JPH01185692A - 平面ディスプレイパネル - Google Patents
平面ディスプレイパネルInfo
- Publication number
- JPH01185692A JPH01185692A JP63010413A JP1041388A JPH01185692A JP H01185692 A JPH01185692 A JP H01185692A JP 63010413 A JP63010413 A JP 63010413A JP 1041388 A JP1041388 A JP 1041388A JP H01185692 A JPH01185692 A JP H01185692A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- core layer
- optical waveguide
- light
- layer
- refractive index
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000012792 core layer Substances 0.000 claims abstract description 69
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 46
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 38
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract description 11
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000002655 kraft paper Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910017875 a-SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/011—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour in optical waveguides, not otherwise provided for in this subclass
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements with at least one potential jump barrier, e.g. PN, PIN junction
- G02F1/017—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. superlattices, quantum wells
- G02F1/01708—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. superlattices, quantum wells in an optical wavequide structure
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/305—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being the ends of optical fibres
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements with at least one potential jump barrier, e.g. PN, PIN junction
- G02F1/0151—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements with at least one potential jump barrier, e.g. PN, PIN junction modulating the refractive index
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、図形表示を行うべ(例えばコンピュータ端末
機、テレビ等に使用される平面デイスプレィパネルに関
するものである。
機、テレビ等に使用される平面デイスプレィパネルに関
するものである。
コンピュータ端末機、テレビ等に使用される図形表示装
置としては、CRT (Cathod Ray、工ub
e ) +液晶 、エレクトロルミネセンスを用いたも
のが知られている。
置としては、CRT (Cathod Ray、工ub
e ) +液晶 、エレクトロルミネセンスを用いたも
のが知られている。
ところが上述したようなものを用いる夫々の図形表示装
置にあっては以下に述べるような欠点がある。即ち、C
RTを用いた図形表示装置ではその装置の薄形化が困難
であり、液晶を用いた図形表示装置では表示の高速化が
困難であり、エレクトロルミネセンスを用いた図形表示
装置では大面積の表示が困難である。
置にあっては以下に述べるような欠点がある。即ち、C
RTを用いた図形表示装置ではその装置の薄形化が困難
であり、液晶を用いた図形表示装置では表示の高速化が
困難であり、エレクトロルミネセンスを用いた図形表示
装置では大面積の表示が困難である。
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、コア
層及びクラッド層からなる光導波路に光を導入してコア
層内に光を閉じ込め、コア層の一部に電圧を印加してそ
の部分のコア層の屈折率を変化させ、その部分において
光導波路外部に光を放出させ、この放出光にて図形を表
示する構成とすることにより、装置を薄形化でき、大面
