JPH0117874Y2 - - Google Patents
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- JPH0117874Y2 JPH0117874Y2 JP1982099680U JP9968082U JPH0117874Y2 JP H0117874 Y2 JPH0117874 Y2 JP H0117874Y2 JP 1982099680 U JP1982099680 U JP 1982099680U JP 9968082 U JP9968082 U JP 9968082U JP H0117874 Y2 JPH0117874 Y2 JP H0117874Y2
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
- H03J5/00—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner
- H03J5/24—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection
- H03J5/242—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection used exclusively for band selection
- H03J5/244—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection used exclusively for band selection using electronic means
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
- H03J3/00—Continuous tuning
- H03J3/02—Details
- H03J3/16—Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability
- H03J3/18—Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability by discharge tube or semiconductor device simulating variable reactance
- H03J3/185—Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability by discharge tube or semiconductor device simulating variable reactance with varactors, i.e. voltage variable reactive diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/44—Receiver circuitry for the reception of television signals according to analogue transmission standards
- H04N5/50—Tuning indicators; Automatic tuning control
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N7/00—Television systems
- H04N7/20—Adaptations for transmission via a GHz frequency band, e.g. via satellite
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- Astronomy & Astrophysics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Channel Selection Circuits, Automatic Tuning Circuits (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Circuits Of Receivers In General (AREA)
- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案はCATVチユーナ、特にVHFのLow
バンド、Midバンド、Tighバンド、SuperHigh
バンド及びHyperバンドの各チヤンネルを２組の
チユーナ部で構成するCATVチユーナのスイツ
チング回路に関する。
バンド、Midバンド、Tighバンド、SuperHigh
