JPH01211912A - 半導体基板 - Google Patents
半導体基板Info
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- JPH01211912A JPH01211912A JP3696888A JP3696888A JPH01211912A JP H01211912 A JPH01211912 A JP H01211912A JP 3696888 A JP3696888 A JP 3696888A JP 3696888 A JP3696888 A JP 3696888A JP H01211912 A JPH01211912 A JP H01211912A
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Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は高速でかつ駆動能力の高い虫を基板としたデ
バイスを製作するに有効なＩＩＩ −Ｖ化合物半導体エ
ピタキシャル層をＳｉ基板上に配した半導体基板に関す
る。
バイスを製作するに有効なＩＩＩ −Ｖ化合物半導体エ
ピタキシャル層をＳｉ基板上に配した半導体基板に関す
る。
（従来の技術）
ＧａＡｓやＧａＰなどＩＩＬＶ化合物半導体エピタキシ
ャル層をＳｉ基板上に形成する技術が資源保護や製造工
程での取り扱い易さ、あるいはＳｉ高速デバイス製作の
目的から着目されている。
ャル層をＳｉ基板上に形成する技術が資源保護や製造工
程での取り扱い易さ、あるいはＳｉ高速デバイス製作の
目的から着目されている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしＳｉ基板上のＩＩＩ −Ｖ化合物半導体エピタキ
シャル膜の結晶性は著しく悪い。この原因は■エピタキ
シャル成長前のＳｉ基板の前処理、■Ｓｉのようなノン
ポーラ−基板上にＩＩＩ ＋ Ｖ化合物半導体のような
ポーラ−なエピタキシャル層を形成するという場合につ
きもののアンチフェーズドメインの発生、および■Ｓｉ
と１旧Ｖ化合物半導体の格子不整の３点にあるというこ
とは共通認識であろうが、一般の動きは■の問題は本質
的に存在するのだから、■および■を解決する技術を培
うことでＳｉ基板上のＩＩＩ ＋ Ｖ化合物エピタキシ
ャル膜の結晶性改善を図ろうというものである。現在の
ところ■、■あるいは■の問題が錯綜、どれがＩＨ−Ｖ
化合物半導体の結晶性を低下する主原因となっているか
を判断できない状況にある。本発明は■および■は技術
的には十分解決できる問題であるとの立場から、本質的
問題である■の格子不整の問題を解決することでエピタ
キシャル膜の結晶性を基本的に解決しようとするもので
ある。流行しているＧａＡｓをＳｉ基板に形成しようと
する技術ではＧａＡｓ／Ｓｉ界面を使用することは当初
からあきらめエピタキシャル成長したＧａＡｓ表面付近
を用いてデバイスを作ろうとするものである。ａをエピ
タキシャル層の格子定数、ａ土をエピタキシャル層の成
長厚さ方向の格子定数、ａ８：基板の格子定数とすると
格子不整はΔａ上＝ ａ” −ａ、で表され、ポアソン
比をＶで表せばΔａ−’＝（（１＋ｖ）／（１−ｖ））
（ａ−ａｓ）の関係にある。
シャル膜の結晶性は著しく悪い。この原因は■エピタキ
シャル成長前のＳｉ基板の前処理、■Ｓｉのようなノン
ポーラ−基板上にＩＩＩ ＋ Ｖ化合物半導体のような
ポーラ−なエピタキシャル層を形成するという場合につ
きもののアンチフェーズドメインの発生、および■Ｓｉ
と１旧Ｖ化合物半導体の格子不整の３点にあるというこ
とは共通認識であろうが、一般の動きは■の問題は本質
的に存在するのだから、■および■を解決する技術を培
うことでＳｉ基板上のＩＩＩ ＋ Ｖ化合物エピタキシ
ャル膜の結晶性改善を図ろうというものである。現在の
ところ■、■あるいは■の問題が錯綜、どれがＩＨ−Ｖ