積の表示が可能であり、しかも高速動作にて図形表示を
行える平面デイスプレィパネルを提供することを目的と
する。
層及びクラッド層からなる光導波路に光を導入してコア
層内に光を閉じ込め、コア層の一部に電圧を印加してそ
の部分のコア層の屈折率を変化させ、その部分において
光導波路外部に光を放出させ、この放出光にて図形を表
示する構成とすることにより、装置を薄形化でき、大面
積の表示が可能であり、しかも高速動作にて図形表示を
行える平面デイスプレィパネルを提供することを目的と
する。
本発明に係る平面デイスプレィパネルは、コア層及び該
コア層を挟んで設けられたクラッド層を有する光導波路
と、該光導波路のコア層に光を導入する光学手段と、前
記光導波路のコア層の屈折率を部分的に変化させるべく
前記コア層に電圧を印加する電圧印加手段とを具備し、
屈折率を変化させた部分のコア層から光を前記光導波路
の外部に放出すべく構成してあることを特徴とする。
コア層を挟んで設けられたクラッド層を有する光導波路
と、該光導波路のコア層に光を導入する光学手段と、前
記光導波路のコア層の屈折率を部分的に変化させるべく
前記コア層に電圧を印加する電圧印加手段とを具備し、
屈折率を変化させた部分のコア層から光を前記光導波路
の外部に放出すべく構成してあることを特徴とする。
本発明の平面デイスプレィパネルにあっては、予め光導
波路のコア層内に光が閉じ込められている。コア層の一
部に電圧を印加し、その部分のコア層の屈折率を変化さ
せる。そうするとその部分においては、コア層内に閉じ
込められていた光が導波路外部に放出される。
波路のコア層内に光が閉じ込められている。コア層の一
部に電圧を印加し、その部分のコア層の屈折率を変化さ
せる。そうするとその部分においては、コア層内に閉じ
込められていた光が導波路外部に放出される。
以下、本発明をその実施例を示す図面に基づいて具体的
に説明する。
に説明する。
第1図は本発明に係る平面デイスプレィパネル(以下本
発明品という)の構造の概要を示す斜視図、第2図は第
1図の断面図である。
発明品という)の構造の概要を示す斜視図、第2図は第
1図の断面図である。
第1図において1は、ガラス、ステンレス等からなる方
形状の支持体を示す。支持体1上には、2層のクラッド
層2.4間にコア層3を挟み込んだ構成をなし、支持体
1より少し小さい面積を有する方形状の光導波路20が
設けられている。
形状の支持体を示す。支持体1上には、2層のクラッド
層2.4間にコア層3を挟み込んだ構成をなし、支持体
1より少し小さい面積を有する方形状の光導波路20が
設けられている。
クラッド層2は、光導波路20の一辺の長さと同じ長さ
を有する棒状の透明電極膜2a (厚さ:0.1〜1μ
m、幅:5μm〜111)複数個を所定ピッチにて、長
手方向を光導波路20の前記−辺に平行にして配列し、
隣合う棒状の透明電極膜2a間を透明絶縁膜2bにて埋
めた構成をなす。また、クラッド層4は、前記クラッド
層2と同様に透明電極膜4a、 透明絶縁膜4bをパタ
ーン形成した構成をなしているが、その棒状の透明電極
膜4aの長手方向は前記クラッド層2の透明電極膜2a
の長手方向と垂直である。透明電極膜2a、 4aは何
れもITO(屈折率: 2.0)からなり、透明絶縁
膜2b、 4bは何れもSIN (屈折率: 2.
0)からなる。
を有する棒状の透明電極膜2a (厚さ:0.1〜1μ
m、幅:5μm〜111)複数個を所定ピッチにて、長
手方向を光導波路20の前記−辺に平行にして配列し、
隣合う棒状の透明電極膜2a間を透明絶縁膜2bにて埋
めた構成をなす。また、クラッド層4は、前記クラッド
層2と同様に透明電極膜4a、 透明絶縁膜4bをパタ
ーン形成した構成をなしているが、その棒状の透明電極
膜4aの長手方向は前記クラッド層2の透明電極膜2a
の長手方向と垂直である。透明電極膜2a、 4aは何
れもITO(屈折率: 2.0)からなり、透明絶縁
膜2b、 4bは何れもSIN (屈折率: 2.
0)からなる。
クランド層2(クラッド層4)の複数の棒状の透明電極
膜2a (透明電極膜4a)夫々には各1個のスイッチ
回路12(スイッチ回路14)が接続されており、各ス
イッチ回路12(スイッチ回路14)はスキャン用の電
源22(電源24)に接続されている。
膜2a (透明電極膜4a)夫々には各1個のスイッチ
回路12(スイッチ回路14)が接続されており、各ス
イッチ回路12(スイッチ回路14)はスキャン用の電
源22(電源24)に接続されている。
各スイッチ回路12.14を駆動させて、透明電極膜2
a、 4a間(コア層3)に電圧を印加する。ところで
、透明電極膜2a、 4aはその長手方向が直交してい
るので、各スイッチ回路12.14を駆動させることに
より、コア層3への電圧印加の有無を格子状に分画して
制御できる。つまり、透明電極膜2 a +4aの配列
ピッチと同じピッチにて分画されるコア層3の各範囲に
ついて、電圧印加の有無を制御できる。
a、 4a間(コア層3)に電圧を印加する。ところで
、透明電極膜2a、 4aはその長手方向が直交してい
るので、各スイッチ回路12.14を駆動させることに
より、コア層3への電圧印加の有無を格子状に分画して
制御できる。つまり、透明電極膜2 a +4aの配列
ピッチと同じピッチにて分画されるコア層3の各範囲に
ついて、電圧印加の有無を制御できる。
コアN3は、層厚30人のa−SiN層3a、層厚10
Aのa−Si層3bを交互に30層ずつ積層した超格子
構造をなしており、電圧が印加されるとその屈折率が変
化する。なお、電圧を全く印加しない場合の屈折率は2
.05である。
Aのa−Si層3bを交互に30層ずつ積層した超格子
構造をなしており、電圧が印加されるとその屈折率が変
化する。なお、電圧を全く印加しない場合の屈折率は2
.05である。
クラッド層4の上面には、光導波路20を保護するため
の保護膜5が積層されており、また光導波路20の全端