バンド及びHyperバンドの各チヤンネルを２組の
チユーナ部で構成するCATVチユーナのスイツ
チング回路に関する。
米国チヤンネル割当方式において、133chの
CATVチユーナが使用されている。このチユー
ナは一般放送用のUHF及びVHFの82チヤンネル
とCATV用の51チヤンネルを含む133chを受信帯
域とするものであり、具体的には複数個のチユー
ナ部により構成され、例えば、第１図に示すよう
にUHFチユーナ部１、Hyperチユーナ部２及び
VHFチユーナ部３に区分する３組のチユーナ部
から成る。このうち、VHFチユーナ部３は２バ
ンド構成のチユーナ回路であり、バンド切換にス
イツチングダイオードを用い同調コイルの切換を
行う電子チユーナが用いられる。第２図はこのよ
うなVHFチユーナ部３におけるバンド切換回路
の主要部を示しており、バンド切換端子４に供給
する電圧によつてチユーナ部のRF増幅段５、ミ
キサ（MIX）段６及び局部発振（OSC）段７の
同調回路のバンド切換を行なう各スイツチングダ
イオード８を導通・非導通させバンド選択を行
う。しかし、このような切換端子４への電圧レベ
ルを変えてバンド選択する、いわゆる電圧切換方
式では別個のチユーナ動作用電源端子を必要とし
特性に応じたバンド間の動作電圧制御を困難にす
る。例えば、局部発振段のバンド間の発振勢力の
均一化のため異なる動作電圧を与えて制御するこ
とが困難になり、こうしたレベルの均一化に回路
の複雑化を伴う。
CATVチユーナが使用されている。このチユー
ナは一般放送用のUHF及びVHFの82チヤンネル
とCATV用の51チヤンネルを含む133chを受信帯
域とするものであり、具体的には複数個のチユー
ナ部により構成され、例えば、第１図に示すよう
にUHFチユーナ部１、Hyperチユーナ部２及び
VHFチユーナ部３に区分する３組のチユーナ部
から成る。このうち、VHFチユーナ部３は２バ
ンド構成のチユーナ回路であり、バンド切換にス
イツチングダイオードを用い同調コイルの切換を
行う電子チユーナが用いられる。第２図はこのよ
うなVHFチユーナ部３におけるバンド切換回路
の主要部を示しており、バンド切換端子４に供給
する電圧によつてチユーナ部のRF増幅段５、ミ
キサ（MIX）段６及び局部発振（OSC）段７の
同調回路のバンド切換を行なう各スイツチングダ
イオード８を導通・非導通させバンド選択を行
う。しかし、このような切換端子４への電圧レベ
ルを変えてバンド選択する、いわゆる電圧切換方
式では別個のチユーナ動作用電源端子を必要とし
特性に応じたバンド間の動作電圧制御を困難にす
る。例えば、局部発振段のバンド間の発振勢力の
均一化のため異なる動作電圧を与えて制御するこ
とが困難になり、こうしたレベルの均一化に回路
の複雑化を伴う。
従つて、本考案は上記に鑑み提案されたもので
あり、いわゆる電圧切換または端子切換のいずれ
の方式にも適用し得る新規且つ改良された
CATVチユーナの提供を目的とするものである。
あり、いわゆる電圧切換または端子切換のいずれ
の方式にも適用し得る新規且つ改良された
CATVチユーナの提供を目的とするものである。
本考案の第１の観点において、CATVチユー
ナはそのVHFのLow、Mid、High、Supef
High及びHyperのバンドを所定の周波数範囲で
区分する二組のチユーナ部でカバーするように構
成され、その第１のチユーナ部に第１及び第２バ
ンドに割当のチヤンネルをカバーする２バンドチ
ユーナ部を、また、第２のチユーナ部に第３バン
ドのチヤンネルをカバーするシングルバンドチユ
ーナ部を用いた。ここで各バンドのチヤンネルに
は全体的に安定した特性を得るように工夫され、
各バンドのチヤンネルカバー範囲を具体的に下記
のとおり、２バンドチユーナ部が105チヤンネル
をカバーするように設定された。
ナはそのVHFのLow、Mid、High、Supef
High及びHyperのバンドを所定の周波数範囲で
区分する二組のチユーナ部でカバーするように構
成され、その第１のチユーナ部に第１及び第２バ
ンドに割当のチヤンネルをカバーする２バンドチ
ユーナ部を、また、第２のチユーナ部に第３バン
ドのチヤンネルをカバーするシングルバンドチユ
ーナ部を用いた。ここで各バンドのチヤンネルに
は全体的に安定した特性を得るように工夫され、
各バンドのチヤンネルカバー範囲を具体的に下記
のとおり、２バンドチユーナ部が105チヤンネル
をカバーするように設定された。
第１バンド…Lowバンド（２〜6ch）及びMidバ
ンドの一部（Ａ−５〜Ａ−3ch） 第２バンド…Midバンドの残部（Ａ−２，Ａ−
１，Ａ−Ich）、Tighバンド（７〜
13ch）及びSupe Highバンドの一部
（Ｊ〜Rch） 第３バンド…Super Highバンドの残部（Ｓ〜
Wch）及びHyperバンド（AA〜
