JPH01181521A - Ｘ線露光装置用ヘリウムチャンバ - Google Patents
Ｘ線露光装置用ヘリウムチャンバInfo
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- JPH01181521A JPH01181521A JP63005240A JP524088A JPH01181521A JP H01181521 A JPH01181521 A JP H01181521A JP 63005240 A JP63005240 A JP 63005240A JP 524088 A JP524088 A JP 524088A JP H01181521 A JPH01181521 A JP H01181521A
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- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 52
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＸ線庫元装置用ヘリウムチャンバ、特にに、大
気中で３１４元を行うＸ線庫元装置用へリウムチャンバ
に関する。
気中で３１４元を行うＸ線庫元装置用へリウムチャンバ
に関する。
近年の半導体はＤｌ（、ＡＭに代表されるように高集橿
化が進む傾向にあシ、超ＬＳＩのパターンの最小線幅も
ミクロンからｔ１ミクロンの領域へ突入しようとしてい
る。このような状況において。
化が進む傾向にあシ、超ＬＳＩのパターンの最小線幅も
ミクロンからｔ１ミクロンの領域へ突入しようとしてい
る。このような状況において。
従来の紫外線のｇ磯、ｉ線を用いた光学式の半導体露光
装置では１元の波長による解像度の限界が０．５μｒｒ
ｌｌｆｆとｇわれているので、０．５μｍ以下のパター
ンに対応できる次世代の無光装置が強く望まれている。
装置では１元の波長による解像度の限界が０．５μｒｒ
ｌｌｆｆとｇわれているので、０．５μｍ以下のパター
ンに対応できる次世代の無光装置が強く望まれている。
この次世代の無光装置として、ｔ）！。
在、Ｘ８Ｍ光装置が有望視されており、研究・開発が進
められている。
められている。
Ｘ線露光装置の路光方式には晶空中Ｕ元とヘリウム中露
光と大気中藉光が考えられるが、生産性を考慮すると大
気中露光方式がイラ利であシ、大気中蕗光のＸ＃窮先光
装置主に開発されている。
光と大気中藉光が考えられるが、生産性を考慮すると大
気中露光方式がイラ利であシ、大気中蕗光のＸ＃窮先光
装置主に開発されている。
この大気中露光方式では、真空中に置かれたＸ線源から
ベリリウム製の窓を介してヘリウムガスが充填された気
密室に軟Ｘ＃が取り出される。
ベリリウム製の窓を介してヘリウムガスが充填された気
密室に軟Ｘ＃が取り出される。
軟Ｘ線を直接大気中ＫＪ４ＲＪ）出そうとするとベリリ
ウム製の窓が酸化すること、ヘリウムガスは軟Ｘｌ１Ｉ
の透過率が高いこと、ちらにヘリウムガスは熱伝導率が
高くベリリウム製の窓等の冷却作用が大きいことなどの
理由によシ、軟Ｘ線は−Ｈヘリウム雰囲気中に取９出さ
れるのが一般的である。
ウム製の窓が酸化すること、ヘリウムガスは軟Ｘｌ１Ｉ
の透過率が高いこと、ちらにヘリウムガスは熱伝導率が
高くベリリウム製の窓等の冷却作用が大きいことなどの
理由によシ、軟Ｘ線は−Ｈヘリウム雰囲気中に取９出さ
れるのが一般的である。
ヘリウム雰囲気の気密室に城シ出された軟Ｘ線は薄膜の
窓を介して大気中に取り出され、大気中に置かれたウェ
ハにパターンを転写する。この気密室に取り付けられた
薄膜の窓は、Ｘ線マスクの場合もパターンの描かれてい
ないポリイミド等の薄膜の場合もあるが、いずれの場合
でも軟ＸＩＨに対し透過率が高いという理由からＳｉＮ
ｘ、ポリイばド等の厚さ１〜数μｍの薄膜が基板として
使われる。