面には光を反射するためのAl膜が蒸着されている。な
お、第1図ではこの保護膜5及びAl膜の図示を省略し
ている。
の保護膜5が積層されており、また光導波路20の全端
面には光を反射するためのAl膜が蒸着されている。な
お、第1図ではこの保護膜5及びAl膜の図示を省略し
ている。
光導波路20には、その一端部が強度調整器8を介して
光源7に接続された光ファイバ6の他端部が接続されて
いる。なお、光ファイバ6のコア層は光導波路20のコ
ア層3に、光ファイバ6のクラッド層は光導波路20の
クラッド層2.4に夫々接続されている。光源7として
は、レーザランプまたはLED (L ight 旦
mi tting D 1ode)等を使用すればよい
。光源7から出射された光は、強度調整器8にて各輝点
に対応させてその強度が調整され、光ファイバ6のコア
層内を伝播され、光導波路20のコア層3内に導入され
る。コア層3に電圧が印加されていない場合には、コア
層3の屈折率(2,05)はクラッド層2.4のの屈折
率(2,0)より大きく、またコア層3の端面には図示
しないAl膜が蒸着されているので、この場合には導入
された光はコア層3内に閉じ込められる。
光源7に接続された光ファイバ6の他端部が接続されて
いる。なお、光ファイバ6のコア層は光導波路20のコ
ア層3に、光ファイバ6のクラッド層は光導波路20の
クラッド層2.4に夫々接続されている。光源7として
は、レーザランプまたはLED (L ight 旦
mi tting D 1ode)等を使用すればよい
。光源7から出射された光は、強度調整器8にて各輝点
に対応させてその強度が調整され、光ファイバ6のコア
層内を伝播され、光導波路20のコア層3内に導入され
る。コア層3に電圧が印加されていない場合には、コア
層3の屈折率(2,05)はクラッド層2.4のの屈折
率(2,0)より大きく、またコア層3の端面には図示
しないAl膜が蒸着されているので、この場合には導入
された光はコア層3内に閉じ込められる。
次に、このような構成の平面デイスプレィパネルの製造
方法について説明する。
方法について説明する。
偏平な方形状をなすガラスまたはステンレスからなる支
持体1上に、170層(屈折率: 2.0)をスパッ
タ法にて厚さ0.1〜1μmにわたって蒸着した後、レ
ジストを塗布し、支持体1の一辺に平行に複数の棒状部
分が等ピッチにて残存するようなパターンにて露光する
。次いでエツチングを行い、幅が5μm〜1龍であるI
TOからなる透明導電膜2aのパターンを支持体1上に
形成する。次に、透明導電膜2aの表面を含んで支持体
1上に、SiN層(屈折率: 2.0)をスパッタ法
にて170層と同様の層厚にて蒸着する。その後、レジ
ストを除去し、スパッタにて表面を平坦化して、クラッ
ド層2を形成する。
持体1上に、170層(屈折率: 2.0)をスパッ
タ法にて厚さ0.1〜1μmにわたって蒸着した後、レ
ジストを塗布し、支持体1の一辺に平行に複数の棒状部
分が等ピッチにて残存するようなパターンにて露光する
。次いでエツチングを行い、幅が5μm〜1龍であるI
TOからなる透明導電膜2aのパターンを支持体1上に
形成する。次に、透明導電膜2aの表面を含んで支持体
1上に、SiN層(屈折率: 2.0)をスパッタ法
にて170層と同様の層厚にて蒸着する。その後、レジ
ストを除去し、スパッタにて表面を平坦化して、クラッ
ド層2を形成する。
光CVD (Chemi、cal V apour旦
eposition )法またはプラズマCVD法を用
いて、クラッド層2上に、層厚が30人であるa−5i
N層及び層厚が10人であるa−Si層を交互に30層
ずつ積層形成し、屈折率が2.1であるコア層3を形成
する。
eposition )法またはプラズマCVD法を用
いて、クラッド層2上に、層厚が30人であるa−5i
N層及び層厚が10人であるa−Si層を交互に30層
ずつ積層形成し、屈折率が2.1であるコア層3を形成
する。
次に、クラッド層2を形成した前述の方法と同様の方法
にて、透明導電膜4 a +透明絶縁膜4bのラインパ
ターンからなるクラッド層4を形成する。
にて、透明導電膜4 a +透明絶縁膜4bのラインパ
ターンからなるクラッド層4を形成する。
但し、この際透明導電膜4aの長手方向が、前記透明導
電膜2aの長手方向と直交するようにする。以上のよう
にして光導波路20を作成する。
電膜2aの長手方向と直交するようにする。以上のよう
にして光導波路20を作成する。
クラッド層2 (クラッド層4)の各棒状の透明導電膜
2a (透明導電膜4a)を、スキャン用の電源22(
電源24)に接続されたスイッチ回路12(スイッチ回
路14)に接続する。強度調整器8を介して光源7にそ
の一端部が接続されている光ファイバ6の他端部と光導
波路20とを、光ファイバ6のコア層及び光導波路20
のコア層3、光ファイバ6のクラッド層及び光導波路2
0のクラッド層2.4が接続するように、接続する。
2a (透明導電膜4a)を、スキャン用の電源22(
電源24)に接続されたスイッチ回路12(スイッチ回
路14)に接続する。強度調整器8を介して光源7にそ
の一端部が接続されている光ファイバ6の他端部と光導
波路20とを、光ファイバ6のコア層及び光導波路20
のコア層3、光ファイバ6のクラッド層及び光導波路2
0のクラッド層2.4が接続するように、接続する。
最後に、光導波路20の端面にAt膜(図示せず)を蒸
着し、保護膜5を光導波路20(クラッド層4)の上面
に蒸着して平面デイスプレィパネルを作成する。
着し、保護膜5を光導波路20(クラッド層4)の上面
に蒸着して平面デイスプレィパネルを作成する。
次に、本発明品の動作について説明する。
光源7から出射された光は強度調整器8にてそ強度が変
化され、光ファイバ6 (コア層)を伝播する。光ファ
イバ6を伝播した光は、光導波路20のコア層3に入射
