JPH01200595A - 分散型ｅｌ素子の発光層，絶縁体層形成用ペースト及び該ペーストを用いたｅｌ素子 - Google Patents

分散型ｅｌ素子の発光層，絶縁体層形成用ペースト及び該ペーストを用いたｅｌ素子

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JPH01200595A
JPH01200595A JP63190198A JP19019888A JPH01200595A JP H01200595 A JPH01200595 A JP H01200595A JP 63190198 A JP63190198 A JP 63190198A JP 19019888 A JP19019888 A JP 19019888A JP H01200595 A JPH01200595 A JP H01200595A
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high dielectric
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亀山　昭憲
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潤 和田
Yutaka Nakabayashi
豊 中林
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    • H—ELECTRICITY
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、分散型エレクトロルミネセンス素子の発光層
及び絶縁体層の！！１造に用いる螢光体べ一メト及び高
誘電体ペーストに関する。また、該螢光体ペースト及び
高誘電体ペーストを使用し放射線で固化することによっ
て得られた発光層、絶縁体層を備えた分散型エレクト１
］ルミネピンス素子に１．！］するものである。
［従来の技術］ 分散型Ｊレフトロルミネセンス素子は、エレクト［１ル
ミネレンス（以下、ＥＬと略称する）用螢光体粉末を無
機材ｒ１ヤ有機材料のバインダーに分散させて、発光層
を形成したものである。交流駆動形式の分散型ｔＥＬ素
子の基本構造は、背面電極と透明電極の間に絶縁体層及
び発光層を挾み込んだ形態のものであって、背面電極と
透明電極との聞に正弦波交流又は両極性のパルス電圧を
印加することにより、発光層に高電界がかかってルミネ
センスを発し、透明電極を通って光としで取り出される
。なお、交流駆動形式の分散型［：［素子であっても、
背面電極と透明電極の間に発光層のみを挾み込む形態の
ものも希には用いられる。又、直流駆動形式の分散型Ｅ
Ｌ素子の基本構造は、背面電極と透明電極の間に発光層
を挾み込んだ形態のものであって、背面電極と透明電極
との間に一極性のパルス電圧を印加することにより、発
光層に高電界がかかつてルミネセンスを発し、透明電極
を通って光として取り出される。分散型ＥＬ素子の発光
層、絶縁体層を形成するバインダーのみならず、透明電
橿、保護層をも有機材料を用いて形成するときは、該素
子は薄く、軽＜、ｍ撃に強く、しかも可撓性を持たせる
ことができる。
従来の交流駆動形式の分散型Ｅｌ素子の製造方法におい
ては、チリン酸バリウム等の無機高：ｆ９電休粉末と同
化可能な化合物とを主成分とする高誘電体粉末ペースト
を塗布して、高誘電体ペースト層を形成する工程と、Ｅ
Ｌ用螢光体粒子と固化可能な化合物とを主成分とする螢
光体粉末ペーストを塗布して、螢光体ベースＩ−層を形
成する工程と、上記ペースト層を固化させる工程とを具
備し、それによって絶縁体層及び発光層を形成した。又
、従来の直流駆動形式の分散型Ｅ［素子の製造方法に４
３いては、ＥＬ用螢光体粉末と固化可能な化合物とを主
成分とする螢光体粉末ペーストを塗布して、螢光体ペー
スト層を形成する工程と、上記ペースト層を固化させる
工程とを具備し、それによって発光層を形成した。そし
て、上記の公知の固化の様式には、溶剤乾燥型と熱硬化
型の２つがあるのみであった。
前者の溶剤乾燥型ペーストは、アクリル酸エステル類、
エボ↑シ樹脂等の弔合竹モノマーを適当な方法によって
重合して得られる可溶性重合物、或はシアンエチル化物
をバインダー成分とする。
但し、一般には、シアノエチル化物がバインダーとして
使用され−Ｃいる場合が多い。シアノエチル化物は、糖
類、多価アルコール或は水酸基含有ポリマー等のポリオ
ール類が含有している水酸基に、アクリロニトリルをマ
イクルイ」加することにより得ることができ、その代表
例としては、シアノエチル化ポリビニルアルコール、シ
アノエチル化プルラン、シアノニブル化セルロース、シ
アンエチル化サッカ［−１−ス、シアノエヂル化ヒドロ
キシエヂル化セルロース等を挙げることができる。上記
のシアンエチル化物類は固体６＋、＜は粘稠液体であり
、螢光体粉末を分散さけるためには、予めシアノエチル
化物を溶剤に溶解しておく必要があった。該溶剤として
は、ジメヂルホルムアミド、Ｎ−メヂルビロリドン、メ
チルエヂルクトン、アレトンージメチルホルムアミド混
合溶媒等が挙げられる。後前の熱硬化型ペーストは、エ
ポキシ樹脂。
熱硬化性アクリル樹脂、熱硬化性不飽和ポリエステル樹
脂をバインダー成分とした。
［解決しようと覆る問題点］ 前述のように、従来の分散型エレクトロルミネセンス素
子の製造方法においては、絶縁体層２発光層の形成に加
熱乾燥又は加熱硬化を必要とし、しかも両加熱工程共に
、約１−２時間を要する。
又、所定の膜厚の絶縁体層１発光層を得るために、塗布
、乾燥工程又は塗布、硬化工程を数回繰返すこともある
。そのため、上記の固化工程を短縮することが望まれて
いる。又、溶剤の使用は、火災。
爆発、溶剤中毒等の危険があるため作業現場にとり好ま
しくない。更に、バインダーとして一般に使用されるシ
アノエチル化物は、酸素存在下では高温に艮ｖ；Ｓ闇、
直接晒されていると着色してくる傾向があり、このこと
はＥＬ素子の発光の輝度を低下させ、発光色を変える欠
点がある。この着色を防ぐには、低温且つ短時間でペー
スト層を乾燥することが好ましいので、真空加熱乾燥工
程を採択するが、すると「Ｌ素子の￥Ｊ造クライン連続
