例の構成と同一であり、ここで
はその詳細な説明を省略する。
次に、上記のように構成された投影露光装置によって基
板２上に形成された所定厚み（約１μｍ）のレジスト３
にレチクル１のパターンを転写する場合の手順について
説明する。
板２上に形成された所定厚み（約１μｍ）のレジスト３
にレチクル１のパターンを転写する場合の手順について
説明する。
まず、レーザー光Ｌｏの光軸に対するエタロン２４の傾
き角度θと、その傾き角度θに調整されたエタロン２４
を通過したレーザー光の中心波長との関係を求める。こ
こで、上記関係を求める理由は、従来より周知のように
、エタロン２４の傾き角度θが変化すると、それにとも
なってエタロン２４を通過するレーザー光の中心波長も
変化する、言い換えれば、上記傾き角度θを適当に設定
することにより、それに対応した中心波長をもち、しか
も狭帯域（帯域幅Ｗ −０，００２ｒｖ ）のパルスレ
ーザ−光Ｌｏをパルスレーザ−発生部２０から出射する
ことができるからである。なお、上記関係は理論的に求
めても、あるいは実験的に求めてもよく、その結果をパ
ターン転写に先立って予め傾き制御部のメモリに記憶さ
せておく。
き角度θと、その傾き角度θに調整されたエタロン２４
を通過したレーザー光の中心波長との関係を求める。こ
こで、上記関係を求める理由は、従来より周知のように
、エタロン２４の傾き角度θが変化すると、それにとも
なってエタロン２４を通過するレーザー光の中心波長も
変化する、言い換えれば、上記傾き角度θを適当に設定
することにより、それに対応した中心波長をもち、しか
も狭帯域（帯域幅Ｗ −０，００２ｒｖ ）のパルスレ
ーザ−光Ｌｏをパルスレーザ−発生部２０から出射する
ことができるからである。なお、上記関係は理論的に求
めても、あるいは実験的に求めてもよく、その結果をパ
ターン転写に先立って予め傾き制御部のメモリに記憶さ
せておく。
次に、オペレータがレジスト３の厚み（−１μｍ）に関
するデータを傾き制御部に与えた後、スタートスイッチ
（図示省略）を押動すると、傾き制御部から各ピエゾ素
子２８ａ、２８ｂ、２９ａ。
するデータを傾き制御部に与えた後、スタートスイッチ
（図示省略）を押動すると、傾き制御部から各ピエゾ素
子２８ａ、２８ｂ、２９ａ。
２９ｂに適当な電位が与えられて、エタロン２４がパル
スレーザ−光Ｌｏの光軸に対して適当な角度だけ傾く。
スレーザ−光Ｌｏの光軸に対して適当な角度だけ傾く。
エタロン２４の傾き角度θの設定完了後、パワーサプラ
イ１０からレーザー発生部２０のレーザー共振器２２に
パルスエネルギーが与えられ、レーザー共振器２２から
反射鏡２１に向けて光が出射される。その光はエタロン
２４により適当に狭帯域化された後、反射鏡２１により
全反射され、再びエタロン２４を通ってレーザー共振器
２２に入射される。そして、レーザー共振器２２内での
誘導放出によって増幅されたパルスレーザ−光Ｌｏが出
力鏡２３を透過して、さらに集光レンズ３０を介してレ
チクル１に照射される。そして、レチクル１を透過した
レーザー光が投影レンズ４０によりレジスト３に結像さ
れる。この時、パルスレーザ−光り。の成分光のうち中
心波長光Ｌｃ。
イ１０からレーザー発生部２０のレーザー共振器２２に
パルスエネルギーが与えられ、レーザー共振器２２から
反射鏡２１に向けて光が出射される。その光はエタロン
２４により適当に狭帯域化された後、反射鏡２１により
全反射され、再びエタロン２４を通ってレーザー共振器
２２に入射される。そして、レーザー共振器２２内での
誘導放出によって増幅されたパルスレーザ−光Ｌｏが出
力鏡２３を透過して、さらに集光レンズ３０を介してレ
チクル１に照射される。そして、レチクル１を透過した
レーザー光が投影レンズ４０によりレジスト３に結像さ
れる。この時、パルスレーザ−光り。の成分光のうち中
心波長光Ｌｃ。
（中心波長λ−λ。）は第３図（ａ）の実線に示すよう
にレジスト３のほぼ中心位置で結像される。
にレジスト３のほぼ中心位置で結像される。
こうして、レジスト３の中心位置近傍にレチクル１のパ
ターンが正確に転写される。なお、同図（こおいて、１
点鎖線はパルスレーザ−光Ｌｏの最大波長光を示し、ま
た２点鎖線はパルスレーザ−光Ｌｏの最小波長光を示し
ている。
ターンが正確に転写される。なお、同図（こおいて、１
