JPH01208380A - 高温超電導セラミックスの被覆方法 - Google Patents
高温超電導セラミックスの被覆方法Info
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- JPH01208380A JPH01208380A JP63031763A JP3176388A JPH01208380A JP H01208380 A JPH01208380 A JP H01208380A JP 63031763 A JP63031763 A JP 63031763A JP 3176388 A JP3176388 A JP 3176388A JP H01208380 A JPH01208380 A JP H01208380A
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Classifications
-
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、高温超電導セラミックスの被覆方法に関する
。
。
(従来技術及びその問題点)
Y−Ba−Cu−0系に代表される稀土類元素−アルカ
リ土類元素−銅の酸化物からなる酸素欠損型層状ペロブ
スカイト構造を有する高温超電導物質は、交通機関、重
電機器、コンピューター、医療機器の多方面への応用が
期待されている。
リ土類元素−銅の酸化物からなる酸素欠損型層状ペロブ
スカイト構造を有する高温超電導物質は、交通機関、重
電機器、コンピューター、医療機器の多方面への応用が
期待されている。
これらの酸化物系高温超電導セラミックスは、液体窒素
のような安価な冷媒で冷却することによっても超電導状
態になるため、液体ヘリウム中でしか超電導状態を示さ
ないNb−Ti系超電導合金などの代わりに、超電導マ
グネット;どに使えれば、経済的に大きなメリットがあ
る。
のような安価な冷媒で冷却することによっても超電導状
態になるため、液体ヘリウム中でしか超電導状態を示さ
ないNb−Ti系超電導合金などの代わりに、超電導マ
グネット;どに使えれば、経済的に大きなメリットがあ
る。
超電導セラミックスは、成形体、線材、厚膜及び基板上
に形成された薄膜として利用される。それぞれの超電導
セラミックスは、電子デバイス、マグネットなどとして
使うために、電気絶縁性を有する被覆材で被覆される。
に形成された薄膜として利用される。それぞれの超電導
セラミックスは、電子デバイス、マグネットなどとして
使うために、電気絶縁性を有する被覆材で被覆される。
またこの被覆材は、電子デバイスの製造プロセスにおけ
る耐薬品性、耐熱性も要求され、さらに被覆後の超電導
セラミックスとの良好な密着性も望まれている。
る耐薬品性、耐熱性も要求され、さらに被覆後の超電導
セラミックスとの良好な密着性も望まれている。
一方、これまで作られてきた超電導セラミックスは、そ
れ自体超電導特性の再現性や安定性に欠けることが問題
になっている。その問題点の一つの原因が空気中の水分
であり、例えばイツトリウム、バリウム、銅の酸化物は
水と反応すると超電導枠性が失われる。それは内部;′
4遣及び/ま之;;化学組成が著干変わるためと推定さ
れる。
れ自体超電導特性の再現性や安定性に欠けることが問題
になっている。その問題点の一つの原因が空気中の水分
であり、例えばイツトリウム、バリウム、銅の酸化物は
水と反応すると超電導枠性が失われる。それは内部;′
4遣及び/ま之;;化学組成が著干変わるためと推定さ
れる。
従って、超電導セラミックスの被1材としては、前記の
電気絶縁性などの諸特性のみならず、耐湿性の良好なも
のが望まれる。
電気絶縁性などの諸特性のみならず、耐湿性の良好なも
のが望まれる。
(問題点解決のだやの技術的手段)
本発明者等は、上記問題点を解決すべく鋭意研究した結
果、本発明に至った。
果、本発明に至った。
本発明は、高温超電導セラミックスの表面に、ポリカル
ボシラン及びポリメタロカルボシランからなる群から選
ばれる有機珪素重合体の有機溶媒溶を塗布し、加熱処理
することを特徴とする高温超電導セラミックスの被覆方
法である。
ボシラン及びポリメタロカルボシランからなる群から選
ばれる有機珪素重合体の有機溶媒溶を塗布し、加熱処理
することを特徴とする高温超電導セラミックスの被覆方
法である。
本発明における高温超電導セラミックスは、稀土類元素
−アルカリ土類元素−銅の酸化物系超電導セラミックス