化が困難となる。溶剤乾燥型ペーストの使用は、絶縁体
層及び発光層から溶剤を完全に除去するためにも、しば
しば真空乾燥工程を合わせて必要とし。
しかも完全に残留溶剤を無くすには、日単位の真空加熱
乾燥を要する。
叉、熱硬化型のバインダーを使用したペーストの場合、
液物性が経時的に大きく変化し、１１使時間の問題があ
る。特に、短時間硬化タイプに設計すると硬化温度が高
すぎたり、液物性の変化が大きく、糸を引いたりして、
一定膜厚の絶縁体層を１ｑることが困難である。上記の
ペーストに溶剤を添加して、ペーストの粘度を調整１♂
必要のある場合もある。
［問題点を解決するための手段１ 本発明名は、上述の従来の問題点が全て熱を使用して固
化させることに基づくことに注目し、分散型Ｅ１−素子
の製造方法において、溶剤乾燥型及び熱硬化型の固化様
式に替えて、放射線による固化様式を採択するものであ
る。そして、本発明は、上記の分散型Ｅｉ子の絶縁体層
１発光層の形成のための放射線により固化可能な高誘電
体ペースト又は螢光体ペーストを提供するものである。
更にまた、本発明は透明電極と背面電極との間に発光層
及び絶縁体層を挾持してなる分散型Ｅ［素子において、
本発明の高誘電体ペーストを塗布して高誘電体ペースト
層を形成する■稈と本発明の螢光体ペーストを塗布して
螢光体ベース１−層を形成する工程と、放射線を照射し
て上記ペースト層を固化させる工程を具備し、それによ
って上記絶縁体層及び発光層が形成されていることから
なる分散型ＥＬ素子及び透明電極と背面電極との間に発
光層を挟持してなる分散型Ｅｌ索子において本発明の螢
光体ペーストを塗布して螢光体ペースト層を形成する工
程と放射線を照射して上記ペースト層を固化させる工程
を具備し、それによって」１記発光層が形成されている
ことからなる分散型ＦＬ素子を提供することにある。
本発明でいう固化とは、１２０℃以］マにＪ３いて固体
を維持する状態をいう。
一乏　　、　　ペース 本発明の分散型［Ｌ素子の発光層形成用螢光体ペースト
は（１）ＥＬＩＩＩ螢光体粉末と有機高誘電体物質及び
放！）Ｉ　ＦＡにより固化可能な少くとも一種の化合物
を主成分とするもの、もしくは（２）ＦＬ用螢光体粉末
と放射線により固化ｉ＋Ｊ能な少くとも一種の化合物を
主成分とし、該放射線により固化可能な化合物の少くと
も一種が固化後高誘電率を示す化合物からなる。
ＥＬ用螢光体粉末としては一般に使用されているものを
使用し得るが例えば硫化亜鉛粉末に銅もしくはマンガン
等の付活剤、クロル、ブ１１ム、アルミニウム等の共付
活剤を添加したものが用いられる。これらの螢光体粉末
としてＧＴＥシルバニ！礼装タイプ７２３．タイプ５２
３．タイプ７２７．タイプ７２８．タイプ７２９等が使
用され得る。
Ｉ高誘詰−質としては誘電率１０以上（１ＫＨ７，２５
℃）のものが好ましく、シアンエチル化エチレンビニル
アルコール共重合体、シアノＪデル化ポリビニルアルコ
ール、シアンエチル化ジヒドロキシポバール、シアノエ
チル化セルロース、シアノエチル化ハイドロキシアル１
ルレルロース。
シアノエチル化ハイドロキシエチルはルロース。
シアノエチル化プルラン、シアノエチル化ジじド［］キ
シプルラン、シアノエチル化スクープ、シアノエチル化
セルロース、シアノエチル化セルロース、シアノエチル
化ンルビトール、シアノエチル化ペンタエリスリトール
、シアノエチル化マンニトール、シアンエチル化メチル
グルコース、シアノニブル化トリメチロールプロパン、
シアノエチル化グリ廿リン、シアノエチル化ジグリセリ
ン。
シス３−６エンドメチレンΔ４テトラヒドロフクリツク
アシツド・ジ・シアノエブルエスアル、シアノエチル化
ヂオグリコール等のシアノエチル化物。
トリフルオ自エチルビニルエーテル重合体、フッ化ビニ
リデン−へキサフ［］［１ブ［１ピレン共重合体。
ポリフッ化ビニリデン秀のフッ素重合体、４ツクジノニ
トリル、ブタジェンアクリロニトリルゴム。
フタロニトリル等のニトリル化合物等が好ましく使用さ
れる。
放射線により固化可能な化合物としては放射線により固
化する化合物なら、何でもよく、固化後高誘電率を示す
ものであっても、示さないものでもその化合物であって
もよい。
これらの化合物としては、エポキシ（メタ）アクリレー
ト、ウレタン（メタ）アクリレート。
（メタ）アクリル変性ポリブタジェン、不飽和ポリエス
テル、シリコン（メタ）アクリレ−ｔ−、ポリコニスチ
ル（メタ）アクリレート、トリメブロールプロパンｌ〜
す（メタ〉アクリレート、ネオベンチルグリコールジ（
メタ）アクリレート、ヘトザンジオールジアクリレート
、２−ヒドロキシエチル（メ、り）アクリレート、２−
メトキシニブル（メタ）アクリレート等の（メタ）アク
リル化合物、（メタ）アクリル酸エステル、スヂレン、
酢酸ビニル。
Ｎ−ビニルピロリドン等に代表される炭素−炭素二重結
合を有するモノマー、オリゴマー、プレポリマーを適宜
組合わせることができる。また、特に固化後、高誘電率
（誘電率１０以上、ＩＫＨｚ。
２５℃）を示す放ｒＪ４ｍにより固化可能な化合物とし
ては２−シアノエチル（メタ〉アクリレート、３−シア
ノプロピル（メタ）アクリレート、等のシアノアルキル
基を有する（メタ）アクリル酸エステル誘導体、２−（
２−シアノエト４−シ）エチル（メタ）アクリレート、
　２−［２−（２−シアノエトキシ）■トキシ］エチル
（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−（２−シ
アノエトキシ）プロピル（メタ）アクリレート等のシア
ノアルコキシアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エ
ステル誘導体、Ｎ−Ｎ−ビス（２−シアンエチル）（メ
タ）アクリルアミド。
Ｎ−メチロール−Ｎ−シアノエチル（メタ）アクリルア
ミド等のシアノエルヤル１．１を有する〈メタ）アクリ
ル酸アミド誘導体が好ましく使用される。
尚１．ここに例えば（メタ）アクリレートはメタアクリ
レート又はアクリレートを示すものとする。
本発明でいう放射線には、電子線、紫外線があげられ、
これらを単独６併用又は紫外線及び電子線の順序に照射
してもよい。
螢光体ペーストは（１）上）ホのＦＬ用螢光体粉末とバ
インダーとして有機高誘電体物質及び放射線ににり固化
