JPH01205429A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH01205429A
JPH01205429A JP62333943A JP33394387A JPH01205429A JP H01205429 A JPH01205429 A JP H01205429A JP 62333943 A JP62333943 A JP 62333943A JP 33394387 A JP33394387 A JP 33394387A JP H01205429 A JPH01205429 A JP H01205429A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tab
lead
package
resin
bonding
Prior art date
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Pending
Application number
JP62333943A
Other languages
English (en)
Inventor
Takamitsu Kanazawa
孝光 金澤
▲はい▼島　幹雄
Mikio Haijima
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造技術、特に、樹脂封止形パ
ッケージを備えている半導体装置における耐湿性向上技
術に関し、例えば、表面実装形樹脂封止パッケージを備
えているハイ　ポーラ形半導体集積回路装置の製造に利
用してイｆ効なものに関する。 〔従来の技術」 高密度実装を実現するだめの半導体集積回路装置（以下
、ｒｃという。）として、樹脂封止形ミニ・スクエア・
パッケージを備えているＩＣ（以下、ＭＳＰ・ＩＣ１ま
たは単にＩＣということがある。）がある。このＭＳＰ
　　ＩＣは、集積回路が作り込まれている半導体ペレッ
トと、半導体ペレノ１〜がｉ艮（Ａｇ）ペレース１−か
らなるボンディング層によりボンディングされているタ
ブと、夕ブの周囲に配設されている複数本のリード・と
、半導体ぺｌ／　７１・の電極および各リードに両端部
をボンデインクされ′Ｃ電気的に接続するワイヤと、こ
れらを樹脂封止するパッケージとを備えており、樹脂］
、・Ｊ正形パノケーノが略正方形の平盤形状に形成され
ζいるとともに、リ−１のアウク部がパッケージの四辺
から突出されてハツト　ウィング形状に成形されている
。 なお、このようなＩｃを４ｉ＜べである例としては、株
式会社Ｔ業調査会発行ｒｌｃ化実装技術」昭和５５年１
月ＩＯ口発行　Ｐ１３５〜Ｐ　ｌ　５５、がある。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし、このような表面実装型プラスチック・パッケー
ジを（Ｉｌｌｉえているｌ（ｌこおいては、ペレットを
形成しているシリコン、ソー１′フレームを形成してい
る４２アロイや銅、およびパッケージを形成している樹
脂についての熱膨張係数が大きく異なるため、ＩＣか温
度サイクル試験や熱衝撃試験等で、また、実装時におけ
るはんだデイツプやリフローはんだ］−程等で加熱され
ることにより、パッケージと、半導体ペレノＩ・がポン
ディングされているタブとの接着界面に剥がれが生し、
その結果、樹脂パッケージの耐湿１９１が低Ｆするとい
う問題点かあることか、本発明者によって明らかにされ
た。 本発明の目的は、樹脂封止型パッケージを備えている半
導体装置におりる耐湿性低下の発生を防止することがで
きる半導体装置の製造技術を提供するごとにある。 本発明の前記ならびにその他の「］的と新規な特徴は、
木明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。 〔問題点を解決するだめの手段〕 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである。 すなわち、半導体ペレットをタブに、ベレノ［・、リー
１−およびパッケージに対して接着性の良好な樹脂４Ａ
料からなる樹脂ポンディング層によりポンディングさせ
たものである。 〔作用〕 前記した手段によれば、樹脂ボンデインク層が半導体ペ
レットの外周方においてタブの金属およびパッケージの
樹脂の双方に強力に接着するとともに、適度に弾性変形
するため、半導体ペレットおよびタブよ、パッケージと
の接着境界面間に剥がれが発生ずることεＪない。Ｌ７
たがって、半導体装置としての耐湿性が向」ニされるご
とになる。 〔実施例〕 第１図は本発明の一実施例である樹脂封止形ＭＳ　ｌ）
・Ｉｃを示ず−・部切断ｊＦ面図、第２回〜第１６図は
本発明の一実施例であるそのＭ　Ｓ　Ｐ・ＩＣの製造方
法を示す各説明図である。 本実施例において、半導体装置としての樹脂封止形ＭＳ
　Ｐ　　Ｉ（Ｉ＋シリコン半導体ペレット（以下、ベレ
ットという。）＋２と、ペレットがボンティングされて
いるタブ８と、ペレットをタブにボンディングさ一已て
いる樹脂ボンディング層１１と、タブ８の周囲に配設さ
れているり一ト９と、ベレノＩ・］２の各電極および各
リード・９にその両端部をそれぞれボンディングされて
橋絡されているワイヤ］３と、これらを樹脂封止するパ
ッケージ１４どを備えており、前記樹脂ボンディング層
１１はボリイミＦ・イソ・インドロ　キナ・プリンジオ
ン（以下、Ｐ　Ｉ　Ｑという。）を用いて形成されてい
る。このＭＳＰＩＣｔ、１次のような製造方法により製
造されている。 以下、本発明の一実施例であるこの樹脂封止形ＭＳＰ−
１ｃの製造方法を説明する。この説明により、前記ＭＳ
Ｐ　ＩＣについての構成の詳細が明らかにされる。 本実施例において、樹脂」、４正形ＭＳＰ−１ｃの製造
方法に（Ｊ、第２図に示されている多連リード−フレー
ム１が使用されている。この多連リードフレーム１は燐
青銅や無酸素銅等のような銅系（銅またはその合金）材
料からなる薄板を用いて、打ち抜きプレス加圧またはエ
ツチング加工等のような適当な手段により一体成形され
ており、ごの多連リードフレーム１の表面にはめっき処
理がなされていない。この多連リードフレーム１には複
数のＣｌ’、を位す−　ドフレーム２か横方向に１列に
並設されている。 単位リー［−フレーＪ、２は位置決め孔３ａが開設され
ている外枠３を一対備えており、両外枠３は所定の間隔
で平行一連にそれぞれ延設されている。 トＡり合う単位リーＩ・フレーム２．２間には一対のセ
クション枠４が両外枠３．３間に互いに平行に配されて
−・体的に架設されており、これら外枠、セクション枠
により形成される略正方形の枠体内にｊｉ’ｉ位リード
−フレーム２か構成されている。 各単位リードフレ＝１．２において、外枠３およびセク
ションバー４の接続部にはりＪ、吊り部材５が略直角方
