JPH01208974A

JPH01208974A - Ｍｏｓ型固体撮像装置

Info

Publication number: JPH01208974A
Application number: JP63033784A
Authority: JP
Inventors: Masaharu Hamazaki; 浜崎　正治
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1988-02-16
Filing date: 1988-02-16
Publication date: 1989-08-22

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、Ｍｏ５ｔ−ランジスタを使用したＭＵＳ型固
体撮像装置に関する。

〔発明の概要〕

本発明は、マトリクス状に水平方向にｎ（ｌｌＪ、垂直
方向にｍ（ｌｌＪ（ｎ、ｍは２以上の整数）配列された
受光素子と、之等受光素子の夫々に接続されたｎ　ｘ　
ｒｎ個の第１のスイッチング素子と、この第１のスイッ
チング素子の制御端子が接続されたｍ本の水平ゲート線
と、第１のスイッチング素子の夫々に接続されたｎ×ｍ
個の第２のスイッチング素子と、この第２のスイッチン
グ素子の制御端子が接続されたｎ本の垂直ゲート線と、
第２のスイッチング素子に接続されたｍ本の信号出力線
と、水ｑｉゲート線の夫々が１１−制御端子に接続され
信号出力線に得られる信号を読出すｍ個の第３のスイッ
チング素子とを設け、この第３のスイッチング素子から
読出された信号を出力端子に４＜ＭＯＳ型固体撮像装置
において、第３のスイッチング素子から読出された信号
を、加速転送回路を介してフローティングディフュージ
ョンアンプに供給し、このフローティングディフュージ
ョンアンプより信号を読出す様にしたことにより、ノイ
ズを減らした良好な撮像信号が得られ、高感度な撮像が
できる様にしたものである。

〔従来の技術〕

従来、ＭＯＳ型固体撮像装置として第２図に示す如きも
のがあった。この撮像装置は、垂直読出形式と称される
もので、図中（ｌｉｌ）、　　■」２）・・・・（１ｍ
ｎ）は夫々受光素子としてのフォトダイオードを示し、
この複数個のフォトダイオード（１１ｔ）　、　　（１
１２）　”　（ｌｔｎ）　　（１２ｚ）　　（１２２）
・・・・（ｌ　ａｎ）が所定の基板上に〔ｎ個（水平方
向）〕ｘ　（ｍ個（垂直方向））マトリクス状に配置し
てあり、１個のフォトダイオードで撮像信号の１画素を
構成する。この夫々のフォトダイオード（ｌｚｔ）〜（
１ｍｎ）のアノード側は接地してあり、カソード側はＭ
ＯＳトランジスタ（２ｔｔ）　、　　（２１２）・・・
・（２ｍｎ）のドレインに接続しである。この複数のＭ
ＯＳＩランジスタ（２ｕ）　〜（２＋ｗｎ）は、各フォ
トダイオード（１１１）〜（Ｉ　ＩＩＩｎ）毎に設けて
あり、垂直走査回路（３）から導出された水平ライン毎
の水平ゲート線Ｈｔ　＋　Ｈ２・・・・Ｈｍが、このＭ
ＯＳトランジスタ（２ｔｔ）　〜（２ｍｎ）のゲートに
接続しである。即ち、第１列目の水平ゲート線Ｈ１が第
１水平ラインのＭＯＳトランジスタ（２ｔｔ）。

（２１２）・・・・（２ｔｎ　）のゲートに接続してあ
り、第２列目の水平ゲート線Ｈ２が第２水平ラインのＭ
ＯＳＩ−ランジスタ（２２１）　、　　（２２２）　”
　（２−ｎ）のゲートに接続してあり、以下同様にして
第ｍ列１」の水平ゲート線ＨＩｌが第１垂直ラインのＭ
ＯＳトランジスタ（２＊ｔ）　、　　（２Ｉ１１２）　
”　（２ｍｎ）のゲートに接続しである。

そして、各ＭＯＳトランジスタ（２ｘｔ）　〜（２ｍｎ
）のソースは垂直信号線Ｓ　１＋　Ｓ２・・・・Ｓｎに
接続しである。即ち、第１垂直ラインのＭＯＳトランジ
スタ（２１ｔ）　、　　（２２１）・・・・（２＊ｔ）
のソースが第１行目の垂直信号線Ｓ１に共通に接続して
あり、第２垂直ラインのＭＯＳＩ−ランジスタ（２１２
）。