化合物半導体の結晶性を低下する主原因となっているか
を判断できない状況にある。本発明は■および■は技術
的には十分解決できる問題であるとの立場から、本質的
問題である■の格子不整の問題を解決することでエピタ
キシャル膜の結晶性を基本的に解決しようとするもので
ある。流行しているＧａＡｓをＳｉ基板に形成しようと
する技術ではＧａＡｓ／Ｓｉ界面を使用することは当初
からあきらめエピタキシャル成長したＧａＡｓ表面付近
を用いてデバイスを作ろうとするものである。ａをエピ
タキシャル層の格子定数、ａ土をエピタキシャル層の成
長厚さ方向の格子定数、ａ８：基板の格子定数とすると
格子不整はΔａ上＝ ａ” −ａ、で表され、ポアソン
比をＶで表せばΔａ−’＝（（１＋ｖ）／（１−ｖ））
（ａ−ａｓ）の関係にある。
Δａ＝ａ−ａ、であるが、格子不整の比較的小さなＧａ
Ｐ／Ｓｉ系においてもΔａ／ａ、は〜３．４Ｘ１０−３
であり、Ａ１□−ｘＧａｘＡｓｌＧａＡｓ系の値を越え
る。実用化されているＩｎ１−ＸＧａｘＡｓＹＰｌ−Ｙ
／ＩｎＰ系デバイスでのΔａ”／ａ、は１０−４代に制
御されており、ＧａＰ／Ｓｉ系でも格子不整は小さいと
は言えない。本発明によればＩＩＩ ＋ Ｖ化合物半導
体／Ｓｉ界面の物性を利用したデバイスへの応用へ大き
く飛躍する。特に下の表は８ｉと主なｌｌｌ−■化合物
半導体の室温での格子定数と線膨張係数の値を示すもの
であるが、ＩＩＩ ＋ Ｖ化合物半導体に較べてＳｉの
線膨張係数が小さいために室温より高い温度でなされる
エピタキシャル成長時点でのＩＩＬＶ化合物半導体とＳ
ｉ基板との格子定数の差は上記室温ですなわち、ＩＨ＋
Ｖ化合物半導体をＳｉ基板にエピタキシャル成長する
技術は注目されているが界面の欠陥を除去することは容
易ではないと考えられる。ＧａＰをＳｉ基板上に形成す
ることでＧａＰをエミッタとしたいわゆるヘテロバイポ
ーラトランジスタ（ＨＢＴ）が期待されているが、Ｇａ
Ｐ／Ｓｉ界面が直接動作に関与するため界面欠陥の除去
は重要である。
Ｐ／Ｓｉ系においてもΔａ／ａ、は〜３．４Ｘ１０−３
であり、Ａ１□−ｘＧａｘＡｓｌＧａＡｓ系の値を越え
る。実用化されているＩｎ１−ＸＧａｘＡｓＹＰｌ−Ｙ
／ＩｎＰ系デバイスでのΔａ”／ａ、は１０−４代に制
御されており、ＧａＰ／Ｓｉ系でも格子不整は小さいと
は言えない。本発明によればＩＩＩ ＋ Ｖ化合物半導
体／Ｓｉ界面の物性を利用したデバイスへの応用へ大き
く飛躍する。特に下の表は８ｉと主なｌｌｌ−■化合物
半導体の室温での格子定数と線膨張係数の値を示すもの
であるが、ＩＩＩ ＋ Ｖ化合物半導体に較べてＳｉの
線膨張係数が小さいために室温より高い温度でなされる
エピタキシャル成長時点でのＩＩＬＶ化合物半導体とＳ
ｉ基板との格子定数の差は上記室温ですなわち、ＩＨ＋
Ｖ化合物半導体をＳｉ基板にエピタキシャル成長する
技術は注目されているが界面の欠陥を除去することは容
易ではないと考えられる。ＧａＰをＳｉ基板上に形成す
ることでＧａＰをエミッタとしたいわゆるヘテロバイポ
ーラトランジスタ（ＨＢＴ）が期待されているが、Ｇａ
Ｐ／Ｓｉ界面が直接動作に関与するため界面欠陥の除去
は重要である。
■の問題は技術的な問題に過ぎないし、■はこの材料系
を取り上げる以上は克服しなければならない問題である
一方、■の格子整合に関して材料を選択する余地があり
、この問題を取り除くことがまず重要である。
を取り上げる以上は克服しなければならない問題である
一方、■の格子整合に関して材料を選択する余地があり
、この問題を取り除くことがまず重要である。
本発明の目的はＳｉ基板の上にＩＩＩ −Ｖ化合物半導
体を格子整合させてエピタキシャル成長することにより
、上記ＩＩＩ ＋ Ｖ化合物半導体エピタキシャル層の
欠陥密度を大幅な低減を実現する半導体ウェーハの構造
を提供することにある。
体を格子整合させてエピタキシャル成長することにより
、上記ＩＩＩ ＋ Ｖ化合物半導体エピタキシャル層の