向にそれぞれ配されて一体的に突設されており、ダＪ、
吊り部材５には４本のダム部材６か略正方形の枠形状に
なるように配されて、一体的に吊持されている。セクシ
ョン枠４側の各ダム部材６Ｇこはタブ吊りリード・７が
両端に配されて、略４５度方向に一体的に突設されてお
り、各タブ吊りリード’　７の先端には略正方形の平板
形状に形成されたタブ８か、ダム部材６群の枠形状と略
同心的に配されて一体的に吊持されている。ダ１、部材
６には複数本のり一ト９が長手方向に等間隔に配されて
、互いに平行で、ダム部材６と直交するように−・体的
に突設されており、各リード９のタブ側端部は先端をタ
ブ８に近接してこれを取り囲むように配されるごとによ
り、インナ部９ａをそれぞれ構成している。他方、各リ
ード９の反タブ側延長部分は、その先端が外枠３および
セクション枠４から離間して切り離され、アウク部９　
＋）をそれぞれ構成している。そして、ダム部材６にお
ｉｊる隣り合うリー１ξ９．９間の部分は後】ホするパ
ッケージ成形時にレジンの流れをせき止めるダム６ａを
実質的に構成している。 前記構成にかかる多連リードフレームには各中位り一ト
フレーム２毎にペレノ１〜・ポンディング作業、続いて
、ワイヤ・ボンディング作業が実施される。このホンデ
ィング作業は多連リードフレームが横方向にピンチ送り
されることにより、各単位リーＩ・フレーム２毎に順次
実施される。 このボンディング作業により、第３図および第４図に示
されているように、前工程においてバイポーラ形の集積
回路を作り込まれた半導体集積回路素子としてのベレッ
Ｉ・１２が、各単位り一］゛フレーム２におりるタブ８
上の略中央部に配されて、ベレット、リードフレームお
よびパッケージの各材料に接着性の良好な樹脂としての
ＰＩＱを用いて、第５図および第６図に示されているよ
うな適当なペレットボンデインク装置により形成される
樹脂ポンディング層（以丁、Ｐ　Ｉ　Ｑボンディング層
ということがある。）１１を介して固着される。 そして、タブ８に固定的に搭載されたベレット１２の電
極パンＦ’　Ｉ　２　ａと、各単位リードフレーム２に
おりるリード９のインナ部９ａとの間には後記する銅系
材料からなる１ツイヤ］３が、第７図〜第９図に示され
ているようなワイヤボンデインク装置が使用されること
により、その両端部をそれぞれポンディングされて橋絡
される。これにより、ぺ１／ノＩ・１２に作り込まれて
いる集積回路は、電極バノＰ’　］　２　ａ、ワイヤ１
３、リ−１・６のインナ部６２］　Ａ：ンよびアウク部
６ｂを介して電気的に外部に引き出されるごとになる。 ここで、ペレットボンデインク装置、続いて、ワイヤホ
ンディング作業について説明する。 第５図および第６図に示されているベレソ］・ポンディ
ング装置１５はベレン１−１２を各単位リードフレーム
２のタブ８上にＰＩＱを用いてポンディングするよ・う
に構成されており、フィーダ１６を備えている。フィー
ダ］６は多連リードフレーム１を長手方向について摺動
自在に保持して、単位リード−フレーム２のピンチをも
って歩進送りし得るように構成されており、後述するワ
イヤポンディング装置２０におけるフィーダ２１と接続
されるようになっている。フィーダ１６の一端部にはロ
ーダ１６Ａが設備されており、ローダ１６Ａはラック等
に収容された多連リードフレーＪ、］をフィーダ１６Ｆ
に１枚宛払い出すように構成されている。フィーダ１６
の他端部には乾燥装置１６Ｂが設備されており、乾燥装
置１６Ｂはタブ８とベレット］２とを接着したＰＩＱボ
ンディング層１１を乾燥ないしは硬化させるように構成
されている。 フィーダ１６の片膝にはボンディング材料としてのＰＩ
Ｑをタブ８上に供給するためのＰＩＱ供給装置１７が設
備されており、この供給装置１７は注射針のような構造
を有するデイスペンサによりＰＩＱ］、７Ａをタブ８上
に所定Ｎ塗布するように構成されている。））ＩＱ供給
装置１７と別の位置にはピックアップ装置１８か設備さ
れており、ピックアップ装置１８はトレー１２Ａに収納
されているペレノ［・１２を１個宛取り出してブリアラ
イメンＩ・ステージ１８△Ｑこ移載するように構成され
ている。さらに、ピックアップ装置１８と別の位置に６
；Ｉ真空吸着ヘノ１−のような構造を有するホンディン
グヘノｌ−１９か設備されており、ボンディングヘノ１
］９はブリアライメンＩ・ステージ１８△に移載された
ベレ７１・１２を真空吸着保持した後、ごのペレソＩ・
１２をクシ）３に塗布されたＰＩＱ塗布層１７ｒ３上に
移載させるように構成されている。 次に、前記構成にがかるペレソＩ□ボンディング’４Ｎ
によるイレン１〜ボンデイング方法を説明する。 ローダ１６Ａによりフィーダ１６上に供給された多連リ
ードフレーム１における先頭の単位リードフレーム１が
塗布位置に送られて来ると、Ｐ　＋Ｑ供給装置１７によ
りタブ８上にＰ　Ｉ　Ｑ　１．７　Ａが１０〜１００μ
■１程度の厚さに塗布される。 他方、Ｉ・レー１２Ａに整列されたペレ７　ｔ・］　２
はピックアップ′Ａ置１８によって１個宛ピックアップ
されて、ブリアライメンＩステージ１８△に移載されろ
。移載されたペレノ１−１２はプリアライメントステー
ジ１８３△上におい′ζ機械的にブリアライメンＩ・さ
れる。プリアライメントされたベレッＩ・１２はホンデ
ィングヘノ１１９により真空吸着保持される。 そして、じ１−ダ１６Ａによりフィーダ１６上に供給さ
れた多連リード−フレーム１における先頭の中位リード
フレーム１がボンデインクステージ位置に送られて来る
と、ボンディングヘン１−１９に保持されたベレノｌ−
１２はタフ８に塗布されてなるＰＩＱ塗布層１７Ｂ上に
押接され、適度にごずり付りられる。これにより、ＰＩ
Ｑ塗布層１．７８Ｃ；１タブ８上においてペレッＩ・１
２の外周方に広がってペレット１２を取り囲む状態にな
る。 以降、前記作動が繰り返し実施されることにより、残り
の単位リード−′フレーム２についてベレッ１〜１２が
ボンディングされて行く。 このよ・うにして各単位リード、−フレーム２のタブ８
にベレｙ　ｈ　］　２がボンディングされた多連ソー１
フレーム１は乾燥装置１６Ｂに順次供給されて行く。乾
燥装置１６［３において、タブ８上に塗布されてペレノ
１−１２が接着されているＰＩＱ塗布層１７Ｂは、加熱
されるごとによりＰＩＱ中の溶剤を茎発されて乾燥され
るとともに、硬化される。 これにより、ＰＩＱポンディング層１１がタブ８とペレ
ット１２とを確実にボンディングするように形成される
ごとになる。 第７同に示されているワイヤボンディング装置２０はペ
レンＩ・１２の電極バノＦ’　ｌ　２　ａと、各単位り
一１’−フレーＪ、２の各リード”　９との間に銅ワイ
ヤ１３をそれぞれ橋絡さゼるごとにより、ペレット１２
と各リードとを電気的に接続するように構成されている