可能な少くとも一種の化合物（固化後高誘電率を示す化
合物であっても、示さない化合物であっても、またその
温合物であってもよい）を混合しよく分散さｕｎ１２泡
することにより１！７られる。有機高誘電体物質を混合
するとバインダーの誘電率が大となるのみならず、バイ
ンダーの粘度調節も行うことができ、塗布が容易となる
という利点がある。また（２）ＥＬ螢光体粉末とバイン
ダーとして少くとも一種の放射線により固化可能な化合
物を主成分とし、該放射線により固化ｊｉｌ能な化合物
の少くとも一種が固化後高誘電率を示す化合物を混合し
、よく分散さｔｉ脱泡することによって得られる。
螢光体粉末とバインダーとの配合範囲はバインダー１（
１０）重量部に対し螢光体粉末１５０へ・８（１０）重
量部、好ましくは交流駆動形式の場合は２５０〜４５０
重石部、直流駆動形式の場合は４（１０）〜７５０重量
部の範囲が好ましい。バインダー中の高誘電率を示す化
合物（有機高誘電体物質、固化後、高誘電率を示す化合
物もしくは該化合物と有機高誘電体物質の合計）はバイ
ンダー全体の１０〜１（１０）ｆ４ｆｆｉ％が好ましく
、更にりｆましくは５０〜１（１０）屯吊％の範囲が好
ましい。
これらのペーストはスペーサー、光増感剤等を含むこと
ができる。
スペーサーは、交流駆動形式のＥＬ累子の発光層の厚み
を一定に保持する作用を営むが、その材質はエポキシ樹
脂、ポリスチレン樹脂、ナイロン樹脂、ガラス等から選
択され、その粒径は１０〜５０ミクロンであり、添加範
囲は硫化亜鉛などのエレクト［１ルミネセンス用螢光体
粉末に対し２爪ら１％以下である。
光増感剤の代表的な例としては、ベンゾインイソプロピ
ルエーテル、１−ヒドロキシ−シクロへキシル−フェニ
ルケトン（チバガイギー社製；商品名イルガ駐ニア−１
８４）、　２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル
プロパン−１−，１ン（メルク社￥Ｊ　：商品名ダロキ
ュア１１７３）　、ベンジルジメチルケタール（ヂバガ
イギー社￥Ｊ：イルガ４：ユアー６５１）等が挙げられ
る。
光増感剤の添加量としては通常、放射線により固化可能
な化合物に対し０．５〜５重Ｈ１％添加することが好ま
しい。
−１・　多１．−９休ペースト 本発明の分散型ＥＬ素子の絶縁体層形成用高誘電体ペー
ストは（１）無機高誘電体粉末と有機高誘電体物質とか
ら選ばれた少くとも一種の高誘電体物質及び放射線によ
り固化可能な少くとも一種の化合物とを主成分とするも
の、もしくは■敢！ｌ）ｊ線により固化可能な少くとも
一種の化合物を主成分とし、該放ＩＪ線により同化可能
な化合物の少くとも一種が固化後高誘電率を示す化合物
である。
（１）において放射線により固化可能な化合物は固化後
高誘電率（ＩＫＨｚ、２５℃で誘電率１０以上が好まし
い）を示すものであってもよいし、高誘電率を示さない
ものであってもよいし、その混合物であってもよい。ま
た（２）においては固化後高誘電率を示す放射線により
固化可能な化合物単独であってもよいし、固化後ｒＳ誘
電率を示さない放射線により固化可能な化合物との混合
物であってもよい。
（１）のペーストは高誘電体物質を放射線により固化可
能な化合物に混合しよく分散させ脱泡することにより得
られ、（２）のペーストは上述の放射線により固化可能
な化合物をそのまま脱泡することにより得られる。
無機高誘電体粉末としては従来使用されていたちのを使
用し得るが例えばチタン酸バリウム。
チタン酸鉛、ブタン酸ストロンチウム等が好ましく、右
ＩＲ高誘電体物質、放射線により固化可能な化合物等は
発光体層形成用螢光体ペーストで用いられたと同じもの
が用いられる。バインダーと無機高誘電体粉末との配合
範囲はバインダー　１（１０）重Ｍ部に対し無機高誘電
体粉末２（１０）〜７（１０）重Ｍ部が好ましく更には
３（１０）〜ｓｏｏｉｔｍ部が好ましい。また、誘電体
物質（無機又は有機高誘電体も１ツクけこれらと固化後
高誘電率を示ず化合物との合Ｎｔ　）の全ペースト中の
割合は１０〜１（１０）１ｉｆｉｉ％が好ましく、更に
好ましくは５０〜１（１０）重量％が用いられる。
これらのペーストには必要に応じて発光層形成用螢光体
ペーストと同様、増感剤が適宜加えられる。
乱盈１」ヨＬ肛ヱ 本発明は上述の発光層、絶縁体層形成用ペーストを用い
て溶剤乾燥型及び熱硬化型の固化様式に替えて放ＯＡ線
により固化様式を採択することにより分散型ＥＬ索子を
形成するものである。
以下、第１図、第２図を参照にして分散型ＥＬ索子の製
造方法の例を説明する。第１図は透明電極と背面電極と
の間に発光層及び絶縁体層を挟持してなる分散型ＥＬ素
子を示す。この場合まず絶縁体層形成用高誘電体ペース
トを端子（７）の引出し処理を施した背面電極（１）に
塗布する。塗布機放射線照射により固化させ、絶縁体層
が形成される。絶縁体層の厚みは５〜５０ミクロンであ
ることが好ましい。
放射線の照射量は電子線の場合は１〜１０メガラツドが
好ましく、紫外線の場合はｉ、ｏｏｏ〜ｉｏ、　ｏｏ。
ミリジュール／ｃｉが好ましく用いられる。
次に発光層形成用螢光体ペーストを絶縁体層（３）の上
に塗布する、塗布後あらかじめ端子（８）の引出し処理
を施した透明電極をペースト層に［１着した。透明電極
は片面に蔓電性の透明フィルム（２゛）を蒸着した合成
樹脂フィルム（２）が用いられ、尋電性透明フィルムが
貼り合わせ面となるように圧着する。
次いで上記積層物の透明電極側から放射線を照射して固
化を行う。発光層の厚みは５〜５０ミク［）ンであるこ
とが好ましい。
放射線の照射量は電子線の場合は１〜１０メガラツトが
好ましく、紫外線の場合は１，（１０）０−１０，（１
０）０ミリジユール／ｄが好ましく用いられる。
固化侵、外部リード線を引出した状態で捕水。
接着を目的としてナイ１コン等の合成樹脂フィルム（５
）を被着し、更に全体を弗素樹脂フィルム（６）で封止
する。
第２図は透明電極と背面電極との間に発光層を挟持して
なる分散型ＥＬ県子を示す。この場合は発光層形成用螢
光体ペーストをあらかじめ端子（７）の引き出し処理を
施した背面電極（１）上に塗布してペースト層を形成し
、引続き予じめ電極引出し端子（８）を取付けた導電性
透明フィルム（２°）を蒸むした合成樹脂フィルム（２
）からなる透明電極を導電性透明フィルム（２゛）が貼
