JPH01179715A - 水素化マグネシウムからのシランの製造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は一般的に金属水素化物と、そのハロゲン化ケイ
素との反応によるシランの生成、特に高反応性水素化マ
グネシウムからのシランの生成に関するものである。

〔従来の技術〕

マグネシウムの通常の高温−高圧水素化によって生成さ
れる水素化マグネシウムは非常に反応性がなく、一般に
水素化マグネシウムをノ＼ロゲン化ケイ素と反応させた
時に高収率のシランを生成するには不適当である。マグ
ネシウム価を循環させてこの貴重な商品を単に処分しま
たはその他の形で浪費しないようなシラン生成ルートを
提供する必要がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

シランは、その分解によってケイ素を回収する任意の手
段によって半導体グレードのケイ素を生成する際に有益
な商品である。

本発明はシランとハロゲン化マグネシウムとを共生成す
る工程に関するものである。マグネシウムの低温水素化
によって生成された高反応性水素化マグネシウムは、ハ
ロシラン（ハロゲン化ケイ素）と反応してシランの高収
率を生じる。循環工程スキームにおいて、ハロゲン化マ
グネシウム共生成物をアルカリ金属と反応させて、元素
マグネシウムを回収し、これを循環用の追加量の水素化
マグネシウムの生成に使用する。従って本発明は、共生
成されハロゲン化マグネシウムを金属マグネシウムの源
泉とし使用する事ができるのでマグネシウムを有効に利
用するものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の好ましい実施態様は、無害な液状反応媒質中に
おいて水素化ケイ素を高反応性マグネシウムと反応させ
る段階を含み、この高反応性マグネシウムは、（ｉ）遷
移金属含有触媒と（ｉｔ）多環式芳香族炭化水素および
多環式芳香族アミンから選ばれた多環式有機化合物とに
よって活性化されたマグネシウムの圧力下水素化 （ｐｒｅｓｓｕｒｅ　ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｉｎｇ）反
応によって得られるようにしたシラン生成工程である。

本発明の好ましい態様は、（ａ）水素化マグネシウムを
ハロゲン化ケイ素と反応させてハロゲン化マグネシウム
とシランとを生成し、シランをガスとして回収し、前記
反応を前記のハロゲン化マグネシウムの溶媒の存在にお
いて実施する段階と、（ｂ）前記溶媒中の前記ハロゲン
化マグネシウムをアルカリ金属と反応させて、元素状マ
グネシウムを回収し、アルカリ金属ハロゲン化物の副生
物を生成する段階と、 （ｃ）前記の元素状マグネシウムを圧力下水素化して水
素化マグネシウムを生成する段階と、（ｄ）前記（ｃ）
段階において生成された前記水素化マグネシウムを用い
て前記（ａ）段階を繰り返す段階とを含む水素化マグネ
シウムからシランを循環的に生成する方法にある。

本発明によれば、主生成物として回収されるシランを生
成するようにハロゲン化ケイ素を高反応性マグネシウム
と反応させる。本発明の方法によれば、高温−高圧条件
で生成された水素化マグネシウム、またはマグネシウム
の均質に触媒された圧力下水素化反応によって生成され
た高反応性水素化マグネシウムを使用してシランの生成
を実施する。高温−高圧条件で生成された水素化マグネ
シウムは、マグネシウムの均質に触媒された圧力下水素
化によって生成された高反応性水素化マグネシウムより
も耐火性であって、より低いシラン収率しか与えない。

高反応性水素化マグネシウム、ＭｇＨ２はマグネシウム
の均質触媒された圧力下水素化によって生成される。「
マグネシウムの均質触媒された圧力下水素化」とは、高
温−高圧での直接合成によって生成された水素化マグネ
シウムによって得られる収率よりも高いシラン収率をも
ってハロシランと反応する水素化マグネシウムにマグネ
シウムを転化するように実施される水素化反応工程であ
る。３００℃以下、通常は２００℃以下の温度での触媒
水素化によって高反応性ＭｇＨ２が生成される。この好
ましい生成法は、ボグダノピッチはかの「温和条件での
水素化マグネシウムの触媒合成法Ｊ、Ａｎｇｅｗ、Ｃｈ
ｅｍ、Ｉｎｔ、Ｅｎｇ］、　　１．９．ｐｐ、８１．８
−１９　（１９８０）に記載されている。この工程によ
れば、遷移金属含有触媒と多環式有機化合物の存在にお
いてマグネシウムを圧力下水素化する事により高反応性
水素化マグネシウムが生成される。

