JPH01202075A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH01202075A JPH01202075A JP63026135A JP2613588A JPH01202075A JP H01202075 A JPH01202075 A JP H01202075A JP 63026135 A JP63026135 A JP 63026135A JP 2613588 A JP2613588 A JP 2613588A JP H01202075 A JPH01202075 A JP H01202075A
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Links
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、固体撮像装置に関するものである。
従来の技術
従来の固体撮像装置について図面を参照しながら説明す
る。
る。
第２図は、従来の固体撮像装置の断面を示すものである
。まず、Ｐ型シリコン基板１に通常のウェハプロセスで
ある気相成長、不純物拡散、写真蝕刻などによシ固体撮
像素子を形成する。図中２はＰＮ接合フォトダイオード
である。ここでポリシリコンゲート、フォトダイオード
を除く拡散領域等は繁雑になるので省略した。次に、酸
化シリコンを気相成長させ層間絶縁膜３を形成する。次
に、Ａｌを蒸着し写真蝕刻によりＡｌ配線（図示せず）
を形成すると同時に、しゃ光膜４を形成する。次に、シ
ンタリングとＡｌ蒸着の際のダメージを回復させるため
に、水素ガスによるアニールを施す。その後、素子を保
護するために酸化シリコンを気相成長させ保護膜６を形
成し、最後に、ダイシングラインに沿って各素子を割断
し、組立工程を経て固体撮像装置を造る。
。まず、Ｐ型シリコン基板１に通常のウェハプロセスで
ある気相成長、不純物拡散、写真蝕刻などによシ固体撮
像素子を形成する。図中２はＰＮ接合フォトダイオード
である。ここでポリシリコンゲート、フォトダイオード
を除く拡散領域等は繁雑になるので省略した。次に、酸
化シリコンを気相成長させ層間絶縁膜３を形成する。次
に、Ａｌを蒸着し写真蝕刻によりＡｌ配線（図示せず）
を形成すると同時に、しゃ光膜４を形成する。次に、シ
ンタリングとＡｌ蒸着の際のダメージを回復させるため
に、水素ガスによるアニールを施す。その後、素子を保
護するために酸化シリコンを気相成長させ保護膜６を形
成し、最後に、ダイシングラインに沿って各素子を割断
し、組立工程を経て固体撮像装置を造る。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記のような構造では、受光部のフォト
ダイオード（以後ＰＤ部と称す）２ａとじゃ光膜下のフ
ォトダイオード（以後ＯＢ部（オプティカルブラック部
）と称す）２ｂのそれぞれで発生する暗電流の差が高温
時で特に大きくなる。
ダイオード（以後ＰＤ部と称す）２ａとじゃ光膜下のフ
ォトダイオード（以後ＯＢ部（オプティカルブラック部
）と称す）２ｂのそれぞれで発生する暗電流の差が高温
時で特に大きくなる。
通常、上記の暗電流の差はＰＤ部２ａの暗出力とＯＢ部
２ｂの暗出力の差をその素子の明状態出力に対して表わ
す（以後この値をＯＢ膜段差称す）。
２ｂの暗出力の差をその素子の明状態出力に対して表わ
す（以後この値をＯＢ膜段差称す）。
このＯＢ膜段差、Ａｌ配線の形成条件、水素ガスによる
アニール条件、保護膜の形成条件によって大きく変動す
る。ＡＩ配線の形成条件では蒸着の際のフォトダイオー
ドへのダメージのうける量が変化する。水素ガスによる
アニール条件では０３部３ｂかしゃ光膜によっておおわ
れているためアニール効果を的確にすることが難しく、
また、しゃ光膜のないＰＤ部としゃ光膜のあるＯＢ部と
アニール効果が等しくなるよう条件を決めることは不可
能である。保護膜の形成条件では、その形成温度によシ
、アニール効果の低下が変動する。また、しゃ光膜のな
いＰＤ部としゃ光膜のないＯＢ部ではしゃ光膜の有無に
よりアニール効果の低下に差が生じ、一致させることは
不可・能である。このようにＰＤ部とＯＢ部のダメージ