り合わせ面となるように前記螢光体ペースト層に圧着す
る。次に該積層体の透明電極（２）の側から放射線を照
射することにより固化発光層を形成する。発光層の厚み
は５〜５０ミクロンであることが好ましい。外部リード
線を引き出した状態で捕水、接着を目的として合成樹脂
フィルム（５）を被着し、史に全体を弗素樹脂フィルム
（６）で封止する。
発光層を形成する螢光体ペーストと絶縁体層を形成する
高誘電体ペーストの師類を組合わせることにより、第１
図の場合には［Δ］；螢光体ペースト（１）と高誘電体
ペースト（１）の組合わけ、［Ｂ１；螢光体ペースト（
１）と高誘電体ペースト（２）の組合わせ、［Ｃ］：螢
光体ペースト（２）と高誘電体ペースト（１）の組合わ
せ、［Ｄ］；螢光体ペースト（２）と高誘電体ペースト
（２）の組合わせの４種があり得、第２図の場合には［
Ｅ］；螢光体ペースト（１）の使用と［Ｆ］；螢光体ペ
ースト（？）の使用の２種が存在し得る。
なお、背面電極（１）として、透明電極、例えば片面に
ＩＴＯＩｔ化インジウム・酸化スズ膜）を蒸着したポリ
エチレンテレフタレートフィルムを用いて製造すれば、
分散型［Ｌ索子に両面発光を行わせることができる。
又、高誘電体ペースト層及び螢光体ペースト層は、１回
の放射線、特に電子線の照射の工程により固化させて、
絶縁体層及び発光層を形成づ′ることができる。
更に、本発明による分散型ＥＬＭ子の発光層形成用の螢
光体ペースト及び絶縁体層形成用Ｆ！ｉ誘電体ペースト
はスピンコード法、ドクターブレード法、スクリーン印
刷法笠適当な塗布方法により所定の膜厚になるように塗
布することができるので工程を短縮することができる。
本発明で使用する背面電極、透明電極、付活剤。
被覆材、封止材については特別な制限はな（、従来使用
していたものを適用できる。
このようにして得られた分散型「［、素子はその端子に
交流電圧もしくは直流電圧を印加することにより高い輝
度を示すことができる。
［効果］ 本発明の分散型ＥＬ素了の絶縁体層及び発光層形成用の
高誘電体微粒子ペースト及び螢光体粒子ペーストを用い
ることにより、分散型ＥＬ素子の製造に要する時間を著
しく短縮でき、溶剤の使用による火災、爆発、溶剤中毒
の危険がなく、所望の膜厚の絶縁体層及び発光層を容易
に得ることができる。その外にも、従来の溶剤乾燥型の
ペーストの場合、１回の膜厚を厚くし過ぎると、溶剤に
よる発泡現象やダレを生じやすく、平Ｗｔな絶縁体層及
び発光層が得にくかったが、本発明はそのような欠点を
避けることができる。
［実施例］ 以下、本発明を実施例によって具体例に説明するが、本
発明はその要旨を超えない限り実施例に限定されるもの
ではない。
実施例１゜ 硫化亜鉛に銅などの付活剤を添加したＥＬ用螢光体粉末
３６０ｇを電子線により固化可能な七ツマ−である２−
（２−シアノエトキシ）エチルアクリレート（固化後の
誘電率ε−３０，１ＫＨｚ　、　２５℃）１（１０）９
に混ぜて、よく分散させ、次いで脱泡を施した。この懸
濁液中にスペサーとしてエポキシビーズを１ｇ分散さ゛
ぜて、分散型ＬＬ素子の発光層形成用螢光体ペーストを
製造した。
実施例２゜ 母体の硫化亜鉛に付活剤としてマンガンを加え、更に表
面に銅処理を施したＥＬ用螢光体粉末７３０９を紫外線
により固化可能なバインダーモノマーである２−（２−
シアノエト１シ）エチルアクリレート１ｏｏｙに混ビて
、よく分散させ、更に光増感材（ヂバガイギー社製：イ
ルガ１ニア−６５１）を２ｇ添加し撹拌混合した後、脱
泡を施して、分散型ＥＬＸ子の発光層形成用螢光体ペー
ストを％Ａ造した。
実施例３゜ 硫化亜鉛に銅などの付活剤を添加したＥＬ用螢光体粉末
３６０ｇを紫外線によって固化可能な２−（２−シアノ
エトキシ）エチルアクリレート　１（１０）７に混ぜて
、よく分散させ、更に光増感剤（チバガイギー社￥Ｊ：
イルガギュア−６５１）を２ｇ添加し、撹拌混合し、次
いで脱泡を施した。この懸濁液中にスペーサーとしてエ
ポキシビーズを１ｇ分散ざＵて、分散型トＬ素子の発光
層形成用螢光体ペーストを製造した。
実施例４゜ 硫化亜鉛に鋼などの付活剤を添加したＥＬ用螢光体粉末
３６０ｊと、電子線により固化可能なバインダーモノマ
ーである２−（２−シアノエトキシ）エチルアクリレー
ト５０ｇと、２−シアンエチルアクリレート５０ｇ（固
化後の誘電率ε−１７，Ｉ　ＫＨ７。
２５℃）とをよく混合分散させ、更に光増感剤（チバガ
イギー社ｙＪニイルガキュアー６５１）を２ｇ、スペー
サーとしてエポキシビーズを１ｇ分散させ、次いで脱泡
を施して、分散型［Ｌ素子の発光層形成用螢光体ペース
トを製造した。
実施例５゜ 実施例２で使用したＥＬ用螢光体粉末７３０９、シアノ
エチル化ポバール（誘電率ε＝２０゜１ＫＨ２，２５℃
）１０びを２−（２−シアノエトキシ）エチルアクリレ
ート９０ｇに晶ぜて、よく分散させ、更に光増感剤（ヂ
バガイギー礼！ＩＩ＝イルガキュアー６５１）を２ＬＪ
添加し撹拌混合した後、脱泡を施して、分散型ＥＬ素子
の発光層形成用螢光体ペーストを製造した。
実施例６゜ 実施例１で使用したＥＬ用螢光体粉末３６０ｇを２−シ
アノエチルアクリレート　１（１０）ｇ、ネオペンチル
グリコール・ジアクリレート１０ｇと混合し、よく分散
させ、次いで脱泡を施した。この懸濁液中にスペーサー
としてエポキシビーズ１ｇ、光増感材（イルガ４ニュア
ー６５１）を２ｇ分散させ、分散型［Ｌ素子の発光層形
成用螢光体ペーストを＋ｘｌ造した。
実施例７゜ 実施例１で使用したＥＬ用螢光体粉末３６０ｇ。
シアノニブル化プルラン２０ｇ（ε−１９，１ＫＨ２。
２５℃）を２−シアノエチルアクリレート　１（１０）
９　、　トリメヂロールプロパントリアクリレート１０
ｇに混合、よく分散させ脱泡を施した。この懸濁液中に
スペーサーとしてエボ４シビーズ１ｔＪ、イルガ１−コ
アー６５１　２！Ｊを混合、分散型ＥＬ素子の発光層形
成用螢光体ペーストを製造した。
実施例８゜ チタン酸バリウム粉末４５０ｇを電子線により固化可能
なバインダーモノマーである２−（２−シアノエトキシ
）エチルアクリレート　１（１０）ｇに混ぎで、よく分
散させ、次いで脱泡を施して、分散型ＦＥ　Ｌ素子の絶
縁体層形成用高誘市体ペーストを製造した。
実施例９゜ チタン酸バリウム粉末４（１０）９を紫外線により固化