遷移金属含有触媒は種々の材料から選定する事かできる
。好ましい遷移金属含有触媒グループは遷移金属ハロゲ
ン化物である。これは遷移金属塩化物、遷移金属臭化物
および遷移金属ヨウ化物を含む。広い範囲の触媒量を使
用する事かできる。

適当な範囲は、Ｍｇ重量部あたり触媒０．０１〜０．１
５重量部である。

遷移金属ハロゲン化物は、クロム、チタン、鉄、バナジ
ウム、マンガン、モリブデン、ニオブ、ジルコニウム、
ルテニウム、ロジウムおよびコバルトのハロゲン化物で
ある。このハロゲン化物の好ましいグループは、ハロゲ
ン化クロム、ハロゲン化チタン、およびハロゲン化鉄か
ら成る。より好ましい遷移金属ハロゲン化物グループは
、遷移金属塩化物、特にＴｉＣｌとＣｒ　Ｃ１ｇである
。

水素化マグネシウムを生成するための多環式有機化合物
は、多環式芳香族化合物および多環式芳香族アミンを含
む種々の環式炭化水素高分子化合物のいずれとする事も
できる。このグループの化合物の例は、アントラセン、
ナフタレン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、置
換カルバゾール、およびピラジンである。水素化マグネ
シウムの生成のために特に好ましい多環式化合物はアン
トラセンである。広い範囲の多環式化合物量を使用する
事ができる。適当な範囲は、Ｍｇ重量部あたり多環式化
合物０，０１〜０．２５重量部である。

水素化マグネシウムの生成に際して、例えばテトラヒド
ロフラン（ＴＨＦ）などの無害反応媒質中においてアン
トラセンとマグネシウム粉末とを反応させる事によって
触媒が（別個にまたはその場で）生成される。これに続
いて、 例えばＣｒ　Ｃｌ　ａなどの遷移金属ハロゲン化物と反
応させる。最後に、このシステムを標準的非触媒条件の
水素化反応の場合より低い温度で水素と反応させる。こ
の均質に触媒された水素化反応に使用される温度は２０
０℃以下である。これより高い温度は生成物ＭｇＨ２を
不活性化する傾向があるからである。適当な温度範囲は
２０〜２００℃、さらに好ましくは２０〜１００℃、最
も好ましくは４０〜７０°Ｃである。この手法で生成さ
れる高反応水素化マグネシウムの収率は本質的にに定量
的である。

本発明の低温／均質触媒法によって水素化マグネシウム
を生成するために広い範囲の圧力を使用する事ができる
。適当な圧力範囲は、大気圧（１バール）から約１００
気圧（バール）、さらに好ましくは５〜８０バールであ
る。好ましい圧力は、使用される遷移金属触媒、多環式
化合物および温度によって変動する事ができる。

マグネシウムの水素化反応を活性化するため、少量の反
応開始剤を使用する事ができる。適当な開始剤は臭化エ
チルなどのアルキルハロゲン化物を含む。

高反応性水素化マグネシウムと反応させられるハロゲン
化ケイ素は、クロロシラン、ブロモシラン、ヨードシラ
ン、またはフルオロシランから選定する事ができるが、
クロロシランが好ましい。

クロロシランの内で最も好ましいものは、トリクロロシ
ランおよび四塩化ケイ素である。クロロシランか他のハ
ロシランより好ましいが、臭化シランの内ではトリブロ
モシランおよび四臭化ケイ素が好ましい。

高反応性水素化マグネシウムとノ＼ロゲン化ケイ素との
反応は、シランの生成のために無害な液状反応媒質中で
実施される。この無害な液状反応媒質は各種の炭化水素
、エーテル、アミンまたは化学合成において使用される
その他の液状媒質から選定される。無害な液状反応媒質
の好ましいグループはエーテルである。エーテルの内で
好ましいものはポリエーテルおよび環式エーテルであっ
て、ジメトキシエタンまたはジエチレン＝グリコール−
ジメチルエーテルなど各種のグリコールエーテルを含む
。より好ましい環式エーテルはテトラヒドロフラン、１
，３−ジオキソランおよび１，４−ジオキサンである。

ＭｇＣｌ２の溶媒でもある最も好ましい無害な液状反応
媒質はテトラヒドロフランである。

シラン反応は大気圧、または大気圧以上または大気圧以
下で実施する事ができる。本発明によって生成されたシ
ランはガス体として放出され、これを反応器から（例え
ばＨ２ガス流によって）掃気し、必要なら適当な吸収剤
、コールドトラップ、または蒸溜塔を通過させて精製す
る。