点鎖線はパルスレーザ−光Ｌｏの最大波長光を示し、ま
た２点鎖線はパルスレーザ−光Ｌｏの最小波長光を示し
ている。
１パルスあるいは数パルス分だけ上記のようにしてパル
スレーザ−光Ｌｏがレジスト３の中心位置に結像された
後、傾き制御部から各ピエゾ素子２８ａ、２８ｂ、２９
ａ、２９ｂに適当な電位が与えられて、エタロン２４を
通過したパルスレーザ−光の中心波長λが波長λ （−
λｏ ０．００３ｎ■）となるように、エタロン２４
がパルスレーザ−光Ｌｏの光軸に対して適当な角度だけ
傾く。
スレーザ−光Ｌｏがレジスト３の中心位置に結像された
後、傾き制御部から各ピエゾ素子２８ａ、２８ｂ、２９
ａ、２９ｂに適当な電位が与えられて、エタロン２４を
通過したパルスレーザ−光の中心波長λが波長λ （−
λｏ ０．００３ｎ■）となるように、エタロン２４
がパルスレーザ−光Ｌｏの光軸に対して適当な角度だけ
傾く。
そして、上記のようにして、中心波長λ （−λ。−
０，［１０１０３ｎで、しかも狭帯域（帯域幅Ｗ−０゜
００２ｒｖ ）のパルスレーザ−光Ｌｏがレチクル１に
投射される。さらに、レチクル１を透過したレーザー光
が投影レンズ４０によってレジスト３に結像される。こ
こでは、レーザー光Ｌｏの中心波長λが上記のように波
長λ （−λｏ −０，００３ｎ ｓ ）に設定されて
いるため、第３図（ｂ）かられかるように、パルスレー
ザ−光Ｌｏの成分光のうち中心波長光り。−（中心波長
λ−λ−）の結像位置はレジスト３の中心位置から約０
．５μｍだけ投影レンズ４０側によった位置、すなわち
第３図（ｂ）の実線に示すようにレジスト３の表面近傍
位置となる。
０，［１０１０３ｎで、しかも狭帯域（帯域幅Ｗ−０゜
００２ｒｖ ）のパルスレーザ−光Ｌｏがレチクル１に
投射される。さらに、レチクル１を透過したレーザー光
が投影レンズ４０によってレジスト３に結像される。こ
こでは、レーザー光Ｌｏの中心波長λが上記のように波
長λ （−λｏ −０，００３ｎ ｓ ）に設定されて
いるため、第３図（ｂ）かられかるように、パルスレー
ザ−光Ｌｏの成分光のうち中心波長光り。−（中心波長
λ−λ−）の結像位置はレジスト３の中心位置から約０
．５μｍだけ投影レンズ４０側によった位置、すなわち
第３図（ｂ）の実線に示すようにレジスト３の表面近傍
位置となる。
こうして、レジスト３の表面近傍にレチクル１のパター
ンが正確に転写される。
ンが正確に転写される。
また、１パルスあるいは数バ、ルス分だけ上記のように
して、パルスレーザ−光Ｌｏがレジスト３の表面近傍位
置に結像された後、上記と同様にして、エタロン２４を
通過したレーザー光の中心波長λが波長λ＋ （−λｏ
”０．００３ｎ■−λ−＋０．００６ｎ諷）となるよ
うに、エタロン２４がレーザー光Ｌｏの光軸に対して適
当な角度だけ傾く。そして、上記のようにして、中心波
長λ （−λｏ ＋Ｑ、００３ｎｍ）で、しかも狭帯域
（帯域幅Ｗ −０，００２ｎｓ ）のパルスレーザ−光
り。がレチクル１に投射され、さらにレチクル１を透過
したレーザー光が投影レンズ４０によってレジスト３に
結像される。その結果、パルスレーザ−光Ｌｏの成分光
のうち中心波長光Ｌｃ＋（中心波長λ−λ ）が、第３
図（ｃ）に示すように、レジスト３の中心位置からさら
に約０．５μｍだけ深い位置、すなわちレジスト３と基
板２との境界部近傍位置で結像されて、レチクル１のパ
ターンが正確に転写される。
して、パルスレーザ−光Ｌｏがレジスト３の表面近傍位
置に結像された後、上記と同様にして、エタロン２４を
通過したレーザー光の中心波長λが波長λ＋ （−λｏ
”０．００３ｎ■−λ−＋０．００６ｎ諷）となるよ
うに、エタロン２４がレーザー光Ｌｏの光軸に対して適
当な角度だけ傾く。そして、上記のようにして、中心波
長λ （−λｏ ＋Ｑ、００３ｎｍ）で、しかも狭帯域
（帯域幅Ｗ −０，００２ｎｓ ）のパルスレーザ−光
り。がレチクル１に投射され、さらにレチクル１を透過
したレーザー光が投影レンズ４０によってレジスト３に
結像される。その結果、パルスレーザ−光Ｌｏの成分光
のうち中心波長光Ｌｃ＋（中心波長λ−λ ）が、第３
図（ｃ）に示すように、レジスト３の中心位置からさら
に約０．５μｍだけ深い位置、すなわちレジスト３と基
板２との境界部近傍位置で結像されて、レチクル１のパ
