JPH01205429A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造技術、特に、樹脂封止形パ
ッケージを備えている半導体装置における耐湿性向上技
術に関し、例えば、表面実装形樹脂封止パッケージを備
えているハイ ポーラ形半導体集積回路装置の製造に利
用してイf効なものに関する。 〔従来の技術」 高密度実装を実現するだめの半導体集積回路装置(以下
、rcという。)として、樹脂封止形ミニ・スクエア・
パッケージを備えているIC(以下、MSP・IC1ま
たは単にICということがある。)がある。このMSP
ICは、集積回路が作り込まれている半導体ペレッ
トと、半導体ペレノ1〜がi艮(Ag)ペレース1−か
らなるボンディング層によりボンディングされているタ
ブと、夕ブの周囲に配設されている複数本のリード・と
、半導体ぺl/ 71・の電極および各リードに両端部
をボンデインクされ′C電気的に接続するワイヤと、こ
れらを樹脂封止するパッケージとを備えており、樹脂]
、・J正形パノケーノが略正方形の平盤形状に形成され
ζいるとともに、リ−1のアウク部がパッケージの四辺
から突出されてハツト ウィング形状に成形されている
。 なお、このようなIcを4i<べである例としては、株
式会社T業調査会発行rlc化実装技術」昭和55年1
月IO口発行 P135〜P l 55、がある。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし、このような表面実装型プラスチック・パッケー
ジを(Illiえているl(lこおいては、ペレットを
形成しているシリコン、ソー1′フレームを形成してい
る42アロイや銅、およびパッケージを形成している樹
脂についての熱膨張係数が大きく異なるため、ICか温
度サイクル試験や熱衝撃試験等で、また、実装時におけ
るはんだデイツプやリフローはんだ]−程等で加熱され
ることにより、パッケージと、半導体ペレノI・がポン
ディングされているタブとの接着界面に剥がれが生し、
その結果、樹脂パッケージの耐湿191が低Fするとい
う問題点かあることか、本発明者によって明らかにされ
た。 本発明の目的は、樹脂封止型パッケージを備えている半
導体装置におりる耐湿性低下の発生を防止することがで
きる半導体装置の製造技術を提供するごとにある。 本発明の前記ならびにその他の「]的と新規な特徴は、
木明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。 〔問題点を解決するだめの手段〕 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである。 すなわち、半導体ペレットをタブに、ベレノ[・、リー
1−およびパッケージに対して接着性の良好な樹脂4A
料からなる樹脂ポンディング層によりポンディングさせ
たものである。 〔作用〕 前記した手段によれば、樹脂ボンデインク層が半導体ペ
レットの外周方においてタブの金属およびパッケージの
樹脂の双方に強力に接着するとともに、適度に弾性変形
するため、半導体ペレットおよびタブよ、パッケージと
の接着境界面間に剥がれが発生ずることεJない。L7
たがって、半導体装置としての耐湿性が向」ニされるご
とになる。 〔実施例〕 第1図は本発明の一実施例である樹脂封止形MS l)
・Icを示ず−・部切断jF面図、第2回〜第16図は
本発明の一実施例であるそのM S P・ICの製造方
法を示す各説明図である。 本実施例において、半導体装置としての樹脂封止形MS
P I(I+シリコン半導体ペレット(以下、ベレ
ットという。)+2と、ペレットがボンティングされて
いるタブ8と、ペレットをタブにボンディングさ一已て
いる樹脂ボンディング層11と、タブ8の周囲に配設さ
れているり一ト9と、ベレノI・]2の各電極および各
リード・9にその両端部をそれぞれボンディングされて
橋絡されているワイヤ]3と、これらを樹脂封止するパ
ッケージ14どを備えており、前記樹脂ボンディング層
11はボリイミF・イソ・インドロ キナ・プリンジオ
ン(以下、P I Qという。)を用いて形成されてい
る。このMSPICt、1次のような製造方法により製
造されている。 以下、本発明の一実施例であるこの樹脂封止形MSP−
1cの製造方法を説明する。この説明により、前記MS
P ICについての構成の詳細が明らかにされる。 本実施例において、樹脂」、4正形MSP−1cの製造
方法に(J、第2図に示されている多連リード−フレー
ム1が使用されている。この多連リードフレーム1は燐
青銅や無酸素銅等のような銅系(銅またはその合金)材
料からなる薄板を用いて、打ち抜きプレス加圧またはエ
ツチング加工等のような適当な手段により一体成形され
ており、ごの多連リードフレーム1の表面にはめっき処
理がなされていない。この多連リードフレーム1には複
数のCl’、を位す− ドフレーム2か横方向に1列に
並設されている。 単位リー[−フレーJ、2は位置決め孔3aが開設され
ている外枠3を一対備えており、両外枠3は所定の間隔
で平行一連にそれぞれ延設されている。 トAり合う単位リーI・フレーム2.2間には一対のセ
クション枠4が両外枠3.3間に互いに平行に配されて
−・体的に架設されており、これら外枠、セクション枠
により形成される略正方形の枠体内にji’i位リード
−フレーム2か構成されている。 各単位リードフレ=1.2において、外枠3およびセク
ションバー4の接続部にはりJ、吊り部材5が略直角方
向にそれぞれ配されて一体的に突設されており、ダJ、
吊り部材5には4本のダム部材6か略正方形の枠形状に
なるように配されて、一体的に吊持されている。セクシ
ョン枠4側の各ダム部材6Gこはタブ吊りリード・7が
両端に配されて、略45度方向に一体的に突設されてお
り、各タブ吊りリード’ 7の先端には略正方形の平板
形状に形成されたタブ8か、ダム部材6群の枠形状と略
同心的に配されて一体的に吊持されている。ダ1、部材
6には複数本のり一ト9が長手方向に等間隔に配されて
、互いに平行で、ダム部材6と直交するように−・体的
に突設されており、各リード9のタブ側端部は先端をタ
ブ8に近接してこれを取り囲むように配されるごとによ
り、インナ部9aをそれぞれ構成している。他方、各リ
ード9の反タブ側延長部分は、その先端が外枠3および
セクション枠4から離間して切り離され、アウク部9
+)をそれぞれ構成している。そして、ダム部材6にお
ijる隣り合うリー1ξ9.9間の部分は後】ホするパ
ッケージ成形時にレジンの流れをせき止めるダム6aを
実質的に構成している。 前記構成にかかる多連リードフレームには各中位り一ト
フレーム2毎にペレノ1〜・ポンディング作業、続いて
、ワイヤ・ボンディング作業が実施される。このホンデ
ィング作業は多連リードフレームが横方向にピンチ送り
されることにより、各単位リーI・フレーム2毎に順次
実施される。 このボンディング作業により、第3図および第4図に示
されているように、前工程においてバイポーラ形の集積
回路を作り込まれた半導体集積回路素子としてのベレッ
I・12が、各単位り一]゛フレーム2におりるタブ8
上の略中央部に配されて、ベレット、リードフレームお
よびパッケージの各材料に接着性の良好な樹脂としての
PIQを用いて、第5図および第6図に示されているよ
うな適当なペレットボンデインク装置により形成される
樹脂ポンディング層(以丁、P I Qボンディング層
ということがある。)11を介して固着される。 そして、タブ8に固定的に搭載されたベレット12の電
極パンF’ I 2 aと、各単位リードフレーム2に
おりるリード9のインナ部9aとの間には後記する銅系
材料からなる1ツイヤ]3が、第7図〜第9図に示され
ているようなワイヤボンデインク装置が使用されること
により、その両端部をそれぞれポンディングされて橋絡
される。これにより、ぺ1/ノI・12に作り込まれて
いる集積回路は、電極バノP’ ] 2 a、ワイヤ1
3、リ−1・6のインナ部62] A:ンよびアウク部
6bを介して電気的に外部に引き出されるごとになる。 ここで、ペレットボンデインク装置、続いて、ワイヤホ
ンディング作業について説明する。 第5図および第6図に示されているベレソ]・ポンディ
ング装置15はベレン1−12を各単位リードフレーム
2のタブ8上にPIQを用いてポンディングするよ・う
に構成されており、フィーダ16を備えている。フィー
ダ]6は多連リードフレーム1を長手方向について摺動
自在に保持して、単位リード−フレーム2のピンチをも
って歩進送りし得るように構成されており、後述するワ
イヤポンディング装置20におけるフィーダ21と接続
されるようになっている。フィーダ16の一端部にはロ
ーダ16Aが設備されており、ローダ16Aはラック等
に収容された多連リードフレーJ、]をフィーダ16F
に1枚宛払い出すように構成されている。フィーダ16
の他端部には乾燥装置16Bが設備されており、乾燥装
置16Bはタブ8とベレット]2とを接着したPIQボ
ンディング層11を乾燥ないしは硬化させるように構成
されている。 フィーダ16の片膝にはボンディング材料としてのPI
Qをタブ8上に供給するためのPIQ供給装置17が設
備されており、この供給装置17は注射針のような構造
を有するデイスペンサによりPIQ]、7Aをタブ8上
に所定N塗布するように構成されている。))IQ供給
装置17と別の位置にはピックアップ装置18か設備さ
れており、ピックアップ装置18はトレー12Aに収納
されているペレノ[・12を1個宛取り出してブリアラ
イメンI・ステージ18△Qこ移載するように構成され
ている。さらに、ピックアップ装置18と別の位置に6
;I真空吸着ヘノ1−のような構造を有するホンディン
グヘノl−19か設備されており、ボンディングヘノ1
]9はブリアライメンI・ステージ18△に移載された
ベレ71・12を真空吸着保持した後、ごのペレソI・
12をクシ)3に塗布されたPIQ塗布層17r3上に
移載させるように構成されている。 次に、前記構成にがかるペレソI□ボンディング’4N
によるイレン1〜ボンデイング方法を説明する。 ローダ16Aによりフィーダ16上に供給された多連リ
ードフレーム1における先頭の単位リードフレーム1が
塗布位置に送られて来ると、P +Q供給装置17によ
りタブ8上にP I Q 1.7 Aが10〜100μ
■1程度の厚さに塗布される。 他方、I・レー12Aに整列されたペレ7 t・] 2
はピックアップ′A置18によって1個宛ピックアップ
されて、ブリアライメンIステージ18△に移載されろ
。移載されたペレノ1−12はプリアライメントステー
ジ183△上におい′ζ機械的にブリアライメンI・さ
れる。プリアライメントされたベレッI・12はホンデ
ィングヘノ119により真空吸着保持される。 そして、じ1−ダ16Aによりフィーダ16上に供給さ
れた多連リード−フレーム1における先頭の中位リード
フレーム1がボンデインクステージ位置に送られて来る
と、ボンディングヘン1−19に保持されたベレノl−
12はタフ8に塗布されてなるPIQ塗布層17B上に
押接され、適度にごずり付りられる。これにより、PI
Q塗布層1.78C;1タブ8上においてペレッI・1
2の外周方に広がってペレット12を取り囲む状態にな
る。 以降、前記作動が繰り返し実施されることにより、残り
の単位リード−′フレーム2についてベレッ1〜12が
ボンディングされて行く。 このよ・うにして各単位リード、−フレーム2のタブ8
にベレy h ] 2がボンディングされた多連ソー1
フレーム1は乾燥装置16Bに順次供給されて行く。乾
燥装置16[3において、タブ8上に塗布されてペレノ
1−12が接着されているPIQ塗布層17Bは、加熱
されるごとによりPIQ中の溶剤を茎発されて乾燥され
るとともに、硬化される。 これにより、PIQポンディング層11がタブ8とペレ
ット12とを確実にボンディングするように形成される
ごとになる。 第7同に示されているワイヤボンディング装置20はペ
レンI・12の電極バノF’ l 2 aと、各単位り
一1’−フレーJ、2の各リード” 9との間に銅ワイ
ヤ13をそれぞれ橋絡さゼるごとにより、ペレット12
と各リードとを電気的に接続するように構成されている
。このワイヤボンディング装置20はフィーダ21を備
えており、フィーダ21は多連リードフレー1・1を長
手方向について摺動自在に保持して、単位リードフレー
J、2のピンチをもって歩進送りし得るように構成され
ている。フィーダ2IにはヒーI・ブロック22か単位
リードフレーム2毎に加熱し得るように設備されている
。 フィーダ21のボンディングア−ムの外部にはXY子テ
ーブル3がXY力方向移動し得るように設備されており
、XY子テーブル3−トにはボンディングヘッド24が
搭載されている。ボンディングヘッド24にはボンディ
ングアーム25が基端を回転自在に軸支されて支持され
ており、このアーム25はその先端に固設されたキャピ
ラリー26を上下動させるように、カム機構(図示せず
)により駆動されるように構成されている。また、ボン
ディングヘッド24にはボンディングアーム25を通し
