JP2654490B2 - 分散型ｅｌ素子の発光層，絶縁体層形成用ペースト及び該ペーストを用いたｅｌ素子 - Google Patents
分散型ｅｌ素子の発光層，絶縁体層形成用ペースト及び該ペーストを用いたｅｌ素子Info
- Publication number
- JP2654490B2 JP2654490B2 JP63190198A JP19019888A JP2654490B2 JP 2654490 B2 JP2654490 B2 JP 2654490B2 JP 63190198 A JP63190198 A JP 63190198A JP 19019888 A JP19019888 A JP 19019888A JP 2654490 B2 JP2654490 B2 JP 2654490B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- paste
- layer
- high dielectric
- dispersion
- phosphor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、分散型エレクトロルミネセンス素子の発光
層及び絶縁体層の製造に用いる螢光体ペースト及び高誘
電体ペーストに関する。また、該螢光体ペースト及び高
誘電体ペーストを使用し放射線で固化することによって
得られた発光層，絶縁体層を備えた分散型エレクトロル
ミネセンス素子に関するものである。
層及び絶縁体層の製造に用いる螢光体ペースト及び高誘
電体ペーストに関する。また、該螢光体ペースト及び高
誘電体ペーストを使用し放射線で固化することによって
得られた発光層，絶縁体層を備えた分散型エレクトロル
ミネセンス素子に関するものである。
［従来の技術］ 分散型エレクトロルミネセンス素子は、エレクトロル
ミネセンス（以下、ELと略称する）用螢光体粉末を無機
材料や有機材料やバインダーに分散させて、発光層を形
成したものである。交流駆動形式の分散型EL素子の基本
構造は、背面電極と透明電極の間に絶縁体層及び発光層
を挾み込んだ形態のものであって、背面電極と透明電極
との間に正弦波交流又は両極性のパルス電圧を印加する
ことにより、発光層に高電界がかかってルミネセンスを
発し、透明電極を通って光として取り出される。なお、
交流駆動形式の分散型EL素子であっても、背面電極と透
明電極の間に発光層のみを挾み込む形態のものも希には
用いられる。又、直流駆動形式の分散型EL素子の基本構
造は、背面電極と透明電極の間に発光層を挾み込んだ形
態のものであって、背面電極と透明電極との間に一極性
のパルス電圧を印加することにより、発光層に高電界が
かかってルミネセンスを発し、透明電極を通って光とし
て取り出される。分散型EL素子の発光層、絶縁体層を形
成するバインダーのみならず、透明電極，保護層をも有
機材料を用いて形成するときには、該素子は薄く，軽
く，衝撃に強く、しかも可撓性を持たせることができ
る。
ミネセンス（以下、ELと略称する）用螢光体粉末を無機
材料や有機材料やバインダーに分散させて、発光層を形
成したものである。交流駆動形式の分散型EL素子の基本
構造は、背面電極と透明電極の間に絶縁体層及び発光層
を挾み込んだ形態のものであって、背面電極と透明電極
との間に正弦波交流又は両極性のパルス電圧を印加する
ことにより、発光層に高電界がかかってルミネセンスを
発し、透明電極を通って光として取り出される。なお、
交流駆動形式の分散型EL素子であっても、背面電極と透
明電極の間に発光層のみを挾み込む形態のものも希には
用いられる。又、直流駆動形式の分散型EL素子の基本構
造は、背面電極と透明電極の間に発光層を挾み込んだ形
態のものであって、背面電極と透明電極との間に一極性
のパルス電圧を印加することにより、発光層に高電界が
かかってルミネセンスを発し、透明電極を通って光とし
て取り出される。分散型EL素子の発光層、絶縁体層を形
成するバインダーのみならず、透明電極，保護層をも有
機材料を用いて形成するときには、該素子は薄く，軽
く，衝撃に強く、しかも可撓性を持たせることができ
る。
従来の交流駆動形式の分散型EL素子の製造方法におい
ては、チタン酸バリウム等の無機高誘電体粉末と固化可
能な化合物とを主成分とする高誘電体粉末ペーストを塗
布して、高誘電体ペースト層を形成する工程と、EL用螢
光体粒子と固化可能な化合物とを主成分とする螢光体粉
末ペーストを塗布して、螢光体ペースト層を形成する工
程と、上記ペースト層を固化させる工程とを具備し、そ
れによって絶縁体層及び発光層を形成した。又、従来の
直流駆動形式の分散型EL素子の製造方法においては、EL
用螢光体粉末と固化可能な化合物とを主成分とする螢光
体粉末ペーストを塗布して、螢光体ペースト層を形成す
る工程と、上記ペースト層を固化させる工程とを具備
し、それによって発光層を形成した。そして、上記の公
知の固化の様式には、溶剤乾燥型と熱硬化型の２つがあ
るのみであった。
ては、チタン酸バリウム等の無機高誘電体粉末と固化可
能な化合物とを主成分とする高誘電体粉末ペーストを塗
布して、高誘電体ペースト層を形成する工程と、EL用螢
光体粒子と固化可能な化合物とを主成分とする螢光体粉
末ペーストを塗布して、螢光体ペースト層を形成する工
程と、上記ペースト層を固化させる工程とを具備し、そ
れによって絶縁体層及び発光層を形成した。又、従来の
直流駆動形式の分散型EL素子の製造方法においては、EL
用螢光体粉末と固化可能な化合物とを主成分とする螢光
体粉末ペーストを塗布して、螢光体ペースト層を形成す
る工程と、上記ペースト層を固化させる工程とを具備
し、それによって発光層を形成した。そして、上記の公
知の固化の様式には、溶剤乾燥型と熱硬化型の２つがあ
るのみであった。
前者の溶剤乾燥型ペーストは、アクリル酸エステル
類、エポキシ樹脂等の重合性モノマーを適当な方法によ
って重合して得られる可溶性重合物、或はシアノエチル
化物をバインダー成分とする。但し、一般には、シアノ
エチル化物がバインダーとして使用されている場合が多
い。シアノエチル化物は、糖類，多価アルコール或は水
酸基含有ポリマー等のポリオール類が含有している水酸
基に、アクリロニトリルをマイクル付加することにより
得ることができ、その代表例としては、シアノエチル化
ポリビニルアルコール，シアノエチル化プルラン，シア
ノエチル化セルロース，シアノエチル化サッカロース，
シアノエチル化ヒドロキシエチル化セルロース等を挙げ
ることができる。上記のシアノエチル化物類は固体もし
くは粘稠液体であり、螢光体粉末を分散させるために
は、予めシアノエチル化物を溶剤に溶解しておく必要が
あった。該溶剤としては、ジメチルホルムアミド,N−メ
チルピロリドン，メチルエチルケトン，アセトン−ジメ
チルホルムアミド混合溶媒等が挙げられる。後者の熱硬
化型ペーストは、エポキシ樹脂，熱硬化性アクリル樹
脂，熱硬化性不飽和ポリエステル樹脂をバインダー成分
とした。
類、エポキシ樹脂等の重合性モノマーを適当な方法によ
って重合して得られる可溶性重合物、或はシアノエチル
化物をバインダー成分とする。但し、一般には、シアノ
エチル化物がバインダーとして使用されている場合が多
い。シアノエチル化物は、糖類，多価アルコール或は水
酸基含有ポリマー等のポリオール類が含有している水酸
基に、アクリロニトリルをマイクル付加することにより
得ることができ、その代表例としては、シアノエチル化
ポリビニルアルコール，シアノエチル化プルラン，シア
ノエチル化セルロース，シアノエチル化サッカロース，
シアノエチル化ヒドロキシエチル化セルロース等を挙げ
ることができる。上記のシアノエチル化物類は固体もし
くは粘稠液体であり、螢光体粉末を分散させるために
は、予めシアノエチル化物を溶剤に溶解しておく必要が
あった。該溶剤としては、ジメチルホルムアミド,N−メ
チルピロリドン，メチルエチルケトン，アセトン−ジメ
チルホルムアミド混合溶媒等が挙げられる。後者の熱硬
化型ペーストは、エポキシ樹脂，熱硬化性アクリル樹
脂，熱硬化性不飽和ポリエステル樹脂をバインダー成分
とした。
［解決しようとする問題点］ 前述のように、従来の分散型エレクトロルミネセンス
素子の製造方法においては、絶縁体層，発光層の形成に
加熱乾燥又は加熱硬化を必要とし、しかも両加熱工程共
に、約１−２時間を要する。又、所定の膜厚の絶縁体
層，発光層を得るために、塗布，乾燥工程又は塗布，硬
化工程を数回繰返すこともある。そのため、上記の固化
工程を短縮することが望まれている。又、溶剤の使用
は、火災，爆発，溶剤中毒等の危険があるため作業現場
にとり好ましくない。更に、バインダーとして一般に使
用されるシアノエチル化物は、酸素存在下では高温に長
時間、直接晒されていると着色してくる傾向があり、こ
のことはEL素子の発光の輝度を低下させ、発光色を変え
る欠点がある。この着色を防ぐには、低温且つ短時間で
ペースト層を乾燥することが好ましいので、真空加熱乾
燥工程を採択するが、するとEL素子の製造ラインの連続
化が困難となる。溶剤乾燥型ペーストの使用は、絶対層
及び発光層から溶剤を完全に除去するためにも、しばし
ば真空乾燥工程を合わせて必要とし、しかも完全に残留
溶剤を無くすには、日単位の真空加熱乾燥を要する。
素子の製造方法においては、絶縁体層，発光層の形成に
加熱乾燥又は加熱硬化を必要とし、しかも両加熱工程共
に、約１−２時間を要する。又、所定の膜厚の絶縁体
層，発光層を得るために、塗布，乾燥工程又は塗布，硬
化工程を数回繰返すこともある。そのため、上記の固化
工程を短縮することが望まれている。又、溶剤の使用
は、火災，爆発，溶剤中毒等の危険があるため作業現場
にとり好ましくない。更に、バインダーとして一般に使
用されるシアノエチル化物は、酸素存在下では高温に長
時間、直接晒されていると着色してくる傾向があり、こ
のことはEL素子の発光の輝度を低下させ、発光色を変え
る欠点がある。この着色を防ぐには、低温且つ短時間で
ペースト層を乾燥することが好ましいので、真空加熱乾
燥工程を採択するが、するとEL素子の製造ラインの連続
化が困難となる。溶剤乾燥型ペーストの使用は、絶対層
及び発光層から溶剤を完全に除去するためにも、しばし
ば真空乾燥工程を合わせて必要とし、しかも完全に残留
溶剤を無くすには、日単位の真空加熱乾燥を要する。
又、熱硬化剤のバインダーを使用したペーストの場
合、液物性が経時的に大きく変化し、可使時間の問題が
ある。特に、短時間硬化タイプに設計すると硬化温度が
高すぎたり、液物性の変化が大きく、糸を引いたりし
て、一定膜厚の絶縁体層を得ることが困難である。上記
のペーストに溶剤を添加して、ペーストの粘度を調整す
る必要のある場合もある。
合、液物性が経時的に大きく変化し、可使時間の問題が
ある。特に、短時間硬化タイプに設計すると硬化温度が
高すぎたり、液物性の変化が大きく、糸を引いたりし
て、一定膜厚の絶縁体層を得ることが困難である。上記
のペーストに溶剤を添加して、ペーストの粘度を調整す
る必要のある場合もある。
［問題点を解決するための手段］ 本発明者は、上述の従来の問題点が全て熱を使用して
固化させることに基づくことに注目し、分散型EL素子の
製造方法において、溶剤乾燥型及び熱硬化型の固化様式
に替えて、放射線による固化様式を採択するものであ
る。そして、本発明は、上記の分散型EL素子の絶縁体
