JPH0117864B2 - - Google Patents
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- JPH0117864B2 JPH0117864B2 JP55140210A JP14021080A JPH0117864B2 JP H0117864 B2 JPH0117864 B2 JP H0117864B2 JP 55140210 A JP55140210 A JP 55140210A JP 14021080 A JP14021080 A JP 14021080A JP H0117864 B2 JPH0117864 B2 JP H0117864B2
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- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は静的にインク粒子を形成して記録紙に
衝突もしくは付着させるインクジエツト記録装置
に関する。
衝突もしくは付着させるインクジエツト記録装置
に関する。
〔従来の技術〕
この種のインクジエツト記録装置には、記録紙
背面に吸引電極を配置して画信号に応じて吸引電
極とインク噴射口のインクの間に高電圧パルスを
印加して電界吸引でインク噴射口よりインク滴を
噴射する電界吸引タイプのものと、インク噴射口
のインクに、インク滴噴射には不十分な静圧力を
加えておき、インク噴射口の内部のインクに熱を
加えてインクの膨張および粘性低下を利用してイ
ンク滴を噴射させるものがある。
背面に吸引電極を配置して画信号に応じて吸引電
極とインク噴射口のインクの間に高電圧パルスを
印加して電界吸引でインク噴射口よりインク滴を
噴射する電界吸引タイプのものと、インク噴射口
のインクに、インク滴噴射には不十分な静圧力を
加えておき、インク噴射口の内部のインクに熱を
加えてインクの膨張および粘性低下を利用してイ
ンク滴を噴射させるものがある。
しかしながら前者においては、インク滴化吸引
電圧が高く、高圧スイツチング回路が高耐圧でな
ければならず、また、インク噴射口を多数並べる
マルチノズル記録では、吸引電極をセグメント化
しなければならないが、付勢セグメントに対向す
るノズルのみならずその近傍のノズルよりインク
滴が噴射されるので、マルチノズル記録が不可能
である。後者では、インク滴噴射を熱エネルギの
オン／オフのみで制御するため、消費エネルギが
大となると共に、加熱−冷却サイクルを大とせざ
るを得ず、記録速度が低い。
電圧が高く、高圧スイツチング回路が高耐圧でな
ければならず、また、インク噴射口を多数並べる
マルチノズル記録では、吸引電極をセグメント化
しなければならないが、付勢セグメントに対向す
るノズルのみならずその近傍のノズルよりインク
滴が噴射されるので、マルチノズル記録が不可能
である。後者では、インク滴噴射を熱エネルギの
オン／オフのみで制御するため、消費エネルギが
大となると共に、加熱−冷却サイクルを大とせざ
るを得ず、記録速度が低い。
本発明は、吸引電圧を低く設定しえて、しかも
そのスイツチングが不要な、しかもマルチノズル
記録をし得る電界吸引タイプのインクジエツト記
録装置を提供することを目的とする。
そのスイツチングが不要な、しかもマルチノズル
記録をし得る電界吸引タイプのインクジエツト記
録装置を提供することを目的とする。
本発明のインクジエツト記録装置は、インク液
収納空間と連通するインク噴射口；インク噴射口
近傍のインクを加熱する加熱手段；インク噴射口
に対向する電界吸引電極；インク液収納空間のイ
ンク液と電界吸引電極の間に、インク噴射口より
のインク液の分離には不十分な比較的に高い吸引
電圧を印加する電圧源装置；および、記録付勢信
号に応じて間欠的に前記加熱手段に、前記吸引電
圧印加状態においてインク噴射口のインクの粘度
をインク噴射口よりインクが分離するに十分低下