ててキャピラリー26を超音波振動させる超音波発振装
置(図示−けず)が設備されてぃボンディングアーム2
5の上側には一対のクランパアーム27.28が電磁プ
ランジャ機構等のような適当な手段(図示−已ず)によ
り作動されるようQこ設イ11ηされており、両アーム
27.28の各先端はキャピラリー2Gの真上位置に配
されてクランパ29を構成している。クランパ29には
リール(図示−已ず)から繰り出される銅ワイヤ素材(
後読する。)がカイ[・30を介して挿通されでおり、
3同ワイヤ素祠i、Iさらに−1−ヤビラリー26に挿
通されている。 キャピラリー26の近傍にLJ放電電極31が独立して
設備されており、この放電電極31 iJその1端部が
回転自在に軸支されるごとにより、その先端部がキャピ
ラリー26のド方位置、すなわち、銅ワイヤ素材の先端
の真下位置と、キャピラリー2(3の側方位置(退避位
置)との間を移動される(1うに構成されている。また
、この電極31と前記クランパ29との間にLeF電源
回路32が接続されており、電極31と銅ワイヤ素材の
間で放電ア−クを生成させるようになっている。 このワイヤボンディング装置20は第8閃に示されてい
るように、銅ワイヤ素材の先端で生成されるボールの周
囲にガスを供給するごとにより、ガス雰囲気を形成する
ためのチューブ33を備えており〜このガス供給手段と
してのチューブ33は放電電極3]にチ、−J−−ブ開
口部をキャピラリー26の下方位置に向りて取り付げら
れている。チューブ33には還元作用のあるガス35、
例えば、窒素ガスと水素ガスとの混合ガス等を供給する
だめのガスo(給tA34が接続されており、チj〜−
ブ33の内部にはガス加熱手段としてのヒータ36が絶
縁テープを挟設されて挿入されている。このヒータ36
はガス供給源34から供給されたガス35をチューブ3
3とヒータ36との隙間を通過する際に加熱することに
より、所定の温度に制御し得るように構成されている。 一方、フィーダ21の底部には、多連リードフレームの
酸化を防止するだめの還元性ガス(以下、リードフレー
ム酸化防止用ガスという。)40を供給する手段として
の還元性ガス供給装置41が設備されており、この供給
装置41は吹出口42を備えている。吹出口42は多連
り−l、フレーム1の周囲にリードフレーム酸化防止用
ガス40を緩やかに吹き出し得るように、フィーダ21
の上面に複数個開設されており、この吹出口42群には
ガス供給路43か接続されている。ガス供給路43はガ
ス供給ユニット44に接続されており、ガス供給ユニン
I・44は還元性ガス、例えば、窒素および水素から成
る混合ガスを、予め設定された流量をもって供給し得る
ように構成されている。 そして、フィーダ21」−にばカバー45がフィーダ2
1を送られる多連り一1〜フレーム1を略全体にわたっ
て被覆するように設備されており、このカバー45は多
連ソー1−フレーム】の周囲に1lli給された酸化防
止用ガス40を多連リードフレーム1の周囲に可及的に
停滞させろようになっている。カバー45には窓孔46
がギヤピラリ−26の真「におりるボンディングステー
ジとなる位置に配されて、ワイヤホンディングを実施し
得る犬きさの略正方形形状に開設されている。この窓孔
46には略正方形枠形状に形成されたリードフレーム押
さえ具47が昇降自在に嵌合されており、この押さえ具
47はカム機構等のような適当な駆動装置(図示せず)
によりフィーダ21の間欠送り作動に連携して上下動す
るように構成されている。すなわち、この押さえ具47
はワイヤボンディングが実施される時に単位リードフレ
ーム2を」二から1甲さえることにより、リ−1”フレ
ームの遊動を防止するように構成されている。 次に、前記構成にかかるワイヤホンディング装置による
ワイヤボンディング方法を説明する。 ここで、木実施例においては、ベレントの電極パッドと
リードとを電気的に接続する銅ワイヤを構成するための
素4Aとして、銅の純度(99,999%以上)が高い
銅ワイヤ素材38が使用される。銅ワイヤ素材38は断
面略真円形の細線形状に引き抜き成形され、その太さは
キャピラリー26の挿通孔26aの内径よりも若干細め
で、橋絡された後の銅ワイヤ13におけるループの剛性
、お、にび電気抵抗が充分に確保される値に設定されて
いる。この銅ワイヤ素(438は第7図に示されている
ように、ガイド30およびクランパ29を介してキャピ
ラリー26の挿通孔26aに予め挿通される。 ペレノ1〜12がホンデイ〕/グされている44位リー
ドフレーム2がフィーダ2]におりノるホンデインダス
テージに供給されると、窓孔46内においてリード−フ
レーム押さえ只47が下降されて単位リーl−717−
ム2を押さえつける。続いて、XY子テーブル3が適宜
移動される。 一方、キャピラリー26においては、放電電極31が銅
ワイヤ素+J38の下端に接近されるとともに、電源回
路32が閉じられることにより、銅ワイヤ素材38の先
端にボール3つが溶融形成される。このとき、チューブ
33から還元性ガス35が供給され、銅ワイヤ素材38
と電極31との間が還元性ガス雰囲気に保持される。こ
の還元性ガス35はチブ、−ブ33の内部の途中6.二
介設されているし−タ36により所定温度になるように
加熱制御されるため、ガス雰囲気は所定の温度範囲内心
ごなり、銅ワイヤ素+′A3Bの先端に形成されるボー
ル39の温度の′:@、aな低下が防止される。その結
果、還元性ガス35か溶融したボール3つに吹き(スJ
げられても、ボール3つの硬度が高くなること番コない
。 続いて、キャピラリー26がボンディングアーム25を
介してボンディングヘノl−24により下降され、銅ワ
イヤ素材38の先端部に形成されたボール39が、ペレ
ノ1−12におりる掬数個の電極パンl” 12 aの
うち、最初にボンディングする電極バッド(以下、特記
しない限り、単に、パン)・という。)に押着される。 このとき、キャピラリー26に超音波振動がイ」勢され
るとともに、ベレット12がヒーl−ブロンク22によ
って加熱されているため、ボール39はベレッ1〜12
のバフ1月2 a−J:に超音波熱圧着される。そして
、ボール39はガス雰囲気を所定の温度範囲に保たれる
ことにより、硬くなることを抑制されているため、良好
なボンダビリティ−をもってボンディングされるごとに
なる。 ところで、銅ワイヤ素材が使用されている場合、銅は酸
化され易く、かつ比較的硬いため、第1ボンデイングに
おりるボンダビリティ−が低下する。 すなわち、熔融中に銅ワイヤ素材の表面に酸化膜が形成
されると、溶融が不均一になり、ボールの形状が不適正
になる。また、ボールの表面に酸化膜が形成されると、
電極バンドとの金属結合性が低下する。そこで、ボール
生成時に還元性ガスを供給することにより、ボールの酸
化を防止することが考えられる。 とごろが、ボール4F成時に還元性ガスが吹き付けられ
ると、ボールが象、冷ノu+されて硬(なる。そして、
ボールが硬いと、熱圧着時における形状が悪くなるばか
りでなく、接着性が低下するという問題点があることが
、本発明者によって明らかにされた。 しかし、本実施例QこおいてGj、ボール生成時にガス
雰囲気が所定温度範囲になるよ・うに加熱制御された還
元性ガス35かボール39の周囲にイ](給されるため
、銅ワイヤ素材3日が使用される場合であっても、良好
なボンダビリティ−が実現される。 すなわち、銅ワイヤ素材38のボール39は還元性ガス
35の雰囲気中で生成されるため、溶融中、その銅表面
に酸化膜が形成されることばない。 その結果、銅ワイヤ素材38の先端は内部および表面全
体が溶融されるため、均一な表面張力が発生して真球度
の高いボール39が形成されるごとになる。 また、還元性ガスだりであると、溶融されたボール39
が雰囲気によって急冷却されて硬くなる傾向を示すが、
還元性ガス雰囲気は、ガス供給源34から供給されるガ
スをヒータ36で加熱制御されることによって所定温度
範囲内に維持されているため、ボール39ば還元性ガス
35によって加熱されて適度な硬度を維持することにな
る。このとき、還元性ガスは高温であると、還元作用か
高められるため、前記酸化膜形成防止効果は一層高めら
れることになる。 ごのよ・うにして、ポール39は酸化膜を形成されずに
真球度が高く、かつ、適度な硬度を維持しているため、
銅ワイヤ素材3Bであっても良好なポンタヒリティーヲ
モつ−でベレノI・2のパンI・」二〇、二ホンディン
クされることになる。 ここで、銅
ッケージを備えている半導体装置における耐湿性向上技
術に関し、例えば、表面実装形樹脂封止パッケージを備
えているハイ ポーラ形半導体集積回路装置の製造に利
用してイf効なものに関する。 〔従来の技術」 高密度実装を実現するだめの半導体集積回路装置(以下
、rcという。)として、樹脂封止形ミニ・スクエア・
パッケージを備えているIC(以下、MSP・IC1ま
たは単にICということがある。)がある。このMSP
ICは、集積回路が作り込まれている半導体ペレッ
トと、半導体ペレノ1〜がi艮(Ag)ペレース1−か
らなるボンディング層によりボンディングされているタ
ブと、夕ブの周囲に配設されている複数本のリード・と
、半導体ぺl/ 71・の電極および各リードに両端部
をボンデインクされ′C電気的に接続するワイヤと、こ
れらを樹脂封止するパッケージとを備えており、樹脂]
、・J正形パノケーノが略正方形の平盤形状に形成され
ζいるとともに、リ−1のアウク部がパッケージの四辺
から突出されてハツト ウィング形状に成形されている
。 なお、このようなIcを4i<べである例としては、株
式会社T業調査会発行rlc化実装技術」昭和55年1
月IO口発行 P135〜P l 55、がある。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし、このような表面実装型プラスチック・パッケー
ジを(Illiえているl(lこおいては、ペレットを
形成しているシリコン、ソー1′フレームを形成してい
る42アロイや銅、およびパッケージを形成している樹
脂についての熱膨張係数が大きく異なるため、ICか温
度サイクル試験や熱衝撃試験等で、また、実装時におけ
るはんだデイツプやリフローはんだ]−程等で加熱され
ることにより、パッケージと、半導体ペレノI・がポン
ディングされているタブとの接着界面に剥がれが生し、
その結果、樹脂パッケージの耐湿191が低Fするとい
う問題点かあることか、本発明者によって明らかにされ
た。 本発明の目的は、樹脂封止型パッケージを備えている半
導体装置におりる耐湿性低下の発生を防止することがで
きる半導体装置の製造技術を提供するごとにある。 本発明の前記ならびにその他の「]的と新規な特徴は、
木明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。 〔問題点を解決するだめの手段〕 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである。 すなわち、半導体ペレットをタブに、ベレノ[・、リー
1−およびパッケージに対して接着性の良好な樹脂4A
料からなる樹脂ポンディング層によりポンディングさせ
たものである。 〔作用〕 前記した手段によれば、樹脂ボンデインク層が半導体ペ
レットの外周方においてタブの金属およびパッケージの
樹脂の双方に強力に接着するとともに、適度に弾性変形
するため、半導体ペレットおよびタブよ、パッケージと
の接着境界面間に剥がれが発生ずることεJない。L7
たがって、半導体装置としての耐湿性が向」ニされるご
とになる。 〔実施例〕 第1図は本発明の一実施例である樹脂封止形MS l)
・Icを示ず−・部切断jF面図、第2回〜第16図は
本発明の一実施例であるそのM S P・ICの製造方
法を示す各説明図である。 本実施例において、半導体装置としての樹脂封止形MS
P I(I+シリコン半導体ペレット(以下、ベレ
ットという。)+2と、ペレットがボンティングされて
いるタブ8と、ペレットをタブにボンディングさ一已て
いる樹脂ボンディング層11と、タブ8の周囲に配設さ
れているり一ト9と、ベレノI・]2の各電極および各
リード・9にその両端部をそれぞれボンディングされて
橋絡されているワイヤ]3と、これらを樹脂封止するパ
ッケージ14どを備えており、前記樹脂ボンディング層
11はボリイミF・イソ・インドロ キナ・プリンジオ
ン(以下、P I Qという。)を用いて形成されてい
る。このMSPICt、1次のような製造方法により製
造されている。 以下、本発明の一実施例であるこの樹脂封止形MSP−
1cの製造方法を説明する。この説明により、前記MS
P ICについての構成の詳細が明らかにされる。 本実施例において、樹脂」、4正形MSP−1cの製造
方法に(J、第2図に示されている多連リード−フレー
ム1が使用されている。この多連リードフレーム1は燐
青銅や無酸素銅等のような銅系(銅またはその合金)材
料からなる薄板を用いて、打ち抜きプレス加圧またはエ
ツチング加工等のような適当な手段により一体成形され
ており、ごの多連リードフレーム1の表面にはめっき処