層，発光層の形成のための放射線により固化可能な高誘
電体ペースト又は螢光体ペーストを提供するものであ
る。
固化させることに基づくことに注目し、分散型EL素子の
製造方法において、溶剤乾燥型及び熱硬化型の固化様式
に替えて、放射線による固化様式を採択するものであ
る。そして、本発明は、上記の分散型EL素子の絶縁体
層，発光層の形成のための放射線により固化可能な高誘
電体ペースト又は螢光体ペーストを提供するものであ
る。
更にまた、本発明は透明電極と背面電極との間に発光
層及び絶縁体層を挾持してなる分散型EL素子において、
本発明の高誘電体ペーストを塗布して高誘電体ペースト
層を形成する工程と本発明の螢光体ペーストを塗布して
螢光体ペースト層を形成する工程と、放射線を照射して
上記ペースト層を固化させる工程を具備し、それによっ
て上記絶縁体層及び発光層が形成されていることからな
る分散型EL素子及び透明電極と背面電極との間に発光層
を挾持してなる分散型EL素子において本発明の螢光体ペ
ーストを塗布して螢光体ペースト層を形成する工程と放
射線を照射して上記ペースト層を固化させる工程を具備
し、それによって上記発光層が形成されていることから
なる分散型EL素子を提供することにある。
層及び絶縁体層を挾持してなる分散型EL素子において、
本発明の高誘電体ペーストを塗布して高誘電体ペースト
層を形成する工程と本発明の螢光体ペーストを塗布して
螢光体ペースト層を形成する工程と、放射線を照射して
上記ペースト層を固化させる工程を具備し、それによっ
て上記絶縁体層及び発光層が形成されていることからな
る分散型EL素子及び透明電極と背面電極との間に発光層
を挾持してなる分散型EL素子において本発明の螢光体ペ
ーストを塗布して螢光体ペースト層を形成する工程と放
射線を照射して上記ペースト層を固化させる工程を具備
し、それによって上記発光層が形成されていることから
なる分散型EL素子を提供することにある。
本発明でいう固化とは、120℃以下において固体を維
持する状態をいう。
持する状態をいう。
発光層形成用螢光体ペースト 本発明の分散型EL素子の発光層形成用螢光体ペースト
は（１）EL用螢光体粉末と有機高誘電体物質及び放射線
により固化可能は少なくとも一種の化合物を主成分とす
るもの、もしくは（２）EL用螢光体粉末と放射線により
固化可能な少くとも一種の化合物を主成分とし、該放射
線により固化可能な化合物の少くとも一種が固化後高誘
電率を示す化合物からなる。
は（１）EL用螢光体粉末と有機高誘電体物質及び放射線
により固化可能は少なくとも一種の化合物を主成分とす
るもの、もしくは（２）EL用螢光体粉末と放射線により
固化可能な少くとも一種の化合物を主成分とし、該放射
線により固化可能な化合物の少くとも一種が固化後高誘
電率を示す化合物からなる。
EL用螢光体粉末としては一般に使用されているものを
使用し得るが硫化亜鉛粉末に銅もしくはマンガン等の付
活剤，クロム，ブロム，アルミニウム等の共付活剤を添
加したものが用いられる。これらの螢光体粉末としてGT
Eシルバニヤ社製タイプ723,タイプ523,タイプ727,タイ
プ728,タイプ729等が使用され得る。
使用し得るが硫化亜鉛粉末に銅もしくはマンガン等の付
活剤，クロム，ブロム，アルミニウム等の共付活剤を添
加したものが用いられる。これらの螢光体粉末としてGT
Eシルバニヤ社製タイプ723,タイプ523,タイプ727,タイ
プ728,タイプ729等が使用され得る。
有機高誘電体物質としては誘電率10以上（1Kz,25℃）
のものが好ましく、シアノエチル化エチレンビニルアル
コール共重合体，シアノエチル化ポリビニルアルコー
ル，シアノエチル化ジヒドロキシポバール，シアノエチ
ル化セルロース，シアノエチル化ハイドロキシアルキル
セルロース，シアノエチル化ハイドロキシエチルセルロ
ース，シアノエチル化プルラン，シアノエチル化ジヒド
ロキシプルラン，シアノエチル化スターチ，シアノエチ
ル化サッカロース，シアノエチル化アミロース，シアノ
エチル化ソルビトール，シアノエチル化ペンタエリスリ
トール，シアノエチル化マンニトール，シアノエチル化
メチルグルコース，シアノエチル化トリメチロールプロ
パン，シアノエチル化グリセリン，シアノエチル化ジグ
リセリン，シス３−６エンドメチレンΔ４テトラヒドロ
フタリックアシッド・シアノエチルエステル，シアノエ
チル化チオグリコール等のシアノエチル化物，トリフル
オロエチルビニルエーテル重合体，フッ化ビニリデン−
ヘキサフロロプロピレン共重合体，ポリフッ化ビニリデ
ン等のフッ素重合体，サクシノニトリル，ブタジエンア
クリロニトリルゴム，フタロニトリル等のニトリル化合
物等が好ましく使用される。
のものが好ましく、シアノエチル化エチレンビニルアル
コール共重合体，シアノエチル化ポリビニルアルコー
ル，シアノエチル化ジヒドロキシポバール，シアノエチ
ル化セルロース，シアノエチル化ハイドロキシアルキル
セルロース，シアノエチル化ハイドロキシエチルセルロ
ース，シアノエチル化プルラン，シアノエチル化ジヒド
ロキシプルラン，シアノエチル化スターチ，シアノエチ
ル化サッカロース，シアノエチル化アミロース，シアノ
エチル化ソルビトール，シアノエチル化ペンタエリスリ
トール，シアノエチル化マンニトール，シアノエチル化
メチルグルコース，シアノエチル化トリメチロールプロ
パン，シアノエチル化グリセリン，シアノエチル化ジグ
リセリン，シス３−６エンドメチレンΔ４テトラヒドロ
フタリックアシッド・シアノエチルエステル，シアノエ
チル化チオグリコール等のシアノエチル化物，トリフル
オロエチルビニルエーテル重合体，フッ化ビニリデン−
ヘキサフロロプロピレン共重合体，ポリフッ化ビニリデ
ン等のフッ素重合体，サクシノニトリル，ブタジエンア
クリロニトリルゴム，フタロニトリル等のニトリル化合
物等が好ましく使用される。
放射線により固化可能な化合物としては放射線により
固化する化合物なら、何でもよく、固化後高誘電率を示
すものであっても、示さないものでもその混合物であっ
てもよい。
固化する化合物なら、何でもよく、固化後高誘電率を示
すものであっても、示さないものでもその混合物であっ
てもよい。
これらの化合物としては、エポキシ（メタ）アクリレ
ート、ウレタン（メタ）アクリレート，（メタ）アクリ
ル変性ポリブタジエン，不飽和ポリエステル，シリコン
（メタ）アクリレート，ポリエステル（メタ）アクリレ
ート，トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレー
ト，ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート，
ヘキサンジオールジアクリレート,2−ヒドロキシエチル
（メタ）アクリレート,2−メトキシエチル（メタ）アク
リレート等の（メタ）アクリル化合物，（メタ）アクリ
ル酸エステル，スチレン，酢酸ビニル,N−ビニルピロリ
ドン等に代表される炭素−炭素二重結合を有するモノマ
ー，オリゴマー，プレポリマーを適宜組合わせることが
できる。また、特に固化後、高誘電率（誘電率10以上、
1KHz,25℃）を示す放射線により固化可能な化合物とし
ては２−シアノエチル（メタ）アクリレート,3−シアノ
プロピル（メタ）アクリレート，等のシアノアルキル基
を有する（メタ）アクリル酸エステル誘導体,2−（２−
シアノエトキシ）エチル（メタ）アクリレート,2−［２
−（２−シアノエトキシ）エトキシ］エチル（メタ）ア
クリレート,2−ヒドロキシ−３−（２−シアノエトキ
シ）プロピル（メタ）アクリレート等のシアノアルコキ
シアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステル誘導
体,N−Ｎ−ビス（２−シアノエチル）（メタ）アクリル
アミド,N−メチロール−Ｎ−シアノエチル（メタ）アク
リルアミド等のシアノアルキル基を有する（メタ）アク
リル酸アミド誘導体が好ましく使用される。尚、ここに
例えば（メタ）アクリレートはメタアクリレート又はア
クリレートを示すものとする。
ート、ウレタン（メタ）アクリレート，（メタ）アクリ
ル変性ポリブタジエン，不飽和ポリエステル，シリコン
（メタ）アクリレート，ポリエステル（メタ）アクリレ
ート，トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレー
ト，ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート，
ヘキサンジオールジアクリレート,2−ヒドロキシエチル
（メタ）アクリレート,2−メトキシエチル（メタ）アク
リレート等の（メタ）アクリル化合物，（メタ）アクリ
ル酸エステル，スチレン，酢酸ビニル,N−ビニルピロリ
ドン等に代表される炭素−炭素二重結合を有するモノマ
ー，オリゴマー，プレポリマーを適宜組合わせることが
できる。また、特に固化後、高誘電率（誘電率10以上、
1KHz,25℃）を示す放射線により固化可能な化合物とし
ては２−シアノエチル（メタ）アクリレート,3−シアノ
プロピル（メタ）アクリレート，等のシアノアルキル基
を有する（メタ）アクリル酸エステル誘導体,2−（２−
シアノエトキシ）エチル（メタ）アクリレート,2−［２
−（２−シアノエトキシ）エトキシ］エチル（メタ）ア
クリレート,2−ヒドロキシ−３−（２−シアノエトキ
シ）プロピル（メタ）アクリレート等のシアノアルコキ
シアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステル誘導
体,N−Ｎ−ビス（２−シアノエチル）（メタ）アクリル
アミド,N−メチロール−Ｎ−シアノエチル（メタ）アク
リルアミド等のシアノアルキル基を有する（メタ）アク
リル酸アミド誘導体が好ましく使用される。尚、ここに
例えば（メタ）アクリレートはメタアクリレート又はア
クリレートを示すものとする。
本発明でいう放射線には、電子線，紫外線があげら
れ、これらを単独，併用又は紫外線及び電子線の順序に
照射してもよい。
れ、これらを単独，併用又は紫外線及び電子線の順序に
照射してもよい。
螢光体ペーストは（１）上述のEL用螢光体粉末とバイ
ンダーとして有機高誘電体物質及び放射線により固化可
能な少なくとも一種の化合物（固化後高誘電率を示す化
合物であっても、示さない化合物であっても、またその
混合物であってもよい）を混合しよく分散させ脱泡する
ことにより得られる。有機高誘電体物質を混合するとバ
インダーの誘電率が大となるのみならず、バインダーの
粘度調節も行うことができ、塗布が容易となるという利
点がある。また（２）EL用螢光体粉末とバインダーとし
て少くとも一種の放射線により固化可能な化合物を主成
分とし、該放射線により固化可能な化合物の少くとも一
種が固化後高誘電率を示す化合物を混合し、よく分散さ
せ脱泡することによって得られる。
ンダーとして有機高誘電体物質及び放射線により固化可
能な少なくとも一種の化合物（固化後高誘電率を示す化
合物であっても、示さない化合物であっても、またその
混合物であってもよい）を混合しよく分散させ脱泡する
ことにより得られる。有機高誘電体物質を混合するとバ
インダーの誘電率が大となるのみならず、バインダーの
粘度調節も行うことができ、塗布が容易となるという利
点がある。また（２）EL用螢光体粉末とバインダーとし