WWch） このような個別チヤンネルの３バンド区分に加
えて、各バンドの選択に端子切換方式でも適用し
得る簡素化回路が提供される。すなわち、本考案
のCATVチユーナはVHFの第１乃至第３バンド
を２バンドチユーナ部とシングルバンドチユーナ
部の二組のチユーナ部でカバーすると同時に各チ
ユーナ部を駆動する動作電源回路の各電圧端子群
からの各チユーナ部への動作電圧の供給に工夫が
なされている。具体的には２バンドチユーナ部と
第１バンド選択の第１電圧端子間にダイオードが
順方向に挿入され、その順方向電圧降下がバンド
選択の電圧及び端子の両切換方式に利用される。
ンドの一部（Ａ−５〜Ａ−3ch） 第２バンド…Midバンドの残部（Ａ−２，Ａ−
１，Ａ−Ich）、Tighバンド（７〜
13ch）及びSupe Highバンドの一部
（Ｊ〜Rch） 第３バンド…Super Highバンドの残部（Ｓ〜
Wch）及びHyperバンド（AA〜
WWch） このような個別チヤンネルの３バンド区分に加
えて、各バンドの選択に端子切換方式でも適用し
得る簡素化回路が提供される。すなわち、本考案
のCATVチユーナはVHFの第１乃至第３バンド
を２バンドチユーナ部とシングルバンドチユーナ
部の二組のチユーナ部でカバーすると同時に各チ
ユーナ部を駆動する動作電源回路の各電圧端子群
からの各チユーナ部への動作電圧の供給に工夫が
なされている。具体的には２バンドチユーナ部と
第１バンド選択の第１電圧端子間にダイオードが
順方向に挿入され、その順方向電圧降下がバンド
選択の電圧及び端子の両切換方式に利用される。
本考案の第２の観点によれば、上記２バンドチ
ユーナ部の局部発振段でのバンド切換に使用する
スイツチングダイオードが直流阻止用コンデンサ
と直列接続にして発振能動素子と同調コイル間に
挿入され第１バンドの選択と同時に能動素子への
電圧供給を可能にしている。すなわち、第１電圧
端子からの電圧供給は第１バンドの発振動作を与
えるのに対し、第２バンドの選択には発振能動素
子の動作電圧供給側に直接接続して設けた第２電
圧端子から電圧が供給され端子切換を可能にし
た。尚電圧切換方式では第２電圧端子に常時動作
電圧が供給され、第１電圧端子にバンド切換電圧
が供給されることとなる。
ユーナ部の局部発振段でのバンド切換に使用する
スイツチングダイオードが直流阻止用コンデンサ
と直列接続にして発振能動素子と同調コイル間に
挿入され第１バンドの選択と同時に能動素子への
電圧供給を可能にしている。すなわち、第１電圧
端子からの電圧供給は第１バンドの発振動作を与
えるのに対し、第２バンドの選択には発振能動素
子の動作電圧供給側に直接接続して設けた第２電
圧端子から電圧が供給され端子切換を可能にし
た。尚電圧切換方式では第２電圧端子に常時動作
電圧が供給され、第１電圧端子にバンド切換電圧
が供給されることとなる。
上記回路構成によれば第１バンド選択に際し
て、同調コイルがスイツチングダイオードの影響
を受けずに直接接地されるので同調回路のＱを高
める。その結果、高Ｑの局部発振回路が形成され
広いレンジに亘つて安定した発振を確保する。こ
のような第１バンドに関しての安定した発振動作
は特に、133chCATVのような広帯域チユーナの
２バンドチユーナ部のカバー範囲が比較的広くな
るので極めて有利となる。従つて、本考案ではバ
ンド切換方式が電圧切換と端子切換のいずれの方
式にも適用できると共に第１バンド選択時の発振
の安定化が達成できる。
て、同調コイルがスイツチングダイオードの影響
を受けずに直接接地されるので同調回路のＱを高
める。その結果、高Ｑの局部発振回路が形成され
広いレンジに亘つて安定した発振を確保する。こ
のような第１バンドに関しての安定した発振動作
は特に、133chCATVのような広帯域チユーナの
２バンドチユーナ部のカバー範囲が比較的広くな
るので極めて有利となる。従つて、本考案ではバ
ンド切換方式が電圧切換と端子切換のいずれの方
式にも適用できると共に第１バンド選択時の発振
の安定化が達成できる。
本考案の第３の観点によれば、上記２バンドチ
ユーナ部のRF増幅段用動作電圧が端子切換方式
の下でバンド選択に用いるスイツチングダイオー
ドが有効に利用される。すなわち、AGC動作に
伴なう増幅素子の出力変化にかかわらずスイツチ
ングダイオードの導通電流を一定に保つ動作電圧
供給方式が開示される。具体的にはAGC付RF増
幅素子のFETとそのバイアス回路をこのスイツ
チングダイオードと直列に接続して構成され、第
２バンドの選択時に第２電圧端子からの電圧を順
方向のスイツチングダイオードを介して増幅素子
及びバイアス回路の動作電圧として供給する。一
方、第１バンドの選択時には、第１電圧端子から
の電圧がスイツチングダイオードに対しては逆方
向の接続点に印加し、FET増幅素子のドレイン
