JPH01212428A - アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 - Google Patents
アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法Info
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- JPH01212428A JPH01212428A JP3814188A JP3814188A JPH01212428A JP H01212428 A JPH01212428 A JP H01212428A JP 3814188 A JP3814188 A JP 3814188A JP 3814188 A JP3814188 A JP 3814188A JP H01212428 A JPH01212428 A JP H01212428A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はアルミ電解コンデンサ用電誕箔の製造方法に関
するものである。
するものである。
従来の技術
従来、アルミ電解コンデンサ用電極箔は、コンデンサの
小形化、低ｊ皿格化を図る為に、電極体となるアルミニ
ウム箔を電気化学的、あるいは化学的にエツチング処理
して表面積を拡大したものを使用している。
小形化、低ｊ皿格化を図る為に、電極体となるアルミニ
ウム箔を電気化学的、あるいは化学的にエツチング処理
して表面積を拡大したものを使用している。
発明が解決し゛ようとする課題
このアルミニウム電原箔の表面積を拡大する為忙種々の
方法が研究されているが、アルミニウム電原箔の機械的
強度を保持したまま表面積を拡大することは非常に困難
であった。すなわち、従来のエツチング技術では、−Ｓ
的に表面積を拡大するためてエツチング孔の密度を増大
させようとすると、同時にアルミニウム電極箔の表面溶
解も進行して期待出来る和衷面積が増大しないばかりか
、アルミニウム電極箔の機械的強度も損なわれるという
問題があった。
方法が研究されているが、アルミニウム電原箔の機械的
強度を保持したまま表面積を拡大することは非常に困難
であった。すなわち、従来のエツチング技術では、−Ｓ
的に表面積を拡大するためてエツチング孔の密度を増大
させようとすると、同時にアルミニウム電極箔の表面溶
解も進行して期待出来る和衷面積が増大しないばかりか
、アルミニウム電極箔の機械的強度も損なわれるという
問題があった。
本発明は上記の問題点を解決するもので、アルミニウム
電極箔の機械的強度を保持しつつ、エツチング孔の密度
を増大させ、表面積を拡大出来るアルミニウム電解コン
デンサ用電極箔の製造方法を提供するものである。
電極箔の機械的強度を保持しつつ、エツチング孔の密度
を増大させ、表面積を拡大出来るアルミニウム電解コン
デンサ用電極箔の製造方法を提供するものである。
課題を解決するための手段
本発明はこのような従来の問題点を解決するものであり
、塩化カリウム、塩化ナトリウム、塩化アンモニウムの
うち少なくとも１種０．１〜１０％を含む水溶液中で直
流エツチングする第１段エツチング工程と、塩酸２〜１
６イに硫酸、蓚酸、リン酸からなる多孔質皮膜生成酸の
うち少なくとも１種６〜３５％を添加した水溶液中で直
流エツチングする第２段エツチング工程と、塩ａ２〜１
６イもしくはそれに硫酸、蓚酸、リン酸からなる多孔質
皮膜生成酸のうち少なくとも１種を３％以下添加した水
溶液中で直流エツチングするか、または浸漬処理をする
第３段エツチング工程を有するものである。
、塩化カリウム、塩化ナトリウム、塩化アンモニウムの
うち少なくとも１種０．１〜１０％を含む水溶液中で直
流エツチングする第１段エツチング工程と、塩酸２〜１
６イに硫酸、蓚酸、リン酸からなる多孔質皮膜生成酸の
うち少なくとも１種６〜３５％を添加した水溶液中で直
流エツチングする第２段エツチング工程と、塩ａ２〜１
６イもしくはそれに硫酸、蓚酸、リン酸からなる多孔質
皮膜生成酸のうち少なくとも１種を３％以下添加した水
溶液中で直流エツチングするか、または浸漬処理をする
第３段エツチング工程を有するものである。
作用
この様な本発明の構成によれば、第１段エツチングに塩
化カリウム、塩化ナトリウム、塩化アンモニウムの中性
塩のうち少なくとも１種類を含む水溶液を用いているた
め、アルミニウム箔表面の化学的に活性な部分、すなわ
ち表面酸化皮膜に多数存在する欠陥部等からまずエツチ
ング孔が発生する。続いて行なう第２役エツチングでは
塩酸に硫酸、蓚酸、リン酸からなる多孔質皮膜生成酸の
うち少なくとも１種類を添加した水溶液を用いているた
め、第１段エツチングではエツチング孔が発生しなかっ
