JPH01206249A - 火災検出方法及びその装置 - Google Patents

火災検出方法及びその装置

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JPH01206249A
JPH01206249A JP3155888A JP3155888A JPH01206249A JP H01206249 A JPH01206249 A JP H01206249A JP 3155888 A JP3155888 A JP 3155888A JP 3155888 A JP3155888 A JP 3155888A JP H01206249 A JPH01206249 A JP H01206249A
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JP
Japan
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metal oxide
oxide semiconductor
heater
gas sensor
pulse
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Pending
Application number
JP3155888A
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English (en)
Inventor
Takashi Yamaguchi
隆司 山口
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Figaro Engineering Inc
Original Assignee
Figaro Engineering Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の利用分野] この発明は、金属酸化物半導体ガスセンサによる火災の
検出に関する。
[従来技術] 火災初期に生じる50ppm程度のCOやH,を金属酸
化物半導体ガスセンサで検出し、火災の検出を行うとの
試みは広く知られている。この場合の問題は、ガスセン
サの消費電力が大きいことに有る。周知のように火災検
出装置の多くは、電池電源で動作することが要求される
ため、ガスセンサの消費電力はできる限り小さくしなけ
ればならない。
[発明の課題] この発明は、金属酸化物半導体ガスセンサを用いた火災
検出装置の、消費電力を減少させることを課題とする。
[発明の構成] この発明では、金属酸化物半導体とヒータとを有するガ
スセンサを用い、火災に伴うCOやH7の検出から火災
を検出する。ここで消費電力を減少させるため、ヒータ
には間欠的な電力パルスを加え、間欠的に金属酸化物半
導体を加熱する。1回の加熱時間は100 m5ec以
下、より好ましくは10m5ec以下で十分であり、ま
た加熱のデユーティ比はI/I O以下、より好ましく
はI/100以下で十分である。電力パルスの間隔を長
くし、パルスの幅を短くすると、ガスセンサの消費電力
は急激に減少する。そこで電池電源でもガスセンサを駆
動することが可能になる。
この発明の基本的着眼点は、ガスセンサの金属酸化物半
導体を短期間間欠的に加熱してもセンサは動作し、ガス
を検出し得ることを見出した点に有る。
[実施例コ 第1図に、実施例の回路図を示す。図において、Ebは
例えば3Vの電池電源、2は例えば10秒毎に幅0 、
4 m5ecのパルスを出力する発振回路である。セン
サ4には、金属酸化物半導体6とヒータ8とを設ける。
Trlはスイッチングトランジスタで、リレー等の任意
のスイッチに変えても良い。発振回路2の出力でトラン
ジスタTriをオンさせ、短期間間欠的にヒータ8を発
熱さ仕る。
ntはセンサ4の負荷抵抗、12は負荷抵抗R1への電
圧のピーク値をサンプリングするためのピークホールド
回路、14は比較回路で、抵抗R2,R3で定まる比較
電位とピークホールド回路12の出力とを比較する。そ
してピークホールド回路I2の出力が比較電位を越える
と、火災と判断し、トランジスタTr2を介してブザー
16を鳴動させる。また必要に応じ、比較回路14の出
力を外部出力V outとして取り出す。トランジスタ
Tr2ら、任意のスイッチに変えることができる。なお
ここでは実施例を個別回路により示したが、全体をカス
タムIC化、あるいはマイクロコンピュータ化しても良
い。更に、発光ダイオードや放射線等を用いた煙検出器
と併用しても良い。
第2図、第3図により、ガスセンサ4の構造を説明する
。このガスセンサ4では、直径20μmのFe−Cr−
Al合金線をヒータ8とし、これに厚さ50A−1μm
程度の絶縁被覆20(ここでは厚さ1μmのSin、被
