JPH01189186A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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Landscapes
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光フアイバ通信や光情報処理の光源として
使用するり・ノジ導波路型の半導体レーザの製造方法に
関するものである。
使用するり・ノジ導波路型の半導体レーザの製造方法に
関するものである。
第２図は例えば、Ｃ，Ｊ、アーミステッド等のエレクト
ロニクスレターズ、２２巻、２１号、 １１４５頁（１
９８６年）（Ｃ，Ｊ、ＡＲＭＩＳＴＥＡＤ ｅｔ、ａｌ
、、Ｅｌｅｃｔｒｏｎ、Ｌｅｔｔ、、Ｖ。
ロニクスレターズ、２２巻、２１号、 １１４５頁（１
９８６年）（Ｃ，Ｊ、ＡＲＭＩＳＴＥＡＤ ｅｔ、ａｌ
、、Ｅｌｅｃｔｒｏｎ、Ｌｅｔｔ、、Ｖ。
１．２２． Ｎｏ、２１． ｐ、１１４５（１９８６）
）に示された従来のリッジ導波路型の半導体レーザの製
造方法を示す断面図であり、図において、１はｎ−１ｎ
Ｐ基板、２はＩｎＧａＡｓＰ活性層、３はＩｎＧａＡｓ
Ｐアンチメルトバック（ＡＭＢ）層、４はｐ−１ｎＰク
ラッド層、５はｐ ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層、６は
コンタクト層５およびｐ−１ｎＰクラッド層４をエツチ
ングする時のエツチングマスクとして使用するＳｉＯ□
膜、７はホトレジスト、９はｐ側電極、１０はｎ側電極
、１１はパッシベーションのＳ ｉ Ｏ２膜である。
）に示された従来のリッジ導波路型の半導体レーザの製
造方法を示す断面図であり、図において、１はｎ−１ｎ
Ｐ基板、２はＩｎＧａＡｓＰ活性層、３はＩｎＧａＡｓ
Ｐアンチメルトバック（ＡＭＢ）層、４はｐ−１ｎＰク
ラッド層、５はｐ ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層、６は
コンタクト層５およびｐ−１ｎＰクラッド層４をエツチ
ングする時のエツチングマスクとして使用するＳｉＯ□
膜、７はホトレジスト、９はｐ側電極、１０はｎ側電極
、１１はパッシベーションのＳ ｉ Ｏ２膜である。
次に本従来例の製造方法について説明する。
まずｎ−１ｎＰ基板１上に液相エピタキシャル法などに
より、ＩｎＧａＡｓＰ活性Ｎ２、ｒｎＧａＡｓＰアンチ
メルトバックＮ３、ｐ−１ｎＰクラッド層４、ｐ−１ｎ
ＧａＡｓＰコンタクト層５を順次成長し、Ｓｉｎ、膜６
をプラズマＣＶＤ法などにより形成する。そして通常の
ホトリソグラフィによりホトレジストのストライプ７を
形成し、該ホトレジストをマスクとしてＳｉｎ、膜６を
工ソチングする（第２図（ａ））。次にＳｉｎ、膜６を
エツチングマスクとして、ｐ ＩｎＧａＡ３ｐコンタ
クト層５及びｐ−ＩｎＰクラッド層４を選択性エツチン
グ液によりエツチングする（第２図（ｂ））。そしてレ
ジスト７及びＳｉｎ、膜６を除去した後、プラズマＣＶ
Ｄなどにより５ｉｎｔ膜１１を形成する（第２図（Ｃ）
）。こののち通常のホトリソグラフィにより、リッジ上
部のＳｉｎ、膜１１のみを除去できるようにレジストの
パターンを形成し、そのレジストをエツチングマスクと
してＳｉＯ□膜のエツチングを行なう （第２図（ｄ）
）。そしてｐ側電極９及びｎ側電極１０を形成して素子
従来のりフジ導波路型の半導体レーザの製造方法は以上
のように構成されているので、パッシベーション膜をリ
ッジ上のみにて除去するために精度の高いマスクあわせ
が必要であり、リッジ上のホトレジストはまわりの部分
より薄くなるがその厚さがリッジ幅や高さに依存するた
め、露光および現像条件を一定に保ちにくいなどの問題
があり、特にリッジ幅を細くする際に問題があった。ま
た従来の製造方法では、リッジ上の電極コンタクト形成
のためのマスクあわせマージンのためにリッジ上のコン
タクトホールの幅かりッジ幅より狭くなりコンタクト抵
抗が高くなるという問題点があった。
より、ＩｎＧａＡｓＰ活性Ｎ２、ｒｎＧａＡｓＰアンチ