て少くとも一種の放射線により固化可能な化合物を主成
分とし、該放射線により固化可能な化合物の少くとも一
種が固化後高誘電率を示す化合物を混合し、よく分散さ
せ脱泡することによって得られる。
螢光体粉末とバインダーとの配合範囲はバインダー10
0重量部に対し螢光体粉末150〜800重量部、好ましくは
交流駆動形式の場合は250〜450重量部、直流駆動形式の
場合は400〜750重量部の範囲が好ましい。バインダー中
の高誘電率を示す化合物（有機高誘電体物質、固化後、
高誘電率を示す化合物もしくは該化合物と有機高誘電体
物質の合計）はバインダー全体の10〜100重量％が好ま
しく、更に好ましくは50〜100重量％の範囲が好まし
い。
0重量部に対し螢光体粉末150〜800重量部、好ましくは
交流駆動形式の場合は250〜450重量部、直流駆動形式の
場合は400〜750重量部の範囲が好ましい。バインダー中
の高誘電率を示す化合物（有機高誘電体物質、固化後、
高誘電率を示す化合物もしくは該化合物と有機高誘電体
物質の合計）はバインダー全体の10〜100重量％が好ま
しく、更に好ましくは50〜100重量％の範囲が好まし
い。
これらのペーストはスペーサー、光増感剤等を含むこ
とができる。
とができる。
スペーサーは、交流駆動形式のEL素子の発光層の厚み
を一定に保持する作用を営むが、その材質はエポキシ樹
脂，ポリスチレン樹脂，ナイロン樹脂，ガラス等から選
択され、その粒径は10〜50ミクロンであり、添加範囲は
硫化亜鉛などのエレクトロルミネセンス用螢光体粉末に
対し２重量％以下である。
を一定に保持する作用を営むが、その材質はエポキシ樹
脂，ポリスチレン樹脂，ナイロン樹脂，ガラス等から選
択され、その粒径は10〜50ミクロンであり、添加範囲は
硫化亜鉛などのエレクトロルミネセンス用螢光体粉末に
対し２重量％以下である。
光増感剤の代表的な例としては、ベンゾインイソプロ
ピルエーテル,1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニ
ルケトン（チバガイギー社製；商品名イルガキュアー18
4）,2−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパ
ン−１−オン（メルク社製：商品名ダロキュア1173），
ベンジルジメチルケタール（チバガイギー社製：イルガ
キュアー651）等が挙げられる。
ピルエーテル,1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニ
ルケトン（チバガイギー社製；商品名イルガキュアー18
4）,2−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパ
ン−１−オン（メルク社製：商品名ダロキュア1173），
ベンジルジメチルケタール（チバガイギー社製：イルガ
キュアー651）等が挙げられる。
光増感剤の添加量としては通常、放射線により固化可
能な化合物に対し0.5〜５重量％添加することが好まし
い。
能な化合物に対し0.5〜５重量％添加することが好まし
い。
絶縁体層形成用高誘電体ペースト 本発明の分散型EL素子の絶縁体層形成用高誘電体ペー
ストは（１）無機高誘電体粉末と有機高誘電体物質とか
ら選ばれた少くとも一種の高誘電体物質及び放射線によ
り固化可能な少くとも一種の化合物とを主成分とするも
の、もしくは（２）放射線により固化可能な少くとも一
種の化合物を主成分とし、該放射線により固化可能な化
合物の少くとも一種が固化後高誘電率を示す化合物であ
る。
ストは（１）無機高誘電体粉末と有機高誘電体物質とか
ら選ばれた少くとも一種の高誘電体物質及び放射線によ
り固化可能な少くとも一種の化合物とを主成分とするも
の、もしくは（２）放射線により固化可能な少くとも一
種の化合物を主成分とし、該放射線により固化可能な化
合物の少くとも一種が固化後高誘電率を示す化合物であ
る。
（１）において放射線により子化可能な化合物は固化
後高誘電率（1KHz,25℃で誘電率10以上が好ましい）を
示すものであってもよいし、高誘電率を示さないもので
あってもよいし、その混合物であってもよい。また
（２）においては固化後高誘電率を示す放射線により固
化可能なな化合物単独であってもよいし、固化後高誘電
率を示さない放射線により固化可能な化合物との混合物
であってもよい。
後高誘電率（1KHz,25℃で誘電率10以上が好ましい）を
示すものであってもよいし、高誘電率を示さないもので
あってもよいし、その混合物であってもよい。また
（２）においては固化後高誘電率を示す放射線により固
化可能なな化合物単独であってもよいし、固化後高誘電
率を示さない放射線により固化可能な化合物との混合物
であってもよい。
（１）のペーストは高誘電体物質を放射線により固化
可能な化合物に混合しよく分散させ脱泡することにより
得られ、（２）のペーストは上述の放射線により固化可
能な化合物をそのまま脱泡することにより得られる。
可能な化合物に混合しよく分散させ脱泡することにより
得られ、（２）のペーストは上述の放射線により固化可
能な化合物をそのまま脱泡することにより得られる。
無機高誘電体粉末としては従来使用されていたものを
使用し得るが例えばチタン酸バリウム，チタン酸鉛，チ
タン酸ストロンチウム等が好ましく、有機高誘電体物
質、放射線により固化可能な化合物等は発光体層形成用
螢光体ペーストで用いられたと同じものが用いられる。
バインダーと無機高誘電体粉体との配合範囲はバインダ
ー100重量部に対し無機高誘電体粉末200〜700重量部が
好ましく更には300〜500重量部が好ましい。また、誘電
体物質（無機又は有機高誘電体もしくはこれらと固化後
高誘電率を示す化合物との合計）の全ペースト中の割合
は10〜100重量％が好ましく、更に好ましくは50〜100重
量％が用いられる。
使用し得るが例えばチタン酸バリウム，チタン酸鉛，チ
タン酸ストロンチウム等が好ましく、有機高誘電体物
質、放射線により固化可能な化合物等は発光体層形成用
螢光体ペーストで用いられたと同じものが用いられる。
バインダーと無機高誘電体粉体との配合範囲はバインダ
ー100重量部に対し無機高誘電体粉末200〜700重量部が
好ましく更には300〜500重量部が好ましい。また、誘電
体物質（無機又は有機高誘電体もしくはこれらと固化後
高誘電率を示す化合物との合計）の全ペースト中の割合
は10〜100重量％が好ましく、更に好ましくは50〜100重
量％が用いられる。
これらのペーストには必要に応じて発光層形成用螢光
体ペーストと同様、増感剤が適宜加えられる。
体ペーストと同様、増感剤が適宜加えられる。
分散型EL素子 本発明は上述の発光層、絶縁体層形成用ペーストを用
いて溶剤乾燥型及び熱硬化型の固化様式に替えて放射線
により固化様式を採択することにより分散型EL素子を形
成するものである。
いて溶剤乾燥型及び熱硬化型の固化様式に替えて放射線
により固化様式を採択することにより分散型EL素子を形
成するものである。
以下、第１図、第２図を参照にして分散型EL素子の製
造方法の例を説明する。第１図は透明電極と背面電極と
の間に発光層及び絶縁体層を挾持してなる分散型EL素子
を示す。この場合まず絶縁体層形成用高誘電体ペースト
を端子（７）の引出し処理を施した背面電極（１）に塗
布する。塗布後放射線照射により固化させ、絶縁体層が
形成される。絶縁体層の厚みは５〜50ミクロンであるこ
とが好ましい。
造方法の例を説明する。第１図は透明電極と背面電極と
の間に発光層及び絶縁体層を挾持してなる分散型EL素子
を示す。この場合まず絶縁体層形成用高誘電体ペースト
を端子（７）の引出し処理を施した背面電極（１）に塗
布する。塗布後放射線照射により固化させ、絶縁体層が
形成される。絶縁体層の厚みは５〜50ミクロンであるこ
とが好ましい。
放射線の照射量は電子線の場合は１〜10メガラッドが
好ましく、紫外線の場合は1,000〜10,000ミリジュール/
cm2が好ましく用いられる。
好ましく、紫外線の場合は1,000〜10,000ミリジュール/
cm2が好ましく用いられる。
次に発光層形成用螢光体ペーストを絶縁体層（３）の
上に塗布する、塗布後あらかじめ端子（８）の引出し処
理を施した透明電極をペースト層に圧着した。透明電極
は片面に導電性の透明フィルム（２′）を蒸着した合成
樹脂フィルム（２）が用いられ、導電性透明フィルムが
貼り合わせ面となるように圧着する。
上に塗布する、塗布後あらかじめ端子（８）の引出し処
理を施した透明電極をペースト層に圧着した。透明電極
は片面に導電性の透明フィルム（２′）を蒸着した合成
樹脂フィルム（２）が用いられ、導電性透明フィルムが
貼り合わせ面となるように圧着する。
次いで上記積層物の透明電極側から放射線を照射して
固化を行う。発光層の厚みは５〜50ミクロンであること
が好ましい。
固化を行う。発光層の厚みは５〜50ミクロンであること
が好ましい。
放射線の照射量は電子線の場合は１〜10メガラッドが
好ましく、紫外線の場合は1,000〜10,000ミリジュール/
cm2が好ましく用いられる。
好ましく、紫外線の場合は1,000〜10,000ミリジュール/
cm2が好ましく用いられる。
固化後、外部リード線を引出した状態で捕水，接着を
目的としてナイロン等の合成樹脂フィルム（５）を披着
し、更に全体を弗素樹脂フィルム（６）で封止する。
目的としてナイロン等の合成樹脂フィルム（５）を披着
し、更に全体を弗素樹脂フィルム（６）で封止する。
第２図は透明電極と背面電極との間に発光層を挾持し
ている分散型EL素子を示す。この場合は発光層形成用螢
光体ペーストをあらかじめ端子（７）の引き出し処理を
施した背面電極（１）上に塗布してペースト層を形成
し、引続き予じめ電極引出し端子（８）を取付けた導電
性透明フィルム（２′）を蒸着した合成樹脂フィルム
（２）からなる透明電極を導電性透明フィルム（２′）
が貼り合わせ面となるように前記螢光体ペースト層に圧
着する。次に該積層体の透明電極（２）の側から放射線
を照射することにより固化発光層を形成する。発光層の
厚みは５〜50ミクロンであることが好ましい。外部リー
ド線を引き出した状態で捕水，接着を目的として合成樹
脂フィルム（５）を被着し、更に全体を弗素樹脂フィル
ム（６）で封止する。
ている分散型EL素子を示す。この場合は発光層形成用螢
光体ペーストをあらかじめ端子（７）の引き出し処理を
施した背面電極（１）上に塗布してペースト層を形成
し、引続き予じめ電極引出し端子（８）を取付けた導電
性透明フィルム（２′）を蒸着した合成樹脂フィルム
（２）からなる透明電極を導電性透明フィルム（２′）
が貼り合わせ面となるように前記螢光体ペースト層に圧
着する。次に該積層体の透明電極（２）の側から放射線
を照射することにより固化発光層を形成する。発光層の
厚みは５〜50ミクロンであることが好ましい。外部リー
ド線を引き出した状態で捕水，接着を目的として合成樹
脂フィルム（５）を被着し、更に全体を弗素樹脂フィル
ム（６）で封止する。
発光層を形成する螢光体ペーストと絶縁体層を形成す
る高誘電体ペーストの種類を組合わせることにより、第
１図の場合には［Ａ］；螢光体ペースト（１）と高誘電
体ペースト（１）の組合わせ、［Ｂ］；螢光体ペースト
（１）と高誘電体ペースト（２）の組合わせ、［Ｃ］；