窓を介して大気中に取り出され、大気中に置かれたウェ
ハにパターンを転写する。この気密室に取り付けられた
薄膜の窓は、Ｘ線マスクの場合もパターンの描かれてい
ないポリイミド等の薄膜の場合もあるが、いずれの場合
でも軟ＸＩＨに対し透過率が高いという理由からＳｉＮ
ｘ、ポリイばド等の厚さ１〜数μｍの薄膜が基板として
使われる。
したがりて、Ｘ線露光装置用へリウムチャンバでは軟Ｘ
線の減衰およびベリリウム製の窓の酸化を防ぐために気
密室内のヘリウムガスを高濃度に保つことが必要である
のと同時に、大気中に軟Ｘ線を取り出す薄膜の窓の変形
や破Ｓを防止するために気密室のヘリウムガスと大気と
の間に圧力差が発生しないように圧力側＃を行う必要が
ある。
線の減衰およびベリリウム製の窓の酸化を防ぐために気
密室内のヘリウムガスを高濃度に保つことが必要である
のと同時に、大気中に軟Ｘ線を取り出す薄膜の窓の変形
や破Ｓを防止するために気密室のヘリウムガスと大気と
の間に圧力差が発生しないように圧力側＃を行う必要が
ある。
従来の技術としては１例えば、特公昭５９−１０１８３
３号公報に示されているよりなｘｌＩａ露元装置がある
。従来のＸＩＩ＃ｉｌ露光装置はＸ線を発生させるＸ線
発生装置と、前記ｘｗｉｍ光装置に気密結合され前記Ｘ
Ｉｍ発生装置を結合した面と相対する面にマスクを保持
する気密室と、ウェハを無光位置に移動させるテーブル
と、前記気密室に設けられた柔軟部材の窓とを含んで構
成される。
３号公報に示されているよりなｘｌＩａ露元装置がある
。従来のＸＩＩ＃ｉｌ露光装置はＸ線を発生させるＸ線
発生装置と、前記ｘｗｉｍ光装置に気密結合され前記Ｘ
Ｉｍ発生装置を結合した面と相対する面にマスクを保持
する気密室と、ウェハを無光位置に移動させるテーブル
と、前記気密室に設けられた柔軟部材の窓とを含んで構
成される。
次に従来のＸ線無光１Ｉｋｔｔについて図面を参照して
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第２図は従来のＸＭＢ元装型装置例を示す構成図である
。
。
第２図に示すＸ融繕光装置は、軟Ｘ線を堰プ出すべりＩ
）ラム製の窓１１を有するＸ線発生装置１２と、Ｘ線発
生装置１２に接続されたベローズ１３とマスクステージ
１４とマスクステージ１４に真空吸着されるマスク１５
と柔軟部材のｇ１６から構成され中ＶＣヘリウムガスを
ほぼ大気圧で充積した気密室１７と、マスク１５と４２
１０μｍのギヤ、プで相対するウェハ１８と、ウェハ１
８を無光位置に移動させるウェハステージ１９とを含ん
でいる。
）ラム製の窓１１を有するＸ線発生装置１２と、Ｘ線発
生装置１２に接続されたベローズ１３とマスクステージ
１４とマスクステージ１４に真空吸着されるマスク１５
と柔軟部材のｇ１６から構成され中ＶＣヘリウムガスを
ほぼ大気圧で充積した気密室１７と、マスク１５と４２
１０μｍのギヤ、プで相対するウェハ１８と、ウェハ１
８を無光位置に移動させるウェハステージ１９とを含ん
でいる。
ここで、柔軟部材の窓１６をマスク１５附近に設けるこ
とにより、気密室１７と大気との間に圧力差が生じても
、柔軟部材の窓１６が変形し気密室１７の圧力と大気圧
を同調させる。したがって常に気密室１７と大気との圧
力差が発生しないように保たれるので、厚さ１〜２μｍ
の薄膜構造のマスク１５の圧力差による変形を防ぐこと
ができる。
とにより、気密室１７と大気との間に圧力差が生じても
、柔軟部材の窓１６が変形し気密室１７の圧力と大気圧
を同調させる。したがって常に気密室１７と大気との圧
力差が発生しないように保たれるので、厚さ１〜２μｍ
の薄膜構造のマスク１５の圧力差による変形を防ぐこと
ができる。
Ｘ線露光装置用へリウムチャンバでは、軟Ｘ線の減衰や
ベリリウム製の窓１１の酸化を防ぐために、ヘリウムガ
ス濃度をできる限シ高くする必要がある。また、気密室
１７内を大気からヘリウムガスに置換する時間も短いこ