電流とバイアス電流とを供給することとなる。す
なわち、スイツチングダイオードに関して第１電
圧端子が逆方向バイアスで、また第２電圧端子が
順方向バイアスで結線されそれぞれRF増幅段の
動作電流が供給される。ここで第２バンドの選択
時におけるFET増幅素子のAGC動作に伴なう出
力ドレイン電流の変化に依存するスイツチングダ
イオードの変化分は、ソースバイアス電流の逆方
向の変化として相殺され、結果的に略一定の電流
値を維持する。従つて、電流値に依存して生ずる
スイツチングダイオードのリアクタンス変化も生
ぜずに略一定になり、リアクタンス変化に伴なう
チユーナ特性のレスポンス変化が減少できる。換
言すれば、本考案の回路構成によりバンド切換に
使用するスイツチングダイオードの導通電流を安
定化してチユーナ特性を安定に維持する。
ユーナ部のRF増幅段用動作電圧が端子切換方式
の下でバンド選択に用いるスイツチングダイオー
ドが有効に利用される。すなわち、AGC動作に
伴なう増幅素子の出力変化にかかわらずスイツチ
ングダイオードの導通電流を一定に保つ動作電圧
供給方式が開示される。具体的にはAGC付RF増
幅素子のFETとそのバイアス回路をこのスイツ
チングダイオードと直列に接続して構成され、第
２バンドの選択時に第２電圧端子からの電圧を順
方向のスイツチングダイオードを介して増幅素子
及びバイアス回路の動作電圧として供給する。一
方、第１バンドの選択時には、第１電圧端子から
の電圧がスイツチングダイオードに対しては逆方
向の接続点に印加し、FET増幅素子のドレイン
電流とバイアス電流とを供給することとなる。す
なわち、スイツチングダイオードに関して第１電
圧端子が逆方向バイアスで、また第２電圧端子が
順方向バイアスで結線されそれぞれRF増幅段の
動作電流が供給される。ここで第２バンドの選択
時におけるFET増幅素子のAGC動作に伴なう出
力ドレイン電流の変化に依存するスイツチングダ
イオードの変化分は、ソースバイアス電流の逆方
向の変化として相殺され、結果的に略一定の電流
値を維持する。従つて、電流値に依存して生ずる
スイツチングダイオードのリアクタンス変化も生
ぜずに略一定になり、リアクタンス変化に伴なう
チユーナ特性のレスポンス変化が減少できる。換
言すれば、本考案の回路構成によりバンド切換に
使用するスイツチングダイオードの導通電流を安
定化してチユーナ特性を安定に維持する。
以下本考案に係る実施例について図面を参照し
つつ詳述する。第３図は本考案に係るCATVチ
ユーナのブロツク図であり、UHFチユーナ部１
１、シングルバンドチユーナ部１２及び２バンド
チユーナ部１３が動作電源回路１４からの動作電
圧の供給を受けて駆動される。ここで、VHFの
２組のチユーナ部に対し各電圧端子２１〜２３か
ら動作電圧が供給されるが第１電圧端子２１と２
バンドチユーナ部１３間には本考案の特徴とする
ダイオード２０が挿入される。入力信号はＵ・
IN又はＶ・INの各帯域の入力端子から入力され
るが、VHFの入力端子Ｖ・IN側には信号選択器
１６が設けられそれぞれのバンド選択に応じてチ
ユーナ部１２，１３に伝達される。各チユーナ部
はそれぞれ高周波増幅段（RF）、ミキサ段
〔MIX〕及び局部発振段（OSC）を具備してお
り、通常のUHF−VHF電子チユーナ構成と同様
に構成される。すなわち、UHFチユーナ部１１
とシングルバンドチユーナ部１２の各IF出力は
２バンドチユーナ部１３のミキサ段で増幅され導
出される。
つつ詳述する。第３図は本考案に係るCATVチ
ユーナのブロツク図であり、UHFチユーナ部１
１、シングルバンドチユーナ部１２及び２バンド
チユーナ部１３が動作電源回路１４からの動作電
圧の供給を受けて駆動される。ここで、VHFの
２組のチユーナ部に対し各電圧端子２１〜２３か
ら動作電圧が供給されるが第１電圧端子２１と２
バンドチユーナ部１３間には本考案の特徴とする
ダイオード２０が挿入される。入力信号はＵ・
IN又はＶ・INの各帯域の入力端子から入力され
るが、VHFの入力端子Ｖ・IN側には信号選択器
１６が設けられそれぞれのバンド選択に応じてチ
ユーナ部１２，１３に伝達される。各チユーナ部
はそれぞれ高周波増幅段（RF）、ミキサ段
〔MIX〕及び局部発振段（OSC）を具備してお
り、通常のUHF−VHF電子チユーナ構成と同様
に構成される。すなわち、UHFチユーナ部１１
とシングルバンドチユーナ部１２の各IF出力は
２バンドチユーナ部１３のミキサ段で増幅され導
出される。
第４図は、第３図のVHFの一部を具体的に示
す回路図であり、電源回路１４の一部端子群と信
号選択器１６及び２バンドチユーナ部１３を詳述
している。電源回路１４はVHFの２組のチユー
ナ部用電圧端子である各バンドに対応する第１乃
至第３電圧端子２１〜２３を含み、具体的には２