で、次の一般式、AxByCusot−zで表される。
−アルカリ土類元素−銅の酸化物系超電導セラミックス
で、次の一般式、AxByCusot−zで表される。
式中Aは5cSY、La、、Nd。
Sm、Eu、Gd、Dy、Ho及びErから選択される
少なくとも一種類の稀土類元素、BはSr及びBaから
選択される少な(とも一種類のアルカリ土類元素を示し
、Xは0.8より大きく、1.2より小さく、Yコニ1
.6より大きく、2.4より小さく、Zは0より太き(
,0,5より小さい数値である。また本発明における高
温超電導セラミックスは、上記一般式中の銅の一部を最
大50%まで他の金属、例えば■、Z r SN b
% M 01Hf、T a 、WSP bあるいはBi
で置換されたものも含んでいる。
少なくとも一種類の稀土類元素、BはSr及びBaから
選択される少な(とも一種類のアルカリ土類元素を示し
、Xは0.8より大きく、1.2より小さく、Yコニ1
.6より大きく、2.4より小さく、Zは0より太き(
,0,5より小さい数値である。また本発明における高
温超電導セラミックスは、上記一般式中の銅の一部を最
大50%まで他の金属、例えば■、Z r SN b
% M 01Hf、T a 、WSP bあるいはBi
で置換されたものも含んでいる。
要するに液体窒素温度以上の臨界温度を示す酸化物系高
温超電導セラミックスすべてを含んでいる。
温超電導セラミックスすべてを含んでいる。
また高温超電導セラミックスの形状については特に制限
はなく、成形体、厚膜、及び基板上に形成さ、れた薄膜
など任意の形状であってよい。さらに本発明の技、術は
高温超電導セラミックスによる配線、デバイスにも適用
される。
はなく、成形体、厚膜、及び基板上に形成さ、れた薄膜
など任意の形状であってよい。さらに本発明の技、術は
高温超電導セラミックスによる配線、デバイスにも適用
される。
本発明で使用される有機珪素重合体は、ポリカルボシラ
ン及びポリメタロカルボシランの少なくとも一種である
。
ン及びポリメタロカルボシランの少なくとも一種である
。
ポリカルボシランは下記(A)のカルボシラン結合態位
を有する数平均分子量400−3000の重合体である
。
を有する数平均分子量400−3000の重合体である
。
R。
(A): →Si CHz→−
z
(但し、R1及びR2は同一または異なっても良く相互
に独立に低級アルキル基、フェニール基または水素原子
を表す) ゛ ポリメタロカルボシランとしては、特公昭62−604
14号公報、同61−23932号公報、特開昭56−
92923′号公報に記載の有機珪素重合体をすべて使
用することができる。これら公報の記載は本明細嘗め一
部として参照される。
に独立に低級アルキル基、フェニール基または水素原子
を表す) ゛ ポリメタロカルボシランとしては、特公昭62−604
14号公報、同61−23932号公報、特開昭56−
92923′号公報に記載の有機珪素重合体をすべて使
用することができる。これら公報の記載は本明細嘗め一
部として参照される。
ポリメタロカルボシランの一例としては、上記(A)の
カルボシラン結合単位及び少なくとも一種の下記(B)
のメタロキサン結合単位からなり、(B): −+M
−0←。
カルボシラン結合単位及び少なくとも一種の下記(B)
のメタロキサン結合単位からなり、(B): −+M
−0←。
(但し、Mは金属元素を示し、B、Al5Ti。
Zr、〜1o及びCr等から選ばれた少;□くとも一種
の金属元素を示し、場合によづて2:前記各元素の少な
くとも一部分が側鎖基として低吸アルニ土シ基またはフ
ニノキシ基を少な(とも−個有する)上記(A)及び(
B)各結合単位が主鎖骨格中でランダムに結合した重合
体、及び/または前記(A)の結合単位のケイ素原子の
少な(とも一部が前記(B)の結合単位の前記各元素と
酸素原子を介して結合し、これによって前・記(A)の
結合単位の連鎖により得られ□るポリカルボシラン部分
が前記(B)の結合単位によって架橋された重合体であ
り、前記(A)の結合単位の全数対前記(B)の結合単
位の全数の比率が1:1から10:1の範囲にあり、数
平均分子量が400〜50゜000であることからなる
有機金属重合体が挙げられる。 ・ 有機珪素重合体め溶・媒としては、ベンゼン、トルエン
、キシレジな・どの゛を:機溶媒を使用することができ
る。有機珪素重合1体の有機溶媒溶液に、無機充填剤、
シリコン樹脂を加えるごとによ°って塗布、加熱処理後
の濾膜の可見住、書着性を高めることができる。