（２２２）・・・・（２１１２）のソースが第２行目の
垂直信号線Ｓ２に共通に接続してあり、以下同様にして
第ｎ垂直ラインのＭＯ５Ｉ−ランジスタ（２ｏ＋）。

（２２１１）・・・・（２ａｎ）のソースが第ｎ行目の
垂直信号線Ｓｎに共通に接続しである。

ぞして、垂直信号線ＳＬ、Ｓ２・・・・Ｓｎの一端が、
夫々垂直ライン毎のスイッチとしてのＭＯＳトランジス
タ（５１）、（５２）・・・・（５ｎ）のドレインに接
続してあり、水平走査回路（４）から導出された垂直ラ
イン毎の垂直ゲート線がこのＭＯＳトランジスタ（５１
）　、（５２）”　（５ｎ）のゲートに接続しである。

そして、このＭＯＳトランジスタ（５１）、（５２）・
・・・（５ｎ）のソースが信号出力線（６）に共通に接
続してあり、この信号出力線（６）の一端が信号増幅器
（７）の入力側に接続しである。この信号増幅器（７）
は、入力端と出力側とを抵抗器（８）により接続してあ
り、この信号増幅器（７）の出力側を撮像信号出力端子
（９）に接続しである。

この様にしであることで、撮像を行う際には、まず垂直
走査回路（３）から各水平ゲート線Ｈ１〜Ｈｍに１ｇ！
直走直走間を１周期として順にゲート信号を供給して、
ＭＯＳトランジスタ（２ｔｔ）　〜（２ｍｎ）を各水平
ライン毎に順にオンさせ、ＭＯＳＩ−ランジスタ（５１
）〜（５ｎ）に各水平ラインのホトダイオード（１！ｔ
）〜（１ｍｎ）が受光により蓄えた信号ｍ荷を順に供給
させる。そして、水平走査回路（４）から１水平走査期
間を１周期として順にゲート信号を出力してＭＯＳトラ
ンジスタ（５１）〜（５ｎ）を順にオンさせ、各水平ラ
インの各画素の信号電荷を順に信号増幅器（７）を介し
て出力端子（９）に供給する。このため、ｌ水平走査期
間毎に１水平ラインずれた信号が順に出力端子（９）に
得られ、１垂直走査期間で全ての水平ラインの画素の信
号電荷が順に出力端子（９）から撮像信号として出力さ
れる。そして、後段の回路でこの信号型イー■に応じた
撮像信号を所定の映像信号に変換する。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、この第２図例の撮像装置は、出力端子（９）
に得られる撮像信号に含まれるノイズが多い不都合があ
った。この場合に発生するノイズは、各垂直信号線Ｓ　
ｔ　＋　Ｓ２・・・・Ｓｎの浮遊容量（１０）及び信号
出力線（６）の浮遊容量＜１１）の影響によるものと、
信号増幅器（７）による増幅時に発生するものが大部分
を占めている。

このノイズを低減させるために、例えば第３図に示す如
き加速転送形式と称されるＭＯＳ型の撮像装置が提案さ
れている。この撮像装置は、各垂直信号線Ｓｔ　、Ｓ２
・・・・Ｓｎをインバータ回路（１２）とＭＯＳ）ラン
ジスタ（１３）　とよりなる加速転送回路に接続する。

即ち、各垂直信号線Ｓ１＋Ｓ２・・・・Ｓｎの一端を、
夫々インバータ回路（１２）の入力端とＭＯＳトランジ
スタ（１３）のドレインとに接続し、このインバータ回
路（１２）の出力側をＭＯＳ）ランジスタ（１３）のゲ
ートに接続する。

そして、この各垂直ライン毎のＭＯＳトランジスタ（１
３）のソースを電荷結合素子（以下ＣＣＵと称する）　
　（ｉ４）に順に接続し、このＣＣＤ（１４）の出力側
を出力端子（９）に接続する如くしである。