バンドチユーナ部１３への第１端子２１と第２端
子２２はそれぞれ第１バンド（Lowバンドの第
２乃至第６チヤンネルとMidバンドのＡ−５乃至
Ａ−３チヤンネルの８チヤンネル分）と第２バン
ドMidバンドのＡ−２，Ａ−１，Ａ乃至Ｉチヤン
ネル、Highバンドの第７乃至第13チヤンネル、
及びSuper HighバンドのＪ〜Ｒチヤンネルの27
チヤンネル分）の選局動作を可能にするように動
作電圧を供給し、バンド選択の端子切換方式を構
成する。なお、電圧切換方式で使用するときは第
１電圧端子２１に動作電圧を供給し第２電圧端子
２２にバンド切換用スイツチング電圧を印加すれ
ばよい。一方、第３電圧端子２３からはシングル
バンドチユーナ部１２の動作電圧が供給され、第
３バンド（Super Highバンド）のＳ乃至Ｗチヤ
ンネルとHyperバンドのAA乃至WWチヤンネル
の26チヤンネル分）の選局を行なう。これに加え
て図示しないがUHFチユーナ部の70チヤンネル
分が加わり133チヤンネルCATVチユーナを構成
する。また、この電源回路１４には図示しないが
チユーニング電圧端子のほかAGCやAFT用信号
端子が設けられており、チユーナを各種制御のも
とで動作させる。
す回路図であり、電源回路１４の一部端子群と信
号選択器１６及び２バンドチユーナ部１３を詳述
している。電源回路１４はVHFの２組のチユー
ナ部用電圧端子である各バンドに対応する第１乃
至第３電圧端子２１〜２３を含み、具体的には２
バンドチユーナ部１３への第１端子２１と第２端
子２２はそれぞれ第１バンド（Lowバンドの第
２乃至第６チヤンネルとMidバンドのＡ−５乃至
Ａ−３チヤンネルの８チヤンネル分）と第２バン
ドMidバンドのＡ−２，Ａ−１，Ａ乃至Ｉチヤン
ネル、Highバンドの第７乃至第13チヤンネル、
及びSuper HighバンドのＪ〜Ｒチヤンネルの27
チヤンネル分）の選局動作を可能にするように動
作電圧を供給し、バンド選択の端子切換方式を構
成する。なお、電圧切換方式で使用するときは第
１電圧端子２１に動作電圧を供給し第２電圧端子
２２にバンド切換用スイツチング電圧を印加すれ
ばよい。一方、第３電圧端子２３からはシングル
バンドチユーナ部１２の動作電圧が供給され、第
３バンド（Super Highバンド）のＳ乃至Ｗチヤ
ンネルとHyperバンドのAA乃至WWチヤンネル
の26チヤンネル分）の選局を行なう。これに加え
て図示しないがUHFチユーナ部の70チヤンネル
分が加わり133チヤンネルCATVチユーナを構成
する。また、この電源回路１４には図示しないが
チユーニング電圧端子のほかAGCやAFT用信号
端子が設けられており、チユーナを各種制御のも
とで動作させる。
信号選択器１６はVHF入力端子からのRF入力
信号をシングルバンドチユーナ部１２または２バ
ンドチユーナ部１３のいずれかに供給するため各
電源端子に接続される信号分離用スイツチングダ
イオード２４または２５が用いられる。特に、２
バンドチユーナ部１３を選択するに際して、第１
または第２バンドの選択のために第１電圧端子２
１側に逆流防止用ダイオード２６が、また第２電
圧端子２２側にバンド切換用スイツチングダイオ
ード２７が挿入されそれぞれの選択するバンドの
入力信号をチユーナ部のRF増幅段へ伝送する。
一方、本考案の特徴とするダイオード２０は第１
電圧端子２１と２バンドチユーナ部１３との間に
介挿され、第１電圧端子２１からの圧電供給時に
このダイオード２０の電圧降下分が利用される。
すなわち、このダイオードの挿入が第１及び第２
電源端子２１，２２への電圧供給を電圧端子切換
方式によるバンド選択を可能とするものであり、
結果的にバンド選択に関して端子切換と電圧切換
の両方式が併用できる新規なチユーナを提供する
こととなる。
信号をシングルバンドチユーナ部１２または２バ
ンドチユーナ部１３のいずれかに供給するため各
電源端子に接続される信号分離用スイツチングダ
イオード２４または２５が用いられる。特に、２
バンドチユーナ部１３を選択するに際して、第１
または第２バンドの選択のために第１電圧端子２
１側に逆流防止用ダイオード２６が、また第２電
圧端子２２側にバンド切換用スイツチングダイオ
ード２７が挿入されそれぞれの選択するバンドの
入力信号をチユーナ部のRF増幅段へ伝送する。
一方、本考案の特徴とするダイオード２０は第１
電圧端子２１と２バンドチユーナ部１３との間に
介挿され、第１電圧端子２１からの圧電供給時に
このダイオード２０の電圧降下分が利用される。
すなわち、このダイオードの挿入が第１及び第２
電源端子２１，２２への電圧供給を電圧端子切換
方式によるバンド選択を可能とするものであり、
結果的にバンド選択に関して端子切換と電圧切換
の両方式が併用できる新規なチユーナを提供する
こととなる。
２バンドチユーナ部１３は電源回路１４からの