・ 無機充填剤とじては、B、Mg、AI、S i、CaS
Ti、V、Cr、Mn、、Zn、Zr、Mo。
の金属元素を示し、場合によづて2:前記各元素の少な
くとも一部分が側鎖基として低吸アルニ土シ基またはフ
ニノキシ基を少な(とも−個有する)上記(A)及び(
B)各結合単位が主鎖骨格中でランダムに結合した重合
体、及び/または前記(A)の結合単位のケイ素原子の
少な(とも一部が前記(B)の結合単位の前記各元素と
酸素原子を介して結合し、これによって前・記(A)の
結合単位の連鎖により得られ□るポリカルボシラン部分
が前記(B)の結合単位によって架橋された重合体であ
り、前記(A)の結合単位の全数対前記(B)の結合単
位の全数の比率が1:1から10:1の範囲にあり、数
平均分子量が400〜50゜000であることからなる
有機金属重合体が挙げられる。 ・ 有機珪素重合体め溶・媒としては、ベンゼン、トルエン
、キシレジな・どの゛を:機溶媒を使用することができ
る。有機珪素重合1体の有機溶媒溶液に、無機充填剤、
シリコン樹脂を加えるごとによ°って塗布、加熱処理後
の濾膜の可見住、書着性を高めることができる。
・ 無機充填剤とじては、B、Mg、AI、S i、CaS
Ti、V、Cr、Mn、、Zn、Zr、Mo。
Cd、5nSSb、Ba、 W、、Pb、B iの酸化
物、それらの炭化物、上杭らの窒化物、Li、Na、に
、Mg、Ca、Znめホウ酸塩、す7m塩、ケ1°酸塩
などを使用することができ、これらは単独で使用しても
良く、また混合して使用しても良い。無機充填剤は、ポ
リカルボシランあるいはポリメタロカルボシラン100
重量部に対し50〜500重量部添加するのが好ましい
りシリコン樹脂としては、ポリオル労ノシロキサン、シ
リコンオイル、シリコンオイル、及びシリコンゴムから
なる群から選ばれた少なくとも一種を使用することがで
きる。シリコン樹脂は、ポリカルボシランあるいはポリ
メタロカルボシラン1′ 00重量部に対し50〜50
0重量部添加するのが好ましい。
物、それらの炭化物、上杭らの窒化物、Li、Na、に
、Mg、Ca、Znめホウ酸塩、す7m塩、ケ1°酸塩
などを使用することができ、これらは単独で使用しても
良く、また混合して使用しても良い。無機充填剤は、ポ
リカルボシランあるいはポリメタロカルボシラン100
重量部に対し50〜500重量部添加するのが好ましい
りシリコン樹脂としては、ポリオル労ノシロキサン、シ
リコンオイル、シリコンオイル、及びシリコンゴムから
なる群から選ばれた少なくとも一種を使用することがで
きる。シリコン樹脂は、ポリカルボシランあるいはポリ
メタロカルボシラン1′ 00重量部に対し50〜50
0重量部添加するのが好ましい。
高温超電導セラミックス成形体、デバイス等へ有機珪素
重合体の有機溶媒溶j夜を塗布する方法については枠に
潤湿は;(、ハケ塗り、ロールコータ、スプレィガン、
浸せき等の公知の方;去を採用することができる。
重合体の有機溶媒溶j夜を塗布する方法については枠に
潤湿は;(、ハケ塗り、ロールコータ、スプレィガン、
浸せき等の公知の方;去を採用することができる。
塗布後の加熱処理1度:=、150〜950°Cの範囲
が好ましい。150°C以下でシよ塗膜の強度が低く、
あまり高温では超電導セラミックスが変形あるいは溶融
して都合が悪い。無機充填剤あるいはシリコン樹脂を含
む場合は、その分解温度以下で加熱処理することが好ま
しい。
が好ましい。150°C以下でシよ塗膜の強度が低く、
あまり高温では超電導セラミックスが変形あるいは溶融
して都合が悪い。無機充填剤あるいはシリコン樹脂を含
む場合は、その分解温度以下で加熱処理することが好ま
しい。
被着させる有機珪素重合体の量は、塗布条件、例えば有
機珪素重合体を溶解させた溶媒濃度などを適宜変えるこ
とによって調節することができる。
機珪素重合体を溶解させた溶媒濃度などを適宜変えるこ
とによって調節することができる。
高温超電導セラミックス表面への塗膜の厚さは、−虐に
1μm〜10mmである。
1μm〜10mmである。
(実施例)
以下実施例により、更に本発明を具体的に説明する。
参考例1
5j2の三ロフラスコに無水キシレン2.5iとナトリ
ウム400gとを入れ、窒素ガス気流下でキシレンの沸
点まで加熱し、ジメチルジクロロシラン11を1時開で
滴下−た。漬下柊了後、10時間加熱還流し浸澱吻を生
成させた。この沈澱を濾過し、まずメタノールで洗浄し
た後、水で洗浄して、白色粉末のポリジメチルシラン4