理がなされていない。この多連リードフレーム1には複
数のCl’、を位す− ドフレーム2か横方向に1列に
並設されている。 単位リー[−フレーJ、2は位置決め孔3aが開設され
ている外枠3を一対備えており、両外枠3は所定の間隔
で平行一連にそれぞれ延設されている。 トAり合う単位リーI・フレーム2.2間には一対のセ
クション枠4が両外枠3.3間に互いに平行に配されて
−・体的に架設されており、これら外枠、セクション枠
により形成される略正方形の枠体内にji’i位リード
−フレーム2か構成されている。 各単位リードフレ=1.2において、外枠3およびセク
ションバー4の接続部にはりJ、吊り部材5が略直角方
向にそれぞれ配されて一体的に突設されており、ダJ、
吊り部材5には4本のダム部材6か略正方形の枠形状に
なるように配されて、一体的に吊持されている。セクシ
ョン枠4側の各ダム部材6Gこはタブ吊りリード・7が
両端に配されて、略45度方向に一体的に突設されてお
り、各タブ吊りリード’ 7の先端には略正方形の平板
形状に形成されたタブ8か、ダム部材6群の枠形状と略
同心的に配されて一体的に吊持されている。ダ1、部材
6には複数本のり一ト9が長手方向に等間隔に配されて
、互いに平行で、ダム部材6と直交するように−・体的
に突設されており、各リード9のタブ側端部は先端をタ
ブ8に近接してこれを取り囲むように配されるごとによ
り、インナ部9aをそれぞれ構成している。他方、各リ
ード9の反タブ側延長部分は、その先端が外枠3および
セクション枠4から離間して切り離され、アウク部9
+)をそれぞれ構成している。そして、ダム部材6にお
ijる隣り合うリー1ξ9.9間の部分は後】ホするパ
ッケージ成形時にレジンの流れをせき止めるダム6aを
実質的に構成している。 前記構成にかかる多連リードフレームには各中位り一ト
フレーム2毎にペレノ1〜・ポンディング作業、続いて
、ワイヤ・ボンディング作業が実施される。このホンデ
ィング作業は多連リードフレームが横方向にピンチ送り
されることにより、各単位リーI・フレーム2毎に順次
実施される。 このボンディング作業により、第3図および第4図に示
されているように、前工程においてバイポーラ形の集積
回路を作り込まれた半導体集積回路素子としてのベレッ
I・12が、各単位り一]゛フレーム2におりるタブ8
上の略中央部に配されて、ベレット、リードフレームお
よびパッケージの各材料に接着性の良好な樹脂としての
PIQを用いて、第5図および第6図に示されているよ
うな適当なペレットボンデインク装置により形成される
樹脂ポンディング層(以丁、P I Qボンディング層
ということがある。)11を介して固着される。 そして、タブ8に固定的に搭載されたベレット12の電
極パンF’ I 2 aと、各単位リードフレーム2に
おりるリード9のインナ部9aとの間には後記する銅系
材料からなる1ツイヤ]3が、第7図〜第9図に示され
ているようなワイヤボンデインク装置が使用されること
により、その両端部をそれぞれポンディングされて橋絡
される。これにより、ぺ1/ノI・12に作り込まれて
いる集積回路は、電極バノP’ ] 2 a、ワイヤ1
3、リ−1・6のインナ部62] A:ンよびアウク部
6bを介して電気的に外部に引き出されるごとになる。 ここで、ペレットボンデインク装置、続いて、ワイヤホ
ンディング作業について説明する。 第5図および第6図に示されているベレソ]・ポンディ
ング装置15はベレン1−12を各単位リードフレーム
2のタブ8上にPIQを用いてポンディングするよ・う
に構成されており、フィーダ16を備えている。フィー
ダ]6は多連リードフレーム1を長手方向について摺動
自在に保持して、単位リード−フレーム2のピンチをも
って歩進送りし得るように構成されており、後述するワ
イヤポンディング装置20におけるフィーダ21と接続
されるようになっている。フィーダ16の一端部にはロ
ーダ16Aが設備されており、ローダ16Aはラック等
に収容された多連リードフレーJ、]をフィーダ16F
に1枚宛払い出すように構成されている。フィーダ16
の他端部には乾燥装置16Bが設備されており、乾燥装
置16Bはタブ8とベレット]2とを接着したPIQボ
ンディング層11を乾燥ないしは硬化させるように構成
されている。 フィーダ16の片膝にはボンディング材料としてのPI
Qをタブ8上に供給するためのPIQ供給装置17が設
備されており、この供給装置17は注射針のような構造
を有するデイスペンサによりPIQ]、7Aをタブ8上
に所定N塗布するように構成されている。))IQ供給
装置17と別の位置にはピックアップ装置18か設備さ
れており、ピックアップ装置18はトレー12Aに収納
されているペレノ[・12を1個宛取り出してブリアラ
イメンI・ステージ18△Qこ移載するように構成され
ている。さらに、ピックアップ装置18と別の位置に6
;I真空吸着ヘノ1−のような構造を有するホンディン
グヘノl−19か設備されており、ボンディングヘノ1
]9はブリアライメンI・ステージ18△に移載された
ベレ71・12を真空吸着保持した後、ごのペレソI・
12をクシ)3に塗布されたPIQ塗布層17r3上に
移載させるように構成されている。 次に、前記構成にがかるペレソI□ボンディング’4N
によるイレン1〜ボンデイング方法を説明する。 ローダ16Aによりフィーダ16上に供給された多連リ
ードフレーム1における先頭の単位リードフレーム1が
塗布位置に送られて来ると、P +Q供給装置17によ
りタブ8上にP I Q 1.7 Aが10〜100μ
■1程度の厚さに塗布される。 他方、I・レー12Aに整列されたペレ7 t・] 2
はピックアップ′A置18によって1個宛ピックアップ
されて、ブリアライメンIステージ18△に移載されろ
。移載されたペレノ1−12はプリアライメントステー
ジ183△上におい′ζ機械的にブリアライメンI・さ
れる。プリアライメントされたベレッI・12はホンデ
ィングヘノ119により真空吸着保持される。 そして、じ1−ダ16Aによりフィーダ16上に供給さ
れた多連リード−フレーム1における先頭の中位リード
フレーム1がボンデインクステージ位置に送られて来る
と、ボンディングヘン1−19に保持されたベレノl−
12はタフ8に塗布されてなるPIQ塗布層17B上に
押接され、適度にごずり付りられる。これにより、PI
Q塗布層1.78C;1タブ8上においてペレッI・1
2の外周方に広がってペレット12を取り囲む状態にな
る。 以降、前記作動が繰り返し実施されることにより、残り
の単位リード−′フレーム2についてベレッ1〜12が
ボンディングされて行く。 このよ・うにして各単位リード、−フレーム2のタブ8
にベレy h ] 2がボンディングされた多連ソー1
フレーム1は乾燥装置16Bに順次供給されて行く。乾
燥装置16[3において、タブ8上に塗布されてペレノ
1−12が接着されているPIQ塗布層17Bは、加熱
されるごとによりPIQ中の溶剤を茎発されて乾燥され
るとともに、硬化される。 これにより、PIQポンディング層11がタブ8とペレ
ット12とを確実にボンディングするように形成される
ごとになる。 第7同に示されているワイヤボンディング装置20はペ
レンI・12の電極バノF’ l 2 aと、各単位り
一1’−フレーJ、2の各リード” 9との間に銅ワイ
ヤ13をそれぞれ橋絡さゼるごとにより、ペレット12
と各リードとを電気的に接続するように構成されている
。このワイヤボンディング装置20はフィーダ21を備
えており、フィーダ21は多連リードフレー1・1を長
手方向について摺動自在に保持して、単位リードフレー
J、2のピンチをもって歩進送りし得るように構成され
ている。フィーダ2IにはヒーI・ブロック22か単位
リードフレーム2毎に加熱し得るように設備されている
。 フィーダ21のボンディングア−ムの外部にはXY子テ
ーブル3がXY力方向移動し得るように設備されており
、XY子テーブル3−トにはボンディングヘッド24が
搭載されている。ボンディングヘッド24にはボンディ
ングアーム25が基端を回転自在に軸支されて支持され
ており、このアーム25はその先端に固設されたキャピ
ラリー26を上下動させるように、カム機構(図示せず
)により駆動されるように構成されている。また、ボン
ディングヘッド24にはボンディングアーム25を通し
ててキャピラリー26を超音波振動させる超音波発振装
置(図示−けず)が設備されてぃボンディングアーム2
5の上側には一対のクランパアーム27.28が電磁プ
ランジャ機構等のような適当な手段(図示−已ず)によ
り作動されるようQこ設イ11ηされており、両アーム
27.28の各先端はキャピラリー2Gの真上位置に配
されてクランパ29を構成している。クランパ29には
リール(図示−已ず)から繰り出される銅ワイヤ素材(
後読する。)がカイ[・30を介して挿通されでおり、
3同ワイヤ素祠i、Iさらに−1−ヤビラリー26に挿
通されている。 キャピラリー26の近傍にLJ放電電極31が独立して
設備されており、この放電電極31 iJその1端部が
回転自在に軸支されるごとにより、その先端部がキャピ
ラリー26のド方位置、すなわち、銅ワイヤ素材の先端
の真下位置と、キャピラリー2(3の側方位置(退避位
置)との間を移動される(1うに構成されている。また
、この電極31と前記クランパ29との間にLeF電源
回路32が接続されており、電極31と銅ワイヤ素材の
間で放電ア−クを生成させるようになっている。 このワイヤボンディング装置20は第8閃に示されてい
るように、銅ワイヤ素材の先端で生成されるボールの周
囲にガスを供給するごとにより、ガス雰囲気を形成する
ためのチューブ33を備えており〜このガス供給手段と
してのチューブ33は放電電極3]にチ、−J−−ブ開
口部をキャピラリー26の下方位置に向りて取り付げら
れている。チューブ33には還元作用のあるガス35、
例えば、窒素ガスと水素ガスとの混合ガス等を供給する
だめのガスo(給tA34が接続されており、チj〜−
ブ33の内部にはガス加熱手段としてのヒータ36が絶
縁テープを挟設されて挿入されている。このヒータ36
はガス供給源34から供給されたガス35をチューブ3
3とヒータ36との隙間を通過する際に加熱することに
より、所定の温度に制御し得るように構成されている。 一方、フィーダ21の底部には、多連リードフレームの
酸化を防止するだめの還元性ガス(以下、リードフレー
ム酸化防止用ガスという。)40を供給する手段として
の還元性ガス供給装置41が設備されており、この供給
装置41は吹出口42を備えている。吹出口42は多連
り−l、フレーム1の周囲にリードフレーム酸化防止用
ガス40を緩やかに吹き出し得るように、フィーダ21
の上面に複数個開設されており、この吹出口42群には
ガス供給路43か接続されている。ガス供給路43はガ
ス供給ユニット44に接続されており、ガス供給ユニン
I・44は還元性ガス、例えば、窒素および水素から成
る混合ガスを、予め設定された流量をもって供給し得る
ように構成されている。 そして、フィーダ21」−にばカバー45がフィーダ2
1を送られる多連り一1〜フレーム1を略全体にわたっ
て被覆するように設備されており、このカバー45は多
連ソー1−フレーム】の周囲に1lli給された酸化防
止用ガス40を多連リードフレーム1の周囲に可及的に
停滞させろようになっている。カバー45には窓孔46
がギヤピラリ−26の真「におりるボンディングステー
ジとなる位置に配されて、ワイヤホンディングを実施し
得る犬きさの略正方形形状に開設されている。この窓孔
46には略正方形枠形状に形成されたリードフレーム押
さえ具47が昇降自在に嵌合されており、この押さえ具
47はカム機構等のような適当な駆動装置(図示せず)
によりフィーダ21の間欠送り作動に連携して上下動す
るように構成されている。すなわち、この押さえ具47
はワイヤボンディングが実施される時に単位リードフレ
ーム2を」二から1甲さえることにより、リ−1”フレ
ームの遊動を防止するように構成されている。 次に、前記構成にかかるワイヤホンディング装置による
ワイヤボンディング方法を説明する。 ここで、木実施例においては、ベレントの電極パッドと
リードとを電気的に接続する銅ワイヤを構成するための
素4Aとして、銅の純度(99,999%以上)が高い
銅ワイヤ素材38が使用される。銅ワイヤ素材38は断
面略真円形の細線形状に引き抜き成形され、その太さは
キャピラリー26の挿通孔26aの内径よりも若干細め
で、橋絡された後の銅ワイヤ13におけるループの剛性
、お、にび電気抵抗が充分に確保される値に設定されて
いる。この銅ワイヤ素(438は第7図に示されている
ように、ガイド30およびクランパ29を介してキャピ
ラリー26の挿通孔26aに予め挿通される。 ペレノ1〜12がホンデイ〕/グされている44位リー
ドフレーム2がフィーダ2]におりノるホンデインダス
テージに供給されると、窓孔46内においてリード−フ
レーム押さえ只47が下降されて単位リーl−717−
ム2を押さえつける。続いて、XY子テーブル3が適宜
移動される。 一方、キャピラリー26においては、放電電極31が銅