欠陥密度を大幅な低減を実現する半導体ウェーハの構造
を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明の骨子は窒素原子を添加することでＳｉとの格子
整合した閃亜鉛鉱型の結晶構造を持つＩＩＬ■化合物半
導体エピタキシャル層をＳｉ基板上に形成したことを特
徴とするもので、窒素添加によりＳｉ基１仮に格子整合
させることでエピタキシャル層の欠陥を大幅に削減する
ものである。
整合した閃亜鉛鉱型の結晶構造を持つＩＩＬ■化合物半
導体エピタキシャル層をＳｉ基板上に形成したことを特
徴とするもので、窒素添加によりＳｉ基１仮に格子整合
させることでエピタキシャル層の欠陥を大幅に削減する
ものである。
（作用）
現在、Ｓｉより最近接原子間距離の短いＩＩＩ −Ｖ化
合物は半導体材料としての認識されていない。しかし、
最近接原子間距離で考えたときにはウルツ鉱型結晶構造
を持つＩＩＩＩ −Ｖ化合物半導体ではＳｉの最近接原
子間距離より小さいものがある。ＧａＮやＡＩＮなどＶ
族原子Ｎの化合物である。ところがこうした化合物がウ
ルツ鉱型結晶構造をとるためであろうか、閃亜鉛型ＩＩ
Ｉ −Ｖ化合物との混晶を作り、Ｓｉと格子整合させる
という発想がなかった。これは結晶系の違いを乗り越え
てこうした混晶をつくることが困難と思われていたため
であろう。ここでの問題はＮを添加して８ｉと格子定数
の整合をとることが出来るかということである。Ｎはア
ンモニアなどのガス原料やヒドラジン等の液体原料が存
在し在来のエピタキシャル成長技術により容易に添加可
能である。さてＮ原子の添加量全検討し、Ｓｉとの格子
整合した層はウルツ鉱型結晶構造を持っＩｌｌ ＋ Ｖ
化合物混晶では期待出来ず閃亜鉛鉱型の結晶構造を保っ
た状態での格子整合が要点で、こうすることでＳｉと格
子整合した欠陥密度の激減を達成したＮを含んだＩＩＬ
Ｖ化合物半導体混晶エピタキシャル層を得ることを狙う
ものである。
合物は半導体材料としての認識されていない。しかし、
最近接原子間距離で考えたときにはウルツ鉱型結晶構造
を持つＩＩＩＩ −Ｖ化合物半導体ではＳｉの最近接原
子間距離より小さいものがある。ＧａＮやＡＩＮなどＶ
族原子Ｎの化合物である。ところがこうした化合物がウ
ルツ鉱型結晶構造をとるためであろうか、閃亜鉛型ＩＩ
Ｉ −Ｖ化合物との混晶を作り、Ｓｉと格子整合させる
という発想がなかった。これは結晶系の違いを乗り越え
てこうした混晶をつくることが困難と思われていたため
であろう。ここでの問題はＮを添加して８ｉと格子定数
の整合をとることが出来るかということである。Ｎはア
ンモニアなどのガス原料やヒドラジン等の液体原料が存
在し在来のエピタキシャル成長技術により容易に添加可
能である。さてＮ原子の添加量全検討し、Ｓｉとの格子
整合した層はウルツ鉱型結晶構造を持っＩｌｌ ＋ Ｖ
化合物混晶では期待出来ず閃亜鉛鉱型の結晶構造を保っ
た状態での格子整合が要点で、こうすることでＳｉと格
子整合した欠陥密度の激減を達成したＮを含んだＩＩＬ
Ｖ化合物半導体混晶エピタキシャル層を得ることを狙う
ものである。
（実施例）
以下、この発明を実施例に基づき詳細に説明する。
ここではＳｉ基板上にＮを含んだＧａＰを形成する場合
についての実施例について示す。エピタキシャル成長装
置は通常のＭＯＭＢＥあるいはガス原料分子線エピタキ
シーと呼ばれるもので、Ｇａ原料としてはトリメチルガ
リウム（ＴＭＧａ）、Ｐ原料としてはＰＨ３ガス、Ｎ原
料としてはＮ２Ｈ４を用いる。Ｓｉ基板温度は５５０°
ＣとしてＰＨ３およびＮ２Ｈ４は１３００°Ｃおよび７
００°Ｃに加熱した領域を通すことでクロッキングして
エピタキシー室に供給する方法を取る。成長時のエピタ
キシー室の真空度は〜ｌＸｌ０−５）−ルである。さて
、Ｓｉ基板と格子整合したＧａＰ１−ｘＮｘの混晶の組
成比Ｘは第１図より予想したものである。すなわち、第