。このワイヤボンディング装置２０はフィーダ２１を備
えており、フィーダ２１は多連リードフレー１・１を長
手方向について摺動自在に保持して、単位リードフレー
Ｊ、２のピンチをもって歩進送りし得るように構成され
ている。フィーダ２ＩにはヒーＩ・ブロック２２か単位
リードフレーム２毎に加熱し得るように設備されている
。 フィーダ２１のボンディングア−ムの外部にはＸＹ子テ
ーブル３がＸＹ力方向移動し得るように設備されており
、ＸＹ子テーブル３−トにはボンディングヘッド２４が
搭載されている。ボンディングヘッド２４にはボンディ
ングアーム２５が基端を回転自在に軸支されて支持され
ており、このアーム２５はその先端に固設されたキャピ
ラリー２６を上下動させるように、カム機構（図示せず
）により駆動されるように構成されている。また、ボン
ディングヘッド２４にはボンディングアーム２５を通し
ててキャピラリー２６を超音波振動させる超音波発振装
置（図示−けず）が設備されてぃボンディングアーム２
５の上側には一対のクランパアーム２７．２８が電磁プ
ランジャ機構等のような適当な手段（図示−已ず）によ
り作動されるようＱこ設イ１１ηされており、両アーム
２７．２８の各先端はキャピラリー２Ｇの真上位置に配
されてクランパ２９を構成している。クランパ２９には
リール（図示−已ず）から繰り出される銅ワイヤ素材（
後読する。）がカイ［・３０を介して挿通されでおり、
３同ワイヤ素祠ｉ、Ｉさらに−１−ヤビラリー２６に挿
通されている。 キャピラリー２６の近傍にＬＪ放電電極３１が独立して
設備されており、この放電電極３１　ｉＪその１端部が
回転自在に軸支されるごとにより、その先端部がキャピ
ラリー２６のド方位置、すなわち、銅ワイヤ素材の先端
の真下位置と、キャピラリー２（３の側方位置（退避位
置）との間を移動される（１うに構成されている。また
、この電極３１と前記クランパ２９との間にＬｅＦ電源
回路３２が接続されており、電極３１と銅ワイヤ素材の
間で放電ア−クを生成させるようになっている。 このワイヤボンディング装置２０は第８閃に示されてい
るように、銅ワイヤ素材の先端で生成されるボールの周
囲にガスを供給するごとにより、ガス雰囲気を形成する
ためのチューブ３３を備えており〜このガス供給手段と
してのチューブ３３は放電電極３］にチ、−Ｊ−−ブ開
口部をキャピラリー２６の下方位置に向りて取り付げら
れている。チューブ３３には還元作用のあるガス３５、
例えば、窒素ガスと水素ガスとの混合ガス等を供給する
だめのガスｏ（給ｔＡ３４が接続されており、チｊ〜−
ブ３３の内部にはガス加熱手段としてのヒータ３６が絶
縁テープを挟設されて挿入されている。このヒータ３６
はガス供給源３４から供給されたガス３５をチューブ３
３とヒータ３６との隙間を通過する際に加熱することに
より、所定の温度に制御し得るように構成されている。 一方、フィーダ２１の底部には、多連リードフレームの
酸化を防止するだめの還元性ガス（以下、リードフレー
ム酸化防止用ガスという。）４０を供給する手段として
の還元性ガス供給装置４１が設備されており、この供給
装置４１は吹出口４２を備えている。吹出口４２は多連
り−ｌ、フレーム１の周囲にリードフレーム酸化防止用
ガス４０を緩やかに吹き出し得るように、フィーダ２１
の上面に複数個開設されており、この吹出口４２群には
ガス供給路４３か接続されている。ガス供給路４３はガ
ス供給ユニット４４に接続されており、ガス供給ユニン
Ｉ・４４は還元性ガス、例えば、窒素および水素から成
る混合ガスを、予め設定された流量をもって供給し得る
ように構成されている。 そして、フィーダ２１」−にばカバー４５がフィーダ２
１を送られる多連り一１〜フレーム１を略全体にわたっ
て被覆するように設備されており、このカバー４５は多
連ソー１−フレーム】の周囲に１ｌｌｉ給された酸化防
止用ガス４０を多連リードフレーム１の周囲に可及的に
停滞させろようになっている。カバー４５には窓孔４６
がギヤピラリ−２６の真「におりるボンディングステー
ジとなる位置に配されて、ワイヤホンディングを実施し
得る犬きさの略正方形形状に開設されている。この窓孔
４６には略正方形枠形状に形成されたリードフレーム押
さえ具４７が昇降自在に嵌合されており、この押さえ具
４７はカム機構等のような適当な駆動装置（図示せず）
によりフィーダ２１の間欠送り作動に連携して上下動す
るように構成されている。すなわち、この押さえ具４７
はワイヤボンディングが実施される時に単位リードフレ
ーム２を」二から１甲さえることにより、リ−１”フレ
ームの遊動を防止するように構成されている。 次に、前記構成にかかるワイヤホンディング装置による
ワイヤボンディング方法を説明する。 ここで、木実施例においては、ベレントの電極パッドと
リードとを電気的に接続する銅ワイヤを構成するための
素４Ａとして、銅の純度（９９，９９９％以上）が高い
銅ワイヤ素材３８が使用される。銅ワイヤ素材３８は断
面略真円形の細線形状に引き抜き成形され、その太さは
キャピラリー２６の挿通孔２６ａの内径よりも若干細め
で、橋絡された後の銅ワイヤ１３におけるループの剛性
、お、にび電気抵抗が充分に確保される値に設定されて
いる。この銅ワイヤ素（４３８は第７図に示されている
ように、ガイド３０およびクランパ２９を介してキャピ
ラリー２６の挿通孔２６ａに予め挿通される。 ペレノ１〜１２がホンデイ〕／グされている４４位リー
ドフレーム２がフィーダ２］におりノるホンデインダス
テージに供給されると、窓孔４６内においてリード−フ
レーム押さえ只４７が下降されて単位リーｌ−７１７−
ム２を押さえつける。続いて、ＸＹ子テーブル３が適宜
移動される。 一方、キャピラリー２６においては、放電電極３１が銅
ワイヤ素＋Ｊ３８の下端に接近されるとともに、電源回
路３２が閉じられることにより、銅ワイヤ素材３８の先
端にボール３つが溶融形成される。このとき、チューブ
３３から還元性ガス３５が供給され、銅ワイヤ素材３８
と電極３１との間が還元性ガス雰囲気に保持される。こ
の還元性ガス３５はチブ、−ブ３３の内部の途中６．二
介設されているし−タ３６により所定温度になるように
加熱制御されるため、ガス雰囲気は所定の温度範囲内心
ごなり、銅ワイヤ素＋′Ａ３Ｂの先端に形成されるボー
ル３９の温度の′：＠、ａな低下が防止される。その結
果、還元性ガス３５か溶融したボール３つに吹き（スＪ
げられても、ボール３つの硬度が高くなること番コない
。 続いて、キャピラリー２６がボンディングアーム２５を
介してボンディングヘノｌ−２４により下降され、銅ワ
イヤ素材３８の先端部に形成されたボール３９が、ペレ
ノ１−１２におりる掬数個の電極パンｌ”　１２　ａの
うち、最初にボンディングする電極バッド（以下、特記
しない限り、単に、パン）・という。）に押着される。 このとき、キャピラリー２６に超音波振動がイ」勢され