とが要求される。これら２つの要求を満足させるために
は、薄膜構造のマスク１５が変形しない、ｗ度に大気圧
に対して気密室１７の圧力を島く保つことが望ましい。
ベリリウム製の窓１１の酸化を防ぐために、ヘリウムガ
ス濃度をできる限シ高くする必要がある。また、気密室
１７内を大気からヘリウムガスに置換する時間も短いこ
とが要求される。これら２つの要求を満足させるために
は、薄膜構造のマスク１５が変形しない、ｗ度に大気圧
に対して気密室１７の圧力を島く保つことが望ましい。
上述した従来のＸ巌旙光装置用へリウムチャンバは、マ
スク交換時に気密室が大気に一放されるため、マスク５
ｅ侯後気密室内を大気−からへ”リウムガスにｆｌｌｉ
換する必要があるが、柔軟な薄膜の変形によシ気密室と
大気との圧力差の発生を防ぐ構造となっているため、気
室室内をヘリウムガスに置換する際に気密室内の圧力を
大気圧に対して精密に高く保つように制御する愼能を持
っていないので、ヘリウムガスへのｗＩ換に長時間装し
たり、気密室内のヘリウム濃度を品くできないという欠
点かあった。
スク交換時に気密室が大気に一放されるため、マスク５
ｅ侯後気密室内を大気−からへ”リウムガスにｆｌｌｉ
換する必要があるが、柔軟な薄膜の変形によシ気密室と
大気との圧力差の発生を防ぐ構造となっているため、気
室室内をヘリウムガスに置換する際に気密室内の圧力を
大気圧に対して精密に高く保つように制御する愼能を持
っていないので、ヘリウムガスへのｗＩ換に長時間装し
たり、気密室内のヘリウム濃度を品くできないという欠
点かあった。
また、装置立上げ時にヘリウムガスを流し出すことによ
る急激な圧力変動で薄膜構造のマスク！柔軟部材の悪が
破壊する恐れがあるという欠点があった。
る急激な圧力変動で薄膜構造のマスク！柔軟部材の悪が
破壊する恐れがあるという欠点があった。
本発明のＸ線絡光装置用へリウムチャンバはＸ線発生装
置に気密結合されＸ線を大気中に堰シ出す薄膜の窓を有
する気密室と、ヘリウムガスの流量を制御する流量制御
器と、前記流量制御器を通りたヘリウムガスの流量を制
御し前記気密室内にヘリウムガスを導入する可変流量バ
ルブと、前記気密室内と大気との差圧を電気信号に変換
する圧力伝送器と、前記圧力伝送器からの信号によって
前記可変流量バルブを制御する圧力制御器と、気密室内
のガスを大気に開放する排気口を含んで構成される。
置に気密結合されＸ線を大気中に堰シ出す薄膜の窓を有
する気密室と、ヘリウムガスの流量を制御する流量制御
器と、前記流量制御器を通りたヘリウムガスの流量を制
御し前記気密室内にヘリウムガスを導入する可変流量バ
ルブと、前記気密室内と大気との差圧を電気信号に変換
する圧力伝送器と、前記圧力伝送器からの信号によって
前記可変流量バルブを制御する圧力制御器と、気密室内
のガスを大気に開放する排気口を含んで構成される。
次に１本発明の実施例について１図面を診照して詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。
第１図に示すＸＮｊ！Ａ露光装置用へリウムテヤンバは
、軟Ｘ線ｌを取り出すベリリウム製の窓２を有するＸ線
発生装置３に気密結合され前記軟Ｘ＃１を大気中に取り
出すポリイミド製の薄膜の窓４を有する気密室５と、ヘ
リウムボンベからのへりラムガスの流量を制御するマス
フローコントローラ６と、前記マスフローコントローラ
６を通ったヘリウムガスの流量を制御し前記気密室５に
ヘリウムガスを尋人する可変流量バルブ７と、ｍ配気密
室５と大気との差圧を電気信号に変換する圧力伝送器８
と、前記圧力伝送器８からの信号をもとに前記気密室５
と大気との差圧を一定に保つように前記可変流量バルブ
７を制御する圧力制御器９と。
、軟Ｘ線ｌを取り出すベリリウム製の窓２を有するＸ線
発生装置３に気密結合され前記軟Ｘ＃１を大気中に取り
出すポリイミド製の薄膜の窓４を有する気密室５と、ヘ