１図は成長温度５５０°ＣでのＧａＰ０−ｘＮｘｌＧａ
Ａｓｌ−ＸＮｘの最近接原子間距離の組成依存性を示す
。第１図はそれぞれＧａＰおよびＧａＡｓの最近接原子
間距離とＧａＮのその値を直線で結んだものに過ぎ″な
いが、Ｓｉの最近接原子間距離と一致する条件はＧａＰ
１−ＸＮｘで〜Ｘ＝Ｑ、０３、ＧａＡｓｔ−ｘＮｘでは
Ｘ＝０．１９となることが解る。こうした組成の混晶を
製作するためにＧａＰ１−ｘＮｘの場合にはＴＭＧａを
Ｑ、２ｓｅｃｍ 。
についての実施例について示す。エピタキシャル成長装
置は通常のＭＯＭＢＥあるいはガス原料分子線エピタキ
シーと呼ばれるもので、Ｇａ原料としてはトリメチルガ
リウム（ＴＭＧａ）、Ｐ原料としてはＰＨ３ガス、Ｎ原
料としてはＮ２Ｈ４を用いる。Ｓｉ基板温度は５５０°
ＣとしてＰＨ３およびＮ２Ｈ４は１３００°Ｃおよび７
００°Ｃに加熱した領域を通すことでクロッキングして
エピタキシー室に供給する方法を取る。成長時のエピタ
キシー室の真空度は〜ｌＸｌ０−５）−ルである。さて
、Ｓｉ基板と格子整合したＧａＰ１−ｘＮｘの混晶の組
成比Ｘは第１図より予想したものである。すなわち、第
１図は成長温度５５０°ＣでのＧａＰ０−ｘＮｘｌＧａ
Ａｓｌ−ＸＮｘの最近接原子間距離の組成依存性を示す
。第１図はそれぞれＧａＰおよびＧａＡｓの最近接原子
間距離とＧａＮのその値を直線で結んだものに過ぎ″な
いが、Ｓｉの最近接原子間距離と一致する条件はＧａＰ
１−ＸＮｘで〜Ｘ＝Ｑ、０３、ＧａＡｓｔ−ｘＮｘでは
Ｘ＝０．１９となることが解る。こうした組成の混晶を
製作するためにＧａＰ１−ｘＮｘの場合にはＴＭＧａを
Ｑ、２ｓｅｃｍ 。
ＰＨ３は０．８ｓｅｃｍ 、 Ｎ２Ｈ４はＨ２で濃度１
０％に希釈して０．１ｓｅｃｍ供給することで作ること
ができる。
０％に希釈して０．１ｓｅｃｍ供給することで作ること
ができる。
ＧａＡｓ、 ＸＮＸでは再現性のある結果は得られては
いないが、約１μｍの厚さに成長した試料ではＧａＰ１
−ｘＮｘおよびＧａＡｓ１−）（ＮＸ共に成長後の表面
が鏡面である試料についてＸ線二結晶法によるロッキン
グカーブ測定でＳｉ基板の格子定数に対するエピタキシ
ャル成長方向での格子定数の比を測定したところ、±１
．００６以内のものであれば鏡面成長する。
いないが、約１μｍの厚さに成長した試料ではＧａＰ１
−ｘＮｘおよびＧａＡｓ１−）（ＮＸ共に成長後の表面
が鏡面である試料についてＸ線二結晶法によるロッキン
グカーブ測定でＳｉ基板の格子定数に対するエピタキシ
ャル成長方向での格子定数の比を測定したところ、±１
．００６以内のものであれば鏡面成長する。
ポアソン比を０．３とするならばＳｉ基板の格子定数に
対するエピタキシャル結晶の格子定数の比が±１．００
３３以内にあればエピタキシャル結晶の表面が鏡面の試
料が得られる。再現性の点から判断すると±１．００２
２以内であることが望ましい。また、僅かのＮ添加によ
り格子整合が得られたことはこのエピタキシャル層の結
晶系がウルツ鉱型であることはなく閃亜鉛鉱型構造であ
ることも確実である。なお、ＧａＡｓ、−ｘＮＸの場合
にはＴＭＧａを０．２ｓｅｃｍ、ＡｓＨ３を０．８ｓｅ
ｃｍ 、 Ｎ２Ｈ４はＨ２で濃度１０％に希釈して＝０
．２ｓｅｃｍ供給することで作ることができる。こうし
て鏡面に出来あがり、約１１１ｍの厚さを持つＧａＰニ
ーｘＮｘ層にＳｉＯ２膜を選択拡散マスクに用い、Ｚｎ
とＰを拡散源として５６０°Ｃ，１時間の拡散を閉管法
で行なった。Ｚｎ拡散領域は５００ｐｍ径を持ち、深さ
約０．５ｐｍのｐ領域が形成されたことになる。このｐ
−ｎ接合の容量−電圧特性を測定したところ、濃度２×
１０１６ｃｍ−３が得られた。拡散で作られたｐ領域の
濃度は１０１９ｃｍ−３を越えることは確かなのでこの
容量−電圧特性で測定された濃度２Ｘ１０１６ｃｍ−３
はエピタキシャルＧａＰニーｘＮｘ層のものである。さ
らに逆バイアス特性を測定したところＮを含まないＧａ
Ｐ層の場合のソフトな特性とは明らかに異なるハードな