た比較的欠陥部の少ない表面にまず多孔質皮膜が生成し
、その孔の部分を塩素イオンが浸食して、更に多数のエ
ツチング孔が発生する。
化カリウム、塩化ナトリウム、塩化アンモニウムの中性
塩のうち少なくとも１種類を含む水溶液を用いているた
め、アルミニウム箔表面の化学的に活性な部分、すなわ
ち表面酸化皮膜に多数存在する欠陥部等からまずエツチ
ング孔が発生する。続いて行なう第２役エツチングでは
塩酸に硫酸、蓚酸、リン酸からなる多孔質皮膜生成酸の
うち少なくとも１種類を添加した水溶液を用いているた
め、第１段エツチングではエツチング孔が発生しなかっ
た比較的欠陥部の少ない表面にまず多孔質皮膜が生成し
、その孔の部分を塩素イオンが浸食して、更に多数のエ
ツチング孔が発生する。
そして、第３段エツチングでは塩酸または塩酸に硫酸、
蓚酸、リン酸からなる多孔質皮膜生成酸のうち少なくと
も１種類を添加した水溶液中で比較的低電流密度でエツ
チングするか、または浸漬処理をするため、第１没およ
び第２段エツチングで発生したエツチング孔が効果的に
拡大される。
蓚酸、リン酸からなる多孔質皮膜生成酸のうち少なくと
も１種類を添加した水溶液中で比較的低電流密度でエツ
チングするか、または浸漬処理をするため、第１没およ
び第２段エツチングで発生したエツチング孔が効果的に
拡大される。
そのため、表面溶解が少なく機械的強度を保持したまま
、高密度で充分な太さの径をもったエツチング孔を均一
な分布で発生させることが出来る。
、高密度で充分な太さの径をもったエツチング孔を均一
な分布で発生させることが出来る。
実施例
以下に本発明の第１役エツチング工程、第２段エツチン
グ工程、第３段エツチング工程につき、それぞれ具体的
にエツチング条件を説明する。
グ工程、第３段エツチング工程につき、それぞれ具体的
にエツチング条件を説明する。
■ 第１段エツチング工程
エツチング孔を高密度かつ均一に生成させるために塩化
カリウム、塩化ナトリウム、塩化アンモニウムのうちの
少なくとも１種類を含む水溶液を用いた直流エツチング
が必要である。
カリウム、塩化ナトリウム、塩化アンモニウムのうちの
少なくとも１種類を含む水溶液を用いた直流エツチング
が必要である。
前述のい°ずれの中性塩の水溶液の場合でも、その濃度
が０．１に未満ではエツチング効果が小さく、１ｏにを
超えると表面の全面溶解が起こる。従って０．１〜１０
％の範囲内で、特に１〜５にが好ましｒｏこの様な好適
範囲内では、表面溶解をほとんど起こすことなく高密度
かつ均一なエツチング孔を発生させることが出来る。
が０．１に未満ではエツチング効果が小さく、１ｏにを
超えると表面の全面溶解が起こる。従って０．１〜１０
％の範囲内で、特に１〜５にが好ましｒｏこの様な好適
範囲内では、表面溶解をほとんど起こすことなく高密度
かつ均一なエツチング孔を発生させることが出来る。
エツチング液温も重要な影響を及ぼし、６０℃未満では
エツチング効果が小さく、１００℃を超えると表面の全
面溶解が超こる。従って６ｏＮ１■℃の範囲内で特に７
０〜９０πが好ましい。
エツチング効果が小さく、１００℃を超えると表面の全
面溶解が超こる。従って６ｏＮ１■℃の範囲内で特に７
０〜９０πが好ましい。
また、電流密度は６ム／ｄ♂未満ではエツチング効果が
小さく、７０ム／ｄ♂を超えると表面の全面溶解が起こ
る。従ってＳ〜７０ム／ｄｉの範囲内特に８〜３０ム／
ｄ♂ が好ましい。
小さく、７０ム／ｄ♂を超えると表面の全面溶解が起こ
る。従ってＳ〜７０ム／ｄｉの範囲内特に８〜３０ム／
ｄ♂ が好ましい。
■ 第２段エツチング工程
表面溶解を抑制しながら、更にエツチング孔を発生、増
加させる為に、塩酸に硫酸、蓚酸、リン酸からなる多孔
質皮膜生成酸のうち少なくとも１種類を添加した水溶液
を用いた直流エツチングが必要である。塩酸濃度は２％
未満であるとエツチング効果が小さく、１５ｔＸを超え
ると表面の全面溶解が起こる。従って２〜１５にの範囲
内で、特１／（３〜８にが好ましい。多孔質皮膜を生成
し得る酸の添加敬については、硫酸、蓚酸、リン酸のｈ
ずれの場合も６％未満であると多孔質皮膜の生成が不充
分であり、３６％を超えると皮膜生成反応よりむしろ溶
解反応が強くなって表面の全面溶解が起こる。
加させる為に、塩酸に硫酸、蓚酸、リン酸からなる多孔
質皮膜生成酸のうち少なくとも１種類を添加した水溶液
を用いた直流エツチングが必要である。塩酸濃度は２％
未満であるとエツチング効果が小さく、１５ｔＸを超え
ると表面の全面溶解が起こる。従って２〜１５にの範囲
内で、特１／（３〜８にが好ましい。多孔質皮膜を生成
し得る酸の添加敬については、硫酸、蓚酸、リン酸のｈ
ずれの場合も６％未満であると多孔質皮膜の生成が不充
分であり、３６％を超えると皮膜生成反応よりむしろ溶