させるための発熱を励起するレベルおよび時間幅
のエネルギを印加する発熱付勢装置；を備える。
収納空間と連通するインク噴射口；インク噴射口
近傍のインクを加熱する加熱手段；インク噴射口
に対向する電界吸引電極；インク液収納空間のイ
ンク液と電界吸引電極の間に、インク噴射口より
のインク液の分離には不十分な比較的に高い吸引
電圧を印加する電圧源装置；および、記録付勢信
号に応じて間欠的に前記加熱手段に、前記吸引電
圧印加状態においてインク噴射口のインクの粘度
をインク噴射口よりインクが分離するに十分低下
させるための発熱を励起するレベルおよび時間幅
のエネルギを印加する発熱付勢装置；を備える。
インク噴射口に電界吸引電極が対向し、インク
液収納空間のインク液と電界吸引電極の間に、電
圧源装置が吸引電圧を印加するので、インク噴射
口のインクには、電界吸引電極に向かう吸引力が
作用するが、吸引電圧がインク液の分離には不十
分な電圧であるので、インク噴射は起らない。し
かして、インク噴射口近傍のインクを加熱する加
熱手段があり、発熱付勢装置が、記録付勢信号に
応じて間欠的に該加熱手段に、前記吸引電圧印加
状態においてインク噴射口のインクの粘度をイン
ク噴射口よりインクが分離するに十分低下させる
ための発熱を励起するレベルおよび時間幅のエネ
ルギを印加するので、記録付勢信号が記録を示す
ものであるときには、該加熱手段がインクをパル
ス状に加熱し、インク噴射口のインクの粘度が低
下して、インク噴射口よりインクが電界吸引電極
に引かれて該電界吸引電極に向けて移動する。こ
の移動によりインク噴射口部には新たな、温度
（粘度）が低いインクが移動し、かつ加熱手段の
１パルス加熱が止まるので、ある量のみのインク
がインク噴射口から出て電界吸引電極に向かう。
すなわち１パルス加熱につき１滴のインク噴射が
実現する。
液収納空間のインク液と電界吸引電極の間に、電
圧源装置が吸引電圧を印加するので、インク噴射
口のインクには、電界吸引電極に向かう吸引力が
作用するが、吸引電圧がインク液の分離には不十
分な電圧であるので、インク噴射は起らない。し
かして、インク噴射口近傍のインクを加熱する加
熱手段があり、発熱付勢装置が、記録付勢信号に
応じて間欠的に該加熱手段に、前記吸引電圧印加
状態においてインク噴射口のインクの粘度をイン
ク噴射口よりインクが分離するに十分低下させる
ための発熱を励起するレベルおよび時間幅のエネ
ルギを印加するので、記録付勢信号が記録を示す
ものであるときには、該加熱手段がインクをパル
ス状に加熱し、インク噴射口のインクの粘度が低
下して、インク噴射口よりインクが電界吸引電極
に引かれて該電界吸引電極に向けて移動する。こ
の移動によりインク噴射口部には新たな、温度
（粘度）が低いインクが移動し、かつ加熱手段の
１パルス加熱が止まるので、ある量のみのインク
がインク噴射口から出て電界吸引電極に向かう。
すなわち１パルス加熱につき１滴のインク噴射が
実現する。
電界吸引電極とインクの間に加える吸引電圧
は、インク噴射口からそれ自身によつてはインク
を引き出し得ないものであるので、１個の電界吸
引電極に多数のインク噴射口を対向させるマルチ
ノズルインクジエツト記録が可能となり、しかも
吸引電圧のスイツチングが不要となる。また、発
熱付勢装置が加熱手段に印加する、発熱を励起す
るレベルおよび／又は時間幅、すなわちエネルギ
を記録指示濃度に対応して変更することにより濃
度階調がある記録も可能である。
は、インク噴射口からそれ自身によつてはインク
を引き出し得ないものであるので、１個の電界吸
引電極に多数のインク噴射口を対向させるマルチ
ノズルインクジエツト記録が可能となり、しかも
吸引電圧のスイツチングが不要となる。また、発
熱付勢装置が加熱手段に印加する、発熱を励起す
るレベルおよび／又は時間幅、すなわちエネルギ
を記録指示濃度に対応して変更することにより濃
度階調がある記録も可能である。