する。コア層3に電圧が印加されていない場合には、コ
ア層3の屈折率はクラフト層2.4より大きいので、コ
ア層3に入射した光はコア層3とクラッド層2 (クラ
フト層4)との境界面にて全反射し、クラッド層2 (
クラッド層4)には入射しない。また、コア層3の端面
はAt膜にて覆われているので、コア層3に入射した光
はこのAt膜にて反射される。従って、コア層3に電圧
が印加されていない場合には、コア層3に入射した光は
コア層3内に閉じ込められる。
化され、光ファイバ6 (コア層)を伝播する。光ファ
イバ6を伝播した光は、光導波路20のコア層3に入射
する。コア層3に電圧が印加されていない場合には、コ
ア層3の屈折率はクラフト層2.4より大きいので、コ
ア層3に入射した光はコア層3とクラッド層2 (クラ
フト層4)との境界面にて全反射し、クラッド層2 (
クラッド層4)には入射しない。また、コア層3の端面
はAt膜にて覆われているので、コア層3に入射した光
はこのAt膜にて反射される。従って、コア層3に電圧
が印加されていない場合には、コア層3に入射した光は
コア層3内に閉じ込められる。
スイッチ回路12.14を閉じると対応する部分のコア
層3に電圧が印加される。すると、コア層3(超格子構
造)内部の電子の分布が変化して内部分権率(屈折率)
が変化する。第3,4図はこの変化の推移を表す模式図
であり、第3図は電子分布の変化を示し、第4図は正札
分布の変化を示す。
層3に電圧が印加される。すると、コア層3(超格子構
造)内部の電子の分布が変化して内部分権率(屈折率)
が変化する。第3,4図はこの変化の推移を表す模式図
であり、第3図は電子分布の変化を示し、第4図は正札
分布の変化を示す。
第3,4図から理解される如く、電圧が印加されると電
子分布及び正孔分布が偏在化する。
子分布及び正孔分布が偏在化する。
第5図は本実施例における、コア層3への印加電圧とコ
ア層3の屈折率との関係を示すグラフであり、横軸は印
加する電圧を示し、縦軸は屈折率を夫々示す。第5図か
ら理解される如く、印加される電圧が大きくなるにつれ
て屈折率が減少し、例えばI XIO” V/cdの電
圧を印加する場合には、クラッド層2,4の屈折率(2
,0)よりも小さくなる。
ア層3の屈折率との関係を示すグラフであり、横軸は印
加する電圧を示し、縦軸は屈折率を夫々示す。第5図か
ら理解される如く、印加される電圧が大きくなるにつれ
て屈折率が減少し、例えばI XIO” V/cdの電
圧を印加する場合には、クラッド層2,4の屈折率(2
,0)よりも小さくなる。
コア層3の屈折率がクラッド層2,4の屈折率以下にな
ると、コア層3内に閉じ込められていた光は、クラッド
層2(クラッド14)を透過して光導波路20の外部に
放出される。第6図はこの状態を示す模式図であり、ま
た参考として電圧が印加されておらず光がコア層3内に
閉じ込められている状態を参考として第7図に示す。
ると、コア層3内に閉じ込められていた光は、クラッド
層2(クラッド14)を透過して光導波路20の外部に
放出される。第6図はこの状態を示す模式図であり、ま
た参考として電圧が印加されておらず光がコア層3内に
閉じ込められている状態を参考として第7図に示す。
そして、この外部に放出される光を用いて図形表示を行
う。ここで電圧を印加させる領域は、スイッチ回路12
.14の駆動により任意に設定できるので、光が外部に
放出される領域を任意に設定できる。また強度調整器8
にてコア層3内に入射する光の強度を変化させれば、放
出する光量を変化させることができる。従って、本発明
品では、光が外部に放出される領域設定のタイミングと
光の強度設定のタイミングとを同期させて、任意の画像
を描くことができる。
う。ここで電圧を印加させる領域は、スイッチ回路12
.14の駆動により任意に設定できるので、光が外部に
放出される領域を任意に設定できる。また強度調整器8
にてコア層3内に入射する光の強度を変化させれば、放
出する光量を変化させることができる。従って、本発明
品では、光が外部に放出される領域設定のタイミングと
光の強度設定のタイミングとを同期させて、任意の画像
を描くことができる。
なお本実施例では、コア層3を構成する超格子構造とし
てa−Si/a−5iNの積層構造を用いることとした
が、これに限らず他の超格子構造、例えば[nP /G
aPの積層構造を使用してもよい。
てa−Si/a−5iNの積層構造を用いることとした
が、これに限らず他の超格子構造、例えば[nP /G
aPの積層構造を使用してもよい。
また、光源として3色の光源を利用する場合には、互い
に独立にその強度を制御する構成とすれば、カラー画面
の表示も可能となる。
に独立にその強度を制御する構成とすれば、カラー画面
の表示も可能となる。
以上詳述した如く本発明品にあっては、光導波路のコア
層への電圧印加をスキャンさせながら、光導波路から外
部に放出される光を用いて画像を表示する。本発明品で
は光導波路をデイスプレィパネルの本体としているので
、パネル全体の厚さを11以下とすることができ、薄形
化を図ることができる。
層への電圧印加をスキャンさせながら、光導波路から外
部に放出される光を用いて画像を表示する。本発明品で
は光導波路をデイスプレィパネルの本体としているので
、パネル全体の厚さを11以下とすることができ、薄形
化を図ることができる。
また、スパッタ法または金属蒸着法は、30cm角程度
0基板においては容易に行えるので、本発明では大面積
のデイスプレィパネルを提供することができる。
0基板においては容易に行えるので、本発明では大面積
のデイスプレィパネルを提供することができる。
更に、液晶を用いた表示装置に比して、本発明品では、
高輝度な表示及び表示の高速化が可能である等、本発明
は優れた効果を奏する。
高輝度な表示及び表示の高速化が可能である等、本発明
は優れた効果を奏する。
第1図は本発明に係る平面デイスプレィパネルの構成の