動作電圧の供給と信号選択器１６からの選択分離
されたVHF入力信号の供給を受けて所定のIF出
力信号を生成するものであり、局部発振段３０、
RF増幅段４０及びミキサ段６０により構成され
る。RF増幅段４０とミキサ段６０とは段間複同
調回路５０により結合される。この同調回路５０
にはハイチヤンネルコイル５１とローチヤンネル
コイル５２の同調コイルとスイツチングダイオー
ド５３を含んで構成されている。
動作電圧の供給と信号選択器１６からの選択分離
されたVHF入力信号の供給を受けて所定のIF出
力信号を生成するものであり、局部発振段３０、
RF増幅段４０及びミキサ段６０により構成され
る。RF増幅段４０とミキサ段６０とは段間複同
調回路５０により結合される。この同調回路５０
にはハイチヤンネルコイル５１とローチヤンネル
コイル５２の同調コイルとスイツチングダイオー
ド５３を含んで構成されている。
本考案の一つの特徴である局部発振回路３０
は、前述するバンド切換の両方式の採用を可能に
すると同時に第１及び第２バンド（以下ロー及び
ハイバンドと呼ぶ）の選択に対して均一な特性を
得るように工夫されている。すなわち、従来回路
ではローバンド受信時に同調コイルと並列にスイ
ツチングダイオードが挿入される結果回路のＱを
低下させていたが、本考案の回路はこれを排除し
て広帯域に亘つて発振動作の安定化を図り、
CATVチユーナに好適の回路を提供する。具体
的には第５図の発振回路であり、発振能動素子の
トランジスタ３１、電圧同調用可変容量ダイオー
ド３２，３３、ハイ及びローチヤンネルコイル３
４，３５、及び本考案の特徴であるコンデンサ３
６とスイツチングダイオード３７の直列回路を含
み、この直列回路がハイ及びローチヤンネル用の
両コイル３４，３５の接続点ａとトランジスタ３
１の動作電圧供給側コレクタ電極ｂ間に介挿され
る。同時にコンデンサ３６とスイツチングダイオ
ード３７の接続点ｃにはチヨークコイル３８を介
して第２電源端子２２からの電圧が供給され、さ
らに、トランジスタ３１の電極ｂとアース間には
直流阻止コンデンサ３９が挿入され、第２電源端
子２２とスイツチングダイオード３７または第１
電源端子２１と逆流防止用ダイオード２８を経て
動作電圧がトランジスタ３１に印加される。ま
た、可変容量ダイオード３２，３３にはチユーニ
ング端子（図示せず）からの同調電圧が印加され
各バンドのチヤンネル選択に利用される。上述の
ようにバンド選択は端子電圧切換のほかに各端子
に動作電圧とスイツチング電圧を供給すれば電圧
切換方式によるバンド選択も可能となる。
は、前述するバンド切換の両方式の採用を可能に
すると同時に第１及び第２バンド（以下ロー及び
ハイバンドと呼ぶ）の選択に対して均一な特性を
得るように工夫されている。すなわち、従来回路
ではローバンド受信時に同調コイルと並列にスイ
ツチングダイオードが挿入される結果回路のＱを
低下させていたが、本考案の回路はこれを排除し
て広帯域に亘つて発振動作の安定化を図り、
CATVチユーナに好適の回路を提供する。具体
的には第５図の発振回路であり、発振能動素子の
トランジスタ３１、電圧同調用可変容量ダイオー
ド３２，３３、ハイ及びローチヤンネルコイル３
４，３５、及び本考案の特徴であるコンデンサ３
６とスイツチングダイオード３７の直列回路を含
み、この直列回路がハイ及びローチヤンネル用の
両コイル３４，３５の接続点ａとトランジスタ３
１の動作電圧供給側コレクタ電極ｂ間に介挿され
る。同時にコンデンサ３６とスイツチングダイオ
ード３７の接続点ｃにはチヨークコイル３８を介
して第２電源端子２２からの電圧が供給され、さ
らに、トランジスタ３１の電極ｂとアース間には
直流阻止コンデンサ３９が挿入され、第２電源端
子２２とスイツチングダイオード３７または第１
電源端子２１と逆流防止用ダイオード２８を経て
動作電圧がトランジスタ３１に印加される。ま
た、可変容量ダイオード３２，３３にはチユーニ
ング端子（図示せず）からの同調電圧が印加され
各バンドのチヤンネル選択に利用される。上述の
ようにバンド選択は端子電圧切換のほかに各端子
に動作電圧とスイツチング電圧を供給すれば電圧
切換方式によるバンド選択も可能となる。
上記構成によれば、第１及び第２バンド（ロー
及びハイバンド）の選択は単一のスイツチングダ
イオード３７で行なわれると共にトランジスタ３
１への電圧供給機能を果す。そして第１バンド選
択時の高Ｑ化によりその広帯域発振を可能にして
発振動作の安定化を図る。加えて、バンド間での
動作電圧調整を可能にするのでバンド間の均一化
にも有利な回路となる。
及びハイバンド）の選択は単一のスイツチングダ
イオード３７で行なわれると共にトランジスタ３
１への電圧供給機能を果す。そして第１バンド選
択時の高Ｑ化によりその広帯域発振を可能にして