可能す２−（２−シアノエトキシ）エチルアクリレート
　１（１０）ｇに混「て、よく分散させ、更に光増感剤
（チバガイギー社製ニイルガキュアー６５１）を２び混
合撹拌し、次いぐ脱泡を施して、分散型ＥＬ素子の絶縁
体層形成用高誘電体ペーストを！ｌＪ造した。
実施例１０゜ チタン酸バリウム粉末４５０ｇ、電子線により固化可能
なバインダーモノマーである２−（２−シアノエトキシ
）エチルアクリレート５０ｇと、２−シアノエチルアク
リレート５ＪＪとをよく混合分散させ、次いで脱泡を施
して、分散型［［素子の絶縁体層形成用高誘電体ペース
トを製造した。
実施例１１゜ チタン酸バリウム粉末４５０ｇを２−（２−シアノエト
キシ）エチルアクリレート８０ｇ、ネオペンチルグリコ
ールジアクリレート２０ｇに混ぜ、よく分散させ、次い
で脱泡を施して分散型ＥＬ累子の絶縁体層形成用高誘電
体ペーストを製造した。
実施例１２゜ チタン酸バリウム粉末４（１０）９．シアノエチル化ポ
バール１０りを２−（２−シアノエトキシ）エチルアク
リレート９０ｇに混合し、よく分散させて更にイルガキ
ュアー６５１を２ｇ混合し、脱泡して分散型ＥＬ素子の
絶縁体層形成用高誘電体ペーストを製造した。
実施例１３゜ チタン酸バリウム粉末４５０ｇ、シアノエチル化サッカ
ロース（誘電率ε＝３５．１にト１ｚ、２５℃）３０９
を２−（２−シアノエトキシ）エチルアクリレート８０
９．）リメチロールブロバントリアクリレート２０ｇに
混合し、よく分散さけ次いで脱泡を施して分散型Ｅ　Ｌ
、素子の絶縁体層形成用高誘電体ペーストを製造した。
実施例１４゜ ２−（２−シアノエトキシ）エチルアクリレート１（１
０）ｒＪにイルガキュアー６５１を２ｇ混合し、脱泡し
分散型ＬＬ素子の絶縁体層形成円高誘雷体ベーストを製
造した。
本発明の分散型Ｅｌ素子用高誘電体ペースト及び螢光体
ペーストを用いた分散型ＥＬ素子の例には、次のものが
ある。
実施例１５゜ 第１図を参照して、背面電極（１）として、厚みが８０
ミクロンのアルミニュウム薄板を用い、又、透明電極と
して、片面に導電性のＩＴＯ（２°）を蒸着した厚みが
１（１０）ミクロンのポリエチレンテレフタレートフィ
ルム（２）を用いた。一方、電子線により固化可能なバ
インダーモノマーとして、２−（２−シアノエトキシ）
エチルアクリレートを用いた。チタン酸バリウム粉末４
５０　ｇに、上記のバインダー七ツマ−１（１０）ｇを
混ぜて、よく分散させ、次いで脱泡を施して得られた分
散型［Ｌ素子の絶縁体層形成用高誘電体ペースト（実施
例８）を、予め端子（７）の引出し処理を施した背面電
極（１）にスピンコード法で塗布して、高誘電体ペース
ト層を形成した。続いて、上記積層物に２８１社の電子
線照り４装買ＣＢ　１５０　／　１５／　１０Ｌから３
ｍＡの条件で５メガラドの照射ｖ；ａｍになるようにコ
ンベア速度を調整し照射して（照射時聞は１秒以内）、
バインダーモノマーを固化させ、絶縁体層（３）を形成
した。この厚みは、３０ミク［１ンであった。続いて、
硫化亜鉛に銅などの付活剤を添加した［［用螢光体粉末
３６０ｇに上記のバインダーモノマーｔｏｏｇを混ぜて
、よく分子！ｉさせ、次いで脱泡をｈ％し、この懸濁液
中にスペーサーとしてエボ４−シビ−ズを１ｒＪ分散さ
せて得られた分散型ＥＬｌ’ｘ子の発光層形成用螢光体
ペースト（実施例１）を、絶縁体Ｐ！１（３）上にスピ
ンコード法で塗布して、螢光体ペースト層を形成した。
続いて、予め端子（８）の引出し処理を施した透明導電
フィルム（２）を、透明電極とペースト層との貼り合せ
面に気泡を巻込まないようにして圧着した。次いで、上
記積層物の透明電極側からＥＳＩ社の電子線照射装回Ｃ
Ｂ　１５０／１５／１０１−から３ｍＡの条件で５メガ
ラドの照射線量になるようにコンベア速度を調整し照（
ト）して（照射時間は１秒以内）、バインダーモノマー
を固化させ発光層（４）を作成した。発光層（４）の厚
みは、５０ミクロンであった。そして、外部リード線を
引出した状態で捕水、接着を目的としてナイロン６・ナ
イ［ｌン１２の複合フィルム（５）を被着し、更に全体
を弗素樹脂フィルム（６）で封止した。この分散型ＥＬ
素子は、１（１０）Ｖ　、　　４（１０）１１２の交流
電圧を印加することで、１５０ｃｄ／−の高い輝度を示
した。
実施例１６゜ 同じく第１図を参照して、背面電極（１）として厚みが
１（１０）ミクロンのアルミニュウム薄板を用い、又、
透明電極として、片面に導電性のＴ　Ｔ　Ｏ（２°）を
蒸着した厚みが９０ミク［」ンのポリエチレンテレフタ
レートフィルム（２）を用いた。一方、紫外線により固
化可能なバインダーモノマーとじて、２−（２−シアノ
エトキシ）エチルアクリレートを用い、ヂタン酸バリウ
ム粉末４（１０）　Ｊに上記のバインダーモノマー１（
１０）ｔＪを混ぜて、よく分散させ、更に光増感剤（チ
バガイギー社製：イルガ、１ニュアー６５１）を２ｇを
混合し、次いで兵学脱泡を施して得られた分散５′！［
Ｌ素子の絶縁体布形成用高誘電体ペースト（実施例９）
を、予じめ端子（７）の引出し処理を施した背向電極（
１）のアルミニュウム薄板にスピンコード法で塗布して
、高誘電体微粒子ペースト層を形成した。続いて、上記
積層物に４ｋＷメタルハライドランプから紫外線１０秒
間照射して、バインダーモノマーを固化させ、絶縁体層
（３）を形成した。この厚みは、１５ミクロンであった
。続いて、硫化亜鉛に銅など付活剤を添加したＥＬ用螢
光体粉末３６０ｇを上記のバインダーモノマー１（１０
）ｇに混ビて、よく分散させ、更に光増感剤（チバガイ
ギー社製：イルガー１゛ニア−６５１）を２ｇ混合し、
次いで脱泡を施した。この懸濁液中にスペーサーとして
エポキシビーズを１ｇ分散させて１９られた分散型［し
素子の発光層形成用螢光体ベースト（実施例３）を、絶
縁体層（３）上にスピンコード法で塗布して、螢光体ペ
ースト層を形成した。続いて、予め端Ｆ−（８）の引出
し処理を施して、透明電極とする透明導電フィルム（２
）を、透明電極とペースト層層との貼り合せ面に気泡を
巻込まむいようにして圧着した。次いで、上記積層物の
透明電極側から４に一メタルハライドランプから紫外線
を１０秒間照射し、バインダーモノマーを固化させ発光
層（４）を作成した。発光層（４）の厚みは、３０ミク