ワイヤ素+J38の下端に接近されるとともに、電源回
路32が閉じられることにより、銅ワイヤ素材38の先
端にボール3つが溶融形成される。このとき、チューブ
33から還元性ガス35が供給され、銅ワイヤ素材38
と電極31との間が還元性ガス雰囲気に保持される。こ
の還元性ガス35はチブ、−ブ33の内部の途中6.二
介設されているし−タ36により所定温度になるように
加熱制御されるため、ガス雰囲気は所定の温度範囲内心
ごなり、銅ワイヤ素+′A3Bの先端に形成されるボー
ル39の温度の′:@、aな低下が防止される。その結
果、還元性ガス35か溶融したボール3つに吹き(スJ
げられても、ボール3つの硬度が高くなること番コない
。 続いて、キャピラリー26がボンディングアーム25を
介してボンディングヘノl−24により下降され、銅ワ
イヤ素材38の先端部に形成されたボール39が、ペレ
ノ1−12におりる掬数個の電極パンl” 12 aの
うち、最初にボンディングする電極バッド(以下、特記
しない限り、単に、パン)・という。)に押着される。 このとき、キャピラリー26に超音波振動がイ」勢され
るとともに、ベレット12がヒーl−ブロンク22によ
って加熱されているため、ボール39はベレッ1〜12
のバフ1月2 a−J:に超音波熱圧着される。そして
、ボール39はガス雰囲気を所定の温度範囲に保たれる
ことにより、硬くなることを抑制されているため、良好
なボンダビリティ−をもってボンディングされるごとに
なる。 ところで、銅ワイヤ素材が使用されている場合、銅は酸
化され易く、かつ比較的硬いため、第1ボンデイングに
おりるボンダビリティ−が低下する。 すなわち、熔融中に銅ワイヤ素材の表面に酸化膜が形成
されると、溶融が不均一になり、ボールの形状が不適正
になる。また、ボールの表面に酸化膜が形成されると、
電極バンドとの金属結合性が低下する。そこで、ボール
生成時に還元性ガスを供給することにより、ボールの酸
化を防止することが考えられる。 とごろが、ボール4F成時に還元性ガスが吹き付けられ
ると、ボールが象、冷ノu+されて硬(なる。そして、
ボールが硬いと、熱圧着時における形状が悪くなるばか
りでなく、接着性が低下するという問題点があることが
、本発明者によって明らかにされた。 しかし、本実施例QこおいてGj、ボール生成時にガス
雰囲気が所定温度範囲になるよ・うに加熱制御された還
元性ガス35かボール39の周囲にイ](給されるため
、銅ワイヤ素材3日が使用される場合であっても、良好
なボンダビリティ−が実現される。 すなわち、銅ワイヤ素材38のボール39は還元性ガス
35の雰囲気中で生成されるため、溶融中、その銅表面
に酸化膜が形成されることばない。 その結果、銅ワイヤ素材38の先端は内部および表面全
体が溶融されるため、均一な表面張力が発生して真球度
の高いボール39が形成されるごとになる。 また、還元性ガスだりであると、溶融されたボール39
が雰囲気によって急冷却されて硬くなる傾向を示すが、
還元性ガス雰囲気は、ガス供給源34から供給されるガ
スをヒータ36で加熱制御されることによって所定温度
範囲内に維持されているため、ボール39ば還元性ガス
35によって加熱されて適度な硬度を維持することにな
る。このとき、還元性ガスは高温であると、還元作用か
高められるため、前記酸化膜形成防止効果は一層高めら
れることになる。 ごのよ・うにして、ポール39は酸化膜を形成されずに
真球度が高く、かつ、適度な硬度を維持しているため、
銅ワイヤ素材3Bであっても良好なポンタヒリティーヲ
モつ−でベレノI・2のパンI・」二〇、二ホンディン
クされることになる。 ここで、銅
【ツイヤ素+Aを用いて第1ポンチインク部
を形成する場合において、良好なボンダビリケイ−が得
られる温度範囲は、キャピラリード方のボール周囲の温
度で、100°C〜200°Cであることを、本発明者
らは実験的により明らかにした。ずなわぢ、純度99.
999%の銅ワイヤ素材を使用して放電電極Gこよりポ
ールを溶融形成させた場合、加熱の効果に1次のように
なる。ガス雰囲気のh見度] 00 ’C以上でポール
の硬度は低下され始める。温度200°〔:まではh1
λ度上1するにつれてボール硬度は低ドされる。温度2
00°Cになると、ホール硬度の低下心Xl略飽和状態
となる。そして、ガス雰囲気の温度が200“Cを越え
る場合、高温度になったガスによってキャピラリー先端
およびワイヤが過剰に加熱されることになるため、ボン
デインクを繰り返すことによるキャピラリー内部、キャ
ピラリー先端部の表面のlηれが増加する。したかって
、還元性ガスが200“Cを越えて加熱されることば望
ましくない。 そこで、銅ワイヤ素材を用いてネイルヘンlポンチイン
クする場合、ボール周囲におりる還元性ガス雰囲気の温
度が100°C〜200°Cの範囲内になるように、還
元性ガスをヒータによって加熱制御するごとにより、良
好なボンダビリティ−を得ることができる。 第1ボンディング部が形成された後、キャピラリー26
がxY子テーブル3およびボンディングヘンF’ 24
により、後述するような軌道をもって3次元的に相対移
動され、複数本のIJ −1=’ 9のうち、最初に第
2ポンチインクずべきリード(以+、特記しない限り、
単にリードとする。)の先端部に銅ワイヤ素材38の中
間部が押着される。このとき、キャピラリー26に超音
波振動が付勢されるとともに、リードがヒートブロック
22により加熱されているため、銅ワイヤ素+A38の
押着部はリード−トに超音波熱圧着され、もって、第2
ボンディング部が形成される。 そして、前記ボンディング作業中、フィーダ2】の土面
に開設された吹出口42からリードフレーム酸化防止用
還元性ガス40か常時吹き出されているため、多連り一
1フレー1.1は還元性ガス雰囲気内に浸漬されている
。このとき、還元性ガス雰囲気はフィーダ21−1−に
敷設されたカバー45によって被覆されているため、こ
の還元性ガス408;l多連リードフレーム]およびベ
レ71・12を効果的に包囲するごとになる。したがっ
て、ツー1フレーム等の酸化&J確実に防止されている
。 ところで、多連リードフレーム]として銅系のリードフ
レームが使用されている場合、銅は酸化され易く、酸化
膜がボンティング面に厚く形成されるため、第2ホンデ
イングにおりるボンダビリティ−が低−「する。ずなわ
ち 酸化膜が形成されると、ワイヤとの金属結合性か低
下するため、ボンダビリケイーが低下ずろ。 しかし、本実施例においいては、フィーダ21−1−が
カバー45により被覆されているとともに、そのカバー
内に供給された還元性ガス雰囲気により、多連リードフ
レーム1が包囲されているため、酸化され易い銅系リー
ドフレームが使用されていても、その表面に酸化膜が形
成されることはなく、その結果、銅ワイヤ素材38は良
好なボンダビリティ−をもってリード9+にボンティン
グされることになる。 ここで、多連リードフレー1.1は銅系材料を用いて製
作されているため、銅ワイヤ素材38との接合性がきわ
めて良好である。 第2ホンディング部が形成されると、クランパ29によ
り銅ワイヤ素材38か把持され、クランパ29がキャピ
ラリー26と共に第2ボンディング部から相対的に離反
移動される。ごの離反移動により、銅ワイー)・素材3
8は第2ボンディング部から引き千切られる。これによ
り、ペレット]2の電極パ・ノ1−とリードとの間には
銅ワイヤ13が橋絡されることになる。 その後、第2ホンディング作業を終えた銅ワイヤ素材3
8に対するクランパ29の把持が解除されるとともに、
キャピラリー2Gが若干上昇されることにより、銅ワイ
ヤ累月38の先端部がボール39の成形に必要な長さだ
け相対的に突き出される(所謂、テール出し動作である
。)。 以降、前記作動が繰り返し実施されるごとにより、残り
の電極バットと各ソートとのlj、+1に銅ワイヤ13
が順次橋絡されて行く。 その後、一つの単位リーI・フレー1.2についてのワ
イヤボンティング作業か終了すると、押さえ具47が」
−昇され、次の単位リードフレーム2がホンティングス
テージの所へ位置するように多連リードフレーl、1が
1ピ、チ送られる。以後、各単位リードフレーム2につ
いて前記ワイヤホンディング作業が順次実施されて行く
。 ところで、本実施例においては、ボンディング工具とし
て、指向性のないキャピラリー2Gが使用されているた
め、各銅ワイヤ13の架橋方向が交差する場合であって
も、リードフレームとJζンディングアームとを相対的
に回動させずに済む。 したがって、ワイヤボンディング装置の構造を簡単化さ
セーることができる。 このようにしてペレノトオよびワイヤ・ホンディングさ
れた多連リードフレームには、各単位リードフレーム毎
に樹脂封止するパッケージ群が、第10図に示されてい
るようなl・ランスファ成形装置を使用されて中位リー
ドフレーム群について同時成形される。 第10図に示されているトランスファ成形装置50はシ
リンダ装置等(図示せず)によって互いに型締めされる
一対の上型51と下型52とを備えており、上型5Iと
下型52との合わせ面には」二型キャビティー四部53
aと下型キャビティー四部53bとが互いに協働してキ
ャビティー53を形成するように複数組没設されている
。上型51の合わせ面にはボンド54が開設されており
、ボンド54にはシリンダ装置(図示せず)により進退
されるプランジャ55が成形拐料としての樹脂(以下、
レジンという。)を送給し得るように挿入されている。 下型52の合わせ面にはカル56がボット54との対向
位置に配されて没設されているとともに、複数条のラン
ナ57がボット54にそれぞれ接続するように放射状に
配されて没設されている。各ランナ57の他端部は下側
キャビティー四部53bにそれぞれ接続されており、そ
の接続部にはゲート58がレジンをキャビティー53内
に注入し得るように形成されている。また、下型52の
合わせ面には逃げ凹所59がリード−フレームの厚めを
逃の得るように、多連リードフレーム1の外形よりも若
干大きめの長方形で、その厚さと略等しい=を法の一定
深さに没設されている。 前記構成にかかる多連リードフレーム1を用いて樹脂封
止形パッケージをトランスファ成形する場合、上型51
および下型52における各キャビティー53は各単位り
一トフレーム2における一対のダム6a、68間の空間
にそれぞれ対応される。 l・ランスファ成形時において、前記構成にかかる多連
り−I−フレーム1は下型52に没設されている逃げ凹
所59内に、各単位リードフレーム2におけるベレット
]2が各キャビティー53内にそれぞれ収容されるよう
に配されてセントされる。 続いて、上型51と一ド型52とが型締めされ、ボンド
54からプランジャ55によりレジン60がランナ57
およびゲーl−58を通して各キャビティー53に送給
されて圧入される。 注入後、レジンが熱硬化されて樹脂封止形パッケージ1
4が成形されると、上型51および下型52は型開きさ
れるとともに、エソエクタ・ピン(図示せず)によりパ
ッケージ14群が離型される。このようにして、第11
図に示されているように、パッケージ14群を成形され
た多連り一1フレーム1はトランスファ成形装置50が
ら脱装される。 そして、このように樹脂成形されたパッケージ14の内
部には、タブ8、ペレッ1〜12、リ−1・9のインナ
部9aおよびワイヤ13と共に、タブトヘレンI・12
との間に形成されたPIQボンディング層11も樹脂封
止されろことになる。このi)l Qポンディング層1
1はレソンとの接着性がきわめて良好であるため、パッ
ケージY4ときわめて効果的に一体化される。 また、後jホするように、めつきレスの1同系り−Iフ
レームはパッケージのレシンに対してきわめて良好な接
着性を示すため、各リード9のインナ部9 a iJパ
、ケージ14ときわめて効果的に一体化される。 第12図に示されているように、番Jんだめつき処理装
置6 ] LJはんだめっき液62を貯留するためのυ
1んだ槽6.′3と〜め−、き電tA64とを備えてお
り、被めっき物としての多連リード−フレーム1はめっ
き液62中に浸漬された状態で、電源64によりめっき
液62との間に通電されることにより、金属露出面全体
にわたって電解めっき被l模65を形成される。このと
き、各単位リードフレーム2におiJるリード−9のア
ウタ部9bは端末において開放しているため、めっき被
膜65が先端面にも完全に被着されるごとになる。 めっき被11りを被着された多連リード−フレーム1は
、第13図に示されているようにり−I・切断成形工程
において各単位り一トフ1/−ム毎に順次、第14図に
示されているリード切断装置により、外枠3およびダム
6aを切り落された後、第15図に示されているリード
成形装置により、リード9のアウタ部9bを下向きに屈
曲成形される。 この工程で使用されるリード、′切断成形装置70は第
13図に示されているようにフィーダ71を(fifl
えており、フィーダ71は間欠送り装置(図示せず)に
より、被処理物としての多連リードフレーム1を単位リ
ードフレーム2に対応するピンチをもって一方向に歩進
送りするように構成されている。フィーダ71の一端部
(以下、前端部とする。)にはlコーダ72が設備され