特性に変化し、降伏電圧も５０〜７０Ｖを越え、しかも
格子整合が良いものほど良好なｐ−ｎ接合特性が得られ
る。ｐ−ｎ接合を流れる電流■の電圧Ｖ依存性はＩｏｏ
ｅｘｐ（ｅＶ／ｎｋＴ）で書かれることは良く知られ
ているがｎの値は１．３〜１．５となり、時に２を越え
るところのＮを添加してい、ないＧａＰ層の場合に較べ
て格段に良い値が得られた。ｎ＝１．３〜１．５はＧａ
Ｐのような広い禁制帯幅を持った半導体では良い値であ
り、エピタキシャル層の結晶性の向上が解る。さらに界
面の性質を見るために１×１０１６ｃｍ−３のｐ型Ｓｉ
基板の上に１×１０１７ｃｍ−３のＳｉを添加したＧａ
Ｐ１−ＸＮｘ層を形成してヘテロ構造を持ったｐ−ｎ接
合を評価した。この場合にはＧａＰ１−ＸＮｘ層に直接
、オーム性の良い電極をとることは容易ではないために
ＧａＰニーｘＮＸ層の上にＰを添加したＳｉ層をＭＢＥ
成長で形成し電極層とした。このヘテロ構造ｐ−ｎ接合
の逆バイアス降伏電圧は４０〜５５Ｖを示しへテロ界面
の良好であることも解る。
対するエピタキシャル結晶の格子定数の比が±１．００
３３以内にあればエピタキシャル結晶の表面が鏡面の試
料が得られる。再現性の点から判断すると±１．００２
２以内であることが望ましい。また、僅かのＮ添加によ
り格子整合が得られたことはこのエピタキシャル層の結
晶系がウルツ鉱型であることはなく閃亜鉛鉱型構造であ
ることも確実である。なお、ＧａＡｓ、−ｘＮＸの場合
にはＴＭＧａを０．２ｓｅｃｍ、ＡｓＨ３を０．８ｓｅ
ｃｍ 、 Ｎ２Ｈ４はＨ２で濃度１０％に希釈して＝０
．２ｓｅｃｍ供給することで作ることができる。こうし
て鏡面に出来あがり、約１１１ｍの厚さを持つＧａＰニ
ーｘＮｘ層にＳｉＯ２膜を選択拡散マスクに用い、Ｚｎ
とＰを拡散源として５６０°Ｃ，１時間の拡散を閉管法
で行なった。Ｚｎ拡散領域は５００ｐｍ径を持ち、深さ
約０．５ｐｍのｐ領域が形成されたことになる。このｐ
−ｎ接合の容量−電圧特性を測定したところ、濃度２×
１０１６ｃｍ−３が得られた。拡散で作られたｐ領域の
濃度は１０１９ｃｍ−３を越えることは確かなのでこの
容量−電圧特性で測定された濃度２Ｘ１０１６ｃｍ−３
はエピタキシャルＧａＰニーｘＮｘ層のものである。さ
らに逆バイアス特性を測定したところＮを含まないＧａ
Ｐ層の場合のソフトな特性とは明らかに異なるハードな
特性に変化し、降伏電圧も５０〜７０Ｖを越え、しかも
格子整合が良いものほど良好なｐ−ｎ接合特性が得られ
る。ｐ−ｎ接合を流れる電流■の電圧Ｖ依存性はＩｏｏ
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ているがｎの値は１．３〜１．５となり、時に２を越え
るところのＮを添加してい、ないＧａＰ層の場合に較べ
て格段に良い値が得られた。ｎ＝１．３〜１．５はＧａ
Ｐのような広い禁制帯幅を持った半導体では良い値であ
り、エピタキシャル層の結晶性の向上が解る。さらに界
面の性質を見るために１×１０１６ｃｍ−３のｐ型Ｓｉ
基板の上に１×１０１７ｃｍ−３のＳｉを添加したＧａ
Ｐ１−ＸＮｘ層を形成してヘテロ構造を持ったｐ−ｎ接
合を評価した。この場合にはＧａＰ１−ＸＮｘ層に直接
、オーム性の良い電極をとることは容易ではないために
ＧａＰニーｘＮＸ層の上にＰを添加したＳｉ層をＭＢＥ
成長で形成し電極層とした。このヘテロ構造ｐ−ｎ接合
の逆バイアス降伏電圧は４０〜５５Ｖを示しへテロ界面
の良好であることも解る。
以上の実施例ではエピタキシャル層の厚さはＩｐｍであ
ったが、１０００人、１００人の膜厚の場合、基板とエ
ピタキシャル層の格子定数の比が各々±１．０２以内、
±１．０５以内にあれば鏡面の試料が得られた。
ったが、１０００人、１００人の膜厚の場合、基板とエ
ピタキシャル層の格子定数の比が各々±１．０２以内、
±１．０５以内にあれば鏡面の試料が得られた。
（発明の効果）
この発明の結晶構造である窒素原子を添加することでＳ