メルトバックＮ３、ｐ−１ｎＰクラッド層４、ｐ−１ｎ
ＧａＡｓＰコンタクト層５を順次成長し、Ｓｉｎ、膜６
をプラズマＣＶＤ法などにより形成する。そして通常の
ホトリソグラフィによりホトレジストのストライプ７を
形成し、該ホトレジストをマスクとしてＳｉｎ、膜６を
工ソチングする（第２図（ａ））。次にＳｉｎ、膜６を
エツチングマスクとして、ｐ ＩｎＧａＡ３ｐコンタ
クト層５及びｐ−ＩｎＰクラッド層４を選択性エツチン
グ液によりエツチングする（第２図（ｂ））。そしてレ
ジスト７及びＳｉｎ、膜６を除去した後、プラズマＣＶ
Ｄなどにより５ｉｎｔ膜１１を形成する（第２図（Ｃ）
）。こののち通常のホトリソグラフィにより、リッジ上
部のＳｉｎ、膜１１のみを除去できるようにレジストの
パターンを形成し、そのレジストをエツチングマスクと
してＳｉＯ□膜のエツチングを行なう （第２図（ｄ）
）。そしてｐ側電極９及びｎ側電極１０を形成して素子
従来のりフジ導波路型の半導体レーザの製造方法は以上
のように構成されているので、パッシベーション膜をリ
ッジ上のみにて除去するために精度の高いマスクあわせ
が必要であり、リッジ上のホトレジストはまわりの部分
より薄くなるがその厚さがリッジ幅や高さに依存するた
め、露光および現像条件を一定に保ちにくいなどの問題
があり、特にリッジ幅を細くする際に問題があった。ま
た従来の製造方法では、リッジ上の電極コンタクト形成
のためのマスクあわせマージンのためにリッジ上のコン
タクトホールの幅かりッジ幅より狭くなりコンタクト抵
抗が高くなるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、セルファライン的にリッジ上のパッシベーシ
ョン膜の除去ができる半導体レーこの発明に係る半導体
レーザの製造方法は、リッジ導波路構造を形成するため
に用いたホトレジストを残した状態で、電子サイクロト
ロン共鳴化学的気相成長（ＥＣＲ−ＣＶＤ）法にてパッ
シベーション膜を形成し、そのホトレジスト上のパッシ
ベーション膜のみを選択的にエツチング除去するように
したものである。
たもので、セルファライン的にリッジ上のパッシベーシ
ョン膜の除去ができる半導体レーこの発明に係る半導体
レーザの製造方法は、リッジ導波路構造を形成するため
に用いたホトレジストを残した状態で、電子サイクロト
ロン共鳴化学的気相成長（ＥＣＲ−ＣＶＤ）法にてパッ
シベーション膜を形成し、そのホトレジスト上のパッシ
ベーション膜のみを選択的にエツチング除去するように
したものである。
この発明においては、ＥＣＲ−ＣＶＤ法により形成され
たホトレジスト上のパッシベーション膜は半導体上に形
成されたものよりエツチングレートが速いため、レジス
ト上のパッシベーション膜のみをエツチング除去するこ
とができる。
たホトレジスト上のパッシベーション膜は半導体上に形
成されたものよりエツチングレートが速いため、レジス
ト上のパッシベーション膜のみをエツチング除去するこ
とができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の−・実施例による半導体レーザの製造
方法を示す図であり、第２図と同一符号は同−又は相当
部分である。また８はＥＣＲ−ＣＶＤ法で形成したＳｉ
Ｎ、パッシベーション膜である。
方法を示す図であり、第２図と同一符号は同−又は相当
部分である。また８はＥＣＲ−ＣＶＤ法で形成したＳｉ
Ｎ、パッシベーション膜である。
次に製造方法について説明する。
第１図（ｂ）までの工程は、従来のものと同様である。
次にエツチングマスクとして用いたホトレジスト７およ
びＳｉｎ、膜６をそのままにして全面にＥＣＲ−ＣＶＤ
法によって常温でＳ ｉ Ｎ、を形成する。ＥＣＲ−Ｃ
ＶＤ法は方向性があるので第１図（Ｃ）の矢印に示すよ
うに基板面に対して斜めにデポジションする。フン化水
素とフッ化アンモニウムからなるエツチング液にて５ｉ
ＮＸ膜をエツチングすると、ホトレジスト上の上に形成
されたＳ ｉ ＮＸ膜の方が速くエツチングされる。こ
れはレジスト上に形成されたＳｉＮ、膜と半導体上に形
成されたＳｉＮ、膜とではレジスト上に形成されたもの