ており、ローダ72ばランク等に収容された多連リード
フレー18】をフィーダ71七に1枚宛払い出すように
構成されている。フィーダ7】の中間部にはリード切断
装置73か設備されており、この装置は第14図に示さ
れているように構成されている。フィーダ7]におりる
リード切断装置73のノ4脇には、第15図に示されて
いるように構成されているリード−成形装置74がツー
1−切断装置73と並ぶように配されて設備されており
、両装置73と74との間にはハントラフ5が、リード
切断装置73において多連り一トフレーム]の外枠から
切り離された中間製品とし゛このMSP・IC部77を
保持してり一1成形装置74に移載し得るように設(m
されている。フィーダ71の後端部にはアンローダ76
か設(Qされており、このアンローダ76はリード切断
装置73においてM S P・IC部77を切り抜かれ
た多連リードフレーム1の残渣部品としての外枠部78
をフィーダ71から順次下してi〕l出するように構成
されている。 第14図に示されているリード切1析装置73は上側数
イ\]仮BOおよび下イ11す取(=j板90を備えて
おり、上側数イ」板80はシリンタ装置(図示せず)に
よって」二下動されるごとにより、機台トに固設されて
いる下側数イ」板90に対して接近、離反するように構
成されている。両数イくJ板80および90に+aボル
タ81および91がそれぞれ固定的に取り(N1りられ
′Cおり、両ホルダB1および9Xには上側押さえ型8
2および下側押さえ型92(以下、」二型82および下
型92ということがある。 )が互いに心合わせされてそれぞれ保持されている。上
型82および下型92は互いにもなか合わせになる略チ
ャンネル型鋼形状にそれぞれ形成されており、上型82
と下型92とは左右の押さえ部B3と93とによってリ
ー1:9の根元部を上下から押さえるように構成されて
いる。また、上型82は後記する外枠押さえと同様に、
ガイド88およびスプリング89により独立懸架される
ように構成されている。 上側ボルダ81には略くし歯形状(図示−Uず)に形成
されたバンチ84が一対、上型82の左右両脇において
リード9群のピンチに対応するように配されて、垂直下
向きに固設されており、パンチ84には剪断刃86かく
し歯におけるエツジに配されて、後記する剪断タイとl
14働して外枠3およびダム6aを切り落とすように構
成されている。 上側ホルダ81にGJ外枠押さえ87がカイ1、)38
に摺動自在に嵌合されて李下動自在に支持されており、
外枠押さえ87番」スプリング89により常時下方に(
=J勢された状1ルで独立)懸架されるように構成され
ている。このスプリング89により、外枠押さえ87番
コリーl゛フレームの外枠3を後記する剪断グイ上面と
の間で挟圧して押さえるようになっている。 他方、下型92には一対の剪断ダイ96が押さえ部93
の左右両脇に配されて、リ−1・形状の千面に沿う形状
に形成されており、剪断ダイ9Gは前記バンチ84の剪
断刃86と協働して外枠3およびダム6aを切り落とす
ように形成されている。 第15図に示されているリード−成形製;σ74は+側
堰イ・j板100および下側取イ」板110を備えてお
り、下側取付板100はシリンダ装置(図示−已ず)に
よって上下動されるごとにより、機台上に固設されてい
る下側取付板1」0に対して接近、n1反するように構
成されている。両地(’J板100および]、I Oに
+Jボルダ101および111がそれぞれ固定的に取り
イマ」りられており、両ホルダ10]および11]には
上側押さえ型102および下側押さえ型112(以下、
上型]、 02および上型112というごとがある。)
が互いに心合わ一ロされてそれぞれ保持されている。上
型]、 02および下型142は互いにもなか合わせに
なる略チャンネル型鋼形状にそれぞれ形成されており、
上型102と下型112とは左右の押さえ部103と1
13とによってリード・9の根元部を上下から押さえる
ように構成されている。また、上型102はガイド1.
08およびスプリング109により独立懸架されるよう
に構成されている。 上側ホルダ101には成形バンチ104が−・対、I−
型102の左右両脇においてリード−9群のピンチに対
応するように配されて、垂直下向きに固設されており、
このバンチ104は後記する成形ダイと1イア、 IU
+ してリード9を略垂直下向きに屈曲成形し得るよう
に構成されている。バンチ104のアウタリ−19に摺
接する内イリリ肩部には弯曲面形状部]05か適当な曲
率をもって形成されている。 他方、下型112には一対の成形ダイ114が押さえ部
]]3の左右両脇に配されて、成形後におりるリードア
ウタ部9bの下面に沿う形状に形成されている。 次に作用を説明する。 前述したように、はんだめっき処理された多連リードフ
レームill複数枚宛、ランク等に収容されてり一1切
断成形装置70のローダ72に供給される。Iコーダ7
2に送給された多連り−ISフレーム1はローダ72に
よりランク等から1枚宛、フィーダ71上に順次払い出
されて行く。フィーダ71に払い出された多連リード−
フレーム]はフィーダ71により単位り一トフレーム2
.2間の間隔をもって]ピッチ宛歩進送りされる。 そして、フィーダ7]上を歩進送りされる多連ジ−1フ
レーム1は単位り一1フレーム2をり−ト切断装置73
に順次供給されて行く。 ここで、ソー1−切11i N置についての作用を説明
する。 第14図に示されているように、多連リードフレーJ、
]についての歩進送りにより下型92に単位リードフレ
ーム2が四部にパッケージ14を落とし込むようにして
センI〜される。これにより、リード9の根木部か下型
92の押さえ部93に当接する。 次ぎに、シリンダ装置により上側取イ]板80が下降さ
れ、上型82および外枠押さえ87が下型92にスプリ
ング89の(=J勢力により合わせられる。これにより
、上型82の押さえ部83と下型92の押さえ部93と
の間でリード9の根木部が挟圧されて固定される。また
、外枠押さえ87と剪断ダイ9G上面との間で外枠3が
挟圧されて固定される。 その後、上側取(NJ板80がさらにF降されて行くと
、バンチ84が下降されて行く。ごのとき、上型82お
よび外枠押さえ87はスプリング89が圧縮変形される
ため、下型92および剪断ダイ96に押圧される。バン
チB4の下降に伴って、バンチ84の剪断刃86と剪断
ダイ96との協働による剪断により外枠3およびダム6
aがリード9群から切り落とされる。 パンチ84が所定のスl−o−りを終了すると、パンチ
ε(4は上側取(=J板80により」二昇され、元の1
=lIn状態まで戻されろ。 ツー1−切断装置73において、切断が終了し、上側取
イ」仮f30かト昇すると、多連リード−フレーム1の
外枠3から切り離された中間製品であるMSP・IC部
77は、下型92上からリード成形装置74におりる下
型]12」二へハンドラ75により移載される。 MSP−IC部80がリード成形装置74に移載される
と、フィーダ71により多連り一トフレーム1が単位リ
ーIフレーム2の1ピンチ分だけ歩進送りされ、次段の
単位り一トフレーム2について1iiJ詑した切断作業
が実施される。以降、各単位リードフレーム2について
切断作業が繰り返されて行く。 そして、全ての単位り−I・フレーl、2についての切
断作業が終了した多連リード−フレーム1の残渣として
の外枠部78に1、アント1−ダ76においてフィーダ
7」上から−Fろされ所定の場合に回収される。 一方、リード成形装置74に供給されたMSP・Ic部
77はごの装置によりリード−成形作業を実施される。 ここで、リード成形装置74についての作用を説明する
。 第15図に示されているように、下型112にMSP
IC部77が凹部にパッケージ14を落とし込むよう
にしてセットされる。これにより、リード9の根木部が
下型1.1.2の押さえ部1.13に当接する。 次ぎに、ソリンダ装置により上側取(=JlN 100
が下降され、−に型102が下型1]2にスプリング1
09のイ」勢力により合わ一υ−られる。これにより、
上型102の押さえ部+03と上型112の押さえ部1
13との間で被屈曲部としてのり−ト6の根木部が挟圧
されて固定される。 その後、に例数付板1.00がさらに下降されて行くと
、パンチ104が下降されて行く。このとき、上型10
2はスプリング109が圧縮変形されるため、下型72
に押圧される。 さらに、パンチ104が成形ダイ114に対して下降さ
れると、リーF 9はパンチ1.04の下降に伴って成
形ダイ114に押しつけられることにより、ごの成形ダ
イ114に倣うように屈曲されて所望の形状に成形され
る。 パンチ104が所定のストロークを終了すると、パンチ
104は上昇され、元の待機状態まで戻される。その後
、成形済のIcは下型112から取り外され、次工程に
送給されて行く。 以」二のようにして製造された樹脂封止形M S l)
・l C]、 20は第17図および第18図に示され
ているようにプリント配線基板に実装される。 第17図および第18図において、プリン1−配線基板
12[にはラント122が複数個、実装対象物となる樹
脂封止形MSP−IC120における各リード9に対応
するように配されて、はんだ材料を用いて略長方形の薄
板形状に形成されており、ごのランド122群にこのl
c]、20のり−ト’ 91!Yがそれぞれ整合されて
当接されているとともに、各リード9とラント122と
がリフローはんだ処理により形成されたはんだ盛り層1
23によって電気的かつ機械的に接続されている。 そして、各り一1’ 9がラント122にリフローはん
だ処理される際、リード9の下端部にめっき被膜65が
完全な状態で被着されているため、リ−F 9ははんだ
盛り層123によって確実に接続されることになる。し
たがって、この樹脂封止形DIP・IC120について
のはんだ付は作業の自動化を促進させることができる。 ところで、前記構成にかかるMSP・ICは出荷前に抜
き取り検査を実施される。抜き取り検査としては温度ザ
イクル試験や熱衝撃試験を含む環境試験が実施される。 前述したように、このMSP・ICがプリンI・配線基
板等に実装される際、はんだデイツプやりフローはんだ
処理によっても、このMSP・ICは加熱される。 このような環境試験または実装置I8Qこ熱ス1−レス
が樹脂封止パッケージを備えたIcに加えられた場合、
パッケージとり−I−フレームとの熱膨張係数差により
パッケージ]4とタブ8との境界面に剥がれが発生し、
耐湿性が低下するという問題点かあることが、本発明者
によって明らかにされた。 しかし、本実施例においては、タブ8上におりろぺI/
ノI・]2の外周方表面にPIQボンディングl?Vj
11が形成されるごとにより、タブ8の表面とパッケー
ジl/Iとの境界面にPIQボンディング層11が障壁
樹脂層として介在されているため、タブ8とパッケージ
14との境界面間乙こ剥がれか発41:することはなく
、したがって、当該剥かれに伴う耐湿性の低ドし;i未
然に回避されるごとになる。 ずなわら、PIQポンディング層]1はタブ9およびパ
ッケージ14のいずれの+A料にも良好な接着性を示す
ため、タフ8およびパッケージ14の双方に強力に接着
した状態となっている。タブ8とパッケージ]4の材f
」についての熱膨張係数差によりタブ8とパッケージ1
4との間に機械なずれが相対的に発生したとしても、P
IQポンディング層11はきわめて柔軟性に富むため、
タブ8とバノゲー7」4とに対する接着状態を強力に維
持しつつ、そのずれを柔軟に変形することにより、吸収
することになる。 ところで、リーI−フ1ノームに銅系材料が使用される
場合、銅系リードフレーJ、の表面に酸化防止、並びに
ボンタビリティーを高めるため根めっき処理が施される
ことがある。 ところか、恨めつき被膜が被着された銅系り−ドフレー
ムが使用されているIcにおいては、前述したような熱
スI・レスか加えられた場合、パッケージとり一1フレ
ートとの熱膨張係数差によりパッケージとリードとの境
界面に剥がれが発生し、耐湿性が低下するという問題点
があることが、本発明者によって明らかにされた。これ
は次のような理由によると考えられる。銀めっき被膜は
微粉子の集合から形成されているため、この微粒子とパ
ッケージのレノンとの間で熱ス)−レスの作用により相
対的な移動が発生し易くなり、この移動し易さにより、
リ−1とパッケージとの境界面においてMllがれが発
生ずる。 しかし、本実施例においては、多連り−I−フレ−J、
1として銅系ソー1−フレームが使用されているが、そ
の表面にめっき処理が施されていないため、前述したよ
うな熱ストレスが加わった場合でも、各リード・9のイ
ンナ部9aとパッケージ14との境界面間に剥がれが発
生しないことが実験により石育言忍された。 これは次のような理由によると考えられる。すなわち、
めっきレスのリードフレームにおいては、ソー1−フレ
ームの材料表面自体とパッケージのレジン自体とが直接
的に結合するため、熱ストレスが作用した場合でも、両
者の境界面である結合箇所では相対的な移動が発生しに
くくなり、リードフレーム内部およびパッケージ内部で