本発明の他の目的および特徴は、図面を参照し
た以下の実施例の説明より明らかになろう。
た以下の実施例の説明より明らかになろう。
第１図に本発明の一実施例を示す。第１図にお
いて、インク液収納空間を有する筐体１には、金
属筒２が固着されており、この金属筒２にガラス
パイプ３が固着されている。ガラスパイプ３の先
端にノズルプレート５が接合されている。記録紙
６の背面には、吸引電極７が設置されている。こ
の実施例では、吸引電極７に定電圧高圧源８で、
ノズルプレート６のインク噴射口のインクに、該
インク噴射口より分離する電界よりもわずかに低
い電界を及ぼす一定電圧を印加する。薄膜抵抗４
には、通電付勢回路９より、記録濃度レベルおよ
びインク温度に応じた電流レベルをパルス状に印
加する。インク温度は負特性サーミスタ１０で検
出され、インク温度が低い（粘性大：インクは噴
射しにくい）と高レベルの、高いと低レベルの電
圧が通電付勢回路９の演算増幅器OP１に印加さ
れる。演算増幅器OP１にはまた、記録指令濃度
が高いと高レベルの、低いと低レベルの電圧が
Ｄ／ＡコンバータDAより印加され、これらのイ
ンク温度指示電圧と濃度指示電圧が増幅器OP１
で加算されて電流増幅器AM1に印加され増幅器
AM1が、インク温度が低く濃度指示値が高いと
きに高レベルの、インク温度が高く濃度指示値が
低いとき低レベルの電流を抵抗４に印加する。演
算増幅器OP１の加算入力は画素タイミング信号
に同期してオン／オフ付勢されるFETで制御さ
れ、画信号（濃度画信号）の到来に同期してそれ
が更新される毎に一定時間の間はFETがオフで
インク温度指示電圧と濃度指示電圧の和となる
が、次の一定時間の間はFETがオンでアースレ
ベルに強制されこの期間は電流オフもしくは予熱
レベルの低レベルとなる。
いて、インク液収納空間を有する筐体１には、金
属筒２が固着されており、この金属筒２にガラス
パイプ３が固着されている。ガラスパイプ３の先
端にノズルプレート５が接合されている。記録紙
６の背面には、吸引電極７が設置されている。こ
の実施例では、吸引電極７に定電圧高圧源８で、
ノズルプレート６のインク噴射口のインクに、該
インク噴射口より分離する電界よりもわずかに低
い電界を及ぼす一定電圧を印加する。薄膜抵抗４
には、通電付勢回路９より、記録濃度レベルおよ
びインク温度に応じた電流レベルをパルス状に印
加する。インク温度は負特性サーミスタ１０で検
出され、インク温度が低い（粘性大：インクは噴
射しにくい）と高レベルの、高いと低レベルの電
圧が通電付勢回路９の演算増幅器OP１に印加さ
れる。演算増幅器OP１にはまた、記録指令濃度
が高いと高レベルの、低いと低レベルの電圧が
Ｄ／ＡコンバータDAより印加され、これらのイ
ンク温度指示電圧と濃度指示電圧が増幅器OP１
で加算されて電流増幅器AM1に印加され増幅器
AM1が、インク温度が低く濃度指示値が高いと
きに高レベルの、インク温度が高く濃度指示値が
低いとき低レベルの電流を抵抗４に印加する。演
算増幅器OP１の加算入力は画素タイミング信号
に同期してオン／オフ付勢されるFETで制御さ
れ、画信号（濃度画信号）の到来に同期してそれ
が更新される毎に一定時間の間はFETがオフで
インク温度指示電圧と濃度指示電圧の和となる
が、次の一定時間の間はFETがオンでアースレ
ベルに強制されこの期間は電流オフもしくは予熱
レベルの低レベルとなる。
第２図にインク噴射ヘツドの変形例を示す。こ
れにおいては、ノズルプレート５は、高濃度の不
純物で導電性としたシリコンウエーフアにエツチ
ングでインク噴射口を形成し、このノズルプレー
ト６をガラス板１１の表面に接合してインク加熱
電極としている。ノズルプレート６にはガラス板
上のプリント電極１２が接合されている。ガラス
板１１には、シリコンウエーフア６の角錐形のイ
ンク噴射口と連続する形に円錐形の穴が形成され
ている。これにおいては、各プリント電極に通電