その他は、第２図例の撮像装置と同様に構成する。

この様にしであることで、インパーク回路（１２）とＭ
ＯＳＩ−ランジスタ（１３）とよりなる加速転送回路が
あることで、各垂直信号線Ｓｌ、Ｓ２・・・・Ｓｎの浮
遊容Ｍ（１０）をＣｖとすると、この容量減少する。但
し、Ｇはインバータ回路（１２）のゲインである。この
様に垂直信号線８１〜Ｓｎの浮遊容量（１０）が実質的
に減少することで、出力端子（９）に得られる撮像信号
のノイズが減少する。

ところが、この第３図例の撮像装置の場合には、水平方
向の画素数（フォトダイオードの数）だけインバータ回
路（１２）を必要とする不都合があった。即ち、一般に
水平方向の画素数は３００〜？００程度であるため、イ
ンバータ回路（１２）が３００〜７００個程度必要で、
構成が複雑化すると共にインバータ回路（１２）の駆動
用電縣としてそれだけ大電力のものを必要とし、撮像装
置の消費電力が大きくなってしまう不都合があった。

また、別の構成として第４図に示す如き横転送形式と称
されるＭＯＳ型の撮像装置が提案されている。この撮像
装置は、各フォトダイオード（１１１）〜（１ｍｎ）の
カソード側が、各フォトダイオード、（１ｓｔ）〜（１
ｍｎ）毎に設けられた垂直スイッチとしての第１群のＭ
ＯＳ）ランジスタ（２１１１）　。

（２１１２）・・・・（２１情ｎ）のドレインに接続し
である。

そして、垂直走査回路（３）から導出された水平ライン
毎の水平ゲート線Ｈ１，Ｈ２・・・・Ｈｍが、この第１
群のＭＯＳ）ランジスタ（２ｈｔ　）　〜（２１情ｎ）
のゲートに接続しである。そして、第１群の夫々のＭＯ
Ｓトランジスタ（２１ｘｔ）　、　　（２１１２）・・
・・（２１情ｎ）のソースが、夫々水平スイッチとして
の第２群のＭＯＳ）ランジスタ（２２ｔｔ　）　、　　
（２２１２）・・・・（２２＋ｎ）のドレインに接続し
てあり、水平走査器ＶｊＩ（４１から導出された垂直ラ
イン毎の垂直ゲート線ｖ１．■２・・・・ｖｎが、この
ｍ２Ｂ１０）ＭＯＳトランジスタ（２２ｒｔ）〜（２２
情ｎ）のゲートに接続しである。そして、この各第２群
のＭＯＳトランジスタ（２２１１）〜（２２情ｎ）のソ
ースを水平ライン毎に水平信号線Ｔ１．’１’２・・・
・’ｌ’　ｍに接続し、各水平信号線’ｌ’１．　′ｒ
２・・・・′１゛ｍの一端が出力スイッチとしての水平
ライン毎に設けられた第３群の夫々のＭＯＳ）ランジス
タ（２３ｔ　）　、　　（２３２）・・・・（２３ｍ）
に接続しである。また、各水平ゲート線Ｈ１，Ｈ２・・
・・Ｈｍがこの第３群のＭＯＳＩ−ランジスタ（２３１
）　、　　（２３２）・・・・（２３＋ｍ）に接続して
あり、この第３ｉ￥のＭＯＳ）ランジスタ（２３１）。

（２３２）・・・・（２３ｔｓ）のソースがｆｄ号出出
力線６）に共通に接続してあり、この信号出力線（６）
の一端が信号増幅器（７）の入力側に接続しである。こ
の信号増幅器（７）は、電流増幅を行うもので、入力端
と出力側とを低抗器（８）により接続してあり、この信
号増幅器（７）の出力側を出力端子（９）に接続しであ
る。

そしてｔｍ像を行う際には、垂直走査回路（３）から各
水平ゲート線Ｈ１〜Ｈｍに１垂直走査期間を１周期とし
て順にゲート信号を供給すると共に、水平走査回路（４
）から各垂直ゲート線■１〜Ｖｎに１水平走査期間を１
周期として順にゲート信号を供給する。この様にするこ
とで、垂直スイッチとしての第１群のＭＯＳトランジス
タ（２１１１）　〜（２１ｍｎ）が１垂直走査期間を１
周期として各水平ライン毎に順にオンになると共に、水
平スイッチとしての第２群のＭＯＳトランジスタ（２２
１１）　〜（２２＋ｎｎ）が１水平走査期間を１周期と
して各画素毎に順にオンになる。このため、ホトダイオ
ード（１１ｔ）　　・〜（ｌ　ｍｎ）が受光により蓄え
た信号電荷が、各水平ラインの出力スイッチとしての第
３群のＭＯＳトランジスタ（２３ｓ）〜（２３ｎ＋）に
所定の水平走査期間にｌｉ！ｔｉ素毎に順番に供給され
る様になる。そして、この第３群の各ＭＯＳＩ−ランジ
スタ（２３ｚ　）〜（２３ｍ）から信号出力線（６）及
び信号増幅器（７）を介して出力端子（９）に、■垂直
走査期間で全ての水平ラインの画素の信号電荷が撮像信
号として出力される。