１］ンであった。そして、外部リードｌ　（７，８）を
引出した状態で捕水、接着を目的としてナイロン６・ナ
イ［ｌン１２の複合フィルム（５）を被着し、更に全体
を弗素ａ４［１フイルム（６）で封止した。この分散型
Ｅ１−素子は、１（１０）Ｖ　、　　４（１０）１−Ｉ
　Ｚの交流電圧を印加することで５（１０）Ｃｄ／　Ｔ
Ｉｌの高いｓ度を示した。
実施例１７゜ 第２図を参照して、背面電極（１）として厚さ２（１０
）ミクロンのアルミニュウム板を使用し、透明１１４と
して厚さ１２０ミクロンのポリエチレンテレフタレート
フィルム（２）の片面にＩＴＯＩＦｉ！（酸化インジウ
ム・酸化スズ膜）（２°）を形成したものを用いた。光
面化性のバインダーモノマーである２−（２−シアノエ
トキシ）−アクリレート　１（１０）ｇに対し、表面に
ＣＩＪ処理を施したＺｎ　Ｓ　：Ｍｎ螢光体を７３０ｇ
加えて撹拌分散させ、更に光増感剤（ヂバガイギー社製
ニイルガキュアー６５１）を２ｇ添加し撹拌混合した後
、脱泡処理を施して螢光体ペーストを調合した（実施例
２）。このペーストを予め端子（７）の引出し処理を施
した背面電極（１）十にスピンコード法で塗布して螢光
体ペースト層を形成して、引続き予め’ａ！に引出し端
子（８）を取付けた透明導電フィルム（２）を貼り合せ
面に気泡が残らないようにして前記螢光体層に圧着した
。次に、該積層体の透明電極（２）側からメタルハライ
ドランプによる紫外線を１８秒間照射してバインダーモ
ノマーを固化させ、膜厚３０ミクロンの発光層（４）を
作成した。そして、外部リードＩ（７，８）を引き出し
た状態で捕水、接着を目的としてナイロン６・ナイロン
１２の複合フィルム（５）を被着し、更に全体を弗素樹
脂フィルム（６）で封止した。該東予の電極に直流電圧
を印加し、その電圧値を３０Ｖから徐々に高クシて１（
１０）Ｖまで上げる方法で約３萌間のフォーミングを施
した。このフォーミングと共に橙色発光ｒｌ！度は漸次
向上し、最終的には直流１（１０）■印加で６８ｃｄ／
−の輝度を示した。
実施例１８゜ 絶縁体層形成用高誘電体ペーストとしてヂタン酸バリウ
ム粉末４５０　ｇに２−（２−シアノエト」シ）エチル
アクリレート８０重量部とシアンエチル化ポバール２０
ｆｌｕｌｌｊ１部トリメチロールプロパントリアクリレ
ート１０重吊部からなるバインダーｉｏｏｇを混合、分
散したペーストを使用した。また発光層形成用螢光体ペ
ーストとして硫化亜鉛に銅などの付活剤を添加した［Ｌ
用螢光体粉末３６０ヒに上記のバインダー１（１０）９
を混ぜて、よく分散させ、次いで脱泡を施し、この懸濁
液中にスペーサーとしてエボヤシビーズを１び分散させ
て得られたペーストを使用した。
以上の高誘電体ペースト及び螢光体ペーストを使用し、
これらのペーストをスクリーン印刷で背面電極もしくは
絶縁体岡上に塗布する以外は実施例１５と全く同様にし
て分散型ＥＬ素子を得た。この分散型Ｅ１素子は１（１
０）ｙ　、　　４（１０）Ｈｚの交流電圧を印加するこ
と゛（−１３０Ｃｄ／Ｗ１１の高い輝瓜を示した。
実施例１９〜２３ 実施例１８ｒ：使用した高誘電体ペースト及び螢光体ペ
ーストの夫々において２−（２−シアノエトキシ）エチ
ルアクリレート８０重量部の代りにＮ、Ｎ−ビス（２−
シアノエチル）アクリルアミド（実施例１９）　、　３
−シアノプロピルアクリレート（実施例２０）　、　２
−［２−（２−シアノエトキシ）エトキシ］エチルメタ
アクリレート（実施例２１）　、　２−ヒドロキシ−３
−（２−シアノエトキシ）プロピルアクリレート（実施
例２２）　、　２−ヒドロギシー−３−（２−シアノエ
トキシ）プロピルメタアクリレート（実施例２３）を夫
々８０重Ｍ部使用し、他はすべて実施例１８と同様にし
て分散型Ｅ［素子を得た。
これらの分散型ＥＬｆ／ｉ子に１（１０）Ｖ　、　　４
（１０）１−１７の実施例２４〜２５′ 絶縁体層形成用ｔＩＩ誘電体ペーストとして実施例１４
のペーストを使用する以外は実施例１８と同様にして分
散型Ｅｌ素子を得た。（実施例２４）。
・また、絶縁体層形成用高誘電体ペーストとして実施例
１４のペーストを使用し、発光層形成用螢光体ペースト
として実施例１のペーストを使用する以外は実施例１５
と同様にして分散型［Ｌ素子を１！７た。（実施例２５
） これらの分散型ＥＬ累子ニ１（１０）Ｖ、　　４（１０
）Ｈ２（７）交流電圧を印加すると次の如き輝度を示し
た。
実施例２６゜ 発光層形成螢光体ペーストどして実施例５の螢光体ペー
ストを使用りる以外は全〈実施例１７と同様にして分散
型ＥＩＡ子を得た。該素子の電極に直流電圧を印加し、
その電圧値を３０Ｖから徐々に高くして１（１０）Ｖま
で上げる方法で３時間のフォーミングを施した。このフ
ォーミングと共に橙色発光輝度は瀬次向上し、最終的に
は直流１（１０）Ｖ印加で（ｉ８Ｃｄ／−の輝度を示し
た。
次ぎに、放射線により固化可能で固化俊高い誘電率を示
１化合物の合成例を示づ。
合成例１ 撹拌機、冷却器、温度計の付いた５（１０）ｄの４つロ
セパラブルフラスコに、２−ヒドロギシエブルアクリレ
ート５８り、アクリロニトリル１３２．５ｇ。
１．８−ジアザビシクロ［５，４，Ｏｌウンゲｔ？−７
−エン３．８ｇを仕込み、反応温度２５℃で撹拌しなが
ら５時間反応した。この反応液を５（１０）ｄの分液ロ
ートに移し、純水５０りを加えてよく振って分液し、水
層を除去した。この操作を３回繰り返した後の有機層に
酸化防止剤としてデトラＶス［メヂレンー３（３，５−
ジーターシｔ？リーブデルー４−ヒドロキシフェニル）
プロピオネートコメタンを有機層の重量に対して１パー
セント添加し、５　ｍ　ｍ　ｌ−Ｉ　Ｑの減圧上蒸留を
行い、留出温度１２０℃で目的とする２−（２−シアノ
エトキシ）エチルアクリレートが１ｑられた。この化合
物の誘電率εは、ポリマーの状ａｔ”ε−＝３ｏ＜１ｋ
Ｈｚ　、　２５℃）であった。
合成例２ 攪拌機、冷却機、温度計及び滴下ロートの付いた１リツ
トルの４つ日丸底フラスコに、アクリルアミド５０ｇ、
アクリロニトリル２（１０）ｇを仕込み、フラスコ内の
温度を１０℃以１ζに保ちながらナトリウムメチラート
０．５４９を含むメタノール溶液２０ｇを１．５時間で
滴下した。滴ド終了後、更に２時間撹拌しながら反応を
続け、これを０．３Ｎｌｌ酸水溶液５（１０）威に掻き
交ぜながら加え、この液を分液ロートに移し、’ａｍ層