それぞれ発生する歪によりp!1ストレスが吸収されて
しまうためである。 前記実施例によれば次の効果が得られる。 (1) ベレットをタフにPIQボンティング層を介
して接合することにより、リードフレームとパッケージ
との熱膨張係数差による変位をPI’Qボンデインク層
の変形により吸収することができるため、タブとパッケ
ージとの間の剥がれを防止することができ、その剥がれ
による耐湿性低下を未然に防止することができる。 (2JPIQをタブに塗布した後、PIQ塗布層上にペ
レッI・をリード′のインナ部表面にP I Q層を予
め形成ボンディングする際、ペレノI・の外周方にPI
Qボンディング層を拡太さゼでおき、その後、PIQ層
を含めて樹脂封止パッケージを成形することにより、ペ
レンI・外周方におりるタブとパッケージとの境界面に
障壁樹脂層を簡単に介設することができるため、生産性
の低下を抑制することができる。 (3) リードフレームとしてめっきレスの銅系り−
ドフレームを使用するごとにより、各リードとパッケー
ジとの境界面におiJる剥がれの発生を防止することが
できるため、その剥がれによる耐湿性の低下を防止する
ことができる。 (4)銅系リードフレーJ、および銅系ボンディングワ
イヤを使用することにより、iツイヤとリードとの接続
部である第2ボンディング部についての接合強度やポン
ダヒリティーを高めることができ、製品の品質および信
頼性を高めることができるとともに、コスI・を低減さ
せることができる。 以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したか、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であるごとυJいうまてもない。 例えば、ペレットをタフにボンディングする樹脂ボンデ
ィング層は、PIQを用いて形成するに限らず、他のボ
リイミ1系樹脂等を用いて形成してもよく、要は、ペレ
ノ)・、タブおよびパッケージのいずれの材料に対して
も接着性が良く、適度の柔軟性ないしし1弾性を有する
樹脂であればよい。 I・ランスファ成形装置、はんだめっき処理装置および
リード切断成形装置の具体的構成は前記実施例の4’1
11成を使用するに限られない。 また、リーI−にはんだ被膜を被着さ−Uる処理εJ、
IJ−1切断成形処理後、はんだデイツプ処理により実
施されるようにしてもよい。 以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である樹脂1:′J止正形
SI)・Icに適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく、樹脂封止形パッケージを備
えているIC等のような半導体装置全般に適用すること
ができる。 〔発明の効果〕 本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。 ベレンl−をタブに樹脂ホンディング層を用いて接合す
ることにより、リードフレームとパッケージとの熱膨張
係数差による変位を樹脂ボンディング層の変形により吸
収することができるため、タブとパッケージとの間の剥
がれを防止することができ、その剥がれによる耐湿性低
下を未然に防止することができる。
を形成する場合において、良好なボンダビリケイ−が得
られる温度範囲は、キャピラリード方のボール周囲の温
度で、100°C〜200°Cであることを、本発明者
らは実験的により明らかにした。ずなわぢ、純度99.
999%の銅ワイヤ素材を使用して放電電極Gこよりポ
ールを溶融形成させた場合、加熱の効果に1次のように
なる。ガス雰囲気のh見度] 00 ’C以上でポール
の硬度は低下され始める。温度200°〔:まではh1
λ度上1するにつれてボール硬度は低ドされる。温度2
00°Cになると、ホール硬度の低下心Xl略飽和状態
となる。そして、ガス雰囲気の温度が200“Cを越え
る場合、高温度になったガスによってキャピラリー先端
およびワイヤが過剰に加熱されることになるため、ボン
デインクを繰り返すことによるキャピラリー内部、キャ
ピラリー先端部の表面のlηれが増加する。したかって
、還元性ガスが200“Cを越えて加熱されることば望
ましくない。 そこで、銅ワイヤ素材を用いてネイルヘンlポンチイン
クする場合、ボール周囲におりる還元性ガス雰囲気の温
度が100°C〜200°Cの範囲内になるように、還
元性ガスをヒータによって加熱制御するごとにより、良
好なボンダビリティ−を得ることができる。 第1ボンディング部が形成された後、キャピラリー26
がxY子テーブル3およびボンディングヘンF’ 24
により、後述するような軌道をもって3次元的に相対移
動され、複数本のIJ −1=’ 9のうち、最初に第
2ポンチインクずべきリード(以+、特記しない限り、
単にリードとする。)の先端部に銅ワイヤ素材38の中
間部が押着される。このとき、キャピラリー26に超音
波振動が付勢されるとともに、リードがヒートブロック
22により加熱されているため、銅ワイヤ素+A38の
押着部はリード−トに超音波熱圧着され、もって、第2
ボンディング部が形成される。 そして、前記ボンディング作業中、フィーダ2】の土面
に開設された吹出口42からリードフレーム酸化防止用
還元性ガス40か常時吹き出されているため、多連り一
1フレー1.1は還元性ガス雰囲気内に浸漬されている
。このとき、還元性ガス雰囲気はフィーダ21−1−に
敷設されたカバー45によって被覆されているため、こ
の還元性ガス408;l多連リードフレーム]およびベ
レ71・12を効果的に包囲するごとになる。したがっ
て、ツー1フレーム等の酸化&J確実に防止されている
。 ところで、多連リードフレーム]として銅系のリードフ
レームが使用されている場合、銅は酸化され易く、酸化
膜がボンティング面に厚く形成されるため、第2ホンデ
イングにおりるボンダビリティ−が低−「する。ずなわ
ち 酸化膜が形成されると、ワイヤとの金属結合性か低
下するため、ボンダビリケイーが低下ずろ。 しかし、本実施例においいては、フィーダ21−1−が
カバー45により被覆されているとともに、そのカバー
内に供給された還元性ガス雰囲気により、多連リードフ
レーム1が包囲されているため、酸化され易い銅系リー
ドフレームが使用されていても、その表面に酸化膜が形
成されることはなく、その結果、銅ワイヤ素材38は良
好なボンダビリティ−をもってリード9+にボンティン
グされることになる。 ここで、多連リードフレー1.1は銅系材料を用いて製
作されているため、銅ワイヤ素材38との接合性がきわ
めて良好である。 第2ホンディング部が形成されると、クランパ29によ
り銅ワイヤ素材38か把持され、クランパ29がキャピ
ラリー26と共に第2ボンディング部から相対的に離反
移動される。ごの離反移動により、銅ワイー)・素材3
8は第2ボンディング部から引き千切られる。これによ
り、ペレット]2の電極パ・ノ1−とリードとの間には
銅ワイヤ13が橋絡されることになる。 その後、第2ホンディング作業を終えた銅ワイヤ素材3
8に対するクランパ29の把持が解除されるとともに、
キャピラリー2Gが若干上昇されることにより、銅ワイ
ヤ累月38の先端部がボール39の成形に必要な長さだ
け相対的に突き出される(所謂、テール出し動作である
。)。 以降、前記作動が繰り返し実施されるごとにより、残り
の電極バットと各ソートとのlj、+1に銅ワイヤ13
が順次橋絡されて行く。 その後、一つの単位リーI・フレー1.2についてのワ
イヤボンティング作業か終了すると、押さえ具47が」
−昇され、次の単位リードフレーム2がホンティングス
テージの所へ位置するように多連リードフレーl、1が
1ピ、チ送られる。以後、各単位リードフレーム2につ
いて前記ワイヤホンディング作業が順次実施されて行く
。 ところで、本実施例においては、ボンディング工具とし
て、指向性のないキャピラリー2Gが使用されているた
め、各銅ワイヤ13の架橋方向が交差する場合であって
も、リードフレームとJζンディングアームとを相対的
に回動させずに済む。 したがって、ワイヤボンディング装置の構造を簡単化さ
セーることができる。 このようにしてペレノトオよびワイヤ・ホンディングさ
れた多連リードフレームには、各単位リードフレーム毎
に樹脂封止するパッケージ群が、第10図に示されてい
るようなl・ランスファ成形装置を使用されて中位リー
ドフレーム群について同時成形される。 第10図に示されているトランスファ成形装置50はシ
リンダ装置等(図示せず)によって互いに型締めされる
一対の上型51と下型52とを備えており、上型5Iと
下型52との合わせ面には」二型キャビティー四部53
aと下型キャビティー四部53bとが互いに協働してキ
ャビティー53を形成するように複数組没設されている
。上型51の合わせ面にはボンド54が開設されており
、ボンド54にはシリンダ装置(図示せず)により進退
されるプランジャ55が成形拐料としての樹脂(以下、
レジンという。)を送給し得るように挿入されている。 下型52の合わせ面にはカル56がボット54との対向
位置に配されて没設されているとともに、複数条のラン
ナ57がボット54にそれぞれ接続するように放射状に
配されて没設されている。各ランナ57の他端部は下側
キャビティー四部53bにそれぞれ接続されており、そ
の接続部にはゲート58がレジンをキャビティー53内
に注入し得るように形成されている。また、下型52の
合わせ面には逃げ凹所59がリード−フレームの厚めを
逃の得るように、多連リードフレーム1の外形よりも若
干大きめの長方形で、その厚さと略等しい=を法の一定
深さに没設されている。 前記構成にかかる多連リードフレーム1を用いて樹脂封
止形パッケージをトランスファ成形する場合、上型51
および下型52における各キャビティー53は各単位り
一トフレーム2における一対のダム6a、68間の空間
にそれぞれ対応される。 l・ランスファ成形時において、前記構成にかかる多連
り−I−フレーム1は下型52に没設されている逃げ凹
所59内に、各単位リードフレーム2におけるベレット
]2が各キャビティー53内にそれぞれ収容されるよう
に配されてセントされる。 続いて、上型51と一ド型52とが型締めされ、ボンド
54からプランジャ55によりレジン60がランナ57
およびゲーl−58を通して各キャビティー53に送給
されて圧入される。 注入後、レジンが熱硬化されて樹脂封止形パッケージ1
4が成形されると、上型51および下型52は型開きさ
れるとともに、エソエクタ・ピン(図示せず)によりパ
ッケージ14群が離型される。このようにして、第11
図に示されているように、パッケージ14群を成形され
た多連り一1フレーム1はトランスファ成形装置50が
ら脱装される。 そして、このように樹脂成形されたパッケージ14の内
部には、タブ8、ペレッ1〜12、リ−1・9のインナ
部9aおよびワイヤ13と共に、タブトヘレンI・12
との間に形成されたPIQボンディング層11も樹脂封
止されろことになる。このi)l Qポンディング層1
1はレソンとの接着性がきわめて良好であるため、パッ
ケージY4ときわめて効果的に一体化される。 また、後jホするように、めつきレスの1同系り−Iフ
レームはパッケージのレシンに対してきわめて良好な接
着性を示すため、各リード9のインナ部9 a iJパ
、ケージ14ときわめて効果的に一体化される。 第12図に示されているように、番Jんだめつき処理装
置6 ] LJはんだめっき液62を貯留するためのυ
1んだ槽6.′3と〜め−、き電tA64とを備えてお
り、被めっき物としての多連リード−フレーム1はめっ
き液62中に浸漬された状態で、電源64によりめっき
液62との間に通電されることにより、金属露出面全体
にわたって電解めっき被l模65を形成される。このと
き、各単位リードフレーム2におiJるリード−9のア
ウタ部9bは端末において開放しているため、めっき被
膜65が先端面にも完全に被着されるごとになる。 めっき被11りを被着された多連リード−フレーム1は
、第13図に示されているようにり−I・切断成形工程
において各単位り一トフ1/−ム毎に順次、第14図に
示されているリード切断装置により、外枠3およびダム
6aを切り落された後、第15図に示されているリード
成形装置により、リード9のアウタ部9bを下向きに屈
曲成形される。 この工程で使用されるリード、′切断成形装置70は第
13図に示されているようにフィーダ71を(fifl
えており、フィーダ71は間欠送り装置(図示せず)に
より、被処理物としての多連リードフレーム1を単位リ
ードフレーム2に対応するピンチをもって一方向に歩進
送りするように構成されている。フィーダ71の一端部
(以下、前端部とする。)にはlコーダ72が設備され
ており、ローダ72ばランク等に収容された多連リード
フレー18】をフィーダ71七に1枚宛払い出すように
構成されている。フィーダ7】の中間部にはリード切断
装置73か設備されており、この装置は第14図に示さ
れているように構成されている。フィーダ7]におりる
リード切断装置73のノ4脇には、第15図に示されて