シラン合成反応の温度は広い範囲で変動する事ができる
。適当な範囲は、常温から大気圧における反応物の沸点
までである。閉鎖系においては、これより高い温度を使
用する事ができる。

若干の反応系においては、特にハロゲン化マグネシウム
生成物の可溶性が低い場合、高摩耗撹拌を実施する事が
好ましい。しかし、生成ハロゲン化マグネシウムと錯化
反応する溶媒を使用する事によって最良の結果が得られ
る。ＴＨＦ液状反応媒質を使用した塩化マグネシウムの
生成が最も好ましい。もちろん、使用されるハロゲン化
ケイ素に対応して化学量論的量の反応物を適正に使用す
る事ができる。

望ましくは、シランを生成するために水素化物とハロゲ
ン化物の同一当量数を使用する。ここに、ＭｇＨ２の１
当量−Ｍ　ｇ　Ｈ２の０．５モルであり、またハロゲン
化ケイ素の１当ｆｆ１＝１／Ｘモル、Ｘはハロゲン化ケ
イ素中に存在するハロゲン数である。故に、例えば１当
量の５ｉＣ１４は０．２５モルであり、１当量のトリク
ロロシランは約０．３３モルである。本発明の化学量論
的量の反応は、ハロゲン化ケイ素１当量あたり正確に１
当量の高反応性Ｍ　ｇ　Ｈ２である。本発明の好ましい
実施態様において、ＭｇＨ２の当量に対して化学量論的
量に過剰なハロゲン化ケイ素の当量を反応させる。好ま
しくは少なくとも約２５％過剰、さらに好ましくは少な
くとも約５０％過剰の当量のハロゲン化ケイ素を使用す
る。

本発明の他の実施態様においては、ハロゲン化ケイ素の
実質的に全量を確実に反応させるため、過剰量のＭ　ｇ
　Ｈ２をハロゲン化ケイ素と反応させる。その後、ハロ
ゲン化マグネシウム副生物を遠心分離、傾瀉、または濾
過法によって別個に回収し、電解プロセスなどの別個の
手段によってマグネシウム分を回収する。反応媒質中に
残存した未反応ＭｇＨ２は次の反応のために循環される
。

５１２Ｃ１６などのジシランを使用する事もできる。

本発明の主たる利点は、本発明によって生成されるハロ
ゲン化マグネシウム塩が公知のシラン合成法によって生
成された処分しなければならないアルミニウム塩と比較
して多数の用途を有する事である。

本発明によれば、水素化マグネシウムをハロゲン化ケイ
素と反応させて、ハロゲン化マグネシウムを生成し、シ
ランをガス体として回収する。この反応は、生成される
ハロゲン化マグネシウムの溶媒中において実施される事
が好ましい。本発明この実施態様によれば、任意の水素
化マグネシウムを使用する事かできるが、高反応性の水
素化マグネシウムか高い収率を与える。

本発明の前記の実施態様と異なり、前記の第１段階のハ
ロゲン化マグネシウム副生物を別個に次の化学合成段階
に使用する事ができる。

本発明のこの実施態様によれば、前記のハロゲン化ケイ
素反応物と反応条件とを使用する。選ばれる反応媒質が
第１段階において形成されるハロゲン化マグネシウムの
溶媒である限り、前記の無害の反応媒質を使用する事か
できる。本発明のこの実施態様においては、生成された
塩化マグネシウムを含有するために塩化ケイ素反応物と
環式エーテル溶媒とを使用する。

第２段階において、溶媒中のハロゲン化マグネシウム溶
液をアルカリ金属と反応させて、元素状マグネシウムと
アルカリ金属ハロゲン化物副生物とを生成する。適当な
アルカリ金属反応物はリチウム、ナトリウム、カリウム
、ルビジウムおよびセシウムを含む。特に塩化マグネシ
ウムとの反応については、ナトリウムが好ましい。