ｉとの格子整合した閃亜鉛鉱型の結晶構造を持つＩＩＩ
＋ Ｖ化合物半導体エピタキシャル層をＳｉ基板上に
形成することにより、ＩＩＩ ＋ Ｖ化合物半導体エピ
タキシャル層における欠陥密度が格子整合度が上がるに
つれ減少することが透過電子顕微鏡による断面観察でみ
られる。一般に多数キャリア伝導のデバイス、例えばシ
ョットキーゲート電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ
）の初期特性ではエピタキシャル層の欠陥は特性に反映
されないが、光デバイスで良く知られているようにＨＢ
Ｔデバイスなどの少数キャリアがデバイスの基本動作に
関わる場合には特性やデバイス寿命の低下に作用する。
ｉとの格子整合した閃亜鉛鉱型の結晶構造を持つＩＩＩ
＋ Ｖ化合物半導体エピタキシャル層をＳｉ基板上に
形成することにより、ＩＩＩ ＋ Ｖ化合物半導体エピ
タキシャル層における欠陥密度が格子整合度が上がるに
つれ減少することが透過電子顕微鏡による断面観察でみ
られる。一般に多数キャリア伝導のデバイス、例えばシ
ョットキーゲート電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ
）の初期特性ではエピタキシャル層の欠陥は特性に反映
されないが、光デバイスで良く知られているようにＨＢ
Ｔデバイスなどの少数キャリアがデバイスの基本動作に
関わる場合には特性やデバイス寿命の低下に作用する。
このため、エピタキシャル層の欠陥の低減は極めて重要
にデバイス特性や寿命の向上に繁がるものである。なお
、本発明の効果はＮ２Ｈ４に代わってＮＨ３を用いて製
作しても代わるものではなく、原料によるものではない
。また、成長方法もガス原料分子線エピタキシーに限ら
れたものではなく、有機金属気相成長など他の成長方法
でも良い。さらに、１１ＬＶ化合物半導体もＧａＰＮに
限るものではなくＧａＡＳＮやＩｎＰＮなどの他のＩＩ
Ｉ −Ｖ化合物半導体に対しても本発明は適用できるこ
とは言うまでもない。
にデバイス特性や寿命の向上に繁がるものである。なお
、本発明の効果はＮ２Ｈ４に代わってＮＨ３を用いて製
作しても代わるものではなく、原料によるものではない
。また、成長方法もガス原料分子線エピタキシーに限ら
れたものではなく、有機金属気相成長など他の成長方法
でも良い。さらに、１１ＬＶ化合物半導体もＧａＰＮに
限るものではなくＧａＡＳＮやＩｎＰＮなどの他のＩＩ
Ｉ −Ｖ化合物半導体に対しても本発明は適用できるこ
とは言うまでもない。
第１図はＧａＰ１−ＸＮｘ、ＧａＡｓ１−ＸＮｘの最近
接原子距離の組成依存性を示す図である。
接原子距離の組成依存性を示す図である。
Claims (1)
- Ｓｉ基板にＳｉと格子整合するように窒素原子を含ま
せた閃亜鉛鉱型の結晶構造を持つIII−Ｖ化合物半導体
エピタキシャル層を有することを特徴とする半導体基板
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3696888A JPH01211912A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 半導体基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3696888A JPH01211912A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 半導体基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01211912A true JPH01211912A (ja) | 1989-08-25 |
Family