螢光体ペースト（２）と高誘電体ペースト（１）の組合
わせ、［Ｄ］；螢光体ペースト（２）と高誘電体ペース
ト（２）の組合わせの４種があり得、第２図の場合には
［Ｅ］；螢光体ペースト（１）の使用と［Ｆ］；螢光体
ペースト（２）の使用の２種が存在し得る。
る高誘電体ペーストの種類を組合わせることにより、第
１図の場合には［Ａ］；螢光体ペースト（１）と高誘電
体ペースト（１）の組合わせ、［Ｂ］；螢光体ペースト
（１）と高誘電体ペースト（２）の組合わせ、［Ｃ］；
螢光体ペースト（２）と高誘電体ペースト（１）の組合
わせ、［Ｄ］；螢光体ペースト（２）と高誘電体ペース
ト（２）の組合わせの４種があり得、第２図の場合には
［Ｅ］；螢光体ペースト（１）の使用と［Ｆ］；螢光体
ペースト（２）の使用の２種が存在し得る。
なお、背面電極（１）として、透明電極、例えば片面
にITO（酸化インジウム・酸化スズ膜）を蒸着したポリ
エチレンテレフタレートフィルムを用いて製造すれば、
分散型EL素子に両面発光を行わせることができる。
にITO（酸化インジウム・酸化スズ膜）を蒸着したポリ
エチレンテレフタレートフィルムを用いて製造すれば、
分散型EL素子に両面発光を行わせることができる。
又、高誘電体ペースト層及び螢光体ペースト層は、１
回の放射線、特に電子線の照射の工程により固化させ
て、絶縁体層及び発光層を形成することができる。
回の放射線、特に電子線の照射の工程により固化させ
て、絶縁体層及び発光層を形成することができる。
更に、本発明による分散型EL素子の発光層形成用の螢
光体ペースト及び絶縁体層形成用高誘電体ペーストはス
ピンコート法、ドクターブレード法、スクリーン印刷法
等適当な塗布方法により所定の膜厚になるように塗布す
ることができるので工程を短縮することができる。
光体ペースト及び絶縁体層形成用高誘電体ペーストはス
ピンコート法、ドクターブレード法、スクリーン印刷法
等適当な塗布方法により所定の膜厚になるように塗布す
ることができるので工程を短縮することができる。
本発明で使用する背面電極，透明電極，付活剤，被覆
材，封止材については特別な制限はなく、従来使用して
いたものを適当できる。
材，封止材については特別な制限はなく、従来使用して
いたものを適当できる。
このようにして得られた分散型EL素子はその端子に交
流電圧もしくは直流電圧を印加することにより高い輝度
を示すことができる。
流電圧もしくは直流電圧を印加することにより高い輝度
を示すことができる。
［効果］ 本発明の分散型EL素子の絶縁体層及び発光層形成用の
高誘電体微粒子ペースト及び螢光体粒子ペーストを用い
ることにより、分散型EL素子の製造に要する時間を著し
く短縮でき、溶剤の使用による火災，爆発，溶剤中毒の
危険がなく、所望の膜厚の絶縁体層及び発光層を容易に
得ることができる。その外にも、従来の溶剤乾燥型のペ
ーストの場合、１回の膜厚を厚くし過ぎると、溶剤によ
る発泡現象やダレを生じやすく、平滑な絶縁体層及び発
光層が得にくかったが、本発明はそのような欠点を避け
ることができる。
高誘電体微粒子ペースト及び螢光体粒子ペーストを用い
ることにより、分散型EL素子の製造に要する時間を著し
く短縮でき、溶剤の使用による火災，爆発，溶剤中毒の
危険がなく、所望の膜厚の絶縁体層及び発光層を容易に
得ることができる。その外にも、従来の溶剤乾燥型のペ
ーストの場合、１回の膜厚を厚くし過ぎると、溶剤によ
る発泡現象やダレを生じやすく、平滑な絶縁体層及び発
光層が得にくかったが、本発明はそのような欠点を避け
ることができる。
［実施例］ 以下、本発明を実施例によって具体的に説明するが、
本発明はその要旨を超えない限り実施例に限定されるも
のではない。
本発明はその要旨を超えない限り実施例に限定されるも
のではない。
実施例1. 硫化亜鉛に銅などの付活剤を添加したEL用螢光体粉末
360gを電子線により固化可能なモノマーである２−（２
−シアノエトキシ）エチルアクリレート（固化後の誘電
率ε＝30,1KHz,25℃）100gに混ぜて、よく分散させ、次
いで脱泡を施した。この懸濁液中にスペサーとしてエポ
キシビーズを1g分散させて、分散型EL素子の発光層形成
用螢光体ペーストを製造した。
360gを電子線により固化可能なモノマーである２−（２
−シアノエトキシ）エチルアクリレート（固化後の誘電
率ε＝30,1KHz,25℃）100gに混ぜて、よく分散させ、次
いで脱泡を施した。この懸濁液中にスペサーとしてエポ
キシビーズを1g分散させて、分散型EL素子の発光層形成
用螢光体ペーストを製造した。
実施例2. 母体の硫化亜鉛に付活剤としてマンガンを加え、更に
表面に銅処理を施したEL用螢光体粉末730gを紫外線によ
り固化可能なバインダーモノマーである２−（２−シア
ノエトキシ）エチルアクリレート100gに混ぜて、よく分
散させ、更に光増感材（チバガイギー社製：イルガキュ
アー651）を2g添加し撹拌混合した後、脱泡を施して、
分散型EL素子の発光層形成用螢光体ペーストを製造し
た。
表面に銅処理を施したEL用螢光体粉末730gを紫外線によ
り固化可能なバインダーモノマーである２−（２−シア
ノエトキシ）エチルアクリレート100gに混ぜて、よく分
散させ、更に光増感材（チバガイギー社製：イルガキュ
アー651）を2g添加し撹拌混合した後、脱泡を施して、
分散型EL素子の発光層形成用螢光体ペーストを製造し
た。
実施例3. 硫化亜鉛に銅などの付活剤を添加したEL用螢光体粉末
360gを紫外線によって固化可能な２−（２−シアノエト
キシ）エチルアクリレート100gに混ぜて、よく分散さ
せ、更に光増感材（チバガイギー社製：イルガキュアー
651）を2g添加し、撹拌混合し、次いで脱泡を施した。
この懸濁液中にスペーサーとしてエポキシビーズを1g分
散させて、分散型EL素子の発光層形成用螢光体ペースト
を製造した。
360gを紫外線によって固化可能な２−（２−シアノエト
キシ）エチルアクリレート100gに混ぜて、よく分散さ
せ、更に光増感材（チバガイギー社製：イルガキュアー
651）を2g添加し、撹拌混合し、次いで脱泡を施した。
この懸濁液中にスペーサーとしてエポキシビーズを1g分
散させて、分散型EL素子の発光層形成用螢光体ペースト
を製造した。
実施例4. 硫化亜鉛に銅などの付活剤を添加したEL用螢光体粉末
360gと、電子線により固化可能なバインダーモノマーで
ある２−（２−シアノエトキシ）エチルアクリレート50
gと、２−シアノエチルアクリレート50g（固化後の誘電
率ε＝17,1KHz,25℃）とをよく混合分散させ、更に光増
感剤（チバガイギー社製：イルガキュアー651）を2g、
スペーサーとしてエポキシビーズを1g分散させ、次いで
脱泡を施して、分散型EL素子の発光層形成用螢光体ペー
ストを製造した。
360gと、電子線により固化可能なバインダーモノマーで
ある２−（２−シアノエトキシ）エチルアクリレート50
gと、２−シアノエチルアクリレート50g（固化後の誘電
率ε＝17,1KHz,25℃）とをよく混合分散させ、更に光増
感剤（チバガイギー社製：イルガキュアー651）を2g、
スペーサーとしてエポキシビーズを1g分散させ、次いで
脱泡を施して、分散型EL素子の発光層形成用螢光体ペー
ストを製造した。
実施例5. 実施例２で使用したEL用螢光体粉末730g、シアノエチ
ル化ポバール（誘電率ε＝20,1KHz,25℃）10gを２−
（２−シアノエトキシ）エチルアクリレート90gに混ぜ
て、よく分散させ、更に光増感材（チバガイギー社製：
イルガキュアー651）を2g添加し撹拌混合した後、脱泡
を施して、分散型EL素子の発光層形成用螢光体ペースト
を製造した。
ル化ポバール（誘電率ε＝20,1KHz,25℃）10gを２−
（２−シアノエトキシ）エチルアクリレート90gに混ぜ
て、よく分散させ、更に光増感材（チバガイギー社製：
イルガキュアー651）を2g添加し撹拌混合した後、脱泡
を施して、分散型EL素子の発光層形成用螢光体ペースト
を製造した。
実施例6. 実施例１で使用したEL用螢光体粉末360gを２−シアノ
エチルアクリレート100g,ネオペンチルグリコール・ジ
アクリレート10gと混合し、よく分散させ、次いで脱泡
を施した。この懸濁液中にスペーサーとしてエポキシビ
ーズ1g、光増感材（イルガキュアー651）を2g分散さ
せ、分散型EL素子の発光層形成用螢光体ペーストを製造
した。
エチルアクリレート100g,ネオペンチルグリコール・ジ
アクリレート10gと混合し、よく分散させ、次いで脱泡
を施した。この懸濁液中にスペーサーとしてエポキシビ
ーズ1g、光増感材（イルガキュアー651）を2g分散さ
せ、分散型EL素子の発光層形成用螢光体ペーストを製造
した。
実施例7. 実施例１で使用したEL用螢光体粉末360g,シアノエチ
ル化プルラン20g（ε＝19,1KHz,25℃）を２−シアノエ
チルアクリレート100g,トリメチロールプロパントリア
クリレート10gに混合、よく分散させ脱泡を施した。こ
の懸濁液中にスペーサーとしてエポキシビーズ1g,イル
ガキュアー651 2gを混合、分散型EL素子の発光層形成
用螢光体ペーストを製造した。
ル化プルラン20g（ε＝19,1KHz,25℃）を２−シアノエ
チルアクリレート100g,トリメチロールプロパントリア
クリレート10gに混合、よく分散させ脱泡を施した。こ
の懸濁液中にスペーサーとしてエポキシビーズ1g,イル
ガキュアー651 2gを混合、分散型EL素子の発光層形成
用螢光体ペーストを製造した。
実施例8. チタン酸バリウム粉末450gを電子線により固化可能な
バインダーモノマーである２−（２−シアノエトキシ）
エチルアクリレート100gに混ぜて、よく分散させ、次い
で脱泡を施して、分散型EL素子の絶縁体層形成用高誘電
体ペーストを製造した。
バインダーモノマーである２−（２−シアノエトキシ）
エチルアクリレート100gに混ぜて、よく分散させ、次い
で脱泡を施して、分散型EL素子の絶縁体層形成用高誘電
体ペーストを製造した。
実施例9. チタン酸バリウム粉末400gを紫外線により固化可能な
２−（２−シアノエトキシ）エチルアクリレート100gに
混ぜて、よく分散させ、更に光増感剤（チバガイギー社
製：イルガキュアー651）を2g混合撹拌し、次いで脱泡
を施して、分散型EL素子の絶縁体層形成用高誘電体ペー
ストを製造した。
２−（２−シアノエトキシ）エチルアクリレート100gに
混ぜて、よく分散させ、更に光増感剤（チバガイギー社
製：イルガキュアー651）を2g混合撹拌し、次いで脱泡
を施して、分散型EL素子の絶縁体層形成用高誘電体ペー
ストを製造した。
実施例10. チタン酸バリウム粉末450g、電子線により固化可能な
バインダーモノマーである２−（２−シアノエトキシ）
エチルアクリレート50gと、２−シアノエチルアクリレ
ート50gとをよく混合分散させ、次いで脱泡を施して、
分散型EL素子の絶縁体層形成用高誘電体ペーストを製造
した。
バインダーモノマーである２−（２−シアノエトキシ）
エチルアクリレート50gと、２−シアノエチルアクリレ
ート50gとをよく混合分散させ、次いで脱泡を施して、
分散型EL素子の絶縁体層形成用高誘電体ペーストを製造
した。
実施例11. チタン酸バリウム粉末450gを２−（２−シアノエトキ
シ）エチルアクリレート80g、ネオペンチルグリコール
ジアクリレート20gに混ぜ、よく分散させ、次いで脱泡