本発明のこの実施態様の第２段階は、広い温度範囲と、
大気圧、並太気圧または高圧を含めて広い圧力範囲で実
施する事ができる。使用可能の温度は非常に低い温度か
ら高温までを含む。しかし一般に反応は常温常圧で実施
される。ハロゲン化マグネシウムとの反応物としてナト
リウムが使用される場合、ハロゲン化アルカリ金属副生
物は容易に使用されまたは廃棄されるハロゲン化ナトリ
ウムである（例えばＮａＣ１）。第１段階において臭化
ケイ素が使用されるなら、臭化ナトリウムなどのアルカ
リ金属臭化物をつぎに例えば臭素の生成のために使用す
る事ができる。

本発明のこの実施態様の循環工程において、第２段階で
回収された元素状マグネシウムが再び圧力下水素化され
て、水素化マグネシウム、好ましくは高反応性水素化マ
グネシウムを生成し、前記の工程を繰り返してハロゲン
化ケイ素をもってざらにシランを生成する。そこで得ら
れたＴＨＦ溶解性Ｍ　ｇ　Ｃ１２を含有する混合物を、
金属ナトリウムの添加によるマグネシウムの再生前に濾
過して、先に生成されたＮａＣ１を除去する。

〔発明の効果〕

本発明の主要な利点は、副生物が塩化ナトリウムなどの
容易に処分可能な物質である事である。

さらに塩化ナトリウムは、可溶性ハロゲン化マグネシウ
ムを含有する溶媒から容易に除去される。

つぎにＴＨＦ中のナトリウムと塩化マグネシウムとの反
応から生じた元素状マグネシウムを再生すれば金属マグ
ネシウムが活性微粉末として得られ、ＴＨＦ溶媒を再使
用する事ができる。

以下、本発明を下記の実施例について説明する。

〔実施例〕

実施例　１ ５０ｍ１のフラスコの中に、市販の純度的８５％の０．
４７ｇ　（０，０１５モル）のＭｇＨ２の２２ｍ１乾燥
ＴＨＦ中溶液を導入した。６ｍｌの乾燥ＴＨＦ中の純度
９９％の約２．　０６ｇ（０，０１５モル）（化学量論
的量の５０％超）のトリクロロシラン溶液を前記フラス
コに接続した２５ｍ１分与漏斗中に入れた。このフラス
コは、それぞれ−７８℃と−１゜９６℃に冷却された凝
縮器とトラップから成るガス捕集系に接続されている。

反応中に生成したシランをトラップの中に掃気するため
に低流量の水素ガス流を使用した。トリクロロシランの
添加は約３２℃で開始され、ガスの発生が見られた。ト
リクロロシランを反応フラスコの中に送入した後、反応
混合物を約５０℃に加熱し、そこである程度のゲル形成
が見られた。

９０分後に、反応フラスコをトラップから分離し、捕集
されたシランガスを蒸発させ、装置の目盛り付き部分の
中に膨張させた。シランの収率は水素化マグネシウムベ
ースで１６％であった。つぎに、収率をさらに増大でき
るか否かを確認するために、反応器に対して２．０４ｇ
　（０，０１５モル）の新たに溶融された塩化亜鉛（Ｚ
　ｎ　Ｃ１，２）を添加した。混合物を５０℃でさらに
１時間撹拌１７、トラップから生成物を前記のように計
測したが、追加シランは生成されていなかった。

本発明の循環工程によれば、実施例１によって生成され
シランガスを回収し、つぎに塩化マグネシウム副生物を
好ましくは常温大気圧で例えばナトリウムと別個に反応
させ、ＴＨＦ中のスラリとしてＮａＣ１と元素状マグネ
シウムを生成させる。

つぎにマグネシウムを水素化マグネシウムの生成のため
に循環させ、シランの生成のために再使用する。

実施例　２ 触媒の生成とマグネシウムの低温低圧水素化のため、撹
拌器を備えた３０ｍ１のステンレス鋼オートクレーブを
使用した。このオートクレーブに対して、３６．　６ｇ
　（１，５０モル）のり−デマイナス１００メツシュの
マグネシウムと、１５０ｍ１の乾燥ＴＨＦとを、開始剤
としてのＯ，１，５ｍｌ臭化エチルおよび約５重量％の
マグネシウムを含有するＴＨＦ溶液として先に準備され
たアントラセン−マグネシウム錯体触媒２摘と共に、添
加した。