この第４図例の場合には、出力端子（９）に得られる撮
像信号に含まれるノイズは、上述の第２図例及び第３図
例のものよりは少ないが、各水平１３号線′Ｆ１〜ｌ’
　ｍの浮遊容量（２６）と信号出力線（６）のｆメ遊容
ｊｄ（１１）の影響により依然として発生していると共
に信号増幅器（７）でも発生していた。また、ｉＪｔ号
増号器幅器）は電流増幅を行うものであるため、フォト
ダイオード（ｌｕ）〜（１ｍｎ）等の受光部を構成する
基板上にこの信号増幅器（７）を組込むことは出来ず、
別部品としなければならない不都合があった。

本発明は斯る点に鑑み、ｆ！ｉｎｌな構成で撮像信号の
ノイズを低減したＭＯ５型固体撮像装置を提供すること
を目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明のＭＯＳ型固体撮像装置は、例えば第１図に示す
如く、マトリクス状に水平方向にｎ個。

垂直方向にｍ個配列された受光素子（１１ｔ）。

（１１２）　”　（ＩＩＩＩｎ）と、この受光素子（１
１ｔ）。

（１１２）・・・・（ＩＴｌｌｎ）の夫々に接続された
ｎ×ｍ個の第１のスイッチング素子（２１１ｔ）　、　
　（２１１２）・・・・（２１ｓ＋ｎ）と、この第１の
スイッチング素子（２１１１）　、　　（２１１２）・
・・・（２１ｍｎ）の制御品１子が接続されたｎ本の水
平ゲート線Ｈ１、Ｈ２・・・・Ｈｍと、第１のスイッチ
ング素子（２１１ｔ）　、　　（２１１２）・・・・（
２１ｍｎ）の夫々に接続されたｎ×ｍ個の第２のスイッ
チング素子（２２１ｔ）　、　　（２２１２）　・・・
・（２２ｎ＋ｎ）と、この第２のスイッチング素子（２
２１１）　、　　（２２１２）・・・・（２２ｍｎ）の
制御端子が接続されたｎ本の垂直ゲート線Ｖｒ　、Ｖ２
・・・・Ｖｎと、第２のスイッチング素子（２２ｕ　）
　、　　（２２１２）・・・・（２２ｍｎ）に接続され
たｎ本の信号出力線Ｔ１．Ｔ２・・・・１゛ｍと、水平
ゲート線Ｈ１，Ｈ２・・・・Ｈｍの夫々が制御端子に接
続され信号出力線’ｒ１．’ｒ２・・・・”Ｉ’　ｍに
得られる信号を読出すｍ個の第３のスイッチング素子（
２３１）　、　　（２３２）・・・・（２３ｍ）とを設
け、この第３のスイッチング素子（２３１）　、　　（
２３２）・・・・（２３ｍ）から読出された信号を出力
端子（９）に導＜ＭＯ５型固体撮像装置において、第３
のスイッチング素子（２３１）　、　　（２３２）・・
・・（２３１ｍ）から読出された信号を、インバータ回
路（３１）とスイッチング素子（３２）とよりなる加速
転送回路を介してフローティングディフュージョンアン
プ（３６）に供給し、このフローティングディフュージ
ョンアンプ（３６）より信号を読出す様にしたものであ
る。

〔作用〕

本発明に依ると、加速転送回路によりこの撮像装置の信
号線′ｌ゛１〜゛ｒｍ及び（６）の浮遊容）Ｒの等価容
量が低下し、ノイズの少ない良好な撮像信号が出力され
、商感度な撮像ができる。また、フローティングディフ
ュージョンアンプ（３６）により出力信号の電流−電圧
変換を行うので、出力段での信号増幅が電圧増幅器で行
え、この増幅器を受光部と同一基板上に組込むことが可
能になる。