リウムボンベからのへりラムガスの流量を制御するマス
フローコントローラ６と、前記マスフローコントローラ
６を通ったヘリウムガスの流量を制御し前記気密室５に
ヘリウムガスを尋人する可変流量バルブ７と、ｍ配気密
室５と大気との差圧を電気信号に変換する圧力伝送器８
と、前記圧力伝送器８からの信号をもとに前記気密室５
と大気との差圧を一定に保つように前記可変流量バルブ
７を制御する圧力制御器９と。
前記気密室５内のガスを大気に開放する排気口１０とを
含んで構成される。
含んで構成される。
本発明の３１１１３１光装置用へリウムチャンバでは。
気密室５と大気との差圧を圧力伝送器８で検出し。
高速動作可能な可変流量バルブ７を制御しているので、
気密室５内を大気圧から大気圧よりわずかに高い圧力状
態まで任意の状態に正確に保っておくことが可能である
０本実施例の構成を採用し。
気密室５内を大気圧から大気圧よりわずかに高い圧力状
態まで任意の状態に正確に保っておくことが可能である
０本実施例の構成を採用し。
気密室５内の圧力を大気圧＋３ ａｘ＋Ｈ２Ｏ／ｌｘ”
に保った結果、圧力変動は±９．５ ａｓ Ｈ＠ ０以
下であシ。
に保った結果、圧力変動は±９．５ ａｓ Ｈ＠ ０以
下であシ。
気密室５内の酸素磯度も従来よシ大幅に減少した。
また、装置立上は時にヘリウムガスを急激に流し出すと
、衝撃的な圧力が気密室５内に加わり。
、衝撃的な圧力が気密室５内に加わり。
薄膜のｇ４が破壊する恐れがあるが、本発明では流量を
梢密に制御できるマスフローコントローラ６をヘリウム
ガスｆｌｌｌｌ Ｋ設けているため、ヘリウムガスを徐
々に流し比すことかできる。したがって。
梢密に制御できるマスフローコントローラ６をヘリウム
ガスｆｌｌｌｌ Ｋ設けているため、ヘリウムガスを徐
々に流し比すことかできる。したがって。
ヘリウムガス導入による急激な圧力変動を防げ。
薄膜の窓４が破壊することはない。
本笑施例では、ポリイミド製の薄膜の窓４を通して軟Ｘ
線ｌを大気中に取り出し、マスクを大気中に置いて蕗光
することを想定しているか、ポリイｉＦ′製の薄膜の窓
４００代シマスフ気密室５に装着してもよい。
線ｌを大気中に取り出し、マスクを大気中に置いて蕗光
することを想定しているか、ポリイｉＦ′製の薄膜の窓
４００代シマスフ気密室５に装着してもよい。
本発明のＸ刷絡元装置用ヘリウムナヤンバは。
柔軟な薄膜の変形によｐ′Ａ智室と大気との圧力差の発
生を防ぐ代りに、気密室と大気とのＴｈＥＥを圧力伝送
器で検出し気密室内の圧力をム］変流童バルブで制御す
ることによシ、棺密に気ｆ＃ｉ呈内の圧力を大気圧より
わずかに高い圧力に保つことができるので、短時間で大
気からヘリウムガスへの＊ｍができ２気密室のヘリウム
壊変を鍋くすることができるという効果がめる。
生を防ぐ代りに、気密室と大気とのＴｈＥＥを圧力伝送
器で検出し気密室内の圧力をム］変流童バルブで制御す
ることによシ、棺密に気ｆ＃ｉ呈内の圧力を大気圧より
わずかに高い圧力に保つことができるので、短時間で大
気からヘリウムガスへの＊ｍができ２気密室のヘリウム
壊変を鍋くすることができるという効果がめる。
また、ヘリウム導入側に流量制御器を設けているため、
ヘリウムガスを徐々に流し出すことができ、ヘリウムガ
ス導入時の急激な圧力変動によって薄膜の窓が破壊する
のを防市で断るという効果がある。
ヘリウムガスを徐々に流し出すことができ、ヘリウムガ
ス導入時の急激な圧力変動によって薄膜の窓が破壊する
のを防市で断るという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２脂は従来
の一例の示す断面図である。 ｌ・・・・・・軟Ｘ線。２．１１・・・・・・ベリリウ
ム製の窓。 ３．１２・・・・・・Ｘ線発生装置、４・・・・・・薄
膜の窓、５゜１７・・・・・・気ｇ室、６・・・・・・
マス７０−コントローラ。 ７・・・・・・可変流量バルブ、訃・・・・・圧力伝送