20gを得た。 − 上記ポリジメチルシラン400gを、ガス導入管、撹拌
機、冷却器および留出管を備えた32の三ロフラスコに
仕込み、攪拌しながら窒素ガス気流下で、420℃で加
熱処理することによって350gの無色透明な少し粘性
のある液体得た。この液体の数平均分子量は蒸気圧浸透
法により測定したところ470であった。
ウム400gとを入れ、窒素ガス気流下でキシレンの沸
点まで加熱し、ジメチルジクロロシラン11を1時開で
滴下−た。漬下柊了後、10時間加熱還流し浸澱吻を生
成させた。この沈澱を濾過し、まずメタノールで洗浄し
た後、水で洗浄して、白色粉末のポリジメチルシラン4
20gを得た。 − 上記ポリジメチルシラン400gを、ガス導入管、撹拌
機、冷却器および留出管を備えた32の三ロフラスコに
仕込み、攪拌しながら窒素ガス気流下で、420℃で加
熱処理することによって350gの無色透明な少し粘性
のある液体得た。この液体の数平均分子量は蒸気圧浸透
法により測定したところ470であった。
またこの物質の遠赤外吸収の測定により主として →
5t−CH,← 結合単位および→5i−3i−)−結
合単位からなり、ケイ素の側鎖に水素原子及びメチル基
を有する有機ケイ素ポリマーであることを確認した。
5t−CH,← 結合単位および→5i−3i−)−結
合単位からなり、ケイ素の側鎖に水素原子及びメチル基
を有する有機ケイ素ポリマーであることを確認した。
参考例2
次にこの有機ケイ素ポリマー4 Q gとチタンテトラ
イソプロポキシド20gとを秤取し、この混合物にキシ
レン0.44を加えて均−拒からなる混合溶液とし、窒
素ガス雰圀気下で、130″Cで1時間撹拌しながら還
流反応を行った。還流反応終了後、さらに温度を上昇さ
せて溶媒のキシレンを留出させたのち、300°Cで1
0時間重合を行いSiとTiを含有する有段金属架橋重
合体を得た。この重合体め数平均分子量は蒸気圧浸透法
により測定したところ1165であった。ゲルパーミェ
ーションクロマトグラフ、遠赤外吸収スペクトルからこ
こで得られたポリマーは、有機ケイ素ポリマー中の5t
−H結合が一部消失し、この部分のSi[子がチタンテ
トライソプロポキシドのTi原子と酸素元素を介し、こ
れによって一部は有機ケイ素ポリマーの側瑣に −〇
−T i + OCxHl)、基を有し、また一部は有
機ケイ素ポリマーが −+Ti−0+ 結合で架橋した
ポリチタノカルボシランであり、とのポリマー中の5i
−H結合部分での反応率および/または架橋率は、4゛
4.5%である。このポ゛ツマ−の有機ケイ素ポリで一
部分の →S I CHz← 結合態位および→S
i−3i÷ 結合土佐の全数対−〇−Ti−+OCz
Ht) 3および −!−Ti−0+ 結合単位の全数
の比率は約6:1であることを確認した。
イソプロポキシド20gとを秤取し、この混合物にキシ
レン0.44を加えて均−拒からなる混合溶液とし、窒
素ガス雰圀気下で、130″Cで1時間撹拌しながら還
流反応を行った。還流反応終了後、さらに温度を上昇さ
せて溶媒のキシレンを留出させたのち、300°Cで1
0時間重合を行いSiとTiを含有する有段金属架橋重
合体を得た。この重合体め数平均分子量は蒸気圧浸透法
により測定したところ1165であった。ゲルパーミェ
ーションクロマトグラフ、遠赤外吸収スペクトルからこ
こで得られたポリマーは、有機ケイ素ポリマー中の5t
−H結合が一部消失し、この部分のSi[子がチタンテ
トライソプロポキシドのTi原子と酸素元素を介し、こ
れによって一部は有機ケイ素ポリマーの側瑣に −〇
−T i + OCxHl)、基を有し、また一部は有
機ケイ素ポリマーが −+Ti−0+ 結合で架橋した
ポリチタノカルボシランであり、とのポリマー中の5i
−H結合部分での反応率および/または架橋率は、4゛
4.5%である。このポ゛ツマ−の有機ケイ素ポリで一
部分の →S I CHz← 結合態位および→S
i−3i÷ 結合土佐の全数対−〇−Ti−+OCz
Ht) 3および −!−Ti−0+ 結合単位の全数
の比率は約6:1であることを確認した。
上記反応生成物をキシレンに溶解させて固形分が50%
の?容)夜とした。
の?容)夜とした。
参考例3
参考例2における出発物質の一つであるチタンテトライ
ソプロポキシドの代わりに、ジルコニウムテトライソプ
ロポキシド、クロミウムトリメトキシドまたはモリブデ
ントリフェノキシドをそれぞれ用いてポリジルコノカル