るとともに、ベレット１２がヒーｌ−ブロンク２２によ
って加熱されているため、ボール３９はベレッ１〜１２
のバフ１月２　ａ−Ｊ：に超音波熱圧着される。そして
、ボール３９はガス雰囲気を所定の温度範囲に保たれる
ことにより、硬くなることを抑制されているため、良好
なボンダビリティ−をもってボンディングされるごとに
なる。 ところで、銅ワイヤ素材が使用されている場合、銅は酸
化され易く、かつ比較的硬いため、第１ボンデイングに
おりるボンダビリティ−が低下する。 すなわち、熔融中に銅ワイヤ素材の表面に酸化膜が形成
されると、溶融が不均一になり、ボールの形状が不適正
になる。また、ボールの表面に酸化膜が形成されると、
電極バンドとの金属結合性が低下する。そこで、ボール
生成時に還元性ガスを供給することにより、ボールの酸
化を防止することが考えられる。 とごろが、ボール４Ｆ成時に還元性ガスが吹き付けられ
ると、ボールが象、冷ノｕ＋されて硬（なる。そして、
ボールが硬いと、熱圧着時における形状が悪くなるばか
りでなく、接着性が低下するという問題点があることが
、本発明者によって明らかにされた。 しかし、本実施例ＱこおいてＧｊ、ボール生成時にガス
雰囲気が所定温度範囲になるよ・うに加熱制御された還
元性ガス３５かボール３９の周囲にイ］（給されるため
、銅ワイヤ素材３日が使用される場合であっても、良好
なボンダビリティ−が実現される。 すなわち、銅ワイヤ素材３８のボール３９は還元性ガス
３５の雰囲気中で生成されるため、溶融中、その銅表面
に酸化膜が形成されることばない。 その結果、銅ワイヤ素材３８の先端は内部および表面全
体が溶融されるため、均一な表面張力が発生して真球度
の高いボール３９が形成されるごとになる。 また、還元性ガスだりであると、溶融されたボール３９
が雰囲気によって急冷却されて硬くなる傾向を示すが、
還元性ガス雰囲気は、ガス供給源３４から供給されるガ
スをヒータ３６で加熱制御されることによって所定温度
範囲内に維持されているため、ボール３９ば還元性ガス
３５によって加熱されて適度な硬度を維持することにな
る。このとき、還元性ガスは高温であると、還元作用か
高められるため、前記酸化膜形成防止効果は一層高めら
れることになる。 ごのよ・うにして、ポール３９は酸化膜を形成されずに
真球度が高く、かつ、適度な硬度を維持しているため、
銅ワイヤ素材３Ｂであっても良好なポンタヒリティーヲ
モつ−でベレノＩ・２のパンＩ・」二〇、二ホンディン
クされることになる。 ここで、銅
【ツイヤ素＋Ａを用いて第１ポンチインク部
を形成する場合において、良好なボンダビリケイ−が得
られる温度範囲は、キャピラリード方のボール周囲の温
度で、１００°Ｃ〜２００°Ｃであることを、本発明者
らは実験的により明らかにした。ずなわぢ、純度９９．
９９９％の銅ワイヤ素材を使用して放電電極Ｇこよりポ
ールを溶融形成させた場合、加熱の効果に１次のように
なる。ガス雰囲気のｈ見度］　００　’Ｃ以上でポール
の硬度は低下され始める。温度２００°〔：まではｈ１
λ度上１するにつれてボール硬度は低ドされる。温度２
００°Ｃになると、ホール硬度の低下心Ｘｌ略飽和状態
となる。そして、ガス雰囲気の温度が２００“Ｃを越え
る場合、高温度になったガスによってキャピラリー先端
およびワイヤが過剰に加熱されることになるため、ボン
デインクを繰り返すことによるキャピラリー内部、キャ
ピラリー先端部の表面のｌηれが増加する。したかって
、還元性ガスが２００“Ｃを越えて加熱されることば望
ましくない。 そこで、銅ワイヤ素材を用いてネイルヘンｌポンチイン
クする場合、ボール周囲におりる還元性ガス雰囲気の温
度が１００°Ｃ〜２００°Ｃの範囲内になるように、還
元性ガスをヒータによって加熱制御するごとにより、良
好なボンダビリティ−を得ることができる。 第１ボンディング部が形成された後、キャピラリー２６
がｘＹ子テーブル３およびボンディングヘンＦ’　２４
により、後述するような軌道をもって３次元的に相対移
動され、複数本のＩＪ　−１＝’　９のうち、最初に第
２ポンチインクずべきリード（以＋、特記しない限り、
単にリードとする。）の先端部に銅ワイヤ素材３８の中
間部が押着される。このとき、キャピラリー２６に超音
波振動が付勢されるとともに、リードがヒートブロック
２２により加熱されているため、銅ワイヤ素＋Ａ３８の
押着部はリード−トに超音波熱圧着され、もって、第２
ボンディング部が形成される。 そして、前記ボンディング作業中、フィーダ２】の土面
に開設された吹出口４２からリードフレーム酸化防止用
還元性ガス４０か常時吹き出されているため、多連り一
１フレー１．１は還元性ガス雰囲気内に浸漬されている
。このとき、還元性ガス雰囲気はフィーダ２１−１−に
敷設されたカバー４５によって被覆されているため、こ
の還元性ガス４０８；ｌ多連リードフレーム］およびベ
レ７１・１２を効果的に包囲するごとになる。したがっ
て、ツー１フレーム等の酸化＆Ｊ確実に防止されている
。 ところで、多連リードフレーム］として銅系のリードフ
レームが使用されている場合、銅は酸化され易く、酸化
膜がボンティング面に厚く形成されるため、第２ホンデ
イングにおりるボンダビリティ−が低−「する。ずなわ
ち　酸化膜が形成されると、ワイヤとの金属結合性か低
下するため、ボンダビリケイーが低下ずろ。 しかし、本実施例においいては、フィーダ２１−１−が
カバー４５により被覆されているとともに、そのカバー
内に供給された還元性ガス雰囲気により、多連リードフ
レーム１が包囲されているため、酸化され易い銅系リー
ドフレームが使用されていても、その表面に酸化膜が形
成されることはなく、その結果、銅ワイヤ素材３８は良
好なボンダビリティ−をもってリード９＋にボンティン
グされることになる。 ここで、多連リードフレー１．１は銅系材料を用いて製
作されているため、銅ワイヤ素材３８との接合性がきわ
めて良好である。 第２ホンディング部が形成されると、クランパ２９によ
り銅ワイヤ素材３８か把持され、クランパ２９がキャピ
ラリー２６と共に第２ボンディング部から相対的に離反
移動される。ごの離反移動により、銅ワイー）・素材３
８は第２ボンディング部から引き千切られる。これによ
り、ペレット］２の電極パ・ノ１−とリードとの間には
銅ワイヤ１３が橋絡されることになる。 その後、第２ホンディング作業を終えた銅ワイヤ素材３
８に対するクランパ２９の把持が解除されるとともに、
キャピラリー２Ｇが若干上昇されることにより、銅ワイ
ヤ累月３８の先端部がボール３９の成形に必要な長さだ
け相対的に突き出される（所謂、テール出し動作である
。）。 以降、前記作動が繰り返し実施されるごとにより、残り
の電極バットと各ソートとのｌｊ、＋１に銅ワイヤ１３