解反応が強くなって表面の全面溶解が起こる。
従って５〜３５にの範囲内で、特に１６〜２６％が好ま
しい。この様な好適範囲内では高密度かつ均一な孔を持
つ多孔質皮膜がアルミ箔表面知生成し、その孔の部分を
塩素イオンが浸食してエツチング孔が形成されるが、一
方孔以外の部分は皮膜で覆われているから表面溶解が抑
制され、結果的に第１没エツチングで出来たエツチング
孔を破壊することなしに新たな均一なエツチング孔を発
生させることが出来る。
しい。この様な好適範囲内では高密度かつ均一な孔を持
つ多孔質皮膜がアルミ箔表面知生成し、その孔の部分を
塩素イオンが浸食してエツチング孔が形成されるが、一
方孔以外の部分は皮膜で覆われているから表面溶解が抑
制され、結果的に第１没エツチングで出来たエツチング
孔を破壊することなしに新たな均一なエツチング孔を発
生させることが出来る。
第１投エツチングと同様の理由から、液温は６０〜１０
０℃の範囲が良く、特に７０〜９０℃が好ましい。また
電流密度てついても、第１段エツチングと同様、６〜７
０ムＺａｔｒＩ の範囲が良いが、特に１０〜４ｏム／
ｄｍ” が好ましい。
０℃の範囲が良く、特に７０〜９０℃が好ましい。また
電流密度てついても、第１段エツチングと同様、６〜７
０ムＺａｔｒＩ の範囲が良いが、特に１０〜４ｏム／
ｄｍ” が好ましい。
■ 第３段エツチング工程
第１段および第２２段エツチングで発生したエツチング
孔を効果的に拡大するために、塩酸のみかまたは塩酸に
硫酸、蓚酸、リン酸からなる多孔質皮膜生成酸のうち少
なくとも１種類を少量添加した水溶液中で直流エツチン
グするか、または浸漬処理をすることが必要である。塩
酸濃度は２に未満であるとエツチング効果が小さく、１
５％を超えると表面の全面溶解が起こる。
孔を効果的に拡大するために、塩酸のみかまたは塩酸に
硫酸、蓚酸、リン酸からなる多孔質皮膜生成酸のうち少
なくとも１種類を少量添加した水溶液中で直流エツチン
グするか、または浸漬処理をすることが必要である。塩
酸濃度は２に未満であるとエツチング効果が小さく、１
５％を超えると表面の全面溶解が起こる。
従って２〜１６πの範囲内で、特に３〜８％が好ましい
。多孔質皮膜を生成し得る酸の添加知ついては、無くて
も良いが、添加する場合は、硫酸。
。多孔質皮膜を生成し得る酸の添加知ついては、無くて
も良いが、添加する場合は、硫酸。
蓚酸、リン酸のいずれの場合も３％を超えると皮膜生成
反応によシ溶解反応がおさえられ、エツチング効果が小
さくなる。
反応によシ溶解反応がおさえられ、エツチング効果が小
さくなる。
従って０〜３イの範囲内で、特にＱＯ１〜０．５５％が
好ましい。
好ましい。
この様な好適範囲内では第１段および第２段エツチング
で発生したエツチング孔の破壊や、無駄な表面の溶解を
ほとんど起こすことなく、効果的にエツチング孔を拡大
することが出来る。
で発生したエツチング孔の破壊や、無駄な表面の溶解を
ほとんど起こすことなく、効果的にエツチング孔を拡大
することが出来る。
エツチング液温につい、ては、第１段および第２段エツ
チングと同様の理由から、６０〜１００℃の範囲が良く
、特に７０〜９０ ℃が好ましい。
チングと同様の理由から、６０〜１００℃の範囲が良く
、特に７０〜９０ ℃が好ましい。
また、電流については印加しなくても良いが、生産性を
上げるために印加する場合、１６ム／ｄｒｒ！以上にす
るとエツチング孔の拡大よりも表面溶解が激しくなる。
上げるために印加する場合、１６ム／ｄｒｒ！以上にす
るとエツチング孔の拡大よりも表面溶解が激しくなる。
従って、０〜１６ム／ａｎ？の範囲内で特ＫＯ〜１０ム
／ｄ−が好ましい。
／ｄ−が好ましい。
以下、比較例とともに本発明の具体的な実施例を示す。
ただし、試料のアルミニウム箔は純度９９．９９％、厚
さ１００μｍの焼鈍したものを用いた。
さ１００μｍの焼鈍したものを用いた。
（比較例−１）
第１段エツチングを塩酸５′！Ｘに硫酸２６％を添加し
た液温８０℃の水溶液で電流密度３０ム／ｌｎｒの直流
電流を１２０秒印加して行なった後、第２段エツチング
を塩ａ７％に蓚酸０．１％を添加した液温８０℃の水溶
液に３００秒浸漬して行った。
た液温８０℃の水溶液で電流密度３０ム／ｌｎｒの直流
電流を１２０秒印加して行なった後、第２段エツチング
を塩ａ７％に蓚酸０．１％を添加した液温８０℃の水溶
液に３００秒浸漬して行った。
（比較例−２）
第１段エツチングを塩化ナトリウム４％、液温８０℃の
水溶液で電流密度１６ム／ａｎｒの直流電流を２４０秒
印加して行った後、第２段エツチングを塩酸７′！Ｘに
蓚酸０．１％を添加した液温８０℃の水溶液にａＯＯ秒
浸漬して行っ・た。
水溶液で電流密度１６ム／ａｎｒの直流電流を２４０秒
印加して行った後、第２段エツチングを塩酸７′！Ｘに