概要を示す斜視図、第2図は同じく断面図、第3図はコ
ア層に電圧を印加した場合の電子分布の変化を示す模式
図、第4図はコア層に電圧を印加した場合の正孔分布の
変化を示す模式図、第5図はコア層における印加電圧と
屈折率との関係を示すグラフ、第6図はコア層に電圧を
印加した場合の光の進路を示す模式図、第7図はコア層
に電圧を印加しない場合の光の進路を示す模式図である
。 1・・・支持体 2,4・・・クラッド層 2a、 4
a・・・透明導電膜 2b、 4b・・・透明絶縁膜
3・・・コア層 6・・・光ファイバ 7・・・光源
12.14・・・スイッチ回路特許出願人 三洋
電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 夫 第 1 図 來 2 図 第5図 第 6 記 項ξ ワ 図
概要を示す斜視図、第2図は同じく断面図、第3図はコ
ア層に電圧を印加した場合の電子分布の変化を示す模式
図、第4図はコア層に電圧を印加した場合の正孔分布の
変化を示す模式図、第5図はコア層における印加電圧と
屈折率との関係を示すグラフ、第6図はコア層に電圧を
印加した場合の光の進路を示す模式図、第7図はコア層
に電圧を印加しない場合の光の進路を示す模式図である
。 1・・・支持体 2,4・・・クラッド層 2a、 4
a・・・透明導電膜 2b、 4b・・・透明絶縁膜
3・・・コア層 6・・・光ファイバ 7・・・光源
12.14・・・スイッチ回路特許出願人 三洋
電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 夫 第 1 図 來 2 図 第5図 第 6 記 項ξ ワ 図
Claims (1)
- 1、コア層及び該コア層を挟んで設けられたクラッド層
を有する光導波路と、該光導波路のコア層に光を導入す
る光学手段と、前記光導波路のコア層の屈折率を部分的
に変化させるべく前記コア層に電圧を印加する電圧印加
手段とを具備し、屈折率を変化させた部分のコア層から
光を前記光導波路の外部に放出すべく構成してあること
を特徴とする平面ディスプレイパネル。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63010413A JPH01185692A (ja) | 1988-01-19 | 1988-01-19 | 平面ディスプレイパネル |
US07/298,095 US5045847A (en) | 1988-01-19 | 1989-01-18 | Flat display panel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63010413A JPH01185692A (ja) | 1988-01-19 | 1988-01-19 | 平面ディスプレイパネル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01185692A true JPH01185692A (ja) | 1989-07-25 |
Family
ID=11749462
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63010413A Pending JPH01185692A (ja) | 1988-01-19 | 1988-01-19 | 平面ディスプレイパネル |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5045847A (ja) |
JP (1) | JPH01185692A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6816140B2 (en) | 2000-12-12 | 2004-11-09 | Nec Corporation | Displaying device and displaying method and manufacturing method of the device |
US7190849B2 (en) | 2004-02-03 | 2007-03-13 | Seiko Epson Corporation | Display device |
US8390610B2 (en) | 2008-06-30 | 2013-03-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Display apparatus with scanning lines having convex and concave portions |
US9183794B2 (en) | 2009-01-14 | 2015-11-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Display apparatus and driving method thereof |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5319491A (en) * | 1990-08-10 | 1994-06-07 | Continental Typographics, Inc. | Optical display |
US5812186A (en) * | 1994-07-25 | 1998-09-22 | Polaroid Corporation | Three-dimensional display method(s) and apparatus |
US6167169A (en) * | 1994-09-09 | 2000-12-26 | Gemfire Corporation | Scanning method and architecture for display |