が順次橋絡されて行く。 その後、一つの単位リーＩ・フレー１．２についてのワ
イヤボンティング作業か終了すると、押さえ具４７が」
−昇され、次の単位リードフレーム２がホンティングス
テージの所へ位置するように多連リードフレーｌ、１が
１ピ、チ送られる。以後、各単位リードフレーム２につ
いて前記ワイヤホンディング作業が順次実施されて行く
。 ところで、本実施例においては、ボンディング工具とし
て、指向性のないキャピラリー２Ｇが使用されているた
め、各銅ワイヤ１３の架橋方向が交差する場合であって
も、リードフレームとＪζンディングアームとを相対的
に回動させずに済む。 したがって、ワイヤボンディング装置の構造を簡単化さ
セーることができる。 このようにしてペレノトオよびワイヤ・ホンディングさ
れた多連リードフレームには、各単位リードフレーム毎
に樹脂封止するパッケージ群が、第１０図に示されてい
るようなｌ・ランスファ成形装置を使用されて中位リー
ドフレーム群について同時成形される。 第１０図に示されているトランスファ成形装置５０はシ
リンダ装置等（図示せず）によって互いに型締めされる
一対の上型５１と下型５２とを備えており、上型５Ｉと
下型５２との合わせ面には」二型キャビティー四部５３
ａと下型キャビティー四部５３ｂとが互いに協働してキ
ャビティー５３を形成するように複数組没設されている
。上型５１の合わせ面にはボンド５４が開設されており
、ボンド５４にはシリンダ装置（図示せず）により進退
されるプランジャ５５が成形拐料としての樹脂（以下、
レジンという。）を送給し得るように挿入されている。 下型５２の合わせ面にはカル５６がボット５４との対向
位置に配されて没設されているとともに、複数条のラン
ナ５７がボット５４にそれぞれ接続するように放射状に
配されて没設されている。各ランナ５７の他端部は下側
キャビティー四部５３ｂにそれぞれ接続されており、そ
の接続部にはゲート５８がレジンをキャビティー５３内
に注入し得るように形成されている。また、下型５２の
合わせ面には逃げ凹所５９がリード−フレームの厚めを
逃の得るように、多連リードフレーム１の外形よりも若
干大きめの長方形で、その厚さと略等しい＝を法の一定
深さに没設されている。 前記構成にかかる多連リードフレーム１を用いて樹脂封
止形パッケージをトランスファ成形する場合、上型５１
および下型５２における各キャビティー５３は各単位り
一トフレーム２における一対のダム６ａ、６８間の空間
にそれぞれ対応される。 ｌ・ランスファ成形時において、前記構成にかかる多連
り−Ｉ−フレーム１は下型５２に没設されている逃げ凹
所５９内に、各単位リードフレーム２におけるベレット
］２が各キャビティー５３内にそれぞれ収容されるよう
に配されてセントされる。 続いて、上型５１と一ド型５２とが型締めされ、ボンド
５４からプランジャ５５によりレジン６０がランナ５７
およびゲーｌ−５８を通して各キャビティー５３に送給
されて圧入される。 注入後、レジンが熱硬化されて樹脂封止形パッケージ１
４が成形されると、上型５１および下型５２は型開きさ
れるとともに、エソエクタ・ピン（図示せず）によりパ
ッケージ１４群が離型される。このようにして、第１１
図に示されているように、パッケージ１４群を成形され
た多連り一１フレーム１はトランスファ成形装置５０が
ら脱装される。 そして、このように樹脂成形されたパッケージ１４の内
部には、タブ８、ペレッ１〜１２、リ−１・９のインナ
部９ａおよびワイヤ１３と共に、タブトヘレンＩ・１２
との間に形成されたＰＩＱボンディング層１１も樹脂封
止されろことになる。このｉ）ｌ　Ｑポンディング層１
１はレソンとの接着性がきわめて良好であるため、パッ
ケージＹ４ときわめて効果的に一体化される。 また、後ｊホするように、めつきレスの１同系り−Ｉフ
レームはパッケージのレシンに対してきわめて良好な接
着性を示すため、各リード９のインナ部９　ａ　ｉＪパ
、ケージ１４ときわめて効果的に一体化される。 第１２図に示されているように、番Ｊんだめつき処理装
置６　］　ＬＪはんだめっき液６２を貯留するためのυ
１んだ槽６．′３と〜め−、き電ｔＡ６４とを備えてお
り、被めっき物としての多連リード−フレーム１はめっ
き液６２中に浸漬された状態で、電源６４によりめっき
液６２との間に通電されることにより、金属露出面全体
にわたって電解めっき被ｌ模６５を形成される。このと
き、各単位リードフレーム２におｉＪるリード−９のア
ウタ部９ｂは端末において開放しているため、めっき被
膜６５が先端面にも完全に被着されるごとになる。 めっき被１１りを被着された多連リード−フレーム１は
、第１３図に示されているようにり−Ｉ・切断成形工程
において各単位り一トフ１／−ム毎に順次、第１４図に
示されているリード切断装置により、外枠３およびダム
６ａを切り落された後、第１５図に示されているリード
成形装置により、リード９のアウタ部９ｂを下向きに屈
曲成形される。 この工程で使用されるリード、′切断成形装置７０は第
１３図に示されているようにフィーダ７１を（ｆｉｆｌ
えており、フィーダ７１は間欠送り装置（図示せず）に
より、被処理物としての多連リードフレーム１を単位リ
ードフレーム２に対応するピンチをもって一方向に歩進
送りするように構成されている。フィーダ７１の一端部
（以下、前端部とする。）にはｌコーダ７２が設備され
ており、ローダ７２ばランク等に収容された多連リード
フレー１８】をフィーダ７１七に１枚宛払い出すように
構成されている。フィーダ７】の中間部にはリード切断
装置７３か設備されており、この装置は第１４図に示さ
れているように構成されている。フィーダ７］におりる
リード切断装置７３のノ４脇には、第１５図に示されて
いるように構成されているリード−成形装置７４がツー
１−切断装置７３と並ぶように配されて設備されており
、両装置７３と７４との間にはハントラフ５が、リード
切断装置７３において多連り一トフレーム］の外枠から
切り離された中間製品とし゛このＭＳＰ・ＩＣ部７７を
保持してり一１成形装置７４に移載し得るように設（ｍ
されている。フィーダ７１の後端部にはアンローダ７６
か設（Ｑされており、このアンローダ７６はリード切断
装置７３においてＭ　Ｓ　Ｐ・ＩＣ部７７を切り抜かれ
た多連リードフレーム１の残渣部品としての外枠部７８
をフィーダ７１から順次下してｉ〕ｌ出するように構成
されている。 第１４図に示されているリード切１析装置７３は上側数
イ＼］仮ＢＯおよび下イ１１す取（＝ｊ板９０を備えて
おり、上側数イ」板８０はシリンタ装置（図示せず）に
よって」二下動されるごとにより、機台トに固設されて
いる下側数イ」板９０に対して接近、離反するように構
成されている。両数イくＪ板８０および９０に＋ａボル
タ８１および９１がそれぞれ固定的に取り（Ｎ１りられ
′Ｃおり、両ホルダＢ１および９Ｘには上側押さえ型８