ターンが正確に転写される。
さらに、上記第３図（ａ）〜（Ｃ）の操作が繰り返され
て、レチクル１のパターンがレジスト３に転写される。
て、レチクル１のパターンがレジスト３に転写される。
以上のように、パルスレーザ−光Ｌｏは狭帯域（帯域幅
Ｗ −０，００２ｎｓ ）であるので、レチクル１のパ
ターンを十分な解像力で転写することができる。また、
エタロン２４の傾き角度θを調整してレジスト３の厚み
方向に沿って全領域を露光しているために、分割露光す
る必要がなくなる。
Ｗ −０，００２ｎｓ ）であるので、レチクル１のパ
ターンを十分な解像力で転写することができる。また、
エタロン２４の傾き角度θを調整してレジスト３の厚み
方向に沿って全領域を露光しているために、分割露光す
る必要がなくなる。
なお、傾き調整手段２５は上記に限定されるものではな
く、エタロン２４の傾き角度を調整することができる機
構であればどのようなものであっても良い。
く、エタロン２４の傾き角度を調整することができる機
構であればどのようなものであっても良い。
また、光の帯域幅を狭くするためにエタロン２４以外の
波長選択素子を使用してもよい。
波長選択素子を使用してもよい。
以上のように、この発明にかかる投影露光装置によれば
、レーザー共振器と反射鏡との間に波長選択素子を配設
しているので、レーザー光が狭帯域化されて、解像力が
高くなる。また、前記波長選択素子の傾きを調整し、前
記レジストの厚みに対応した範囲内で前記出力鏡から出
射されるパルスレーザ−光の中心波長を変化させること
により、前記レジストの高さ位置を一定に保ちながら、
原板のパターンを前記レジストに転写することができる
。すなわち、分割露光の必要がなくなる。
、レーザー共振器と反射鏡との間に波長選択素子を配設
しているので、レーザー光が狭帯域化されて、解像力が
高くなる。また、前記波長選択素子の傾きを調整し、前
記レジストの厚みに対応した範囲内で前記出力鏡から出
射されるパルスレーザ−光の中心波長を変化させること
により、前記レジストの高さ位置を一定に保ちながら、
原板のパターンを前記レジストに転写することができる
。すなわち、分割露光の必要がなくなる。
第１図はこの発明にかかる投影露光装置の一実施例を示
す概略構成図、第２図はそのレーザー発生部の構成を示
す図、第３図はその動作を示す動作説明図、第４図は従
来の投影露光装置の概略構成図、第５図はそのレーザー
発生部の構成を示す図、第６図はレーザー光の帯域幅と
色収差量との関係を示す図、第７図は提案例にかかるレ
ーザー発生部の構成を示す図、第８図はそのレーザー発
生部が適用された投影露光装置の概略構成図である。 図において、１はレチクル、２は基板、３はレジスト、
２１は反射鏡、２２はレーザー共振器、２３は出力鏡、
２４はエタロン、２５は傾き調整手段である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
す概略構成図、第２図はそのレーザー発生部の構成を示
す図、第３図はその動作を示す動作説明図、第４図は従
来の投影露光装置の概略構成図、第５図はそのレーザー
発生部の構成を示す図、第６図はレーザー光の帯域幅と
色収差量との関係を示す図、第７図は提案例にかかるレ
ーザー発生部の構成を示す図、第８図はそのレーザー発
生部が適用された投影露光装置の概略構成図である。 図において、１はレチクル、２は基板、３はレジスト、
２１は反射鏡、２２はレーザー共振器、２３は出力鏡、
２４はエタロン、２５は傾き調整手段である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）レーザー共振器と、前記レーザー共振器の一方側
に配置された反射鏡と、前記レーザー共振器の他方側に
配置された出力鏡とを備え、前記レーザー共振器で生成
した光を前記反射鏡と前記出力鏡との間で反射させなが
ら前記レーザー共振器内での誘導放出を利用してレーザ
ー光を生成して前記出力鏡により取り出し、そのレーザ
ー光を用いて、原板に形成されたパターンを、基板の表
面上に形成された所定の厚みのレジストに転写するよう
にした投影露光装置において、 前記レーザー共振器と前記反射鏡との間に光の帯域幅を
狭くするための波長選択素子を配設するとともに、前記
レーザー光の光軸に対し前記波長選択素子の傾きを調整