US5647036A (en) * | 1994-09-09 | 1997-07-08 | Deacon Research | Projection display with electrically-controlled waveguide routing |
US5586206A (en) * | 1994-09-09 | 1996-12-17 | Deacon Research | Optical power splitter with electrically-controlled switching structures |
US5544268A (en) * | 1994-09-09 | 1996-08-06 | Deacon Research | Display panel with electrically-controlled waveguide-routing |
US5581642A (en) * | 1994-09-09 | 1996-12-03 | Deacon Research | Optical frequency channel selection filter with electronically-controlled grating structures |
JPH08160908A (ja) * | 1994-12-02 | 1996-06-21 | Sony Corp | プラズマ駆動回路 |
US6300253B1 (en) | 1998-04-07 | 2001-10-09 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods of forming photoresist over silicon nitride materials, and semiconductor wafer assemblies comprising photoresist over silicon nitride materials |
US5926739A (en) * | 1995-12-04 | 1999-07-20 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing method of promoting photoresist adhesion to an outer substrate layer predominately comprising silicon nitride |
US6323139B1 (en) | 1995-12-04 | 2001-11-27 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods of forming photoresist over silicon nitride materials |
JPH10326088A (ja) * | 1997-03-24 | 1998-12-08 | Ngk Insulators Ltd | ディスプレイの駆動装置及びディスプレイの駆動方法 |
US5959777A (en) * | 1997-06-10 | 1999-09-28 | The University Of British Columbia | Passive high efficiency variable reflectivity image display device |
US6215920B1 (en) | 1997-06-10 | 2001-04-10 | The University Of British Columbia | Electrophoretic, high index and phase transition control of total internal reflection in high efficiency variable reflectivity image displays |
JP3437743B2 (ja) * | 1997-07-18 | 2003-08-18 | 日本碍子株式会社 | ディスプレイの駆動装置及びディスプレイの駆動方法 |
US5999307A (en) * | 1997-09-04 | 1999-12-07 | The University Of British Columbia | Method and apparatus for controllable frustration of total internal reflection |
US6377383B1 (en) | 1997-09-04 | 2002-04-23 | The University Of British Columbia | Optical switching by controllable frustration of total internal reflection |
US6316372B1 (en) | 1998-04-07 | 2001-11-13 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a layer of silicon nitride in a semiconductor fabrication process |
US6635530B2 (en) | 1998-04-07 | 2003-10-21 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming gated semiconductor assemblies |
US5985771A (en) | 1998-04-07 | 1999-11-16 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor wafer assemblies comprising silicon nitride, methods of forming silicon nitride, and methods of reducing stress on semiconductive wafers |