２および下側押さえ型９２（以下、」二型８２および下
型９２ということがある。 ）が互いに心合わせされてそれぞれ保持されている。上
型８２および下型９２は互いにもなか合わせになる略チ
ャンネル型鋼形状にそれぞれ形成されており、上型８２
と下型９２とは左右の押さえ部Ｂ３と９３とによってリ
ー１：９の根元部を上下から押さえるように構成されて
いる。また、上型８２は後記する外枠押さえと同様に、
ガイド８８およびスプリング８９により独立懸架される
ように構成されている。 上側ボルダ８１には略くし歯形状（図示−Ｕず）に形成
されたバンチ８４が一対、上型８２の左右両脇において
リード９群のピンチに対応するように配されて、垂直下
向きに固設されており、パンチ８４には剪断刃８６かく
し歯におけるエツジに配されて、後記する剪断タイとｌ
１４働して外枠３およびダム６ａを切り落とすように構
成されている。 上側ホルダ８１にＧＪ外枠押さえ８７がカイ１、）３８
に摺動自在に嵌合されて李下動自在に支持されており、
外枠押さえ８７番」スプリング８９により常時下方に（
＝Ｊ勢された状１ルで独立）懸架されるように構成され
ている。このスプリング８９により、外枠押さえ８７番
コリーｌ゛フレームの外枠３を後記する剪断グイ上面と
の間で挟圧して押さえるようになっている。 他方、下型９２には一対の剪断ダイ９６が押さえ部９３
の左右両脇に配されて、リ−１・形状の千面に沿う形状
に形成されており、剪断ダイ９Ｇは前記バンチ８４の剪
断刃８６と協働して外枠３およびダム６ａを切り落とす
ように形成されている。 第１５図に示されているリード−成形製；σ７４は＋側
堰イ・ｊ板１００および下側取イ」板１１０を備えてお
り、下側取付板１００はシリンダ装置（図示−已ず）に
よって上下動されるごとにより、機台上に固設されてい
る下側取付板１」０に対して接近、ｎ１反するように構
成されている。両地（’Ｊ板１００および］、Ｉ　Ｏに
＋Ｊボルダ１０１および１１１がそれぞれ固定的に取り
イマ」りられており、両ホルダ１０］および１１］には
上側押さえ型１０２および下側押さえ型１１２（以下、
上型］、　０２および上型１１２というごとがある。）
が互いに心合わ一ロされてそれぞれ保持されている。上
型］、　０２および下型１４２は互いにもなか合わせに
なる略チャンネル型鋼形状にそれぞれ形成されており、
上型１０２と下型１１２とは左右の押さえ部１０３と１
１３とによってリード・９の根元部を上下から押さえる
ように構成されている。また、上型１０２はガイド１．
０８およびスプリング１０９により独立懸架されるよう
に構成されている。 上側ホルダ１０１には成形バンチ１０４が−・対、Ｉ−
型１０２の左右両脇においてリード−９群のピンチに対
応するように配されて、垂直下向きに固設されており、
このバンチ１０４は後記する成形ダイと１イア、　ＩＵ
＋　してリード９を略垂直下向きに屈曲成形し得るよう
に構成されている。バンチ１０４のアウタリ−１９に摺
接する内イリリ肩部には弯曲面形状部］０５か適当な曲
率をもって形成されている。 他方、下型１１２には一対の成形ダイ１１４が押さえ部
］］３の左右両脇に配されて、成形後におりるリードア
ウタ部９ｂの下面に沿う形状に形成されている。 次に作用を説明する。 前述したように、はんだめっき処理された多連リードフ
レームｉｌｌ複数枚宛、ランク等に収容されてり一１切
断成形装置７０のローダ７２に供給される。Ｉコーダ７
２に送給された多連り−ＩＳフレーム１はローダ７２に
よりランク等から１枚宛、フィーダ７１上に順次払い出
されて行く。フィーダ７１に払い出された多連リード−
フレーム］はフィーダ７１により単位り一トフレーム２
．２間の間隔をもって］ピッチ宛歩進送りされる。 そして、フィーダ７］上を歩進送りされる多連ジ−１フ
レーム１は単位り一１フレーム２をり−ト切断装置７３
に順次供給されて行く。 ここで、ソー１−切１１ｉ　Ｎ置についての作用を説明
する。 第１４図に示されているように、多連リードフレーＪ、
］についての歩進送りにより下型９２に単位リードフレ
ーム２が四部にパッケージ１４を落とし込むようにして
センＩ〜される。これにより、リード９の根木部か下型
９２の押さえ部９３に当接する。 次ぎに、シリンダ装置により上側取イ］板８０が下降さ
れ、上型８２および外枠押さえ８７が下型９２にスプリ
ング８９の（＝Ｊ勢力により合わせられる。これにより
、上型８２の押さえ部８３と下型９２の押さえ部９３と
の間でリード９の根木部が挟圧されて固定される。また
、外枠押さえ８７と剪断ダイ９Ｇ上面との間で外枠３が
挟圧されて固定される。 その後、上側取（ＮＪ板８０がさらにＦ降されて行くと
、バンチ８４が下降されて行く。ごのとき、上型８２お
よび外枠押さえ８７はスプリング８９が圧縮変形される
ため、下型９２および剪断ダイ９６に押圧される。バン
チＢ４の下降に伴って、バンチ８４の剪断刃８６と剪断
ダイ９６との協働による剪断により外枠３およびダム６
ａがリード９群から切り落とされる。 パンチ８４が所定のスｌ−ｏ−りを終了すると、パンチ
ε（４は上側取（＝Ｊ板８０により」二昇され、元の１
＝ｌＩｎ状態まで戻されろ。 ツー１−切断装置７３において、切断が終了し、上側取
イ」仮ｆ３０かト昇すると、多連リード−フレーム１の
外枠３から切り離された中間製品であるＭＳＰ・ＩＣ部
７７は、下型９２上からリード成形装置７４におりる下
型］１２」二へハンドラ７５により移載される。 ＭＳＰ−ＩＣ部８０がリード成形装置７４に移載される
と、フィーダ７１により多連り一トフレーム１が単位リ
ーＩフレーム２の１ピンチ分だけ歩進送りされ、次段の
単位り一トフレーム２について１ｉｉＪ詑した切断作業
が実施される。以降、各単位リードフレーム２について
切断作業が繰り返されて行く。 そして、全ての単位り−Ｉ・フレーｌ、２についての切
断作業が終了した多連リード−フレーム１の残渣として
の外枠部７８に１、アント１−ダ７６においてフィーダ
７」上から−Ｆろされ所定の場合に回収される。 一方、リード成形装置７４に供給されたＭＳＰ・Ｉｃ部
７７はごの装置によりリード−成形作業を実施される。 ここで、リード成形装置７４についての作用を説明する
。 第１５図に示されているように、下型１１２にＭＳＰ　
　ＩＣ部７７が凹部にパッケージ１４を落とし込むよう
にしてセットされる。これにより、リード９の根木部が
下型１．１．２の押さえ部１．１３に当接する。 次ぎに、ソリンダ装置により上側取（＝ＪｌＮ　１００
が下降され、−に型１０２が下型１］２にスプリング１
０９のイ」勢力により合わ一υ−られる。これにより、
上型１０２の押さえ部＋０３と上型１１２の押さえ部１
１３との間で被屈曲部としてのり−ト６の根木部が挟圧
されて固定される。 その後、に例数付板１．００がさらに下降されて行くと