の方がエツチングレートが速くなると言う性質を利用し
たもので、これにより第１図Ｔｄｌに示すようにホトレ
ジスト上の５ｉＮＸ膜を選択的に除去できる。次にホト
レジスト７を剥離液などにより除去した後に再びフン化
水素とフッ化アンモニウムからなるエツチング液にて５
ｉＯｚ膜６をエツチングする。これは５ｉｎ２膜とＳｉ
Ｎ。
びＳｉｎ、膜６をそのままにして全面にＥＣＲ−ＣＶＤ
法によって常温でＳ ｉ Ｎ、を形成する。ＥＣＲ−Ｃ
ＶＤ法は方向性があるので第１図（Ｃ）の矢印に示すよ
うに基板面に対して斜めにデポジションする。フン化水
素とフッ化アンモニウムからなるエツチング液にて５ｉ
ＮＸ膜をエツチングすると、ホトレジスト上の上に形成
されたＳ ｉ ＮＸ膜の方が速くエツチングされる。こ
れはレジスト上に形成されたＳｉＮ、膜と半導体上に形
成されたＳｉＮ、膜とではレジスト上に形成されたもの
の方がエツチングレートが速くなると言う性質を利用し
たもので、これにより第１図Ｔｄｌに示すようにホトレ
ジスト上の５ｉＮＸ膜を選択的に除去できる。次にホト
レジスト７を剥離液などにより除去した後に再びフン化
水素とフッ化アンモニウムからなるエツチング液にて５
ｉＯｚ膜６をエツチングする。これは５ｉｎ２膜とＳｉ
Ｎ。
膜の材料によるエツチングレートの違いを利用したもの
である。即ち、Ｓｉｎ、膜の方がＳｉＮ。
である。即ち、Ｓｉｎ、膜の方がＳｉＮ。
よりもエツチングレートが速いため、Ｓ ｉＯｚ膜６が
除去されるものである。このようにして、リッジ上のパ
ッシベーション膜８のみを除去し、さらにＳｉｎ、膜６
を除去した後、ｐ側電極９およびｎ側電極１０を形成す
ることにより第１図（ｅｌに示す素子が完成する。
除去されるものである。このようにして、リッジ上のパ
ッシベーション膜８のみを除去し、さらにＳｉｎ、膜６
を除去した後、ｐ側電極９およびｎ側電極１０を形成す
ることにより第１図（ｅｌに示す素子が完成する。
以上のように本実施例では、リッジ構造の形成。
リッジ上の電極コンタクトの形成を１回のホトリソグラ
フィでセルファライン的に製造できるため、従来リッジ
構造の形成のためのホトリソグラフィ及びリッジ上の電
極コンタクトの形成のためのホトリソグラフィの２回の
ホトリソグラフィを行なっていたために必要であった高
精度のマスクあわせが不要となる。また従来の製造方法
では、リッジ上の電極コンタクト形成のためのマスクあ
わせマージンのためにリッジ上のコンタクトホールの幅
がリッジ幅より狭くなっているが、本実施例の方法では
りフジ上全面のパッシベーション膜を除去することがで
きるため、コンタクト抵抗を低減することができる効果
がある。
フィでセルファライン的に製造できるため、従来リッジ
構造の形成のためのホトリソグラフィ及びリッジ上の電
極コンタクトの形成のためのホトリソグラフィの２回の
ホトリソグラフィを行なっていたために必要であった高
精度のマスクあわせが不要となる。また従来の製造方法
では、リッジ上の電極コンタクト形成のためのマスクあ
わせマージンのためにリッジ上のコンタクトホールの幅
がリッジ幅より狭くなっているが、本実施例の方法では
りフジ上全面のパッシベーション膜を除去することがで
きるため、コンタクト抵抗を低減することができる効果
がある。
なお、上記実施例では導電性ｎ−１ｎＰ基板を使用した
半導体レーザの製造方法について述べたが、本発明は半
絶縁性ＩｎＰ基板あるいはｐ−１ｎＰ基板を用いた素子
、さらにＧａＡｓ系材料等他の材料を使用した素子に適
用してもよく上記実施例と同様の効果を奏する。
半導体レーザの製造方法について述べたが、本発明は半
絶縁性ＩｎＰ基板あるいはｐ−１ｎＰ基板を用いた素子
、さらにＧａＡｓ系材料等他の材料を使用した素子に適
用してもよく上記実施例と同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれぼりフジ導波路型の半導
体レーザの製造方法において、リッジ導波路構造を形成
するために用いたホトレジストを残した状態で、ＥＣＲ
−ＣＶＤ法にてパッシベーション膜を形成し、そのホト
レジスト上のパ・ノシヘーション膜のみをエツチングレ