覆)を施した。絶縁被覆20の表面には、金属酸化物半
導体としての5nOt膜6(膜厚1μm1好ましい範囲
は0.1μff1〜20μl11)を設けた。絶縁被覆
上には一対の電極22.22を設けて金属酸化物半導体
6に接続し、これを基板24に設けた印刷電極26.2
6に結合しである。なお印刷電極26の一方は、ヒータ
8の電極に兼用する。ヒータ8の他端は、他の印刷電極
28に結合する。第4図に、ガスセンサ4の全体図を示
す。ベース40に3本のり−ド42を設け、これに基板
24をワイヤボンディングした。44は防爆用の金網で
ある。ガスセンサ4は、周知技術に従った種々の変形が
可能である。例えば金網44の外部に活性炭のフィルタ
ーを設け、エタノール等の妨害ガスを除去しても良い。
ここでは特定のガスセンサ4に付いて説明したが、これ
に限るものではない。金属酸化物半導体6は、InzO
3やZnO等を利用したものでも良い。
また重要なことは、ヒータ8と金属酸化物半導体6とを
接近させ、パルス的な発熱でも金属酸化物半導体6を加
熱できるようにすることである。ヒータ8と金属酸化物
半導体6との距離を減少させると、ヒータ8を短時間発
熱させても、金属酸化物半導体6を加熱することができ
る。これに対して両者間の距離が大きいと、短い加熱パ
ルスでは金属酸化物半導体6を加熱することができない
次に重要なことは金属酸化物半導体6やヒータ8の熱容
量を小さくし、1回当たりの電力パルスのエネルギーを
小さくすることである。これらのことを考慮すると、好
ましいガスセンサの条件は以下のものとなる。第■こ金
属酸化物半導体をヒータに積層することである。積層に
より両省の距離を小さくすると、電力パルスの幅を小さ
(できる。
第2にヒータや金属酸化物半導体の熱容量を小さくする
ことである。このためには、金属酸化物半導体を膜状と
し、その厚さを例えば50μm以下、より好ましくは2
0μm以下とすれば良い。
これらの条件が満たされれば、ガスセンサ4の構造は任
意である。例えば第5図のような変形例のガスセンサを
用いても良い。第5図において、50はアルミナ基板、
52は厚さ50μm程度の断熱層で低熱伝導率のガラス
膜を用い、54は厚さ20μm程度のRub、膜等のヒ
ータ、56はヒータ54の電極、58は厚さ10μm程
度の絶縁層でガラス材料等を用いる。60は5nOt等
の金属酸化物半導体の膜で、62はその電極である。
変形例のガスセンサは熱容量の大きな基板5oを用いる
ため、連続して加熱すると消費電力は大きい。しかしこ
の発明の方法に従うと、消費電力は激減する。ヒータ5
4に短時間の、例えば幅1m5ec程度の、電力パルス
を加えると、ヒータ54とSnO,膜60の間には薄い
絶縁膜58しかないため、Snow膜60は電力パルス
に追随して加熱される。一方基板50とヒータ54との
間には断熱層52が存在するため、ヒータからの熱は基
板50には余り伝わらない。従って、基板50を昇温さ
仕ることなく、5nOt膜60のみを昇温さ仕ることが
可能になる。そして電力パルスの幅を短く、かつパルス
のデユーティ比を小さくすれば、消費電力は減少する。
第6図の動作波形を基に、装置の動作を説明する。ガス
センサ4を、COやH7の検出に適した温度200〜2
50℃に加熱するのに必要な電力は、ヒータ8に連続的
に電力を加える場合、約30mWattである。これに
対して実施例では、10秒毎に1回0 、4 m5ec
幅で電圧3Vの電力パルスをヒータ8に加えた。デユー
ティ比は1/25000、ヒータ8の抵抗値は4.5Ω
であり、実効電力は0 、08 mWattである。そ
してこの加熱条件でも、火災に伴うCOやH2を検出で
きる。即ちパルス的に電力をヒータ8に加えると、金属
酸化物半導体6の温度は図の(2)のように変化する。
図中、RTは周囲温度を現す。電力パルスによる加熱に
伴い、センサ4の出力(負荷抵抗R1への電圧)は、図
の(3)のように変化する。図中、破線は清浄空気中で
の出力を、実線はCC01O0pp中での出力を意味す
る。そして火災に伴うCOやH2に対するセンサ出力を
ピークホールド回路12でとらえ、火災を検出する。な
お第6図の(3)から明らかなように、センサ4の出力
の取り出しにはピーク値を用いる必要はなく、任意の時
点での出力を用い得る。また第6図(4)に示すように
、1個の電力パルスを多数のより細いパルスの群に変更
し、これらの全体を1個の電力パルスとして用いても良
い。
第7図に、100 ppmのCOに対するセンサ4の応
答特性を示す。図の実線は、センサ4を連続加熱した場
合の応答特性を現しく消費電力30mWatt)、点線
は実施例での応答特性を示す。
電力パルスの条件を、−数的に検討する。センサ4の消
費電力は、電力パルスの幅を小さくする程減少する。そ