蓚酸０．１％を添加した液温８０℃の水溶液にａＯＯ秒
浸漬して行っ・た。
（実施例）
第１段エツチングを塩化ナトリウム４％、液温８ｏ℃の
水溶液で電流密度１６ム／ａｎｔ’の直流電流を１８０
秒印加して行った後、第２役エツチングを塩漬６％に硫
酸２５％を添加した液温８０℃の水溶液で、電流密度３
０ム／ｄ−の直流電流を１００秒印加して行い、第３段
エツチングを塩酸７％に蓚酸０．１にを添加しだ液温８
０℃の水溶液に１８０秒浸漬して行った。
水溶液で電流密度１６ム／ａｎｔ’の直流電流を１８０
秒印加して行った後、第２役エツチングを塩漬６％に硫
酸２５％を添加した液温８０℃の水溶液で、電流密度３
０ム／ｄ−の直流電流を１００秒印加して行い、第３段
エツチングを塩酸７％に蓚酸０．１にを添加しだ液温８
０℃の水溶液に１８０秒浸漬して行った。
上記３例のエツチング箔をホウ酸系水溶液で３７０Ｖ化
成した後の静電容量と折曲げ強度（１，ＯＲ，２００？
荷重、折曲げ角９０°により１往復で１回とする）を測
定した結果を表−１に示す。
成した後の静電容量と折曲げ強度（１，ＯＲ，２００？
荷重、折曲げ角９０°により１往復で１回とする）を測
定した結果を表−１に示す。
表−１
発明の効果
Claims (3)
- （１）エッチング処理を第１段，第２段，第３段の３段
階に分けて行うものとし、第１段エッチングとして塩化
カリウム，塩化ナトリウム，塩化アンモニウムのうち少
なくとも１種０．１〜１０％を含む水溶液中で直流エッ
チングし、第２段エッチングとして塩酸２〜１５％に硫
酸，蓚酸，リン酸からなる多孔質皮膜生成酸のうち少な
くとも１種５〜３５％を添加した水溶液中で直流エッチ
ングし、第３段エッチングとして塩酸２〜１５％もしく
はそれに硫酸，蓚酸，リン酸からなる多孔質皮膜生成酸
のうち少なくとも１種を３％以下添加した水溶液中で直
流エッチングするか、または浸漬処理をすることを特徴
とするアルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法。 - （２）エッチング液温が何れも５０〜１００℃である請
求項１記載のアルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法
。 - （３）電流密度が第１段と第２段エッチングについては
５〜７０Ａ／ｄｍ＾２であり，第３段エッチングについ
ては０〜１５Ａ／ｄｍ＾２である請求項１記載のアルミ
電解コンデンサ用電極箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3814188A JP2629241B2 (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3814188A JP2629241B2 (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01212428A true JPH01212428A (ja) | 1989-08-25 |
| JP2629241B2 JP2629241B2 (ja) | 1997-07-09 |
Family
ID=12517138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3814188A Expired - Lifetime JP2629241B2 (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2629241B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105097286A (zh) * | 2015-09-01 | 2015-11-25 | 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司 | 一种超高压储能材料的腐蚀方法 |
-
1988
- 1988-02-19 JP JP3814188A patent/JP2629241B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105097286A (zh) * | 2015-09-01 | 2015-11-25 | 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司 | 一种超高压储能材料的腐蚀方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2629241B2 (ja) | 1997-07-09 |
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