発振動作の安定化を図る。加えて、バンド間での
動作電圧調整を可能にするのでバンド間の均一化
にも有利な回路となる。
第６図は本考案に係る他の特徴であるAGC付
RF増幅段４０の要部回路図であり、RF増幅素子
のFET４１とそのバイアス回路４２を示してい
る。FET４１にはそのゲート回路にRF入力信号
とAGC制御信号が供給され、FETの出力側は複
同調回路５０を介してミキサ段６０のミキサ素子
FET６１に結合されている。ここでバイアス回
路４２は第１電源端子２１に２個直列の逆流防止
用ダイオード２９と電圧降下用ダイオード２０を
介して接続されると共にバンド切換用スイツチン
グダイオード５３を介して第２電源端子２２にも
接続され、いずれか一方の端子からの電圧供給を
受けてAGC制御のもとでFET４１が駆動される。
具体的なバイアス回路４２は第２ゲート用ブリー
ダ抵抗４５，４６とソース用ブリーダ抵抗４６，
４７を含み、これらブリーダ抵抗に接続点４３を
経て第１又は第２電源端子２１又は２２から動作
電圧が供給される。同時にFET４１の駆動用電
圧もドレイン電圧として接続点４３からチヨーク
コイル４８を経て印加され、AGC制御による増
幅動作が得られる。ここでAGC動作はドレイン
電流を変化させるが、第２バンド選択時にスイツ
チングダイオード５３を流れる電流にはバイアス
回路４２への電流も含まれ、これが相殺効果とな
つて現われダイオード電流を一定に保ち安定な増
幅特性を発揮する。すなわち、AGC効果にかか
わらずバンド切換用スイツチングダイオードのリ
アクタンスは動作電流の一定化により略一定に維
持され安定なチユーナ特性を発揮する。これは
AGC動作に伴なうドレイン電流の減少がソース
バイアスのブリーダ抵抗４６，４７に流れる電流
を増大させるからであり、FET４１の動作電流
と共にそのバイアス回路４２の動作電流をスイツ
チングダイオード５３を経て供給することでダイ
オード電流の均一化が得られる。従つて、段間複
同調回路５０のスイツチングダイオード５３での
リアクタンス分の変動抑制がチユーナレスポンス
の安定化に寄与する。
RF増幅段４０の要部回路図であり、RF増幅素子
のFET４１とそのバイアス回路４２を示してい
る。FET４１にはそのゲート回路にRF入力信号
とAGC制御信号が供給され、FETの出力側は複
同調回路５０を介してミキサ段６０のミキサ素子
FET６１に結合されている。ここでバイアス回
路４２は第１電源端子２１に２個直列の逆流防止
用ダイオード２９と電圧降下用ダイオード２０を
介して接続されると共にバンド切換用スイツチン
グダイオード５３を介して第２電源端子２２にも
接続され、いずれか一方の端子からの電圧供給を
受けてAGC制御のもとでFET４１が駆動される。
具体的なバイアス回路４２は第２ゲート用ブリー
ダ抵抗４５，４６とソース用ブリーダ抵抗４６，
４７を含み、これらブリーダ抵抗に接続点４３を
経て第１又は第２電源端子２１又は２２から動作
電圧が供給される。同時にFET４１の駆動用電
圧もドレイン電圧として接続点４３からチヨーク
コイル４８を経て印加され、AGC制御による増
幅動作が得られる。ここでAGC動作はドレイン
電流を変化させるが、第２バンド選択時にスイツ
チングダイオード５３を流れる電流にはバイアス
回路４２への電流も含まれ、これが相殺効果とな
つて現われダイオード電流を一定に保ち安定な増
幅特性を発揮する。すなわち、AGC効果にかか
わらずバンド切換用スイツチングダイオードのリ
アクタンスは動作電流の一定化により略一定に維
持され安定なチユーナ特性を発揮する。これは
AGC動作に伴なうドレイン電流の減少がソース
バイアスのブリーダ抵抗４６，４７に流れる電流
を増大させるからであり、FET４１の動作電流
と共にそのバイアス回路４２の動作電流をスイツ
チングダイオード５３を経て供給することでダイ
オード電流の均一化が得られる。従つて、段間複
同調回路５０のスイツチングダイオード５３での
リアクタンス分の変動抑制がチユーナレスポンス
の安定化に寄与する。
第１図及び第２図は従来のチユーナ回路を示す
ブロツク概略図、第３図は本考案のチユーナのブ
ロツク図、第４図は第３図の要部回路図、第５図
は第４図の局部発振段の要部回路図、及び第６図
は第４図のRF増幅段の要部回路図である。 １２……シングルバンドチユーナ部、１３……
２バンドチユーナ部、１４……信号選択器、１６
……電源回路、２０……ダイオード、２１……第
１電源端子、２２……第２電源端子、２３……第
３電源端子、２４，２５，２７，３７，５３……
スイツチングダイオード、２６，２８，２９……
逆流防止用ダイオード、３０……局部発振段、３
１……発振用能動素子（トランジスタ）、４０…
…RF増幅段、４１……増幅素子（FET）、４２
……バイアス回路。
ブロツク概略図、第３図は本考案のチユーナのブ