付勢回路９と同等の回路より、インク温度および
濃度レベルに応じたレベルの電流パルスが印加さ
れ、電流はシリコンウエーフア５よりそのインク
噴射口のインクを通して、また、ガラス板１１の
円錐穴のインクを通して筐体に流れる。電流密度
はインク噴射口で最大であり、そこのインクに発
熱が集中する。したがつてこの実施例では、加熱
効率が高く、小径インク粒子の生成に適し、イン
ク粒子形成同期を短かくしうる。またノズルピツ
チが短かいマルチノズル記録に適する。なお、ノ
ズルプレートは金属体としてもよいし、ノズルプ
レートの外表面又は内表面、もしくはガラス板の
表面に電極薄膜を形成してもよい。
れにおいては、ノズルプレート５は、高濃度の不
純物で導電性としたシリコンウエーフアにエツチ
ングでインク噴射口を形成し、このノズルプレー
ト６をガラス板１１の表面に接合してインク加熱
電極としている。ノズルプレート６にはガラス板
上のプリント電極１２が接合されている。ガラス
板１１には、シリコンウエーフア６の角錐形のイ
ンク噴射口と連続する形に円錐形の穴が形成され
ている。これにおいては、各プリント電極に通電
付勢回路９と同等の回路より、インク温度および
濃度レベルに応じたレベルの電流パルスが印加さ
れ、電流はシリコンウエーフア５よりそのインク
噴射口のインクを通して、また、ガラス板１１の
円錐穴のインクを通して筐体に流れる。電流密度
はインク噴射口で最大であり、そこのインクに発
熱が集中する。したがつてこの実施例では、加熱
効率が高く、小径インク粒子の生成に適し、イン
ク粒子形成同期を短かくしうる。またノズルピツ
チが短かいマルチノズル記録に適する。なお、ノ
ズルプレートは金属体としてもよいし、ノズルプ
レートの外表面又は内表面、もしくはガラス板の
表面に電極薄膜を形成してもよい。
第３ａ図に本発明のもう１つの実施例を示す。
これにおいては、ノズルプレート６はシリコン、
ルビー、サフアイアもしくは金属板のいずれでも
よく、そのインク噴射口に焦点を定めてセルフオ
クレンズ（光収束性光伝導体）１３が設置されて
いる。セルフオクレンズ１３には、オプテイカル
フアイバ１４が結合されており、フアイバ１４に
半導体レーザ装置１５が結合されている。半導体
レーザ装置１５はパルスレーザ付勢装置１６で付
勢される。パルスレーザ付勢装置１６の構成を第
３ｂ図に示す。
これにおいては、ノズルプレート６はシリコン、
ルビー、サフアイアもしくは金属板のいずれでも
よく、そのインク噴射口に焦点を定めてセルフオ
クレンズ（光収束性光伝導体）１３が設置されて
いる。セルフオクレンズ１３には、オプテイカル
フアイバ１４が結合されており、フアイバ１４に
半導体レーザ装置１５が結合されている。半導体
レーザ装置１５はパルスレーザ付勢装置１６で付
勢される。パルスレーザ付勢装置１６の構成を第
３ｂ図に示す。
半導体レーザは最近その発達が著しく、パルス
駆動でピークが数10Wから数100Wのものまで出
現している。平均出力はmWオーダもしくはそれ
以下であつて、１個の素子（エレメント）の光放
射パルス幅は200〜300nsecと短かい。このような
半導体レーザの特性は、本発明の微小量インクの
瞬時加熱にうまく適合する。第３ａ図において半
導体レーザ装置は３エレメント１５1〜１５3を集
積したものであり、それらの出力端にオプテイカ
ルフアイバ１４が結合されており、３エレメント
の発光をセルフオクレンズ１３に与える。セルフ
オクレンズ１３はそれらの発光をインク噴射口に
集中投射する。各エレメント１５1〜１５3には、
第３ｂ図に示すように、レーザパルス付勢回路１
６1〜１６3が接続されている。付勢回路１６1〜
１６3の１つ１６1（他のものも全く同じ構成）を
説明すると、これは概略でフラツシユ放電回路と
同様であり、フラツシユ放電回路においてトラン
スを昇圧トランスとするところを降圧トランスと
している。１つの付勢回路１６1において、イン