この混合物を約１時間撹拌した後、２．　６７ｇ（０，
０１５モル）のアントラセンを追加した。

さらに３時間撹拌した後、約１．０５ｍｌ（０，０１５
モル）のＴ　ｉＣ１４を添加した。この混合物を１晩、
約７０℃で１０００ｐｓ　ｉの水素圧のもとに撹拌しな
がら加熱し、つぎに冷却し、通気し、２５０ｍ１の遠心
分離器に転送した。反応混合物を４時間、２００　Ｏｒ
、ｐ、ｍ、で遠心分離して、分離器の約半分を満たすケ
ーキを得た。黒い上澄み液を傾瀉し、約１／３の灰色の
フィルタケーキを保留した。フィルタケーキの残部を１
００ｍ１のシクロヘキサンに添加し、撹拌し再び遠心分
離した。傾瀉の後、固体をペンタン中に懸濁させ、再び
遠心分離し、傾瀉し、真空乾燥した。分析は、この固体
が６４重皿％のマグネシウムを含有する事を示した。再
び乾燥されたＭｇＨ２は８５重１％のマグネシウムを含
有する事が発見され、約８５重量％の純度のＭｇＨ２で
ある事を示した。

この反応を繰り返し、実質的に同等の結果を得た。

実施例　３ ５０ｍ１のフラスコの中に、１２ｍ１乾燥ＴＨＦ中の０
．６６ｇ　（０，０２１モル）　Ｍ　ｇ　Ｈ２（実施例
２から得られたもの）を入れた。１．　７０ｇ（０，０
１０モル）のＳ　ｉＣ１４と３ｍｌの乾燥ＴＨＦとを収
容した滴下漏斗を前記のフラスコに接続し、このフラス
コと漏斗を、それぞれ−７８°Ｃと一］９６°Ｃに冷却
された凝縮器およびトラップから成る小型のガス捕集系
に接続した。反応中に発生したシランをトラップ中に掃
気するため、小流量の水素ガスを使用した。磁気的に撹
拌されたＭｇＣｌ２スラリに対してＳ　ＩＣｌ　４溶液
を滴下する事により反応を約２０°Ｃで開始した。

ＭｇＣｌ２の添加の終了後に、混合物を約５０°Ｃに加
熱し、そこである程度の発泡を伴ってシランガスの発生
が見られた。約２５分の後に、反応器内容物が突然にゲ
ル化したので、混合物を撹拌できる程度に流動化するに
十分な追加の１０ｍ１の乾燥ＴＨＦを添加した。９０分
後に反応が終了し、反応フラスコとトラップとの間の接
続を遮断し、捕集されたシランを加熱して、ガス捕集系
の目盛り付き部分の中に膨張させた。発生ガスの測定に
より、ＭｇＣｌ２ベースで６３％のシラン収率を得た。

−１９一 実施例　４ 実施例３の実験を繰り返したが、収率改良のために反応
器中に直径４＋ｎｍのガラスピーズを使用して摩滅撹拌
を実施した。実施例２において準備された約０．６６ｇ
　（０，０２１モル）の純度８５％ＮｇＨ２を、直径４
ｍｍガラスピーズ１２ｇと共に１８ｍ１の乾燥ＴＨＦ中
に添加した。３２℃で３ｍｌ　Ｔ　ＨＦ中の１．．７０
ｇ四塩化ケイ素溶液を、よく撹拌されたＭｇＨ２スラリ
に対して滴下する事によって、反応を開始し、つぎに温
度を５０℃にに上昇させた。この期間中にある程度の発
泡を伴ってガス発生が見られた。約２０分後に、混合物
はほとんどその撹拌を停止する程度にゲル化した。

撹拌を容易にするために、追加の６ｍｌのＴＨＦを添加
した。９０分後に、反応器を遮断し、シラン生成物をガ
ス捕集系の測定部の中に膨張させ、Ｓ　ｉ　Ｃ１４ベー
スで６１％シランの計算収率を得た。ガスの試料をガス
クロマトグラフィーと質量分光測定によって分析し、純
粋シランの存在を確認した。

−２０一 実施例　５ この反応は、２２ｍ１乾燥ＴＨＦ中の０．４７ｇ（０，
０１５モル）の実施例２のＭｇＨ２と、３ｍｌ乾燥ＴＨ
ＴＨＦ中度９９％の２．０６ｇ（０，０１５モル、化学
量論的量の５０％超）のＳ　ｉＨＣ１ａとを使用して、
実施例３と同様に実施した。約３０分で反応混合物の濃
密化が生じ、撹拌を実施するため、追加の３ｍｌのＴＨ
Ｆを添加した。シラン収率は、ＭｇＨ２ベースで９４％
であった。反応の進行から、ハロゲン化ケイ素反応物の
余剰量が収率増大をもたらした事が明らかであった。ガ
スクロマトグラフィーと質量分光測定とによる分析によ
って、痕跡量の空気を含む純粋シランの存在が確認され
た。