を施して分散型EL素子の絶縁体層形成用高誘電体ペース
トを製造した。
シ）エチルアクリレート80g、ネオペンチルグリコール
ジアクリレート20gに混ぜ、よく分散させ、次いで脱泡
を施して分散型EL素子の絶縁体層形成用高誘電体ペース
トを製造した。
実施例12. チタン酸バリウム粉末400g,シアノエチル化ポバール1
0gを２−（２−シアノエトキシ）エチルアクリレート90
gに混合し、よく分散させて更にイルガキュアー651を2g
混合し、脱泡して分散型EL素子の絶縁体層形成用高誘電
体ペーストを製造した。
0gを２−（２−シアノエトキシ）エチルアクリレート90
gに混合し、よく分散させて更にイルガキュアー651を2g
混合し、脱泡して分散型EL素子の絶縁体層形成用高誘電
体ペーストを製造した。
実施例13. チタン酸バリウム粉末450g,シアノエチル化サッカロ
ース（誘電率ε＝35,1KHz,25℃）30gを２−（２−シア
ノエトキシ）エチルアクリレート80g,トリメチロールプ
ロパントリアクリレート20gを混合し、よく分散させ次
いで脱泡を施して分散型EL素子の絶縁体層形成用高誘電
体ペーストを製造した。
ース（誘電率ε＝35,1KHz,25℃）30gを２−（２−シア
ノエトキシ）エチルアクリレート80g,トリメチロールプ
ロパントリアクリレート20gを混合し、よく分散させ次
いで脱泡を施して分散型EL素子の絶縁体層形成用高誘電
体ペーストを製造した。
実施例14. ２−（２−シアノエトキシ）エチルアクリレート100g
にイルガキュアー651を2g混合し、脱泡し分散型EL素子
の絶縁体層形成用高誘電体ペーストを製造した。
にイルガキュアー651を2g混合し、脱泡し分散型EL素子
の絶縁体層形成用高誘電体ペーストを製造した。
本発明の分散型EL素子用高誘電体ペースト及び螢光体
ペーストを用いた分散型EL素子の例には、次のものがあ
る。
ペーストを用いた分散型EL素子の例には、次のものがあ
る。
実施例15. 第１図を参照して、背面電極（１）として、厚みが80
ミクロンのアルミニュウム薄板を用い、又、透明電極と
して、片面に導電性のITO（２′）を蒸着した厚みが100
ミクロンのポリエチレンテレフタレートフィルム（２）
を用いた。一方、電子線により固化可能なバインダーモ
ノマーとして、２−（２−シアノエトキシ）エチルアク
リレートを用いた。チタン酸バリウム粉末450gに、上記
のバインダーモノマー100gを混ぜて、よく分散させ、次
いで脱泡を施して得られた分散型EL素子の絶縁体層形成
用高誘電体ペースト（実施例８）を、予め端子（７）の
引出し処理を施した背面電極（１）にスピンコート法で
塗布して、高誘電体ペースト層を形成した。続いて、上
記積層物にESI社の電子線照射装置CB150/15/10Lから3mA
の条件で５メガラドの照射線量になるようにコンベア速
度を調整し照射して（照射時間は１秒以内）、バインダ
ーモノマーを固化させ、絶縁体層（３）を形成した。こ
の厚みは、30ミクロンであった。続いて、硫化亜鉛に銅
などの付活剤を添加したEL用螢光体粉末360gに上記のバ
インダーモノマー100gを混ぜて、よく分散させ、次いで
脱泡を施し、この懸濁液中にスペーサーとしてエポキシ
ビーズを1g分散させて得られた分散型EL素子の発光層形
成用螢光体ペースト（実施例１）を、絶縁体層（３）上
にスピンコート法で塗布して、螢光体ペースト層を形成
した。続いて、予め端子（８）の引出し処理を施した透
明導電フィルム（２）を、透明電極とペースト層との貼
り合わせ面に気泡を巻込まないようにして圧着した。次
いで、上記積層物の透明電極側からESI社の電子照射装
置CB150/15/10Lころ3mAの条件で５メガラドの照射線量
になるようにコンベア速度を調整し照射して（照射時間
は１秒内）、バインダーモノマーを固化させ発光層
（４）を作成した。発光層（４）の厚みは、50ミクロン
であった。そして、外部リード線を引出した状態で捕
水，接着を目的としてナイロン６・ナイロン12の複合フ
ィルム（５）を被着し、更に全体を弗素樹脂フィルム
（６）で封止した。この分散型EL素子は、100V,400Hzの
交流電圧を印加することで、150cd/m2の高い輝度を示し
た。
ミクロンのアルミニュウム薄板を用い、又、透明電極と
して、片面に導電性のITO（２′）を蒸着した厚みが100
ミクロンのポリエチレンテレフタレートフィルム（２）
を用いた。一方、電子線により固化可能なバインダーモ
ノマーとして、２−（２−シアノエトキシ）エチルアク
リレートを用いた。チタン酸バリウム粉末450gに、上記
のバインダーモノマー100gを混ぜて、よく分散させ、次
いで脱泡を施して得られた分散型EL素子の絶縁体層形成
用高誘電体ペースト（実施例８）を、予め端子（７）の
引出し処理を施した背面電極（１）にスピンコート法で
塗布して、高誘電体ペースト層を形成した。続いて、上
記積層物にESI社の電子線照射装置CB150/15/10Lから3mA
の条件で５メガラドの照射線量になるようにコンベア速
度を調整し照射して（照射時間は１秒以内）、バインダ
ーモノマーを固化させ、絶縁体層（３）を形成した。こ
の厚みは、30ミクロンであった。続いて、硫化亜鉛に銅
などの付活剤を添加したEL用螢光体粉末360gに上記のバ
インダーモノマー100gを混ぜて、よく分散させ、次いで
脱泡を施し、この懸濁液中にスペーサーとしてエポキシ
ビーズを1g分散させて得られた分散型EL素子の発光層形
成用螢光体ペースト（実施例１）を、絶縁体層（３）上
にスピンコート法で塗布して、螢光体ペースト層を形成
した。続いて、予め端子（８）の引出し処理を施した透
明導電フィルム（２）を、透明電極とペースト層との貼
り合わせ面に気泡を巻込まないようにして圧着した。次
いで、上記積層物の透明電極側からESI社の電子照射装
置CB150/15/10Lころ3mAの条件で５メガラドの照射線量
になるようにコンベア速度を調整し照射して（照射時間
は１秒内）、バインダーモノマーを固化させ発光層
（４）を作成した。発光層（４）の厚みは、50ミクロン
であった。そして、外部リード線を引出した状態で捕
水，接着を目的としてナイロン６・ナイロン12の複合フ
ィルム（５）を被着し、更に全体を弗素樹脂フィルム
（６）で封止した。この分散型EL素子は、100V,400Hzの
交流電圧を印加することで、150cd/m2の高い輝度を示し
た。
実施例16. 同じく第１図を参照して、背面電極（１）として厚み
が100ミクロンのアルミニュウム薄板を用い、又、透明
電極として、片面に導電性のITO（２′）を蒸着した厚
みが90ミクロンのポリエチレンテレフタレートフィルム
（２）を用いた。一方、紫外線により固化可能なバイン
ダーモノマーとして、２−（２−シアノエトキシ）エチ
ルアクリレートを用い、チタン酸バリウム粉末400gに上
記のバインダーモノマー100gを混ぜて、よく分散させ、
更に光増感剤（チバガイギー社製：イルガキュアー65
1）を2gを混合し、次いで真空脱泡を施して得られた分
散型EL素子の絶縁体層形成用高誘電体ペースト（実施例
９）を、予じめ端子（７）の引出し処理を施した背面電
極（１）のアルミニュウム薄板にスピンコート法で塗布
して、高誘電体微粒子ペースト層を形成した。続いて、
上記積層物に4kwメタルハライドランプから紫外線10秒
間照射して、バインターモノマーを固化させ、絶縁体層
（３）を形成した。この厚みは、15ミクロンであった。
続いて、硫化亜鉛に銅など付活剤を添加したEL用螢光体
粉末360gを上記のバインダーモノマー100gに混ぜて、よ
く分散させ、更に光増感剤（チバガイギー社製：イルガ
キュアー651）を2g混合し、次いで脱泡を施した。この
懸濁液中にスペーサーとしてエポキシビーズを1g分散さ
せて得られた分散型EL素子の発光層形成用螢光体ペース
ト（実施例３）を、絶縁体層（３）上にスピンコート法
で塗布して、螢光体ペースト層を形成した。続いて、予
め端子（８）の引出し処理を施して、透明電極とする透
明導電フィルム（２）を、透明電極とペースト層との貼
り合せ面に気泡を巻込まないようにして圧着した。次い
で、上記積層物の透明電極側から4kwメタルハライドラ
ンプから紫外線を10秒間照射し、バインダーモノマーを
固化させ発光層（４）を作成した。発光層（４）の厚み
は、30ミクロンであった。そして、外部リード線（7,
8）を引出した状態で捕水，接着を目的としてナイロン
６・ナイロン12の複合フィルム（５）を被着し、更に全
体を弗素樹脂フィルム（６）で封止した。この分散型EL
素子は、100V,400Hzの交流電圧を印加することで500cd/
m2の高い輝度を示した。
が100ミクロンのアルミニュウム薄板を用い、又、透明
電極として、片面に導電性のITO（２′）を蒸着した厚
みが90ミクロンのポリエチレンテレフタレートフィルム
（２）を用いた。一方、紫外線により固化可能なバイン
ダーモノマーとして、２−（２−シアノエトキシ）エチ
ルアクリレートを用い、チタン酸バリウム粉末400gに上
記のバインダーモノマー100gを混ぜて、よく分散させ、
更に光増感剤（チバガイギー社製：イルガキュアー65
1）を2gを混合し、次いで真空脱泡を施して得られた分
散型EL素子の絶縁体層形成用高誘電体ペースト（実施例
９）を、予じめ端子（７）の引出し処理を施した背面電
極（１）のアルミニュウム薄板にスピンコート法で塗布
して、高誘電体微粒子ペースト層を形成した。続いて、
上記積層物に4kwメタルハライドランプから紫外線10秒
間照射して、バインターモノマーを固化させ、絶縁体層
（３）を形成した。この厚みは、15ミクロンであった。
続いて、硫化亜鉛に銅など付活剤を添加したEL用螢光体
粉末360gを上記のバインダーモノマー100gに混ぜて、よ
く分散させ、更に光増感剤（チバガイギー社製：イルガ
キュアー651）を2g混合し、次いで脱泡を施した。この
懸濁液中にスペーサーとしてエポキシビーズを1g分散さ
せて得られた分散型EL素子の発光層形成用螢光体ペース
ト（実施例３）を、絶縁体層（３）上にスピンコート法
で塗布して、螢光体ペースト層を形成した。続いて、予
め端子（８）の引出し処理を施して、透明電極とする透
明導電フィルム（２）を、透明電極とペースト層との貼
り合せ面に気泡を巻込まないようにして圧着した。次い
で、上記積層物の透明電極側から4kwメタルハライドラ
ンプから紫外線を10秒間照射し、バインダーモノマーを
固化させ発光層（４）を作成した。発光層（４）の厚み
は、30ミクロンであった。そして、外部リード線（7,
8）を引出した状態で捕水，接着を目的としてナイロン
６・ナイロン12の複合フィルム（５）を被着し、更に全
体を弗素樹脂フィルム（６）で封止した。この分散型EL
素子は、100V,400Hzの交流電圧を印加することで500cd/
m2の高い輝度を示した。
実施例17. 第２図を参照して、背面電極（１）として厚さ200ミ
クロンのアルミニュウム板を使用し、透明電極として厚
さ120ミクロンのポリエチレンテレフタレートフィルム
（２）の片面にITO膜（酸化インジウム・酸化スズ膜）
（２′）を形成したものを用いた。光固化性のバインダ
ーモノマーである２−（２−シアノエトキシ）−アクリ
レート100gに対し、表面にCu処理を施したZn S;Mn螢光
体を730g加えて撹拌分散させ、更に光増感剤（チバガイ