する傾き調整手段を設けたことを特徴とする投影露光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1293328A JPH03153014A (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1293328A JPH03153014A (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03153014A true JPH03153014A (ja) | 1991-07-01 |
Family
ID=17793402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1293328A Pending JPH03153014A (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03153014A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100338932B1 (ko) * | 1999-10-28 | 2002-05-30 | 박종섭 | 웨이퍼 노광 장치 |
| JP2004510177A (ja) * | 2000-07-25 | 2004-04-02 | クボタ リサーチ アソシエーツ、インク． | 記録媒体用の露光システム |
| WO2010100950A1 (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-10 | 国立大学法人大阪大学 | 集光照射基板を用いた半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜の製造装置、半導体薄膜の選択成長方法、および半導体素子 |
-
1989
- 1989-11-10 JP JP1293328A patent/JPH03153014A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100338932B1 (ko) * | 1999-10-28 | 2002-05-30 | 박종섭 | 웨이퍼 노광 장치 |
| JP2004510177A (ja) * | 2000-07-25 | 2004-04-02 | クボタ リサーチ アソシエーツ、インク． | 記録媒体用の露光システム |
| WO2010100950A1 (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-10 | 国立大学法人大阪大学 | 集光照射基板を用いた半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜の製造装置、半導体薄膜の選択成長方法、および半導体素子 |
| JP5424363B2 (ja) * | 2009-03-05 | 2014-02-26 | 国立大学法人大阪大学 | 集光照射基板を用いた半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜の製造装置、および半導体薄膜の選択成長方法 |
| US8673748B2 (en) | 2009-03-05 | 2014-03-18 | Osaka University | Method for fabricating semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, apparatus for fabricating semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, method for selectively growing semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, and semiconductor element using substrate irradiated with focused light |
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