ートの違いを利用して選択的にエツチングしてリッジ上
の電極コンタクトを形成するようにしたから、ホトリソ
グラフィの回数を減少させ、マスクあわせの必要を無く
し、高性能な半導体レーザが容易に製造できる効果があ
る。
体レーザの製造方法において、リッジ導波路構造を形成
するために用いたホトレジストを残した状態で、ＥＣＲ
−ＣＶＤ法にてパッシベーション膜を形成し、そのホト
レジスト上のパ・ノシヘーション膜のみをエツチングレ
ートの違いを利用して選択的にエツチングしてリッジ上
の電極コンタクトを形成するようにしたから、ホトリソ
グラフィの回数を減少させ、マスクあわせの必要を無く
し、高性能な半導体レーザが容易に製造できる効果があ
る。
第１図はこの発明の一実施例による半導体レーザの製造
方法を示す断面工程図、第２図は従来の半導体レーザの
製造方法を示す断面工程図である。 ４はｐ−１ｎＰクラッド層、５はｐ−ＩｎＧａＡｓＰコ
ンタクト層、６は５ｉ０２膜、７はホトレジス＋−１８
はＥＣＲ−ＣＶＤ法による５ｉＮＸ膜。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
方法を示す断面工程図、第２図は従来の半導体レーザの
製造方法を示す断面工程図である。 ４はｐ−１ｎＰクラッド層、５はｐ−ＩｎＧａＡｓＰコ
ンタクト層、６は５ｉ０２膜、７はホトレジス＋−１８
はＥＣＲ−ＣＶＤ法による５ｉＮＸ膜。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）リッジ導波路型の半導体レーザを製造する半導体
レーザの製造方法において、 リッジ導波路構造を形成するために用いたホトレジスト
を残した状態で、ＥＣＲ−ＣＶＤ法により絶縁膜を形成
した後、該絶縁膜の上記レジスト上の部分のみを選択的
にエッチング除去する工程を含むことを特徴とする半導
体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1399688A JPH077862B2 (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1399688A JPH077862B2 (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01189186A true JPH01189186A (ja) | 1989-07-28 |
| JPH077862B2 JPH077862B2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=11848841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1399688A Expired - Lifetime JPH077862B2 (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH077862B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006186275A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| JP2009212386A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光素子の製造方法 |
-
1988
- 1988-01-25 JP JP1399688A patent/JPH077862B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006186275A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| JP2009212386A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH077862B2 (ja) | 1995-01-30 |
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