こでパルス幅の上限を100m5ecとし、より好まし
くはlomsec以下、更に好ましくは2 m5ec以
下とした。消費電力は、電力パルスのデユーティ比を小
さくする程減少する。そこでデユーティ比はl/I O
以下、好ましくはl/100以下、更に好ましくはI/
1000以下とした。電力パルスの間隔を実施例では1
0秒としたが、5分以下、より好ましくは30秒以下で
あればセンサ4は動作する。しかし実施例の場合、電力
パルスに伴う出力のピークを用いるので、検出は実質上
電力パルスに同期して行なわれる。そこで検出の遅れを
考慮し、電力パルスの間隔を15秒以下とすることが好
ましい。
次に電力パルスの幅の減少による消費電力の節減には、
限界がある。これはヒータから金属酸化物半導体への熱
伝導に時間を要することや、金属酸化物半導体の活性化
に時間を要することのためである。実施例の場合、電力
パルスの幅を2 m5ec以下としても、消費電力は余
り変わらない。しかし電力パルスの幅を更に小さくして
もガスを検出し得ることは同じであり、パルス幅の下限
には特に意味はない。従って電力パルスの幅の下限は回
路的に可能な範囲とすれば良く、例えばlμsec以上
とすれば良い。実施例のガスセンサ4に付いて、はぼ同
じCO感度が得られる加熱条件を表1に示す。
連続加熱      0.36V   30mWatt
10msec/ 10sec     I 、 5 V
     O、5mWatt2msec/ 1Osec
     l 、 5 V     O、l mWat
t1msec/ 10sec     1 、8 V 
    O、07mWatto、4m5ec/ 1Os
ec    3 V       O、08mWatt
[発明の効果] この発明では、ガスセンサの消費電力を減少させ、火災
の検出を容易にする。
【図面の簡単な説明】
第1図は、実施例の回路図である。 第2図は、実施例に用いたガスセンサの要部正面図であ
る。 第3図は、第2図の■−■方向要部拡大断面図である。 第4図は、実施例に用いたガスセンサの全体構造を現す
、部分切り欠き部付き正面図である。 第5図は、他のガスセンサの要部断面図である。 第6図(1)〜(4)は実施例の特性を現す波形図で、
第6図(1)は電力パルスの波形図、第6図(2)はセ
ンサ温度の波形図、第6図(3)はセンサ出力の波形図
である。また第6図(4)は、変形した電力パルスを現
す波形図である。 第7図は、実施例の応答特性を示す特性図である。 図において、2 発振回路、 4 ガスセンサ、6.60 金属酸化物半導体、8.5
4 ヒータ、20 絶縁被覆 12 ピークホールド回路。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ガスにより抵抗値が変化する金属酸化物半導体と
    ヒータとを有するガスセンサにより、火災を検出する方
    法において、 前記ヒータには間欠的に電力パルスを加えて、前記金属
    酸化物半導体を100msec以下の時間間欠的に加熱
    し、 この加熱により金属酸化物半導体を活性化して、火災に
    伴う可燃性ガスの検出から火災を検出することを特徴と
    する、火災検出方法。
  2. (2)ガスにより抵抗値が変化する金属酸化物半導体と
    ヒータとを有するガスセンサを用いた火災検出装置にお
    いて、 ガスセンサの金属酸化物半導体の抵抗値の変化を検出す
    るための手段と、 1回の幅が100msec以下で、かつデューティ比が
    1/10以下のパルスを間欠的に出力する、パルス発生
    手段と、 このパルス発生手段のパルスにより動作して、ガスセン
    サのヒータを電源に接続するスイッチとを設けたことを
    特徴とする、火災検出装置。
JP3155888A 1988-02-12 1988-02-12 火災検出方法及びその装置 Pending JPH01206249A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006017681A (ja) * 2004-07-05 2006-01-19 Noritz Corp 湿度検出装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4924936U (ja) * 1972-06-05 1974-03-02
JPS61201149A (ja) * 1985-03-04 1986-09-05 Ricoh Co Ltd センサ駆動装置
JPS61209347A (ja) * 1985-03-13 1986-09-17 Shinkosumosu Denki Kk 熱線型半導体式ガス警報器

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