〔実施例」以下、本発明のＭＯＳ型固体撮像撮像装置の−実施例を
、第１図を参照して説明しよう。この第１図において、
第２図〜第４図に対応する部分には同一符号を付し、そ
の詳細説明は省略する。

本例の撮像装置は第４図例と同様の横転送形式のＭＯＳ
型撮像装置である。即ち、垂直走査回路（３）及び水平
走査回路（４）の制御により、各フォトダイオード（１
１１）〜（ｌ　ｍｎ）が受光して蓄えた各画素毎の信号
電荷が、垂直スイッチとしての第１群のＭＯ５＋−ラン
ジスタ（２１１１）〜（２１闘）及び水平スイッチとし
ての第２群のＭＯＳＩ−ランジスタ（２２１１）　〜（
２２＋＊ｎ）を介して、対応した水平ラインの出力スイ
ッチとしての第３群のＭＯＳトランジスタ（２３ｒ）〜
（２３ｍ）のドレインに供給される如くしである。

そして本例に於いては、この第３群のＭＯＳトランジス
タ（２３１）〜（２３ｍ）のソースを、信号出力線（６
）に共通に接続し、この信号出力線（６）の−端をイン
バータ回路（３１）とＭＯＳトランジスタ（３２）とよ
りなる加速転送回路に供給する。即ち、この信号出力線
（６）の一端を、インバータ回路（３１）の入力側とＭ
ＯＳＩ−ランジスタ（３２）のドレインとに接続し、こ
のインバータ回路（３１）の出力側をＭＯＳＩ−ランジ
スタ（３２）のゲートに接続する。

そし°ζ、このＭＯＳＩ−ランジスタ（３２）のソース
を、フローティングディフエージョンアンプを構成する
ＭＯＳトランジスタ（３６）のソースに接続する。また
、パルス信号入力端子（３４）をこのＭＯＳトランジス
タ（３３）のゲートに接続し、電源電圧Ｖｏｏ入力端子
（３５）をこのＭＯＳトランジスタ（３３）のドレイン
に接続する。

そして、このＭＯＳＩ−ランジスタ（３３）のソースを
ダイオード（３７）のカソードに接続し、このダイオー
ド（３７）のアノードを接地する。さらに、このＭＯＳ
）ランジスタ（３３）のソースを、電圧増幅を行う増幅
器（３３）を介して撮像信号出力端子（９）に接続する
。

本例の撮像装置のその他の構成は、第４図例の撮像装置
と同様に構成する。

次に本例の撮像装置により撮像を行う際の動作について
説明すると、各フォトダイオード（１１ｔ）〜（１ｍｎ
）からの信号電荷を読出すために、まず垂直走査回路（
３）から各水平ゲート線Ｈ１〜Ｈ−に１垂直走査期間を
１周期として順にゲート信号を供給すると共に、水平走
査回路（４）から各垂直ゲート線■１〜Ｖｎに１水平走
査期間を１周期として順にゲート信号を供給する。この
様にすることで、垂直スイッチとしての第１群のＭＯ５
Ｉ−ランジスタ（２ｂｔ　）　〜（２１ｍｎ）が１垂直
走査期間を１周期として各水平ライン毎に順にオンにな
ると共に、水・平スイッチとしての第２群のＭＯＳ）ラ
ンジスタ（２２１１）　〜（２２＋＊ｎ）が１水平走査
期間を１周期として各画素毎に順にオンになる。このた
め、ホトダイオード（１１ｔ）〜（１ｍｎ）が受光によ
り蓄えた信号電荷が、各水平ラインの出力スイッチとし
ての第３群のＭＯ５Ｉ−ランジスタ（２３ｔ）〜（２３
＋ｗ）に所定の水平走査期間に画素毎に順番に供給され
る様になる。

そして、この第３群の各ＭＯＳ）ランジスタ（２３１）
〜（２３ｍ）から信号出力線（６）を介して加速転送回
路を構成するインバータ回路（３１）及びＭＯ５Ｉ−ラ
ンジスタ（３２）のドレインに、ｌ！Ｉ！直走査期間で
全ての水平ラインの画素の信号電荷が供給される。そし
て、このインバータ回路（３１）により反転した信号が
ＭＯＳ）ランジスタ（３２）のゲートに供給され、読出
された信号電荷がこのＭＯＳ　）ランジスタ（３２）か
ら高速で転送される様になる。