器、９・・・・・・圧力側４１６．１０−−−−−−排
気０．１３・・・・・・ベローズ、１４・・・・・・マ
スクステージ、１５・・・・・・マ２り。 １６・・・・・・柔軟部材の窓、１８・・・・・・ウェ
ハ、１９・・・・・・ウェハステージ。 代理人 弁理士 内 原 晋 箔１回 ｔ−７１７０−３；Ｉ−ｒＪ−７７°−可ｔ 浦ヨＬ）
＜’）１ｉグ８−；り壬カイス１ざヒｆｉ、 第２画
の一例の示す断面図である。 ｌ・・・・・・軟Ｘ線。２．１１・・・・・・ベリリウ
ム製の窓。 ３．１２・・・・・・Ｘ線発生装置、４・・・・・・薄
膜の窓、５゜１７・・・・・・気ｇ室、６・・・・・・
マス７０−コントローラ。 ７・・・・・・可変流量バルブ、訃・・・・・圧力伝送
器、９・・・・・・圧力側４１６．１０−−−−−−排
気０．１３・・・・・・ベローズ、１４・・・・・・マ
スクステージ、１５・・・・・・マ２り。 １６・・・・・・柔軟部材の窓、１８・・・・・・ウェ
ハ、１９・・・・・・ウェハステージ。 代理人 弁理士 内 原 晋 箔１回 ｔ−７１７０−３；Ｉ−ｒＪ−７７°−可ｔ 浦ヨＬ）
＜’）１ｉグ８−；り壬カイス１ざヒｆｉ、 第２画
Claims (1)
- Ｘ線発生装置に気密結合されＸ線を大気中に取り出す
薄膜の窓を有する気密室と、ヘリウムガスの流量を制御
する流量制御器と、前記流量制御器を通ったヘリウムガ
スの流量を制御し前記気密室内にヘリウムガスを導入す
る可変流量バルブと、前記気密室内と大気との差圧を電
気信号に変換する圧力伝送器と、前記圧力伝送器からの
信号によって前記可変流量バルブを制御する圧力制御器
と、前記気密室内のガスを大気に開放する排気口とを含
むことを特徴とするＸ線露光装置用ヘリウムチャンバ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63005240A JPH01181521A (ja) | 1988-01-12 | 1988-01-12 | Ｘ線露光装置用ヘリウムチャンバ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63005240A JPH01181521A (ja) | 1988-01-12 | 1988-01-12 | Ｘ線露光装置用ヘリウムチャンバ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01181521A true JPH01181521A (ja) | 1989-07-19 |
Family
ID=11605674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63005240A Pending JPH01181521A (ja) | 1988-01-12 | 1988-01-12 | Ｘ線露光装置用ヘリウムチャンバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01181521A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03135010A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-10 | Canon Inc | Ｘ線露光装置 |
-
1988
- 1988-01-12 JP JP63005240A patent/JPH01181521A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03135010A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-10 | Canon Inc | Ｘ線露光装置 |
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