実施例　６ ５０ｍ１容量の３０丸底型反応フラスコに対して、１２
ｍ１乾燥ＴＨＦ中０．８５ｇ　（０，０１１３モル）の
３５％純粋ＭｇＨ２（実施例２に記載のように生成され
たもの）を入れた。小分与漏斗に、１．７０ｇ　（０，
０１０モル）のＳ　ｔ　ｅ　ｌ　４と、３ｍｌの乾燥Ｔ
ＨＦとを装入した。反応を４５分間実施し、そこで混合
物かゲル化した。シラン収率は、５ｉＣ１４ベースで３
６％、Ｍ　ｇ　Ｈ２ベースで６４％であった。

フラスコを遮断した時、フラスコと凝縮器中のガスが引
火し、これはフラスコ中に残存する反応混合物からある
程度のシラン発生が継続している事を示した。これは、
反応物質がＭｇＣｌ２の形成によってケル化したので反
応が終了していなかったからである。

出願人代理人　　佐　　藤　　−雄 手続補正書 昭和６３年８月ユ３日 ］　事件の表示 昭和６３年　特許願　第２３６５号 ２　発明の名称 水素化マグネシウムからのシランの製造３　補正をする
者 事件との関係　　特許出願人 エチル、コーポレーション ４代理人 特許請求の範囲 １、　　（ａ）水素化マグネシウムをケイ素とハロゲン
とから成るハロゲン化ケイ素と反応させてハロゲン化マ
グネシウムとシランとを生成し、シランをガスとして回
収し、前記反応を前記のハロゲン化マグネシウムに対す
る溶媒の存在において実施する段階と、 （ｂ）前記溶媒中の前記ハロゲン化マグネシウムをアル
カリ金属と反応させて、元素状マグネシウムを回収し、
アルカリ金属ハロゲン化物の副生物を生成する段階と、 （ｃ）前記の元素状マグネシウムを圧力下水素化して水
素化マグネシウムを生成する段階と、（ｄ）前記（Ｃ）
段階において生成された前記水素化マグネシウムを用い
て前記（ａ）段階を繰り返す段階とを含む水素化マグネ
シウムからシランを循環的に製造する方法。

２、　水素化（ｃ）段階は、遷移金属含有触媒と多環式
芳香族アミンの存在において実施される請求項１記載の
方法。

３、　遷移金属含有触媒はＴｌＣ１４またはＣｒ　Ｃ１
ａであり、多環式芳香族アミンはアントラセンである請
求項２記載の方法。

４、　　ハロゲン化ケイ素はクロロシランである請求項
１．２または３のいずれか記載の方法。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、（ａ）水素化マグネシウムをケイ素とハロゲンとか
   ら成るハロゲン化ケイ素と反応させてハロゲン化マグネ
   シウムとシランとを生成し、シランをガスとして回収し
   、前記反応を前記のハロゲン化マグネシウムに対する溶
   媒の存在において実施する段階と、 （ｂ）前記溶媒中の前記ハロゲン化マグネシウムをアル
   カリ金属と反応させて、元素状マグネシウムを回収し、
   アルカリ金属ハロゲン化物の副生物を生成する段階と、 （ｃ）前記の元素状マグネシウムを圧力下水素化して水
   素化マグネシウムを生成する段階と、 （ｄ）前記（ｃ）段階において生成された前記水素化マ
   グネシウムを用いて前記（ａ）段階を繰り返す段階とを
   含む水素化マグネシウムからシランを循環的に製造する
   方法。 ２、水素化（ｃ）段階は、遷移金属含有触媒と多環式芳
   香族アミンの存在において実施される請求項１記載の方
   法。 ３、遷移金属含有触媒はＴｉＣｌ＿４またはＣｒＣｌ＿
   ３であり、多環式芳香族アミンはアントラセンである請
   求項２記載の方法。 ４、ハロゲン化ケイ素はクロロシランである請求項１、
   ２または３のいずれか記載の方法。 ５、クロロシランはトリクロロシランまたは四塩化シラ
   ンである請求項４記載の方法。 ６、前記の溶媒はポリエーテルまたは環式エーテルで請
   求項１、２または３のいずれか記載の方法。 ７、前記の溶媒はテトラヒドロフランである請求項１、
   ２または３のいずれか１項記載の方法。