を分液した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥してか
ら、過剰のアクリロ−トリル、未反応のアクリルアミド
及びｉｆＪ生するメチルシアノエチルニーデルを減圧留
去し、残留物を冷却すると黄色ワックス状固体が得られ
た。ベンゼンから再結晶すると、融点が６２．５〜６４
℃のＮ。
Ｎ−ビス（２−シアノエチル）アクリルアミドが得られ
た。この化合物の誘電率εは、ポリマーの状態でε＝１
０（１ｋＨｚ　、　２５℃）であった。
合成例３ 合成例１と同じ反応装置にアクリル酸ナトリウム４７ｇ
、４−クロロブチ［１ニド・リル７８ｇ、フェノデアジ
ン０．１ｊＪ、キシレン５０Ｉｄ及びトリエチルアミン
５ｇを仕込み、１（１０）℃で５時間反応した。
次いで反応液を冷却し０．２Ｎｗｒ酸２５０ｄに撹＋ｙ
しながら加え、この液を分液ロートに移し、ベンビン２
５０成で３回抽出し、有機層からベンゼン、キシレンを
減圧留去後、減圧蒸留し、　　０．７ｍｍ）−１ｏ下、
９０〜９２℃の留出温度で３−シアノプロピルアクリレ
ートが得られた。この化合物の誘電率εは、ポリマーの
状態でε＝１０（１ｋｌ−１２、２５℃）であった。
合成例４ 合成例２と伺じ反応装置にジエチレングリコールモノメ
タクリレート　１７４９　、アクリロニトリル２６５ｇ
、　　２．６−ジーｔ−ブチル−ｐ−クレゾール１．５
ｇを仕込み、撹拌しながら１．８−ジアザビシフｎ　［
５，４，０１ウンデセ−７−ニン７．７ｇを滴下した。
滴下後、自己発熱により４０〜５０℃に昇温するが、そ
のまま撹拌しながら５時間反応した。反応終了後、酢酸
で中和し、過剰のアクリロニトリルを減圧留去した。こ
の反応液にベンゼン１（１０）ｄと蒸留水４（１０）ｄ
を加えて分液ロートに移し分液し、水層を除去し、再び
蒸溜水４（１０）ｄを加えて同様の操作を行った。有１
１層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、ベンゼンを減
圧下で留去すると、２−［２−（２−シアノエトキシ）
エトキシ］エチルメタアクリレートが得られた。この化
合物の誘電率εは、ポリマーの状態でε−２１＜　１　
ｋＨｚ　、　２５℃）であった。
合成例５ 合成例２と同じ反応＠置に２，３−ジ−ヒドロキシプロ
ピルアクリレ−）−１４６ｇ、アクリロニトリル５３０
９．．２．６−ジーｔ−ブチル−ｐ−クレゾール１．５
ｇを仕込み、撹拌しながら１．８−ジアザビシクロ［５
，４，ＯＦウンデセ−７−ニン７．７ｇを滴下した。
滴下後、自己発熱により４０〜５０℃に胃瀉するが、そ
のまま撹拌しながら５時間反応した。反応終了後、酢酸
で中和し、過剰のアクリロニトリルを減圧留去した。こ
の反応液にベンゼン１（１０）７ど蒸溜水４（１０）ｄ
を加えて、分液ロートに移し分液し、水層を除去し、再
び蒸溜水４（１０）ｄを加えて同様の操作を行った。有
機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、ベンゼンを減
圧下に留去すると、２−ヒドロキシ−３−（２−シアノ
エトキシ）プロピルアクリレートが得られた。この化合
物の誘？ｔｉ率εは、ポリマーの状態でε＝２７（１ｋ
ｌ−１ｚ　、　２５℃）であった。
合成例６ 合成例２と同じ反応装百に２．３−ジ−ヒドロキシプロ
ピルメタクリレート　１６０９．アクリロニトリル５３
０ｇ、　　２．６−ジーｔ−ブチル−ｐ−クレゾール１
．５ｇを仕込み、撹拌しながら１．８−ジアザビシクロ
［５，４，Ｏｌウンデセ−７−ニン７．７ｇを滴下した
。滴下後、自己発熱により４０〜５０℃に昇温するが、
そのまま撹拌しながら、５時間反応した。反応終了後、
酢酸で中和し、過剰のアクリロニトリルを減圧留去した
。この反応液にベンゼン１（１０）ｄと蒸溜水４（１０
）ａｅを加えて分液ロートに移し分液し、水層を除去し
、再び蒸溜水４（１０）ｍを加えて、同様の操作を行っ
た。有機層を無水ａｍナトリウムで乾燥した後、ベンゼ
ンを減圧下に留去すると、２＝ヒドロキシ−３−（２−
シアノエトキシ）プロピルメタアクリレートが得られた
。この化合物の誘電率εは、ポリマーの状態でε−１７
（１ｋＨｚ　、　２５℃）であった。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明に係る分散型ＥＬ素子の発光層、絶縁
体層形成用の螢光体ペースト、高誘電体ペーストを用い
て製造した交流駆動形式の分散型ＥＬ素子の断面図であ
る。第２図は、本発明に係る分散型ＥＬ素子の発光層形
成用の螢光体ペーストを用いて製造したＩ流駆動形式の
分散型［し素子の断面図である。 １・・・・・・背面電極、２・・・・・・透明電極の合
成樹脂フィルム、２°・・・・・・透明電極の導電性膜
、３・・・・・・絶縁体層、４・・・・・・発光層、５
・・・・・・ナイロンの複合フィルム、−６・・・・・
・弗素樹脂フィルム、７．８・・・・・・引出し端子。

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）　エレクトロルミネセンス用螢光体粉末と有機高
    誘電体物質及び放射線により固化可能な少なくとも一種
    の化合物とを主成分とすることを特徴とする分散型エレ
    クトロルミネセンス素子の発光層形成用螢光体ペースト
    。
  2. （２）　エレクトロルミネッセンス用螢光体粉末と放射
    線により固化可能な少くとも一種の化合物を主成分とし
    、該放射線により固化可能な化合物の少くとも一種が固
    化後高誘電率を示す化合物であることを特徴とする分散
    型エレクトロルミネセンス素子の発光層形成用螢光体ペ
    ースト。
  3. （３）　放射線により固化可能な化合物で且固化後高誘
    電率を示す化合物がシアノアルキル基を有する（メタ）
    アクリル酸エステル誘導体、シアノアルコキシアルキル
    基を有する（メタ）アクリル酸エステル誘導体又はシア
    ノアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アミド誘導体
    から選ばれたものである特許請求の範囲第２項記載の螢
    光体ペースト。