ボシラン、ポリクロノカルボシランまたはポリジルコノ
カルボシランを得た。反応条件、操作法は参考例2と実
質的に同一である。
ソプロポキシドの代わりに、ジルコニウムテトライソプ
ロポキシド、クロミウムトリメトキシドまたはモリブデ
ントリフェノキシドをそれぞれ用いてポリジルコノカル
ボシラン、ポリクロノカルボシランまたはポリジルコノ
カルボシランを得た。反応条件、操作法は参考例2と実
質的に同一である。
実施例1
0.1モルの塩化イツトリウムと0.2モルの塩化バリ
ウムとを水12に溶解し、これに3N炭酸アンモニウム
水溶液12を加えて、共沈澱物を生成させた。この沈澱
物を蒸蕾水で洗浄後、0.15モルの塩基性炭酸胴を加
えてボールミル混合し、さらにこの粉末を空気中750
°Cで仮焼成した。
ウムとを水12に溶解し、これに3N炭酸アンモニウム
水溶液12を加えて、共沈澱物を生成させた。この沈澱
物を蒸蕾水で洗浄後、0.15モルの塩基性炭酸胴を加
えてボールミル混合し、さらにこの粉末を空気中750
°Cで仮焼成した。
仮焼成後の粉末をIt/c−nlの圧力で10X5X2
胴の成形体にし、空気中900°Cで3時間焼結した。
胴の成形体にし、空気中900°Cで3時間焼結した。
上記焼結体に電極、リード線を付け、これに参考例2の
ポリチタノカルボシランのキジ1フ50キシレン50%
溶液30部及び二酸化チタン40部の混合物を約50μ
m厚に塗布した後、6 0 ’Cで2時間乾燥し、さら
に300°Cで6時間オーブン中で熱処理した。
ポリチタノカルボシランのキジ1フ50キシレン50%
溶液30部及び二酸化チタン40部の混合物を約50μ
m厚に塗布した後、6 0 ’Cで2時間乾燥し、さら
に300°Cで6時間オーブン中で熱処理した。
得られた高温超電導セラミックスの臨界温度及び臨界電
流密度は以下のとおりであった。
流密度は以下のとおりであった。
臨界温度 91に
臨界電流回度 310A/cfflこれを一ケ月間
60°Cで相対湿度90%に保っても下記のようにほと
んど変化が見られなかった。
60°Cで相対湿度90%に保っても下記のようにほと
んど変化が見られなかった。
臨界温度 90に
臨界電流密度 305A/c”J
比較例1
ポリチタノカルボシランによる被覆処理を行わなかった
以外は実施例1と同様の方法を繰り返した。
以外は実施例1と同様の方法を繰り返した。
得られた高温超電導セラミックスの臨界温度及び臨界電
流密度は以下のとおりであった。
流密度は以下のとおりであった。
臨界温度 91に
臨界電流密度 320A/CTK
これを一ヶ月間60°Cで相対湿度90%に保って再度
測定したところ以下のとおりであった。
測定したところ以下のとおりであった。
臨界温度 70に
臨界電流音度 180A/cnl
実施例2
実施例1で得られた仮焼成後の粉末300g、ポリビニ
ルブチラール15g1酢酸ブチル170g、トリクロル
エタン300gを混合しスラリーをImWした。次に酸
化イツトリウムを5重世%含有したジルコニア粉末を直
径10耶、厚さ2Mの円板に成形し、1500°Cで焼
成して製造したジルコニア板上に上記起電導セラミック
スのスラリーを用いて印刷法で厚膜を形成した.このジ
ルコニア板を60°Cで2時開乾燥後、大気中900°
Cで3時間焼成し超電導膜を形成′−た。実施例1と同
様に電極、リード線をとり付け、ポリチタノカルボシラ
ンによる被覆処理を行った。
ルブチラール15g1酢酸ブチル170g、トリクロル
エタン300gを混合しスラリーをImWした。次に酸
化イツトリウムを5重世%含有したジルコニア粉末を直
径10耶、厚さ2Mの円板に成形し、1500°Cで焼
成して製造したジルコニア板上に上記起電導セラミック
スのスラリーを用いて印刷法で厚膜を形成した.このジ
ルコニア板を60°Cで2時開乾燥後、大気中900°
Cで3時間焼成し超電導膜を形成′−た。実施例1と同
様に電極、リード線をとり付け、ポリチタノカルボシラ
ンによる被覆処理を行った。
得られた高温超電導セラミックスの臣n界温度及び臨界
電流音度は以下のとおりであった。
電流音度は以下のとおりであった。
臨界温度 92に
臨界電流音度 3 2 5 A/crflこれを一
ヶ月間60°Cで相対湿度90%に保っても下記のよう
にほとんど変化が見られなかった。
ヶ月間60°Cで相対湿度90%に保っても下記のよう
にほとんど変化が見られなかった。
臨界温度 91に
臨界電流音度 310A/cffl比較例2
ポリチタノカルボシランによる被覆処理を行わなかった