そして、この加速転送回路が設けであることにより、各
フォトダイオード（ｌｒｔ）〜（１ｍｎ）からこの加速
転送回路までの信号線の浮遊容量、即ち水平信号線１’
ｚ　、　Ｔ２・・・・Ｔｍの浮遊容量（２６）及び信号
出力線り６）の浮遊容Ｍ（１１）の等価容量が減少する
。この等価容量を式で示すと、各水平信号線’Ｉ’ｌ　
”ｒａ＋　＜７）浮遊容１１（２６）をＣＨとし、信号
出力線（６）の浮遊容Ｉ！（１１）をＧｏとすると、等
する。但し、Ｇはインバータ回路（３１）のゲインであ
る。この様に浮遊容量（１１）及び（２６）が実質的に
減少することで、ＭＯＳトランジスタ（３２）から出力
される信号のノイズが大幅に減少する。

このため、出力端子（９）に得られる撮像信号は、ノイ
ズの少ない良好な信号となり、高感度な撮像信号が得ら
れる。

そして本例においては、このＭｏ５ｔ−ランジスタ（３
２）が出力する信号をフローティングディフ工−ジタン
アンプを構成するＭＯＳ）ランジスタ（３６）に供給し
、このＭＯＳトランジスタ（３６）で電流を電圧に変換
しているので、増幅器（３３）が電圧増幅を行うもので
良く、上述の各ＭＯＳトランジスタ等が配された基板上
に増幅器（３３）を構成することができ、この撮像装置
の構成がＷ１単になる。

なお、本発明は上述実施例に限らず、本発明の要旨を逸
脱することなく、その他種々の構成が取り得ることは勿
論である。

〔発明の効果〕

本発明のＭＯＳ型固体撮像装置によると、撮像装置の信
号線の浮遊容量の等価容量が低下し、ノイズの少ない良
好な撮像信号が得られ、高感度な撮像ができる利益があ
る。また、出力段の信号増幅器が電圧増幅器なので、受
光部等が構成された基板上にこの増幅器を組込むことが
でき、撮像装置の構成が簡単になる利益がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のＭＯ５型固体撮像装置の一実施例を示
す構成図、第２図、第３図及び第４図は夫々従来の撮像
装置の一例を示す構成図である。（１１ｔ）　、　　（ｌｔｚ）・・・・（１憎ｎ）はフ
ォトダイオード、（３）は垂直走査回路、（４）は水平
走査回路、（９）は撮像信号出力端子、（２１ｕ）　、
　　（２１１２）・・・・（２１ｍｎ）　＋　　（２２
ｔｔ）　、　　（２２１２）　”　（２２＋ｏｎ）　＋
（２３１）　、　　（２３２）・・・・（２３ｍ）　、
　　（３２）及び（３６）はＭＯＳトランジスタ、（３
１）はインバータ回路、（３３）は増幅器である。

Claims

【特許請求の範囲】　マトリクス状に水平方向にｎ個、垂直方向にｍ個（ｎ
、ｍは２以上の整数）配列された受光素子と、之等受光
素子の夫々に接続されたｎ×ｍ個の第１のスイッチング
素子と、之等第１のスイッチング素子の制御端子が接続
されたｍ本の水平ゲート線と、上記第１のスイッチング
素子の夫々に接続されたｎ×ｍ個第２のスイッチング素
子と、之等第２のスイッチング素子の制御端子が接続さ
れたｎ本の垂直ゲート線と、上記第２のスイッチング素
子に接続されたｍ本の信号出力線と、上記水平ゲート線
の夫々が制御端子に接続され上記信号出力線に得られる
信号を読出すｍ個の第３のスイッチング素子とを設け、該第３のスイッチング素子から読出された信号を出力端
子に導くＭＯＳ型固体撮像装置において、上記第３のス
イッチング素子から読出された信号を、加速転送回路を
介してフローティングディフュージョンアンプに供給し
、該フローティングディフュージョンアンプより信号を
読出す様にしたことを特徴とするＭＯＳ型固体撮像装置
。