ギー社製：イルガキュアー651）を2g添加し撹拌混合し
た後、脱泡処理を施して螢光体ペーストを調合した（実
施例２）。このペーストを予め端子（７）の引出し処理
を施した背面電極（１）上にスピンコート法で塗布して
螢光体ペースト層を形成して、引続き予め電極引出し端
子（８）を取付けた透明導電フィルム（２）を貼り合わ
面に気泡が残らないようにして前記螢光体層に圧着し
た。次に、該積層体の透明電極（２）側からメタルハラ
イドランプによる紫外線を18秒間照射してバインダーモ
ノマーを固化させ、膜厚30ミクロンの発光層（４）を作
成した。そして、外部リード線（7,8）を引き出した状
態で捕水、接着を目的としてナイロン６・ナイロン12の
複合フィルム（５）を被着し、更に全体を弗素樹脂フィ
ルム（６）で封止した。該素子の電極に直流電圧を印加
し、その電圧値を30Vから徐々に高くして100Vまで上げ
る方法で約３時間のフオーミングを適した。このフォー
ミングと共に橙色発光輝度は漸次向上し、最終的には直
流100V印加で68cd/m2の輝度を示した。
クロンのアルミニュウム板を使用し、透明電極として厚
さ120ミクロンのポリエチレンテレフタレートフィルム
（２）の片面にITO膜（酸化インジウム・酸化スズ膜）
（２′）を形成したものを用いた。光固化性のバインダ
ーモノマーである２−（２−シアノエトキシ）−アクリ
レート100gに対し、表面にCu処理を施したZn S;Mn螢光
体を730g加えて撹拌分散させ、更に光増感剤（チバガイ
ギー社製：イルガキュアー651）を2g添加し撹拌混合し
た後、脱泡処理を施して螢光体ペーストを調合した（実
施例２）。このペーストを予め端子（７）の引出し処理
を施した背面電極（１）上にスピンコート法で塗布して
螢光体ペースト層を形成して、引続き予め電極引出し端
子（８）を取付けた透明導電フィルム（２）を貼り合わ
面に気泡が残らないようにして前記螢光体層に圧着し
た。次に、該積層体の透明電極（２）側からメタルハラ
イドランプによる紫外線を18秒間照射してバインダーモ
ノマーを固化させ、膜厚30ミクロンの発光層（４）を作
成した。そして、外部リード線（7,8）を引き出した状
態で捕水、接着を目的としてナイロン６・ナイロン12の
複合フィルム（５）を被着し、更に全体を弗素樹脂フィ
ルム（６）で封止した。該素子の電極に直流電圧を印加
し、その電圧値を30Vから徐々に高くして100Vまで上げ
る方法で約３時間のフオーミングを適した。このフォー
ミングと共に橙色発光輝度は漸次向上し、最終的には直
流100V印加で68cd/m2の輝度を示した。
実施例18. 絶縁体層形成用高誘電体ペーストとしてチタン酸バリ
ウム粉末450gに２−（２−シアノエトキシ）エチルアク
リレート80重量部とシアノエチルポバール20重量部トリ
メチロールプロパントリアクリレート10重量部からなる
バインダー100gを混合、分散したペーストを使用した。
また発光層形成用螢光体ペーストとして硫化亜鉛に銅な
どの付活剤を添加したEL用螢光体粉末360gに上記のバイ
ンダー100gを混ぜて、よく分散させ、次いで脱泡を施
し、この懸濁液中にスペーサーとしてエポキシビーズを
1g分散させて得られたペーストを使用した。
ウム粉末450gに２−（２−シアノエトキシ）エチルアク
リレート80重量部とシアノエチルポバール20重量部トリ
メチロールプロパントリアクリレート10重量部からなる
バインダー100gを混合、分散したペーストを使用した。
また発光層形成用螢光体ペーストとして硫化亜鉛に銅な
どの付活剤を添加したEL用螢光体粉末360gに上記のバイ
ンダー100gを混ぜて、よく分散させ、次いで脱泡を施
し、この懸濁液中にスペーサーとしてエポキシビーズを
1g分散させて得られたペーストを使用した。
以上の高誘電体ペースト及び螢光体ペーストを使用
し、これらのペーストをスクリーン印刷で背面電極もし
くは絶縁体層上に塗布する以外は実施例15と全く同様に
して分散型EL素子を得た。この分散型EL素子は100V,400
Hzの交流電圧を印加することで130cd/m2の高い輝度を示
した。
し、これらのペーストをスクリーン印刷で背面電極もし
くは絶縁体層上に塗布する以外は実施例15と全く同様に
して分散型EL素子を得た。この分散型EL素子は100V,400
Hzの交流電圧を印加することで130cd/m2の高い輝度を示
した。
実施例19〜23 実施例18で使用した高誘電体ペースト及び螢光体ペー
ストの夫々において２−（２−シアノエトキシ）エチル
アクリレート80重量部の代りにN,N−ビス（２−シアノ
エチル）アクリルアミド（実施例19）,3−シアノプロピ
ルアクリレート（実施例20）,2−［２−（２−シアノエ
トキシ）エトキシ］エチルメタアクリレート（実施例2
1）,2−ヒドロキシ−３−（２−シアノエトキシ）プロ
ピルアクリレート（実施例22）,2−ヒドロキシ−３−
（２−シアノエトキシ）プロピルメタアクリレート（実
施例23）を夫々80重量部使用し、他はすべて実施例18と
同様にして分散型EL素子を得た。
ストの夫々において２−（２−シアノエトキシ）エチル
アクリレート80重量部の代りにN,N−ビス（２−シアノ
エチル）アクリルアミド（実施例19）,3−シアノプロピ
ルアクリレート（実施例20）,2−［２−（２−シアノエ
トキシ）エトキシ］エチルメタアクリレート（実施例2
1）,2−ヒドロキシ−３−（２−シアノエトキシ）プロ
ピルアクリレート（実施例22）,2−ヒドロキシ−３−
（２−シアノエトキシ）プロピルメタアクリレート（実
施例23）を夫々80重量部使用し、他はすべて実施例18と
同様にして分散型EL素子を得た。
これらの分散型EL素子に100V,400Hzの交流電圧を印加
すると次の如き輝度を示した。
すると次の如き輝度を示した。
実施例24〜25 絶縁体層形成用高誘電体ペーストとして実施例14のペ
ーストを使用する以外は実施例18と同様にして分散型EL
素子を得た。（実施例24）。
ーストを使用する以外は実施例18と同様にして分散型EL
素子を得た。（実施例24）。
また、絶縁体層形成用高誘電体ペーストとして実施例
14のペーストを使用し、発光層形成用螢光体ペーストと
して実施例１のペーストを使用する以外は実施例15と同
様にして分散型EL素子を得た。（実施例25） これらの分散型EL素子に100V,400Hzの交流電圧を印加
すると次の如き輝度を示した。
14のペーストを使用し、発光層形成用螢光体ペーストと
して実施例１のペーストを使用する以外は実施例15と同
様にして分散型EL素子を得た。（実施例25） これらの分散型EL素子に100V,400Hzの交流電圧を印加
すると次の如き輝度を示した。
実施例26. 発光層形成螢光体ペーストとして実施例５の螢光体ペ
ーストを使用する以外は全く実施例17と同様にして分散
型EL素子を得た。該素子の電極に直流電圧を印加し、そ
の電圧値を30Vから徐々に高くして100Vまで上げる方法
で３時間のフォーミングを施した。このフォーミングと
共に橙色発光輝度は漸次向上し、最終的には直流100V印
加で68cd/m2の輝度を示した。
ーストを使用する以外は全く実施例17と同様にして分散
型EL素子を得た。該素子の電極に直流電圧を印加し、そ
の電圧値を30Vから徐々に高くして100Vまで上げる方法
で３時間のフォーミングを施した。このフォーミングと
共に橙色発光輝度は漸次向上し、最終的には直流100V印
加で68cd/m2の輝度を示した。
次ぎに、放射線により固化可能で固化後高い誘電率を
示す化合物の合成例を示す。
示す化合物の合成例を示す。
合成例１ 撹拌機，冷却器，温度計の付いた500mlの４つ口セパ
ラブルフラスコに、２−ヒドロキシエチルアクリレート
58g,アクリロニトリル132.5g,1,8−ジアザビシクロ［5,
4,0］ウンデセ−７−エン3.8gを仕込み、反応温度25℃
で撹拌しながら５時間反応した。この反応液を500mlの
分液ロートに移し、純水50gを加えてよく振って分液
し、水層を除去した。この操作を３回繰り返した後の有
機層に酸化防止剤としてテトラキス［メチレン−３（3,
5−ジーターシャリーブチル−４−ヒドロキシフエニ
ル）プロピオネート］メタンを有機層の重量に対して１
パーセント添加し、5mmHgの減圧下蒸留を行い、留出温
度120℃で目的とする２−（２−シアノエトキシ）エチ
ルアクリレートが得られた。この化合物の誘電率εは、
ポリマーの状態でε＝30（1kHz,25℃）であった。
ラブルフラスコに、２−ヒドロキシエチルアクリレート
58g,アクリロニトリル132.5g,1,8−ジアザビシクロ［5,
4,0］ウンデセ−７−エン3.8gを仕込み、反応温度25℃
で撹拌しながら５時間反応した。この反応液を500mlの
分液ロートに移し、純水50gを加えてよく振って分液
し、水層を除去した。この操作を３回繰り返した後の有
機層に酸化防止剤としてテトラキス［メチレン−３（3,
5−ジーターシャリーブチル−４−ヒドロキシフエニ
ル）プロピオネート］メタンを有機層の重量に対して１
パーセント添加し、5mmHgの減圧下蒸留を行い、留出温
度120℃で目的とする２−（２−シアノエトキシ）エチ
ルアクリレートが得られた。この化合物の誘電率εは、
ポリマーの状態でε＝30（1kHz,25℃）であった。
合成例２ 撹拌機，冷却機，温度計及び滴下ロートの付いた１リ
ットルの４つ口丸底フラスコに、アクリルアミド50g,ア
クリロニトリル200gを仕込み、フラスコ内の温度を10℃
以下に保ちながらナトリウムメチラート0.54gを含むメ
タノール溶液20gを1.5時間で滴下した。滴下終了後、更
に２時間撹拌しながら反応を続け、これを0.3N酢酸水溶
液500mlに掻き交ぜながら加え、この液を分液ロートに
移し、有機層を分液した。有機層を無水硫酸ナトリウム
で乾燥してから、過剰のアクリロニトリル、未反応のア
クリルアミド及び副生するメチルシアノエチルエーテル
を減圧留去し、残留物を冷却すると黄色ワックス状固体
が得られた。ベンゼンから再結晶すると、融点が62.5〜
64℃のN,N−ビス（２−シアノエチル）アクリルアミド
が得られた。この化合物の誘電率εは、ポリマーの状態
でε＝10（1kHz,25℃）であった。
ットルの４つ口丸底フラスコに、アクリルアミド50g,ア
クリロニトリル200gを仕込み、フラスコ内の温度を10℃
以下に保ちながらナトリウムメチラート0.54gを含むメ
タノール溶液20gを1.5時間で滴下した。滴下終了後、更
に２時間撹拌しながら反応を続け、これを0.3N酢酸水溶
液500mlに掻き交ぜながら加え、この液を分液ロートに
移し、有機層を分液した。有機層を無水硫酸ナトリウム
で乾燥してから、過剰のアクリロニトリル、未反応のア
クリルアミド及び副生するメチルシアノエチルエーテル
を減圧留去し、残留物を冷却すると黄色ワックス状固体
が得られた。ベンゼンから再結晶すると、融点が62.5〜
64℃のN,N−ビス（２−シアノエチル）アクリルアミド
が得られた。この化合物の誘電率εは、ポリマーの状態
でε＝10（1kHz,25℃）であった。
合成例３ 合成例１と同じ反応装置にアクリル酸ナトリウム47g,
4−クロロブチロニトリル78g,フェノチアジン0.1g,キシ
レン50ml及びトリエチルアミン5gを仕込み、100℃で５
時間反応した。次いで反応液を冷却し0.2N酢酸250mlに