の程度の差をなくすことは非常に困難であシ、ＯＢ膜段
差生じてしまいます。ＯＢ膜段差大きいと、外部環境の
変化、たとえば、気温変化に起因する暗電流の変化をＯ
Ｂの暗出力を用いて実質的に零レベルに固定させること
ができない。したがって、ＯＢ膜段差減らすことが、固
体撮像装置の実用化にとって大きな課題となっていた。
アニール条件、保護膜の形成条件によって大きく変動す
る。ＡＩ配線の形成条件では蒸着の際のフォトダイオー
ドへのダメージのうける量が変化する。水素ガスによる
アニール条件では０３部３ｂかしゃ光膜によっておおわ
れているためアニール効果を的確にすることが難しく、
また、しゃ光膜のないＰＤ部としゃ光膜のあるＯＢ部と
アニール効果が等しくなるよう条件を決めることは不可
能である。保護膜の形成条件では、その形成温度によシ
、アニール効果の低下が変動する。また、しゃ光膜のな
いＰＤ部としゃ光膜のないＯＢ部ではしゃ光膜の有無に
よりアニール効果の低下に差が生じ、一致させることは
不可・能である。このようにＰＤ部とＯＢ部のダメージ
の程度の差をなくすことは非常に困難であシ、ＯＢ膜段
差生じてしまいます。ＯＢ膜段差大きいと、外部環境の
変化、たとえば、気温変化に起因する暗電流の変化をＯ
Ｂの暗出力を用いて実質的に零レベルに固定させること
ができない。したがって、ＯＢ膜段差減らすことが、固
体撮像装置の実用化にとって大きな課題となっていた。
本発明は、以上の課題を解決するためになされたもので
、ＯＢ膜段差皆無にさせ、実用にたる固体撮像装置を提
供するものである。
、ＯＢ膜段差皆無にさせ、実用にたる固体撮像装置を提
供するものである。
課題を解決するための手段
本発明の固体撮像装置はしゃ光のため染色を施した被染
色膜を少なくとも含む黒レベル画素を備えて構成されて
いる。
色膜を少なくとも含む黒レベル画素を備えて構成されて
いる。
作 用
本発明のしゃ光のため染色を施しだ被染色膜を少なくと
も有する構造とすることで、ＡＩ膜蒸着後の水素アニー
ル効果がＰＤ部、ＯＢ部とも等しく効果を持たすことが
でき、また、保護膜形成での形成温度によるアニール効
果の低下も、ＰＤ部、ＯＢ部で差が生じることがない。
も有する構造とすることで、ＡＩ膜蒸着後の水素アニー
ル効果がＰＤ部、ＯＢ部とも等しく効果を持たすことが
でき、また、保護膜形成での形成温度によるアニール効
果の低下も、ＰＤ部、ＯＢ部で差が生じることがない。
したがって、ＯＢ膜段差皆無とすることができる。
実施例
以下に、本発明の一実施例について図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図は、本発明の一実施例の固体撮像装置の断面を示
すものである。
すものである。
まず、Ｐ型シリコン基板１０に通常のウェハプロセスで
ある気相成長、不純物拡散、写真蝕刻などにより固体撮
像素子を形成する。図中の１１はＰＮ接合フォトダイオ
ードである。ここで、ポリシリコンゲート、フォトダイ
オードを除く拡散領域は繁雑になるので省略した。次に
、酸化シリコンを気相成長させ層間絶縁膜１２を形成す
る。次に、Ａｌを蒸着し、写真蝕刻によりＡＩ配線（図
示せず）を形成する。このとき、Ａｌ膜にょシしゃ光膜
は形成しない。次にシンタリングとＡｌ蒸着の際のダメ
ージを回復させるために、水素ガスによるアニールを施
す。その後、素子を保護するために、酸化シリコンを気
相成長させ保護膜１３を形成する。次に、被染色性有機
材料としてゼラチンに感光性を付与するため重クロム酸
アンモニウムを添加した感光液を塗布、乾燥させ、感光
膜を形成し、ＯＢ部影形成領域み上記感光膜を残すよう
フォトリソグラフ法を用いてパターン形成する。次に、
黒色の染料からなる染浴に浸漬して染色し、黒色の着色
膜１４を形成する。そののち、全面を耐染色性耐候性有
機薄膜１５でもっておおう。最後に、ダイシングライン
に沿って各素子を割断し、組立工程を経て、本発明の固
体撮像装置を造る。
ある気相成長、不純物拡散、写真蝕刻などにより固体撮
像素子を形成する。図中の１１はＰＮ接合フォトダイオ
ードである。ここで、ポリシリコンゲート、フォトダイ
オードを除く拡散領域は繁雑になるので省略した。次に
、酸化シリコンを気相成長させ層間絶縁膜１２を形成す