ロツク図、第４図は第３図の要部回路図、第５図
は第４図の局部発振段の要部回路図、及び第６図
は第４図のRF増幅段の要部回路図である。 １２……シングルバンドチユーナ部、１３……
２バンドチユーナ部、１４……信号選択器、１６
……電源回路、２０……ダイオード、２１……第
１電源端子、２２……第２電源端子、２３……第
３電源端子、２４，２５，２７，３７，５３……
スイツチングダイオード、２６，２８，２９……
逆流防止用ダイオード、３０……局部発振段、３
１……発振用能動素子（トランジスタ）、４０…
…RF増幅段、４１……増幅素子（FET）、４２
……バイアス回路。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ VHF入力端子からの入力信号を第１及び第
２バンドと第３バンドに分離する信号選択器、
分離された第１及び第２バンドから所望するチ
ヤンネルを選局する２バンドチユーナ部、分離
された第３バンドから所望するチヤンネルを選
局するシングルバンドチユーナ部、各バンドに
対応して設けた第１乃至第３電圧端子を含む動
作電源回路、及び前記２バンドチユーナ部と前
記第１電圧端子間に介挿されたダイオードを具
備し、前記各電圧端子からの電圧供給により所
定のバンドを電力切換あるいは端子切換方式で
選択可能にしたことを特徴とするCATVチユ
ーナ。 ２ 前記２バンドチユーナ部がハイチヤンネル及
びローチヤンネル用の同調コイル、この同調コ
イルの接続点に直流阻止用コンデンサを介して
結合したスイツチングダイオード、及びこのス
イツチングダイオードに動作電圧供給側電極が
接続された発振用能動素子を含む局部発振段を
具備し、前記コンデンサとスイツチングダイオ
ードの接続点に前記第１電圧端子からの動作電
圧を供給するようにした実用新案登録請求の範
囲第１項に記載のCATVチユーナ。 ３ 前記第２バンドチユーナ部がAGG制御付増
幅素子、このバイアス回路、及びスイツチング
ダイオードを含む出力側複同調回路を具備し、
前記スイツチングダイオードの動作電圧を前記
第１電圧端子から逆方向バイアス、また、前記
第２電圧端子から順方向バイアスで供給すると
共に前記増幅素子及び前記バイアス回路の動作
電圧をいずれか一方の電圧端子から供給し、第
２バンドの選択時に導通状態にして前記スイツ
チングダイオードの電流を安定化した実用新案
登録請求の範囲第１項に記載のCATVチユー
ナ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1982099680U JPS596331U (ja) | 1982-07-01 | 1982-07-01 | Ｃａｔｖチユ−ナ |
| KR2019830007288U KR900011294Y1 (ko) | 1982-07-01 | 1983-08-19 | Catv용 튜우너 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1982099680U JPS596331U (ja) | 1982-07-01 | 1982-07-01 | Ｃａｔｖチユ−ナ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS596331U JPS596331U (ja) | 1984-01-17 |
| JPH0117874Y2 true JPH0117874Y2 (ja) | 1989-05-24 |
Family
ID=30236127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1982099680U Granted JPS596331U (ja) | 1982-07-01 | 1982-07-01 | Ｃａｔｖチユ−ナ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS596331U (ja) |
| KR (1) | KR900011294Y1 (ja) |
-
1982
- 1982-07-01 JP JP1982099680U patent/JPS596331U/ja active Granted
-
1983
- 1983-08-19 KR KR2019830007288U patent/KR900011294Y1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS596331U (ja) | 1984-01-17 |
| KR850002225U (ko) | 1985-04-22 |
| KR900011294Y1 (ko) | 1990-12-22 |
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