GB9817745D0 (en) * | 1998-08-15 | 1998-10-14 | Philips Electronics Nv | Manufacture of electronic devices comprising thin-film circuit elements |
US6304365B1 (en) | 2000-06-02 | 2001-10-16 | The University Of British Columbia | Enhanced effective refractive index total internal reflection image display |
US6434318B1 (en) | 2000-08-02 | 2002-08-13 | Gemfire Corporation | Device and method for variable attenuation of an optical channel |
US6507681B1 (en) | 2000-08-02 | 2003-01-14 | Gemfire Corporation | Anti-waveguide routing structure |
US6384979B1 (en) | 2000-11-30 | 2002-05-07 | The University Of British Columbia | Color filtering and absorbing total internal reflection image display |
US6437921B1 (en) | 2001-08-14 | 2002-08-20 | The University Of British Columbia | Total internal reflection prismatically interleaved reflective film display screen |
US6452734B1 (en) | 2001-11-30 | 2002-09-17 | The University Of British Columbia | Composite electrophoretically-switchable retro-reflective image display |
US6891658B2 (en) | 2002-03-04 | 2005-05-10 | The University Of British Columbia | Wide viewing angle reflective display |
US6865011B2 (en) * | 2002-07-30 | 2005-03-08 | The University Of British Columbia | Self-stabilized electrophoretically frustrated total internal reflection display |
US7164536B2 (en) * | 2005-03-16 | 2007-01-16 | The University Of British Columbia | Optically coupled toroidal lens:hemi-bead brightness enhancer for total internal reflection modulated image displays |
US8783931B2 (en) * | 2007-12-03 | 2014-07-22 | Rambus Delaware Llc | Light injection system and method for uniform luminosity of waveguide-based displays |
WO2009073749A1 (en) * | 2007-12-03 | 2009-06-11 | Uni-Pixel Displays, Inc. | Light injection system and method for uniform luminosity of waveguide-based displays |
US9703050B2 (en) | 2013-12-27 | 2017-07-11 | City University Of Hong Kong | Device for routing light among a set of optical waveguides |
US10366674B1 (en) * | 2016-12-27 | 2019-07-30 | Facebook Technologies, Llc | Display calibration in electronic displays |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4170772A (en) * | 1978-04-26 | 1979-10-09 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Flat panel display with full color capability |
FR2507802A1 (fr) * | 1981-06-10 | 1982-12-17 | Thomson Csf | Dispositif d'affichage a cristal liquide associant deux modes d'adressage |
US4636786A (en) * | 1982-12-20 | 1987-01-13 | Motorola, Inc. | Electrooptic ceramic display and method for making same |