いるように構成されているリード−成形装置74がツー
1−切断装置73と並ぶように配されて設備されており
、両装置73と74との間にはハントラフ5が、リード
切断装置73において多連り一トフレーム]の外枠から
切り離された中間製品とし゛このMSP・IC部77を
保持してり一1成形装置74に移載し得るように設(m
されている。フィーダ71の後端部にはアンローダ76
か設(Qされており、このアンローダ76はリード切断
装置73においてM S P・IC部77を切り抜かれ
た多連リードフレーム1の残渣部品としての外枠部78
をフィーダ71から順次下してi〕l出するように構成
されている。 第14図に示されているリード切1析装置73は上側数
イ\]仮BOおよび下イ11す取(=j板90を備えて
おり、上側数イ」板80はシリンタ装置(図示せず)に
よって」二下動されるごとにより、機台トに固設されて
いる下側数イ」板90に対して接近、離反するように構
成されている。両数イくJ板80および90に+aボル
タ81および91がそれぞれ固定的に取り(N1りられ
′Cおり、両ホルダB1および9Xには上側押さえ型8
2および下側押さえ型92(以下、」二型82および下
型92ということがある。 )が互いに心合わせされてそれぞれ保持されている。上
型82および下型92は互いにもなか合わせになる略チ
ャンネル型鋼形状にそれぞれ形成されており、上型82
と下型92とは左右の押さえ部B3と93とによってリ
ー1:9の根元部を上下から押さえるように構成されて
いる。また、上型82は後記する外枠押さえと同様に、
ガイド88およびスプリング89により独立懸架される
ように構成されている。 上側ボルダ81には略くし歯形状(図示−Uず)に形成
されたバンチ84が一対、上型82の左右両脇において
リード9群のピンチに対応するように配されて、垂直下
向きに固設されており、パンチ84には剪断刃86かく
し歯におけるエツジに配されて、後記する剪断タイとl
14働して外枠3およびダム6aを切り落とすように構
成されている。 上側ホルダ81にGJ外枠押さえ87がカイ1、)38
に摺動自在に嵌合されて李下動自在に支持されており、
外枠押さえ87番」スプリング89により常時下方に(
=J勢された状1ルで独立)懸架されるように構成され
ている。このスプリング89により、外枠押さえ87番
コリーl゛フレームの外枠3を後記する剪断グイ上面と
の間で挟圧して押さえるようになっている。 他方、下型92には一対の剪断ダイ96が押さえ部93
の左右両脇に配されて、リ−1・形状の千面に沿う形状
に形成されており、剪断ダイ9Gは前記バンチ84の剪
断刃86と協働して外枠3およびダム6aを切り落とす
ように形成されている。 第15図に示されているリード−成形製;σ74は+側
堰イ・j板100および下側取イ」板110を備えてお
り、下側取付板100はシリンダ装置(図示−已ず)に
よって上下動されるごとにより、機台上に固設されてい
る下側取付板1」0に対して接近、n1反するように構
成されている。両地(’J板100および]、I Oに
+Jボルダ101および111がそれぞれ固定的に取り
イマ」りられており、両ホルダ10]および11]には
上側押さえ型102および下側押さえ型112(以下、
上型]、 02および上型112というごとがある。)
が互いに心合わ一ロされてそれぞれ保持されている。上
型]、 02および下型142は互いにもなか合わせに
なる略チャンネル型鋼形状にそれぞれ形成されており、
上型102と下型112とは左右の押さえ部103と1
13とによってリード・9の根元部を上下から押さえる
ように構成されている。また、上型102はガイド1.
08およびスプリング109により独立懸架されるよう
に構成されている。 上側ホルダ101には成形バンチ104が−・対、I−
型102の左右両脇においてリード−9群のピンチに対
応するように配されて、垂直下向きに固設されており、
このバンチ104は後記する成形ダイと1イア、 IU
+ してリード9を略垂直下向きに屈曲成形し得るよう
に構成されている。バンチ104のアウタリ−19に摺
接する内イリリ肩部には弯曲面形状部]05か適当な曲
率をもって形成されている。 他方、下型112には一対の成形ダイ114が押さえ部
]]3の左右両脇に配されて、成形後におりるリードア
ウタ部9bの下面に沿う形状に形成されている。 次に作用を説明する。 前述したように、はんだめっき処理された多連リードフ
レームill複数枚宛、ランク等に収容されてり一1切
断成形装置70のローダ72に供給される。Iコーダ7
2に送給された多連り−ISフレーム1はローダ72に
よりランク等から1枚宛、フィーダ71上に順次払い出
されて行く。フィーダ71に払い出された多連リード−
フレーム]はフィーダ71により単位り一トフレーム2
.2間の間隔をもって]ピッチ宛歩進送りされる。 そして、フィーダ7]上を歩進送りされる多連ジ−1フ
レーム1は単位り一1フレーム2をり−ト切断装置73
に順次供給されて行く。 ここで、ソー1−切11i N置についての作用を説明
する。 第14図に示されているように、多連リードフレーJ、
]についての歩進送りにより下型92に単位リードフレ
ーム2が四部にパッケージ14を落とし込むようにして
センI〜される。これにより、リード9の根木部か下型
92の押さえ部93に当接する。 次ぎに、シリンダ装置により上側取イ]板80が下降さ
れ、上型82および外枠押さえ87が下型92にスプリ
ング89の(=J勢力により合わせられる。これにより
、上型82の押さえ部83と下型92の押さえ部93と
の間でリード9の根木部が挟圧されて固定される。また
、外枠押さえ87と剪断ダイ9G上面との間で外枠3が
挟圧されて固定される。 その後、上側取(NJ板80がさらにF降されて行くと
、バンチ84が下降されて行く。ごのとき、上型82お
よび外枠押さえ87はスプリング89が圧縮変形される
ため、下型92および剪断ダイ96に押圧される。バン
チB4の下降に伴って、バンチ84の剪断刃86と剪断
ダイ96との協働による剪断により外枠3およびダム6
aがリード9群から切り落とされる。 パンチ84が所定のスl−o−りを終了すると、パンチ
ε(4は上側取(=J板80により」二昇され、元の1
=lIn状態まで戻されろ。 ツー1−切断装置73において、切断が終了し、上側取
イ」仮f30かト昇すると、多連リード−フレーム1の
外枠3から切り離された中間製品であるMSP・IC部
77は、下型92上からリード成形装置74におりる下
型]12」二へハンドラ75により移載される。 MSP−IC部80がリード成形装置74に移載される
と、フィーダ71により多連り一トフレーム1が単位リ
ーIフレーム2の1ピンチ分だけ歩進送りされ、次段の
単位り一トフレーム2について1iiJ詑した切断作業
が実施される。以降、各単位リードフレーム2について
切断作業が繰り返されて行く。 そして、全ての単位り−I・フレーl、2についての切
断作業が終了した多連リード−フレーム1の残渣として
の外枠部78に1、アント1−ダ76においてフィーダ
7」上から−Fろされ所定の場合に回収される。 一方、リード成形装置74に供給されたMSP・Ic部
77はごの装置によりリード−成形作業を実施される。 ここで、リード成形装置74についての作用を説明する
。 第15図に示されているように、下型112にMSP
IC部77が凹部にパッケージ14を落とし込むよう
にしてセットされる。これにより、リード9の根木部が
下型1.1.2の押さえ部1.13に当接する。 次ぎに、ソリンダ装置により上側取(=JlN 100
が下降され、−に型102が下型1]2にスプリング1
09のイ」勢力により合わ一υ−られる。これにより、
上型102の押さえ部+03と上型112の押さえ部1
13との間で被屈曲部としてのり−ト6の根木部が挟圧
されて固定される。 その後、に例数付板1.00がさらに下降されて行くと
、パンチ104が下降されて行く。このとき、上型10
2はスプリング109が圧縮変形されるため、下型72
に押圧される。 さらに、パンチ104が成形ダイ114に対して下降さ
れると、リーF 9はパンチ1.04の下降に伴って成
形ダイ114に押しつけられることにより、ごの成形ダ
イ114に倣うように屈曲されて所望の形状に成形され
る。 パンチ104が所定のストロークを終了すると、パンチ
104は上昇され、元の待機状態まで戻される。その後
、成形済のIcは下型112から取り外され、次工程に
送給されて行く。 以」二のようにして製造された樹脂封止形M S l)
・l C]、 20は第17図および第18図に示され
ているようにプリント配線基板に実装される。 第17図および第18図において、プリン1−配線基板
12[にはラント122が複数個、実装対象物となる樹
脂封止形MSP−IC120における各リード9に対応
するように配されて、はんだ材料を用いて略長方形の薄
板形状に形成されており、ごのランド122群にこのl
c]、20のり−ト’ 91!Yがそれぞれ整合されて
当接されているとともに、各リード9とラント122と
がリフローはんだ処理により形成されたはんだ盛り層1
23によって電気的かつ機械的に接続されている。 そして、各り一1’ 9がラント122にリフローはん
だ処理される際、リード9の下端部にめっき被膜65が
完全な状態で被着されているため、リ−F 9ははんだ
盛り層123によって確実に接続されることになる。し
たがって、この樹脂封止形DIP・IC120について
のはんだ付は作業の自動化を促進させることができる。 ところで、前記構成にかかるMSP・ICは出荷前に抜
き取り検査を実施される。抜き取り検査としては温度ザ
イクル試験や熱衝撃試験を含む環境試験が実施される。 前述したように、このMSP・ICがプリンI・配線基
板等に実装される際、はんだデイツプやりフローはんだ
処理によっても、このMSP・ICは加熱される。 このような環境試験または実装置I8Qこ熱ス1−レス
が樹脂封止パッケージを備えたIcに加えられた場合、
パッケージとり−I−フレームとの熱膨張係数差により
パッケージ]4とタブ8との境界面に剥がれが発生し、
耐湿性が低下するという問題点かあることが、本発明者
によって明らかにされた。 しかし、本実施例においては、タブ8上におりろぺI/
ノI・]2の外周方表面にPIQボンディングl?Vj
11が形成されるごとにより、タブ8の表面とパッケー
ジl/Iとの境界面にPIQボンディング層11が障壁
樹脂層として介在されているため、タブ8とパッケージ
14との境界面間乙こ剥がれか発41:することはなく
、したがって、当該剥かれに伴う耐湿性の低ドし;i未
然に回避されるごとになる。 ずなわら、PIQポンディング層]1はタブ9およびパ
ッケージ14のいずれの+A料にも良好な接着性を示す
ため、タフ8およびパッケージ14の双方に強力に接着
した状態となっている。タブ8とパッケージ]4の材f
」についての熱膨張係数差によりタブ8とパッケージ1
4との間に機械なずれが相対的に発生したとしても、P
IQポンディング層11はきわめて柔軟性に富むため、
タブ8とバノゲー7」4とに対する接着状態を強力に維
持しつつ、そのずれを柔軟に変形することにより、吸収
することになる。 ところで、リーI−フ1ノームに銅系材料が使用される
場合、銅系リードフレーJ、の表面に酸化防止、並びに
ボンタビリティーを高めるため根めっき処理が施される
ことがある。 ところか、恨めつき被膜が被着された銅系り−ドフレー
ムが使用されているIcにおいては、前述したような熱
スI・レスか加えられた場合、パッケージとり一1フレ
ートとの熱膨張係数差によりパッケージとリードとの境
界面に剥がれが発生し、耐湿性が低下するという問題点
があることが、本発明者によって明らかにされた。これ
は次のような理由によると考えられる。銀めっき被膜は
微粉子の集合から形成されているため、この微粒子とパ
ッケージのレノンとの間で熱ス)−レスの作用により相
対的な移動が発生し易くなり、この移動し易さにより、
リ−1とパッケージとの境界面においてMllがれが発
生ずる。 しかし、本実施例においては、多連り−I−フレ−J、
1として銅系ソー1−フレームが使用されているが、そ
の表面にめっき処理が施されていないため、前述したよ
うな熱ストレスが加わった場合でも、各リード・9のイ
ンナ部9aとパッケージ14との境界面間に剥がれが発
生しないことが実験により石育言忍された。 これは次のような理由によると考えられる。すなわち、
めっきレスのリードフレームにおいては、ソー1−フレ
ームの材料表面自体とパッケージのレジン自体とが直接
的に結合するため、熱ストレスが作用した場合でも、両
者の境界面である結合箇所では相対的な移動が発生しに
くくなり、リードフレーム内部およびパッケージ内部で
それぞれ発生する歪によりp!1ストレスが吸収されて
しまうためである。 前記実施例によれば次の効果が得られる。 (1) ベレットをタフにPIQボンティング層を介
して接合することにより、リードフレームとパッケージ
との熱膨張係数差による変位をPI’Qボンデインク層
の変形により吸収することができるため、タブとパッケ