ID=12484538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3696888A Pending JPH01211912A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 半導体基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01211912A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5937274A (en) * | 1995-01-31 | 1999-08-10 | Hitachi, Ltd. | Fabrication method for AlGaIn NPAsSb based devices |
| JP2007073820A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Sumco Corp | エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 |
| JP2016213488A (ja) * | 2005-01-26 | 2016-12-15 | フィリップス ウニベルジテート マールブルグ | Ｉ／ｖ半導体の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63184321A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-07-29 | Sharp Corp | 化合物半導体成長法 |
| JPS63305511A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-02-18 JP JP3696888A patent/JPH01211912A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63184321A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-07-29 | Sharp Corp | 化合物半導体成長法 |
| JPS63305511A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5937274A (en) * | 1995-01-31 | 1999-08-10 | Hitachi, Ltd. | Fabrication method for AlGaIn NPAsSb based devices |
| USRE38072E1 (en) * | 1995-01-31 | 2003-04-08 | Hitachi, Ltd. | Fabrication method for AlGaInNPAsSb based devices |
| USRE41336E1 (en) | 1995-01-31 | 2010-05-18 | Opnext Japan, Inc | Fabrication method for algainnpassb based devices |
| JP2016213488A (ja) * | 2005-01-26 | 2016-12-15 | フィリップス ウニベルジテート マールブルグ | Ｉ／ｖ半導体の製造方法 |
| JP2019075540A (ja) * | 2005-01-26 | 2019-05-16 | フィリップス ウニベルジテート マールブルグ | Ｉ／ｖ半導体の製造方法 |
| JP2007073820A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Sumco Corp | エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 |
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