US4751509A (en) * | 1985-06-04 | 1988-06-14 | Nec Corporation | Light valve for use in a color display unit with a diffraction grating assembly included in the valve |
US4799050A (en) * | 1986-10-23 | 1989-01-17 | Litton Systems Canada Limited | Full color liquid crystal display |
-
1988
- 1988-01-19 JP JP63010413A patent/JPH01185692A/ja active Pending
-
1989
- 1989-01-18 US US07/298,095 patent/US5045847A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6816140B2 (en) | 2000-12-12 | 2004-11-09 | Nec Corporation | Displaying device and displaying method and manufacturing method of the device |
KR100464114B1 (ko) * | 2000-12-12 | 2005-01-03 | 닛뽄덴끼 가부시끼가이샤 | 표시 장치, 그 표시 방법 및 그 제조 방법 |
US7190849B2 (en) | 2004-02-03 | 2007-03-13 | Seiko Epson Corporation | Display device |
US8390610B2 (en) | 2008-06-30 | 2013-03-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Display apparatus with scanning lines having convex and concave portions |
US9183794B2 (en) | 2009-01-14 | 2015-11-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Display apparatus and driving method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5045847A (en) | 1991-09-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH01185692A (ja) | 平面ディスプレイパネル | |
CA2013709C (en) | Semitransparent electrophoretic information displays (epid) employing mesh-like electrodes | |
KR100861059B1 (ko) | 광변조 소자, 표시 소자 및 노광 소자 | |
US5911616A (en) | Method of making an ambient light absorbing face plate for flat panel display | |
JP3065458B2 (ja) | El素子 | |
CN104157669A (zh) | 一种有机发光显示面板及其制造方法、显示装置 | |
CN103293763B (zh) | 液晶显示装置 | |
US20050174038A1 (en) | Panel for field emission type backlight device and method of manufacturing the same | |
KR100702879B1 (ko) | 조명 장치 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 | |
KR20020051364A (ko) | 면발광 램프 및 그 제조방법 | |
JPH06317785A (ja) | プラズマアドレス液晶表示装置 | |
CN206096638U (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
US6310665B1 (en) | Liquid crystal display apparatus and optical addressing device | |
JP4489346B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
WO2004051609A2 (en) | Display panel and large display using such display panel | |
US7199773B2 (en) | Magnetic liquid display panel | |
JP2004087144A (ja) | プラズマ表示装置およびその製造方法 | |
KR100282607B1 (ko) | 고휘도와고선명도를가지는전계발광소자의제조방법 | |
JP2008233456A (ja) | 表示装置 | |
JP2012221687A (ja) | 表示装置 | |
JP2005056829A (ja) | 面光源装置及びこれを有する液晶表示装置 | |
JPH0731332B2 (ja) | 平面表示装置 | |
JP2005011021A (ja) | タブレット及び液晶表示装置 | |
JPH0743712A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2004265851A (ja) | El装置及びその製造方法並びにel装置を用いた液晶表示装置 |