ージとの間の剥がれを防止することができ、その剥がれ
による耐湿性低下を未然に防止することができる。 (2JPIQをタブに塗布した後、PIQ塗布層上にペ
レッI・をリード′のインナ部表面にP I Q層を予
め形成ボンディングする際、ペレノI・の外周方にPI
Qボンディング層を拡太さゼでおき、その後、PIQ層
を含めて樹脂封止パッケージを成形することにより、ペ
レンI・外周方におりるタブとパッケージとの境界面に
障壁樹脂層を簡単に介設することができるため、生産性
の低下を抑制することができる。 (3) リードフレームとしてめっきレスの銅系り−
ドフレームを使用するごとにより、各リードとパッケー
ジとの境界面におiJる剥がれの発生を防止することが
できるため、その剥がれによる耐湿性の低下を防止する
ことができる。 (4)銅系リードフレーJ、および銅系ボンディングワ
イヤを使用することにより、iツイヤとリードとの接続
部である第2ボンディング部についての接合強度やポン
ダヒリティーを高めることができ、製品の品質および信
頼性を高めることができるとともに、コスI・を低減さ
せることができる。 以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したか、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であるごとυJいうまてもない。 例えば、ペレットをタフにボンディングする樹脂ボンデ
ィング層は、PIQを用いて形成するに限らず、他のボ
リイミ1系樹脂等を用いて形成してもよく、要は、ペレ
ノ)・、タブおよびパッケージのいずれの材料に対して
も接着性が良く、適度の柔軟性ないしし1弾性を有する
樹脂であればよい。 I・ランスファ成形装置、はんだめっき処理装置および
リード切断成形装置の具体的構成は前記実施例の4’1
11成を使用するに限られない。 また、リーI−にはんだ被膜を被着さ−Uる処理εJ、
IJ−1切断成形処理後、はんだデイツプ処理により実
施されるようにしてもよい。 以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である樹脂1:′J止正形
SI)・Icに適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく、樹脂封止形パッケージを備
えているIC等のような半導体装置全般に適用すること
ができる。 〔発明の効果〕 本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。 ベレンl−をタブに樹脂ホンディング層を用いて接合す
ることにより、リードフレームとパッケージとの熱膨張
係数差による変位を樹脂ボンディング層の変形により吸
収することができるため、タブとパッケージとの間の剥
がれを防止することができ、その剥がれによる耐湿性低
下を未然に防止することができる。
第1図は本発明の一実施例である樹脂封止形MS P・
ICを示す一部切断正面図、 第2しは本発明の一実施例であるMSP・ICの製造方
法に使用される多連リードフレームを示す一部省略平面
図、 第3図はベレノhおよびIツイヤボンディング後のタブ
イ」近を示す一部省略拡大部分平面図、第4図は第3図
のIV−IV線に沿う正面断面図、第5図はペレソトボ
ンデインク:工程を示す概略平面l、 第6図はその拡大部分正面断面図、 第7図はワイヤボンディング工程を示す一部切断正面図
、 第8図はその放電電極伺近を示す一部切断拡大部分正面
図、 第9図はそのフィーダ上部を示す拡大部分正面断面V、 第10図は樹脂封止形パッケージの成形工程を示す縦断
面図、 第1I図は樹脂Jl=1止形バノゲーシ成形後の多連リ
ードフレームを示す一部省略平面図、第12図ははんだ
めっき工程を示す一部省略正面断面図、 第13図はり一ド切断成形装置を示す一部省略概略平面
図、 第14図はそのリード切断装置を示す縦断面図、第15
1mはそのリード成形装置を示す縦断面図、第16図は
そのリード成形後の要部を示す拡大部分斜視図、 第17図はこの半導体装置の製造方法で得られた樹脂封
止形1) I P・ICの実装状態を示す−・部省略一
部切断斜視図、 第18図はその一部省略拡大縦断面図である。 1・・・多連り一1フレーム、2・・単位リードフレー
ム、3・・外枠、4・・セクション枠、5・・・ダム吊
り部材、6・・ダム部材、6a・・ダム、7・・タブ吊
りり−l′、8・・・タブ、9・・リード、9a・・・
インナ部、9b・・・アウタ部、1. ]、 −P I
Qボンディング層(樹脂ボンディング層)、12・・
ペレソI−8]3・・・ワイヤ、14・・・樹脂]゛・
j正形パッケージ、15・・・ペレソI・ボンディング
装置、16・・フィーダ、16A・・・ローダ、16B
・乾燥装置、17・・P ]Q供給装置、18 ・ピン
クアンプ装置、18△・グリアライメン1−ステージ、
19・・・ボンディングヘン1−120・・・ワイヤボ
ンディング装置、21・・フィーダ、22・ヒートブロ
ンク、23・ χY子テーブル24・・・ボンディング
ヘン1−125・・・ボンディングアーム、26・・−
トヤピラリー(ボンディングツール)、27.28・・
・クランパアーム、29・・・クランパ、30・・ガイ
ド、31・・・放電電極、32・・・電源回路、33・
・・チューブ(ガス供給手段)、34 ガス供給源、3
5 還元性ガス、36・・・ヒータ(加熱手段)、38
・銅ワイヤ素材、39・・ボール、40・リー)−フ
レーム酸化防止用還元性ガス、4]・・還元性ガス供給
装置、42 ・吹出口、43・・供給路、44・・・ガ
ス供給ユニット、45・カバー、46・・・窓孔、47
・・・リードフレーム押さえ具、50−1−ランスファ
成形装置、51・・L型、52 ・下型、53 キャビ
ティー、54・ボッI〜、55 プランジ中、56・・
・カル、57・・ランナ、58・・ケート、5つ・・・
ソー1−フレー1、逃り凹所、60・・樹脂(レシン、
成形相料)、6■・・・Llんだめつき処理装置、62
・・・めっき液、63・・はんだ槽、64・・・めっき
電源、70 ・ツー1〜切断成形装置、71・・フィー
ダ、72・・ローダ、73・・・リード切断装置、74
・・リ−1・成形装置、75・・・ハンドラ、76・・
・アンローダ、77・・MSl)・IC部(中間製品)
、78 ・外枠部(残渣部)、80.90.100.1
10・・・取イづ板、81.91.101.111・・
ホルダ、82.92.102.112・・・押さえ型、
83.93.103.113・・・押さえ部、84.1
04・・・パンチ、]05・・弯曲形状部、86・・・
剪断刃、87・・・外枠押さえ、88.108・・ガイ
ド、89、]、 09 ・スプリング、+14・・成
形ダイ、96・・剪断ダイ、120・・・樹脂1寸正形
MSP−IC(半導体装置)、121・・プリント配線
基板、122・・・ランド、123・・&Jんだ盛り層
。
ICを示す一部切断正面図、 第2しは本発明の一実施例であるMSP・ICの製造方
法に使用される多連リードフレームを示す一部省略平面
図、 第3図はベレノhおよびIツイヤボンディング後のタブ
イ」近を示す一部省略拡大部分平面図、第4図は第3図
のIV−IV線に沿う正面断面図、第5図はペレソトボ
ンデインク:工程を示す概略平面l、 第6図はその拡大部分正面断面図、 第7図はワイヤボンディング工程を示す一部切断正面図
、 第8図はその放電電極伺近を示す一部切断拡大部分正面
図、 第9図はそのフィーダ上部を示す拡大部分正面断面V、 第10図は樹脂封止形パッケージの成形工程を示す縦断
面図、 第1I図は樹脂Jl=1止形バノゲーシ成形後の多連リ
ードフレームを示す一部省略平面図、第12図ははんだ
めっき工程を示す一部省略正面断面図、 第13図はり一ド切断成形装置を示す一部省略概略平面
図、 第14図はそのリード切断装置を示す縦断面図、第15
1mはそのリード成形装置を示す縦断面図、第16図は
そのリード成形後の要部を示す拡大部分斜視図、 第17図はこの半導体装置の製造方法で得られた樹脂封
止形1) I P・ICの実装状態を示す−・部省略一
部切断斜視図、 第18図はその一部省略拡大縦断面図である。 1・・・多連り一1フレーム、2・・単位リードフレー
ム、3・・外枠、4・・セクション枠、5・・・ダム吊
り部材、6・・ダム部材、6a・・ダム、7・・タブ吊
りり−l′、8・・・タブ、9・・リード、9a・・・
インナ部、9b・・・アウタ部、1. ]、 −P I
Qボンディング層(樹脂ボンディング層)、12・・
ペレソI−8]3・・・ワイヤ、14・・・樹脂]゛・
j正形パッケージ、15・・・ペレソI・ボンディング
装置、16・・フィーダ、16A・・・ローダ、16B
・乾燥装置、17・・P ]Q供給装置、18 ・ピン
クアンプ装置、18△・グリアライメン1−ステージ、
19・・・ボンディングヘン1−120・・・ワイヤボ
ンディング装置、21・・フィーダ、22・ヒートブロ
ンク、23・ χY子テーブル24・・・ボンディング
ヘン1−125・・・ボンディングアーム、26・・−
トヤピラリー(ボンディングツール)、27.28・・
・クランパアーム、29・・・クランパ、30・・ガイ
ド、31・・・放電電極、32・・・電源回路、33・
・・チューブ(ガス供給手段)、34 ガス供給源、3
5 還元性ガス、36・・・ヒータ(加熱手段)、38
・銅ワイヤ素材、39・・ボール、40・リー)−フ
レーム酸化防止用還元性ガス、4]・・還元性ガス供給
装置、42 ・吹出口、43・・供給路、44・・・ガ
ス供給ユニット、45・カバー、46・・・窓孔、47
・・・リードフレーム押さえ具、50−1−ランスファ
成形装置、51・・L型、52 ・下型、53 キャビ
ティー、54・ボッI〜、55 プランジ中、56・・
・カル、57・・ランナ、58・・ケート、5つ・・・
ソー1−フレー1、逃り凹所、60・・樹脂(レシン、
成形相料)、6■・・・Llんだめつき処理装置、62
・・・めっき液、63・・はんだ槽、64・・・めっき
電源、70 ・ツー1〜切断成形装置、71・・フィー
ダ、72・・ローダ、73・・・リード切断装置、74
・・リ−1・成形装置、75・・・ハンドラ、76・・
・アンローダ、77・・MSl)・IC部(中間製品)
、78 ・外枠部(残渣部)、80.90.100.1
10・・・取イづ板、81.91.101.111・・
ホルダ、82.92.102.112・・・押さえ型、
83.93.103.113・・・押さえ部、84.1
04・・・パンチ、]05・・弯曲形状部、86・・・
剪断刃、87・・・外枠押さえ、88.108・・ガイ
ド、89、]、 09 ・スプリング、+14・・成
形ダイ、96・・剪断ダイ、120・・・樹脂1寸正形
MSP−IC(半導体装置)、121・・プリント配線
基板、122・・・ランド、123・・&Jんだ盛り層
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体ペレットと、半導体ペレットがボンディング
されているタブと、タブの周囲に配設されている複数本
のリードと、半導体ペレットの電極および各リードに両
端部をボンディングされて橋絡されているワイヤと、半
導体ペレット、タブ、リードの一部、およびワイヤを樹
脂封止するパッケージとを備えている半導体装置であっ
て、前記半導体ペレットがタブに、ペレット、リードお
よびパッケージに接着性の良好な樹脂材料からなる樹脂
ボンディング層によりボンディングされていることを特
徴とする半導体装置。 2、樹脂ボンディング層が、ポリイミド系樹脂を用いて
形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の半導体装置。 3、タブおよびリード群が、銅系めっきレスのリードフ
レームを用いて形成されており、ワイヤが銅系ワイヤ素
材を用いて形成されていることを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62333943A JPH01205429A (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62333943A JPH01205429A (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01205429A true JPH01205429A (ja) | 1989-08-17 |
Family
ID=18271711
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62333943A Pending JPH01205429A (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01205429A (ja) |
-
1987
- 1987-12-29 JP JP62333943A patent/JPH01205429A/ja active Pending
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