る。次に、Ａｌを蒸着し、写真蝕刻によりＡＩ配線（図
示せず）を形成する。このとき、Ａｌ膜にょシしゃ光膜
は形成しない。次にシンタリングとＡｌ蒸着の際のダメ
ージを回復させるために、水素ガスによるアニールを施
す。その後、素子を保護するために、酸化シリコンを気
相成長させ保護膜１３を形成する。次に、被染色性有機
材料としてゼラチンに感光性を付与するため重クロム酸
アンモニウムを添加した感光液を塗布、乾燥させ、感光
膜を形成し、ＯＢ部影形成領域み上記感光膜を残すよう
フォトリソグラフ法を用いてパターン形成する。次に、
黒色の染料からなる染浴に浸漬して染色し、黒色の着色
膜１４を形成する。そののち、全面を耐染色性耐候性有
機薄膜１５でもっておおう。最後に、ダイシングライン
に沿って各素子を割断し、組立工程を経て、本発明の固
体撮像装置を造る。
なお、本実施例では被染色性有機材料としてゼラチンを
用いたが、カゼイン、ポリビニルアルコールなど他の被
染色性有機を用いてもよい。
用いたが、カゼイン、ポリビニルアルコールなど他の被
染色性有機を用いてもよい。
また、本実施例では、−層によシ黒色の染色によるしゃ
光膜を形成したが、しゃ光の都合にょシ二層以上に増し
てもよい。
光膜を形成したが、しゃ光の都合にょシ二層以上に増し
てもよい。
また、本実施例では固体撮像装置に形成したがカラー固
体撮像装置に形成することも可能である。
体撮像装置に形成することも可能である。
発明の効果
以上のように、本発明は従来の固体撮像装置の問題点で
あったＯＢ膜段差Ａｌ膜によるしゃ光膜を用いるのでは
なく、黒色の染色によるしゃ光膜を用いることによ、９
０Ｂ段差を皆無し、実用にたる固体撮像装置を提供でき
る。したがって、本発明の固体撮像装置に与える効果は
犬なるものかある。
あったＯＢ膜段差Ａｌ膜によるしゃ光膜を用いるのでは
なく、黒色の染色によるしゃ光膜を用いることによ、９
０Ｂ段差を皆無し、実用にたる固体撮像装置を提供でき
る。したがって、本発明の固体撮像装置に与える効果は
犬なるものかある。
第１図は本発明の一実施例の固体撮像装置の断面図、第
２図は従来の固体撮像装置の断面図である。 １ｏ・・・・・・Ｐ型シリコン基板、１１・・・・・・
ＰＮ接合フォトダイオード、１４・・・・・・着色膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 は力）１名１
５− 有機簿膜 第 ２Ｉ２Ｉ
２図は従来の固体撮像装置の断面図である。 １ｏ・・・・・・Ｐ型シリコン基板、１１・・・・・・
ＰＮ接合フォトダイオード、１４・・・・・・着色膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 は力）１名１
５− 有機簿膜 第 ２Ｉ２Ｉ
Claims (1)
- 半導体基板表面に設けられた複数のフォトダイオード
よりなる光電変換領域の一部に光シールドのための染色
を施した被染色膜を含む黒レベル画素を備えたことを特
徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63026135A JPH01202075A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63026135A JPH01202075A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01202075A true JPH01202075A (ja) | 1989-08-15 |
Family
ID=12185110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63026135A Pending JPH01202075A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01202075A (ja) |
-
1988
- 1988-02-05 JP JP63026135A patent/JPH01202075A/ja active Pending
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