以外は実施例2と同様の方法を繰り返した。
以外は実施例2と同様の方法を繰り返した。
得られた高温超電導セラミックスの臨界温度及び臨界電
流密度は以下のとおりであった。
流密度は以下のとおりであった。
臨界温度 92に
臨界電流音度 3 3 0 A−7’cMこれを−
ケガ間60°Cで相対;湿度90%に保って再度測定し
たところ以下のとおりであった。
ケガ間60°Cで相対;湿度90%に保って再度測定し
たところ以下のとおりであった。
臨界温度 68に
臨界電流密度 175A/c−1i実施例3
ポリチタノカルボシランの代わりに、参考例3のポリジ
ルコノカルボシランによる被覆処理を行った以外は実施
例1と同様の方法を繰り返した。
ルコノカルボシランによる被覆処理を行った以外は実施
例1と同様の方法を繰り返した。
得られた高温超電導セラミックスの臨界温度及び臨界電
流密度は以下のとおりであった。
流密度は以下のとおりであった。
臨界温度 91に
臨界電流密度 315 A/cnlこれを一ケ月間
60°Cで相対湿度90%に保っても下記のようにほと
んど変化が見られなかった。
60°Cで相対湿度90%に保っても下記のようにほと
んど変化が見られなかった。
臨界温度 91に
臨界電流密度 310 A/cffl実施例4
ポリチタノカルボシランの代わりに、参考例3のポリク
ロノカルボシランによる被覆処理を行った以外は実施例
1と同様の方法を繰り返した。
ロノカルボシランによる被覆処理を行った以外は実施例
1と同様の方法を繰り返した。
得られた高温超電導セラミックスの=昇温度及び臨界電
流密度は以下のとおりであった。
流密度は以下のとおりであった。
臨界温度 91に
臨界電流密度 305A/cJ
これを一ヶ月間60°Cで相対湿度90%に保っても下
記のようにほとんど変化が見られなかった。
記のようにほとんど変化が見られなかった。
臨界温度 91に
臨界電流密度 300A/cイ
特許出願人 宇部興産株式会社
Claims (1)
- 高温超電導セラミックスの表面に、ポリカルボシラン及
びポリメタロカルボシランからなる群から選ばれる有機
珪素重合体の有機溶媒溶液を塗布し、加熱処理すること
を特徴とする高温超電導セラミックスの被覆方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63031763A JPH01208380A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 高温超電導セラミックスの被覆方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63031763A JPH01208380A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 高温超電導セラミックスの被覆方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01208380A true JPH01208380A (ja) | 1989-08-22 |
Family
ID=12340072
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63031763A Pending JPH01208380A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 高温超電導セラミックスの被覆方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01208380A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02281511A (ja) * | 1989-03-09 | 1990-11-19 | Dow Corning Corp | 超伝導体を保護するための方法 |
-
1988
- 1988-02-16 JP JP63031763A patent/JPH01208380A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02281511A (ja) * | 1989-03-09 | 1990-11-19 | Dow Corning Corp | 超伝導体を保護するための方法 |
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