  4. （４）　エポキシ樹脂，ポリスチレン樹脂，ナイロン樹
    脂，ガラス等のスペーサを含有することを特徴とする特
    許請求範囲第１項もしくは第２項に記載の螢光体ペース
    ト。
  5. （５）　光増感剤を含有することを特徴とする特許請求
    範囲第１項もしくは第２項に記載の螢光体ペースト。
  6. （６）　無機高誘電体粉末と有機高誘電体物質とから選
    ばれた少くとも一種の高誘電体物質及び放射線により固
    化可能な少くとも一種の化合物とを主成分とすることを
    特徴とする分散型エレクトロルミネセンス素子の絶縁体
    層形成用高誘電体ペースト。
  7. （７）　放射線により固化可能な少くとも一種の化合物
    を主成分とし、該放射線により固化可能な化合物の少く
    とも一種が固化後高誘電率を示す化合物であることを特
    徴とする分散型エレクトロルミネセンス素子の絶縁体層
    形成用高誘電体ペースト。
  8. （８）　放射線により固化可能な化合物で且固化後高誘
    電率を示す化合物がシアノアルキル基を有する（メタ）
    アクリル酸エステル誘導体、シアノアルコキシアルキル
    基を有する（メタ）アクリル酸エステル誘導体又はシア
    ノアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アミド誘導体
    から選ばれたものである特許請求の範囲第７項記載の高
    誘電体ペースト。
  9. （９）　光増感剤を含有することを特徴とする特許請求
    の範囲第６項又は第７項記載の高誘電体ペースト。
  10. （１０）　透明電極と背面電極との間に発光層及び絶縁
    体層を挾持して成る分散型エレクトロルミネセンス素子
    で、特許請求の範囲第６項記載の高誘電体ペーストを塗
    布して、高誘電体ペースト層を形成する工程と、特許請
    求の範囲第１項記載の螢光体ペーストを塗布して、螢光
    体ペースト層を形成する工程と、放射線を照射して上記
    ペースト層を固化させる工程とを具備し、それによつて
    上記絶縁体層及び発光層が形成されていることを特徴と
    する分散型エレクトロルミネセンス素子。
  11. （１１）　透明電極と背面電極との間に発光層及び絶縁
    体層を挟持して成る分散型エレクトロルミネセンス素子
    で、特許請求の範囲第７項記載の高誘電体ペーストを塗
    布して、高誘電体ペースト層を形成する工程と、特許請
    求の範囲第１項記載の螢光体ペーストを塗布して、螢光
    休ペースト層を形成する工程と、放射線を照射して上記
    ペースト層を固化させる工程とを具備し、それによって
    上記絶縁体層及び発光層が形成されていることを特徴と
    する分散型エレクトロルミネセンス素子。
  12. （１２）　透明電極と背面電極との間に発光層及び絶縁
    体層を挟持して成る分散型エレクトロルミネセンス素子
    で、特許請求の範囲第６項記載の高誘電体ペーストを塗
    布して、高誘電体ペースト層を形成する工程と、特訂請
    求の範囲第２項記載の螢光体ペーストを塗布して螢光体
    ペースト層を形成する工程と、放射線を照射して上記ペ
    ースト層を固化させる工程とを具備し、それによって上
    記絶縁体層及び発光層が形成されていることを特徴とす
    る分散型エレクトロルミネセンス素子。
  13. （１３）　透明電極と背面電極との間に発光層及び絶縁
    体層を挟持して成る分散型エレクトロルミネセンス素子
    で、特許請求の範囲第７項記載の高誘電体する工程と、
    特許請求の範囲第２項記載の螢光体ペーストを塗布して
    螢光体ペースト層を形成する工程と、放射線を照射して
    上記ペースト層を固化させる工程とを具備し、それによ
    つて上記絶縁体層及び発光層が形成されていることを特
    徴とする分散型エレクトロルミネセンス素子。
  14. （１４）　透明電極と背面電極との間に発光層を挾持し
    て成る分散型エレクトロルミネセンス素子で、特許請求
    の範囲第１項記載の螢光体ペーストを塗布して、螢光体
    ペースト層を形成する工程と、放射線を照射して上記ペ
    ースト層を固化させる工程とを具備し、それによって上
    記発光層が形成されていることを特徴とする分散型エレ
    クトロルミネセンス素子。
  15. （１５）　透明電極と背面電極との間に発光層を挾持し
    て成る分散型エレクトロルミネセンス素子で、特許請求
    の範囲第２項記載の螢光体ペーストを塗布ペーストを塗
    布して、高誘電体ペースト層を形成して、螢光体ペース
    ト層を形成する工程と、放射線を照射して上記ペースト
    層を固化させる工程とを具備し、それによつて上記発光
    層が形成されていることを特徴とする分散型エレクトロ
    ルミネセンス素子。
  16. （１６）放射線が電子線もしくは紫外線であることを特
    徴とする特許請求の範囲第１０項乃至第１５項のいずれ
    かに記載の分散型エレクトロルミネセンス素子。
  17. （１７）背面電極を透明電極として、両面発光を行うこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第１０項乃至第１６項の
    いずれかに記載の分散型エレクトロルミネセンス素子。
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KR20010067010A (ko) * 2000-11-23 2001-07-12 이철상 후막형 전계발광소자용 바인더 조성물 및 이를 포함하는전계발광소자
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JP2016104913A (ja) * 1997-11-17 2016-06-09 ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ 有機薄膜の低圧気相蒸着

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