撹拌しながら加え、この液を分液ロートに移し、ベンゼ
ン250mlで３回抽出し、有機層からベンゼン，キシレン
を減圧留去後，減圧蒸留し,0.7mmHg下、90〜92℃の留出
温度で３−シアノプロピルアクリレートが得られた。こ
の化合物の誘電率εは、ポリマーの状態でε＝10（1kH
z,25℃）であった。
4−クロロブチロニトリル78g,フェノチアジン0.1g,キシ
レン50ml及びトリエチルアミン5gを仕込み、100℃で５
時間反応した。次いで反応液を冷却し0.2N酢酸250mlに
撹拌しながら加え、この液を分液ロートに移し、ベンゼ
ン250mlで３回抽出し、有機層からベンゼン，キシレン
を減圧留去後，減圧蒸留し,0.7mmHg下、90〜92℃の留出
温度で３−シアノプロピルアクリレートが得られた。こ
の化合物の誘電率εは、ポリマーの状態でε＝10（1kH
z,25℃）であった。
合成例４ 合成例２と同じ反応装置にジエチレングリコールモノ
メタクリレート174g,アクリロニトリル265g,2,6−ジ−
ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール1.5gを仕込み、撹拌しなが
ら1,8−ジアザビシクロ［5,4,0］ウンデセ−７−エン7.
7gを滴下した。滴下後、自己発熱により40〜50℃に昇温
するが、そのまま撹拌しながら５時間反応した。反応終
了後、酢酸で中和し、過剰のアクリロニトリルを減圧留
去した。この反応液にベンゼン10mlと蒸留水400mlを加
えて分液ロートに移し分液し、水層を除去し、再び蒸留
水400mlを加えて同様の操作を行った。有機層を無水硫
酸ナトリウムで乾燥した後、ベンゼンを減圧下で留去す
ると、２−［２−（２−シアノエトキシ）エトキシ］エ
チルメタアクリレートが得られた。この化合物の誘導率
εは、ポリマーの状態でε＝21（1kHz,25℃）であっ
た。
メタクリレート174g,アクリロニトリル265g,2,6−ジ−
ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール1.5gを仕込み、撹拌しなが
ら1,8−ジアザビシクロ［5,4,0］ウンデセ−７−エン7.
7gを滴下した。滴下後、自己発熱により40〜50℃に昇温
するが、そのまま撹拌しながら５時間反応した。反応終
了後、酢酸で中和し、過剰のアクリロニトリルを減圧留
去した。この反応液にベンゼン10mlと蒸留水400mlを加
えて分液ロートに移し分液し、水層を除去し、再び蒸留
水400mlを加えて同様の操作を行った。有機層を無水硫
酸ナトリウムで乾燥した後、ベンゼンを減圧下で留去す
ると、２−［２−（２−シアノエトキシ）エトキシ］エ
チルメタアクリレートが得られた。この化合物の誘導率
εは、ポリマーの状態でε＝21（1kHz,25℃）であっ
た。
合成例５ 合成例２と同じ反応装置に2,3−ジ−ヒドロキシプロ
ピルアクリレート146g,アクリロニトリル530g,2,6−ジ
−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール1.5gを仕込み、撹拌しな
がら1,8−ジアザビシクロ［5,4,0］ウンデセ−７−エン
7.7gを滴下した。滴下後、自己発熱により40〜50℃に昇
温するが、そのまま撹拌しながら５時間反応した。反応
終了後、酢酸で中和し、過剰のアクリロニトリルを減圧
留去した。この反応液にベンゼン10mlと蒸留水400mlを
加えて、分液ロートに移し分液し、水層を除去し、再び
蒸留水400mlを加えて同様の操作を行った。有機層を無
水硫酸ナトリウムで乾燥した後、ベンゼンを減圧下で留
去すると、２−ヒドロキシ−３−（２−シアノエトキ
シ）プロピルアクリレートが得られた。この化合物の誘
電率εは、ポリマーの状態でε＝27（1kHz,25℃）であ
った。
ピルアクリレート146g,アクリロニトリル530g,2,6−ジ
−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール1.5gを仕込み、撹拌しな
がら1,8−ジアザビシクロ［5,4,0］ウンデセ−７−エン
7.7gを滴下した。滴下後、自己発熱により40〜50℃に昇
温するが、そのまま撹拌しながら５時間反応した。反応
終了後、酢酸で中和し、過剰のアクリロニトリルを減圧
留去した。この反応液にベンゼン10mlと蒸留水400mlを
加えて、分液ロートに移し分液し、水層を除去し、再び
蒸留水400mlを加えて同様の操作を行った。有機層を無
水硫酸ナトリウムで乾燥した後、ベンゼンを減圧下で留
去すると、２−ヒドロキシ−３−（２−シアノエトキ
シ）プロピルアクリレートが得られた。この化合物の誘
電率εは、ポリマーの状態でε＝27（1kHz,25℃）であ
った。
合成例６ 合成例２と同じ反応装置に2,3−ジ−ヒドロキシプロ
ピルメタクリレート160g,アクリロニトリル530g,2,6−
ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール1.5gを仕込み、撹拌し
ながら1,8−ジアザビシクロ［5,4,0］ウンデセ−７−エ
ン7.7gを滴下した。滴下後、自己発熱により40〜50℃に
昇温するが、そのまま撹拌しながら、５時間反応した。
反応終了後、酢酸で中和し、過剰のアクリロニトリルを
減圧留去した。この反応液にベンゼン100mlと蒸留水400
mlを加えて分液ロートに移し分液し、水層を除去し、再
び蒸留水400mlを加えて、同様の操作を行った。有機層
を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、ベンゼンを減圧下
に留去すると、２−ヒドロキシ−３−（２−シアノエト
キシ）プロピルメタアクリレートが得られた。この化合
物の誘電率εは、ポリマーの状態でε＝17（1kHz,25
℃）であった。
ピルメタクリレート160g,アクリロニトリル530g,2,6−
ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール1.5gを仕込み、撹拌し
ながら1,8−ジアザビシクロ［5,4,0］ウンデセ−７−エ
ン7.7gを滴下した。滴下後、自己発熱により40〜50℃に
昇温するが、そのまま撹拌しながら、５時間反応した。
反応終了後、酢酸で中和し、過剰のアクリロニトリルを
減圧留去した。この反応液にベンゼン100mlと蒸留水400
mlを加えて分液ロートに移し分液し、水層を除去し、再
び蒸留水400mlを加えて、同様の操作を行った。有機層
を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、ベンゼンを減圧下
に留去すると、２−ヒドロキシ−３−（２−シアノエト
キシ）プロピルメタアクリレートが得られた。この化合
物の誘電率εは、ポリマーの状態でε＝17（1kHz,25
℃）であった。
第１図は、本発明に係る分散型EL素子の発光層、絶縁体
層形成用の螢光体ペースト、高誘電体ペーストを用いて
製造した交流駆動形式の分散型EL素子の断面図である。
第２図は、本発明に係る分散型EL素子の発光層形成用の
螢光体ペーストを用いて製造した直流駆動形式の分散型
EL素子の断面図である。 １……背面電極、２……透明電極の合成樹脂フィルム、
２′……透明電極の導電性膜、３……絶縁体層、４……
発光層、５……ナイロンの複合フィルム、６……弗素樹
脂フィルム、7,8……引出し端子。
層形成用の螢光体ペースト、高誘電体ペーストを用いて
製造した交流駆動形式の分散型EL素子の断面図である。
第２図は、本発明に係る分散型EL素子の発光層形成用の
螢光体ペーストを用いて製造した直流駆動形式の分散型
EL素子の断面図である。 １……背面電極、２……透明電極の合成樹脂フィルム、
２′……透明電極の導電性膜、３……絶縁体層、４……
発光層、５……ナイロンの複合フィルム、６……弗素樹
脂フィルム、7,8……引出し端子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｈ０５Ｂ 33/22 (72)発明者 中林 豊 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日 東電気工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−40889（ＪＰ，Ａ)
Claims (17)
- 【請求項１】エレクトロルミネセンス用螢光体粉末と有
機高誘電体物質及び放射線により固化可能な少なくとも
一種の化合物とを主成分とすることを特徴とする分散型
エレクトロルミネセンス素子の発光層形成用螢光体ペー
スト。 - 【請求項２】エレクトロルミネッセンス用螢光体粉末と
放射線により固化可能な少くとも一種の化合物を主成分
とし、該放射線により固化可能な化合物の少くとも一種
が固化後高誘電率を示す化合物であることを特徴とする
分散型エレクトロルミネセンス素子の発光層形成用螢光
体ペースト。 - 【請求項３】放射線により固化可能な化合物で且固化後
高誘電率を示す化合物がシアノアルキル基を有する（メ
タ）アクリル酸エステル誘電体、シアノアルコキシアル
キル基を有する（メタ）アクリル酸エステル誘導体又は
シアノアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アミノ誘
導体から選ばれたものである特許請求の範囲第２項記載
の螢光体ペースト。 - 【請求項４】エポキシ樹脂，ポリスチレン樹脂，ナイロ
ン樹脂，ガラス等のスペーサを含有することを特徴とす
る特許請求範囲第１項もしくは第２項に記載の螢光体ペ
ースト。 - 【請求項５】光増感剤を含有することを特徴とする特許
請求範囲第１項もしくは第２項に記載の螢光体ペース
ト。 - 【請求項６】無機高誘電体粉末と有機高誘電体物質とか
ら選ばれた少くとも一種の高誘電体物質及び放射線によ
り固化可能な少なくとも一種の化合物とを主成分とする
ことを特徴とする分散型エレクトロルミネセンス素子の
絶縁体層形成用高誘電体ペースト。 - 【請求項７】放射線により固化可能な少なくとも一種の
化合物を主成分とし、該放射線により固化可能な化合物
の少くとも一種が固化後高誘電率を示す化合物であるこ
とを特徴とする分散型エレクトロルミネセンス素子の絶
縁体層形成用高誘電体ペースト。 - 【請求項８】放射線により固化可能な化合物で且固化後
高誘電率を示す化合物がシアノアルキル基を有する（メ
タ）アクリル酸エステル誘導体、シアノアルコキシアル
キル基を有する（メタ）アクリル酸エステル誘導体又は
シアノアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アミノ誘
導体から選ばれたものである特許請求の範囲第７項記載
の高誘電体ペースト。 - 【請求項９】光増感剤を含有することを特徴とする特許
請求範囲の第６項又は第７項に記載の高誘電体ペース
ト。 - 【請求項１０】透明電極と背面電極との間に発光層及び
絶縁体層を挾持して成る分散型エレクトロルミネセンス
素子で、特許請求の範囲第６項記載の高誘電体ペースト
を塗布して、高誘電体ペースト層を形成する工程と、特
許請求の範囲第１項記載の螢光体ペーストを塗布して、
螢光体ペースト層を形成する工程と、放射線を照射して
上記ペースト層を固化させる工程とを具備し、それによ