、パンチ１０４が下降されて行く。このとき、上型１０
２はスプリング１０９が圧縮変形されるため、下型７２
に押圧される。 さらに、パンチ１０４が成形ダイ１１４に対して下降さ
れると、リーＦ　９はパンチ１．０４の下降に伴って成
形ダイ１１４に押しつけられることにより、ごの成形ダ
イ１１４に倣うように屈曲されて所望の形状に成形され
る。 パンチ１０４が所定のストロークを終了すると、パンチ
１０４は上昇され、元の待機状態まで戻される。その後
、成形済のＩｃは下型１１２から取り外され、次工程に
送給されて行く。 以」二のようにして製造された樹脂封止形Ｍ　Ｓ　ｌ）
・ｌ　Ｃ］、　２０は第１７図および第１８図に示され
ているようにプリント配線基板に実装される。 第１７図および第１８図において、プリン１−配線基板
１２［にはラント１２２が複数個、実装対象物となる樹
脂封止形ＭＳＰ−ＩＣ１２０における各リード９に対応
するように配されて、はんだ材料を用いて略長方形の薄
板形状に形成されており、ごのランド１２２群にこのｌ
ｃ］、２０のり−ト’　９１！Ｙがそれぞれ整合されて
当接されているとともに、各リード９とラント１２２と
がリフローはんだ処理により形成されたはんだ盛り層１
２３によって電気的かつ機械的に接続されている。 そして、各り一１’　９がラント１２２にリフローはん
だ処理される際、リード９の下端部にめっき被膜６５が
完全な状態で被着されているため、リ−Ｆ　９ははんだ
盛り層１２３によって確実に接続されることになる。し
たがって、この樹脂封止形ＤＩＰ・ＩＣ１２０について
のはんだ付は作業の自動化を促進させることができる。 ところで、前記構成にかかるＭＳＰ・ＩＣは出荷前に抜
き取り検査を実施される。抜き取り検査としては温度ザ
イクル試験や熱衝撃試験を含む環境試験が実施される。 前述したように、このＭＳＰ・ＩＣがプリンＩ・配線基
板等に実装される際、はんだデイツプやりフローはんだ
処理によっても、このＭＳＰ・ＩＣは加熱される。 このような環境試験または実装置Ｉ８Ｑこ熱ス１−レス
が樹脂封止パッケージを備えたＩｃに加えられた場合、
パッケージとり−Ｉ−フレームとの熱膨張係数差により
パッケージ］４とタブ８との境界面に剥がれが発生し、
耐湿性が低下するという問題点かあることが、本発明者
によって明らかにされた。 しかし、本実施例においては、タブ８上におりろぺＩ／
ノＩ・］２の外周方表面にＰＩＱボンディングｌ？Ｖｊ
１１が形成されるごとにより、タブ８の表面とパッケー
ジｌ／Ｉとの境界面にＰＩＱボンディング層１１が障壁
樹脂層として介在されているため、タブ８とパッケージ
１４との境界面間乙こ剥がれか発４１：することはなく
、したがって、当該剥かれに伴う耐湿性の低ドし；ｉ未
然に回避されるごとになる。 ずなわら、ＰＩＱポンディング層］１はタブ９およびパ
ッケージ１４のいずれの＋Ａ料にも良好な接着性を示す
ため、タフ８およびパッケージ１４の双方に強力に接着
した状態となっている。タブ８とパッケージ］４の材ｆ
」についての熱膨張係数差によりタブ８とパッケージ１
４との間に機械なずれが相対的に発生したとしても、Ｐ
ＩＱポンディング層１１はきわめて柔軟性に富むため、
タブ８とバノゲー７」４とに対する接着状態を強力に維
持しつつ、そのずれを柔軟に変形することにより、吸収
することになる。 ところで、リーＩ−フ１ノームに銅系材料が使用される
場合、銅系リードフレーＪ、の表面に酸化防止、並びに
ボンタビリティーを高めるため根めっき処理が施される
ことがある。 ところか、恨めつき被膜が被着された銅系り−ドフレー
ムが使用されているＩｃにおいては、前述したような熱
スＩ・レスか加えられた場合、パッケージとり一１フレ
ートとの熱膨張係数差によりパッケージとリードとの境
界面に剥がれが発生し、耐湿性が低下するという問題点
があることが、本発明者によって明らかにされた。これ
は次のような理由によると考えられる。銀めっき被膜は
微粉子の集合から形成されているため、この微粒子とパ
ッケージのレノンとの間で熱ス）−レスの作用により相
対的な移動が発生し易くなり、この移動し易さにより、
リ−１とパッケージとの境界面においてＭｌｌがれが発
生ずる。 しかし、本実施例においては、多連り−Ｉ−フレ−Ｊ、
１として銅系ソー１−フレームが使用されているが、そ
の表面にめっき処理が施されていないため、前述したよ
うな熱ストレスが加わった場合でも、各リード・９のイ
ンナ部９ａとパッケージ１４との境界面間に剥がれが発
生しないことが実験により石育言忍された。 これは次のような理由によると考えられる。すなわち、
めっきレスのリードフレームにおいては、ソー１−フレ
ームの材料表面自体とパッケージのレジン自体とが直接
的に結合するため、熱ストレスが作用した場合でも、両
者の境界面である結合箇所では相対的な移動が発生しに
くくなり、リードフレーム内部およびパッケージ内部で
それぞれ発生する歪によりｐ！１ストレスが吸収されて
しまうためである。 前記実施例によれば次の効果が得られる。 （１）　　ベレットをタフにＰＩＱボンティング層を介
して接合することにより、リードフレームとパッケージ
との熱膨張係数差による変位をＰＩ’Ｑボンデインク層
の変形により吸収することができるため、タブとパッケ
ージとの間の剥がれを防止することができ、その剥がれ
による耐湿性低下を未然に防止することができる。 （２ＪＰＩＱをタブに塗布した後、ＰＩＱ塗布層上にペ
レッＩ・をリード′のインナ部表面にＰ　Ｉ　Ｑ層を予
め形成ボンディングする際、ペレノＩ・の外周方にＰＩ
Ｑボンディング層を拡太さゼでおき、その後、ＰＩＱ層
を含めて樹脂封止パッケージを成形することにより、ペ
レンＩ・外周方におりるタブとパッケージとの境界面に
障壁樹脂層を簡単に介設することができるため、生産性
の低下を抑制することができる。 （３）　　リードフレームとしてめっきレスの銅系り−
ドフレームを使用するごとにより、各リードとパッケー
ジとの境界面におｉＪる剥がれの発生を防止することが
できるため、その剥がれによる耐湿性の低下を防止する
ことができる。 （４）銅系リードフレーＪ、および銅系ボンディングワ
イヤを使用することにより、ｉツイヤとリードとの接続
部である第２ボンディング部についての接合強度やポン
ダヒリティーを高めることができ、製品の品質および信
頼性を高めることができるとともに、コスＩ・を低減さ
せることができる。 以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したか、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であるごとυＪいうまてもない。 例えば、ペレットをタフにボンディングする樹脂ボンデ
ィング層は、ＰＩＱを用いて形成するに限らず、他のボ