って上記絶縁体層及び発光層が形成されていることを特
徴とする分散型エレクトロルミネセンス素子。 - 【請求項１１】透明電極と背面電極との間に発光層及び
絶縁体層を挾持して成る分散型エレクトロルミネセンス
素子で、特許請求の範囲第７項記載の高誘電体ペースト
を塗布して、高誘電体ペースト層を形成する工程と、特
許請求の範囲第１項記載の螢光体ペーストを塗布して、
螢光体ペースト層を形成する工程と、放射線を照射して
上記ペースト層を固化させる工程とを具備し、それによ
って上記絶縁体層及び発光層が形成されていることを特
徴とする分散型エレクトロルミネセンス素子。 - 【請求項１２】透明電極と背面電極との間に発光層及び
絶縁体層を挾持して成る分散型エレクトロルミネセンス
素子で、特許請求の範囲第６項記載の高誘電体ペースト
を塗布して、高誘電体ペースト層を形成する工程と、特
許請求の範囲第２項記載の螢光体ペーストを塗布して螢
光体ペースト層を形成する工程と、放射線を照射して上
記ペースト層を固化させる工程とを具備し、それによっ
て上記絶縁体層及び発光層が形成されていることを特徴
とする分散型エレクトロルミネセンス素子。 - 【請求項１３】透明電極と背面電極との間に発光層及び
絶縁体層を挾持して成る分散型エレクトロルミネセンス
素子で、特許請求の範囲第７項記載の高誘電体ペースト
を塗布して、高誘電体ペースト層を形成する工程と、特
許請求の範囲第２項記載の螢光体ペーストを塗布して螢
光体ペースト層を形成する工程と、放射線を照射して上
記ペースト層を固化させる工程とを具備し、それによっ
て上記絶縁体層及び発光層が形成されていることを特徴
とする分散型エレクトロルミネセンス素子。 - 【請求項１４】透明電極と背面電極との間に発光層を挾
持して成る分散型エレクトロルミネセンス素子で、特許
請求の範囲第１項記載の螢光体ペーストを塗布して、螢
光体ペースト層を形成する工程と、放射線を照射して上
記ペースト層を固化させる工程とを具備し、それによっ
て上記発光層が形成されていることを特徴とする分散型
エレクトロルミネセンス素子。 - 【請求項１５】透明電極と背面電極との間に発光層を挾
持して成る分散型エレクトロルミネセンス素子で、特許
請求の範囲第２項記載の螢光体ペーストを塗布して、螢
光体ペースト層を形成する工程と、放射線を照射して上
記ペースト層を固化させる工程とを具備し、それによっ
て上記発光層が形成されていることを特徴とする分散型
エレクトロルミネセンス素子。 - 【請求項１６】放射線が電子線もしくは紫外線であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第10項乃至第15項のいず
れかに記載の分散型エレクトロルミネセンス素子。 - 【請求項１７】背面電極を透明電極として、両面発光を
行うことを特徴とする特許請求の範囲第10項乃至第16項
のいずれかに記載の分散型エレクトロルミネセンス素
子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3856117T DE3856117D1 (de) | 1987-10-30 | 1988-10-28 | Pasten zur Herstellung einer Lumineszschicht oder einer Isolierungsschicht einer Dispersionselektrolumineszenzvorrichtung und eine Dispersionselektrolumineszenzvorrichtung |
| EP88310184A EP0314507B1 (en) | 1987-10-30 | 1988-10-28 | Pastes for forming a luminescent layer or insulator layer of a dispersion type electroluminescence element and a dispersion type electroluminescence element |
| KR1019880014216A KR890007613A (ko) | 1987-10-30 | 1988-10-29 | 전계발광 소자의 조명층 및 절연층을 형성하기 위한 페이스트 |
| US07/513,959 US5076963A (en) | 1987-10-30 | 1990-04-24 | Pastes for forming a luminescent layer and insulator layer of electroluminescent element and electroluminescent element using such pastes |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27549587 | 1987-10-30 | ||
| JP62-275495 | 1987-10-30 | ||
| JP27549487 | 1987-10-30 | ||
| JP62-275494 | 1987-10-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01200595A JPH01200595A (ja) | 1989-08-11 |
| JP2654490B2 true JP2654490B2 (ja) | 1997-09-17 |
Family
ID=26551493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63190198A Expired - Lifetime JP2654490B2 (ja) | 1987-10-30 | 1988-07-29 | 分散型ｅｌ素子の発光層，絶縁体層形成用ペースト及び該ペーストを用いたｅｌ素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2654490B2 (ja) |
| KR (1) | KR890007613A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6337102B1 (en) * | 1997-11-17 | 2002-01-08 | The Trustees Of Princeton University | Low pressure vapor phase deposition of organic thin films |
| KR20020025488A (ko) * | 2000-09-29 | 2002-04-04 | 최 병호 | 형광체 페이스트 |
| KR20010067010A (ko) * | 2000-11-23 | 2001-07-12 | 이철상 | 후막형 전계발광소자용 바인더 조성물 및 이를 포함하는전계발광소자 |
| EP1991031A1 (de) * | 2007-05-08 | 2008-11-12 | Schreiner Group GmbH & Co. KG | Druckpaste und deren Verwendung zur Herstellung einer Elektrolumineszenzfolie |
-
1988
- 1988-07-29 JP JP63190198A patent/JP2654490B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1988-10-29 KR KR1019880014216A patent/KR890007613A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01200595A (ja) | 1989-08-11 |
| KR890007613A (ko) | 1989-06-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0314507B1 (en) | Pastes for forming a luminescent layer or insulator layer of a dispersion type electroluminescence element and a dispersion type electroluminescence element | |
| US4684353A (en) | Flexible electroluminescent film laminate | |
| EP1218456B1 (en) | Uv curable compositions for producing electroluminescent coatings | |
| DE102008062129A1 (de) | Selbstklebriges Basispolymer für Elektrolumineszenzmassen | |
| CN1310573C (zh) | 在uv固化氨基甲酸乙酯封套中的膜状el装置 | |
| JP2654490B2 (ja) | 分散型ｅｌ素子の発光層，絶縁体層形成用ペースト及び該ペーストを用いたｅｌ素子 | |
| CN1257641A (zh) | 场致发光器件及其制备方法 | |
| JPH1138918A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子およびエレクトロルミネッセンス発光装置 | |
| US4792723A (en) | Dispersive type electroluminescent panel and method of fabricating same | |
| AU750438B2 (en) | Electroluminescent device and method for the production of the same | |
| CN1337141A (zh) | 场致发光器件及其制备方法 | |
| US6767577B1 (en) | Uv curable compositions for producing electroluminescent coatings | |
| JPH086088B2 (ja) | 分散型電界発光素子 | |
| JPH06215872A (ja) | 有機分散型ｅｌ素子 | |
| JPH0810631B2 (ja) | 誘電体組成物および分散型電界発光素子 | |
| JPH0521162A (ja) | Ｅｌ素子用ペースト | |
| JP2001284053A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH06275380A (ja) | 分散型ｅｌ素子 | |
| JP2012201853A (ja) | 蛍光体組成物 | |
| JPH03192689A (ja) | 有機分散型ｅｌ発光体 | |
| JPH04249590A (ja) | 分散型エレクトロルミネッセンスシート | |
| JPS62264593A (ja) | 電場発光素子 | |
| JPH06267657A (ja) | 面状発光体 | |
| JPH03210790A (ja) | 分散型ｅｌランプ | |
| JPH02142091A (ja) | 分散型ｅｌ素子 |