リイミ１系樹脂等を用いて形成してもよく、要は、ペレ
ノ）・、タブおよびパッケージのいずれの材料に対して
も接着性が良く、適度の柔軟性ないしし１弾性を有する
樹脂であればよい。 Ｉ・ランスファ成形装置、はんだめっき処理装置および
リード切断成形装置の具体的構成は前記実施例の４’１
１１成を使用するに限られない。 また、リーＩ−にはんだ被膜を被着さ−Ｕる処理εＪ、
ＩＪ−１切断成形処理後、はんだデイツプ処理により実
施されるようにしてもよい。 以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である樹脂１：′Ｊ止正形
ＳＩ）・Ｉｃに適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく、樹脂封止形パッケージを備
えているＩＣ等のような半導体装置全般に適用すること
ができる。 〔発明の効果〕 本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。 ベレンｌ−をタブに樹脂ホンディング層を用いて接合す
ることにより、リードフレームとパッケージとの熱膨張
係数差による変位を樹脂ボンディング層の変形により吸
収することができるため、タブとパッケージとの間の剥
がれを防止することができ、その剥がれによる耐湿性低
下を未然に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例である樹脂封止形ＭＳ　Ｐ・
ＩＣを示す一部切断正面図、 第２しは本発明の一実施例であるＭＳＰ・ＩＣの製造方
法に使用される多連リードフレームを示す一部省略平面
図、 第３図はベレノｈおよびＩツイヤボンディング後のタブ
イ」近を示す一部省略拡大部分平面図、第４図は第３図
のＩＶ−ＩＶ線に沿う正面断面図、第５図はペレソトボ
ンデインク：工程を示す概略平面ｌ、 第６図はその拡大部分正面断面図、 第７図はワイヤボンディング工程を示す一部切断正面図
、 第８図はその放電電極伺近を示す一部切断拡大部分正面
図、 第９図はそのフィーダ上部を示す拡大部分正面断面Ｖ、 第１０図は樹脂封止形パッケージの成形工程を示す縦断
面図、 第１Ｉ図は樹脂Ｊｌ＝１止形バノゲーシ成形後の多連リ
ードフレームを示す一部省略平面図、第１２図ははんだ
めっき工程を示す一部省略正面断面図、 第１３図はり一ド切断成形装置を示す一部省略概略平面
図、 第１４図はそのリード切断装置を示す縦断面図、第１５
１ｍはそのリード成形装置を示す縦断面図、第１６図は
そのリード成形後の要部を示す拡大部分斜視図、 第１７図はこの半導体装置の製造方法で得られた樹脂封
止形１）　Ｉ　Ｐ・ＩＣの実装状態を示す−・部省略一
部切断斜視図、 第１８図はその一部省略拡大縦断面図である。 １・・・多連り一１フレーム、２・・単位リードフレー
ム、３・・外枠、４・・セクション枠、５・・・ダム吊
り部材、６・・ダム部材、６ａ・・ダム、７・・タブ吊
りり−ｌ′、８・・・タブ、９・・リード、９ａ・・・
インナ部、９ｂ・・・アウタ部、１．　］、　−Ｐ　Ｉ
　Ｑボンディング層（樹脂ボンディング層）、１２・・
ペレソＩ−８］３・・・ワイヤ、１４・・・樹脂］゛・
ｊ正形パッケージ、１５・・・ペレソＩ・ボンディング
装置、１６・・フィーダ、１６Ａ・・・ローダ、１６Ｂ
・乾燥装置、１７・・Ｐ　］Ｑ供給装置、１８　・ピン
クアンプ装置、１８△・グリアライメン１−ステージ、
１９・・・ボンディングヘン１−１２０・・・ワイヤボ
ンディング装置、２１・・フィーダ、２２・ヒートブロ
ンク、２３・　χＹ子テーブル２４・・・ボンディング
ヘン１−１２５・・・ボンディングアーム、２６・・−
トヤピラリー（ボンディングツール）、２７．２８・・
・クランパアーム、２９・・・クランパ、３０・・ガイ
ド、３１・・・放電電極、３２・・・電源回路、３３・
・・チューブ（ガス供給手段）、３４　ガス供給源、３
５　還元性ガス、３６・・・ヒータ（加熱手段）、３８
　・銅ワイヤ素材、３９・・ボール、４０・リー）−フ
レーム酸化防止用還元性ガス、４］・・還元性ガス供給
装置、４２　・吹出口、４３・・供給路、４４・・・ガ
ス供給ユニット、４５・カバー、４６・・・窓孔、４７
・・・リードフレーム押さえ具、５０−１−ランスファ
成形装置、５１・・Ｌ型、５２　・下型、５３　キャビ
ティー、５４・ボッＩ〜、５５　プランジ中、５６・・
・カル、５７・・ランナ、５８・・ケート、５つ・・・
ソー１−フレー１、逃り凹所、６０・・樹脂（レシン、
成形相料）、６■・・・Ｌｌんだめつき処理装置、６２
・・・めっき液、６３・・はんだ槽、６４・・・めっき
電源、７０　・ツー１〜切断成形装置、７１・・フィー
ダ、７２・・ローダ、７３・・・リード切断装置、７４
・・リ−１・成形装置、７５・・・ハンドラ、７６・・
・アンローダ、７７・・ＭＳｌ）・ＩＣ部（中間製品）
、７８　・外枠部（残渣部）、８０．９０．１００．１
１０・・・取イづ板、８１．９１．１０１．１１１・・
ホルダ、８２．９２．１０２．１１２・・・押さえ型、
８３．９３．１０３．１１３・・・押さえ部、８４．１
０４・・・パンチ、］０５・・弯曲形状部、８６・・・
剪断刃、８７・・・外枠押さえ、８８．１０８・・ガイ
ド、８９、］、　０９　　・スプリング、＋１４・・成
形ダイ、９６・・剪断ダイ、１２０・・・樹脂１寸正形
ＭＳＰ−ＩＣ（半導体装置）、１２１・・プリント配線
基板、１２２・・・ランド、１２３・・＆Ｊんだ盛り層
。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、半導体ペレットと、半導体ペレットがボンディング
    されているタブと、タブの周囲に配設されている複数本
    のリードと、半導体ペレットの電極および各リードに両
    端部をボンディングされて橋絡されているワイヤと、半
    導体ペレット、タブ、リードの一部、およびワイヤを樹
    脂封止するパッケージとを備えている半導体装置であっ
    て、前記半導体ペレットがタブに、ペレット、リードお
    よびパッケージに接着性の良好な樹脂材料からなる樹脂
    ボンディング層によりボンディングされていることを特
    徴とする半導体装置。 ２、樹脂ボンディング層が、ポリイミド系樹脂を用いて
    形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
    記載の半導体装置。 ３、タブおよびリード群が、銅系めっきレスのリードフ
    レームを用いて形成されており、ワイヤが銅系ワイヤ素
    材を用いて形成されていることを特徴とする特許請求の
    範囲第１項記載の半導体装置。
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