バータINVが図示を省略した直流電源より供給
される電流を所定の周波数で交流に変換して降圧
トランスTRの１次巻線に印加する。トランス
TRの２次出力はダイオードＤ１で整流されてコ
ンデンサＣに充電される。コンデンサＣの充電電
圧は、抵抗Ｒ２で検出されて電圧比較器VCMに
与えられ、そこで設定電圧Vrefと比較されて、
コンデンサＣの充電電圧が所定値になると電圧比
較器VCMの出力が高レベル「１」から低レベル
「０」に反転し、これによりインバータINVはオ
フとなり、交流出力を停止する。コンデンサＣに
直列にダイオードＤ２が接続されており、ＣとＤ
２の直列回路に並列にサイリスタSCRが、また
ダイオードＤ２に逆並列に半導体レーザエレメン
ト１５1が接続されており、サイリスタSCRが導
通すると、コンデンサＣが、コンデンサＣ−サイ
リスタSCR−エレメント１５1のループで放電し、
この放電の間エレメント１５1が赤外線すなわち
レーザを放射する。サイリスタSCRは、サイリ
スタドライバSDR1で導通トリガされ、コンデン
サＣが放電し、トランスTRの２次出力が略零ボ
ルトのときにオフとなる。
駆動でピークが数10Wから数100Wのものまで出
現している。平均出力はmWオーダもしくはそれ
以下であつて、１個の素子（エレメント）の光放
射パルス幅は200〜300nsecと短かい。このような
半導体レーザの特性は、本発明の微小量インクの
瞬時加熱にうまく適合する。第３ａ図において半
導体レーザ装置は３エレメント１５1〜１５3を集
積したものであり、それらの出力端にオプテイカ
ルフアイバ１４が結合されており、３エレメント
の発光をセルフオクレンズ１３に与える。セルフ
オクレンズ１３はそれらの発光をインク噴射口に
集中投射する。各エレメント１５1〜１５3には、
第３ｂ図に示すように、レーザパルス付勢回路１
６1〜１６3が接続されている。付勢回路１６1〜
１６3の１つ１６1（他のものも全く同じ構成）を
説明すると、これは概略でフラツシユ放電回路と
同様であり、フラツシユ放電回路においてトラン
スを昇圧トランスとするところを降圧トランスと
している。１つの付勢回路１６1において、イン
バータINVが図示を省略した直流電源より供給
される電流を所定の周波数で交流に変換して降圧
トランスTRの１次巻線に印加する。トランス
TRの２次出力はダイオードＤ１で整流されてコ
ンデンサＣに充電される。コンデンサＣの充電電
圧は、抵抗Ｒ２で検出されて電圧比較器VCMに
与えられ、そこで設定電圧Vrefと比較されて、
コンデンサＣの充電電圧が所定値になると電圧比
較器VCMの出力が高レベル「１」から低レベル
「０」に反転し、これによりインバータINVはオ
フとなり、交流出力を停止する。コンデンサＣに
直列にダイオードＤ２が接続されており、ＣとＤ
２の直列回路に並列にサイリスタSCRが、また
ダイオードＤ２に逆並列に半導体レーザエレメン
ト１５1が接続されており、サイリスタSCRが導
通すると、コンデンサＣが、コンデンサＣ−サイ
リスタSCR−エレメント１５1のループで放電し、
この放電の間エレメント１５1が赤外線すなわち
レーザを放射する。サイリスタSCRは、サイリ
スタドライバSDR1で導通トリガされ、コンデン
サＣが放電し、トランスTRの２次出力が略零ボ
ルトのときにオフとなる。
コンデンサＣの充電電圧（つまりはエレメント
１５1の付勢エネルギレベル）を定めるVrefは、
密濃度指示電圧とインク温度指示電圧の和であ
り、インク温度が低く密指示濃度が高いときに高
レベルであり、インク温度が高く密指示濃度が低
いときに低レベルである。なお、AMvは、電圧
増幅器である。この実施例では更に、粗濃度コー
ドでエレメント１５1〜１５3の付勢数を定めるよ
うにしている。すなわち、粗濃度コードがデコー
ダDE１に与えられ、コードが０を示すときには
アンドゲートＡ１〜Ａ３のいずれもオフ（ゲート
閉）としてSCRドライバSDR1〜SDR3のいずれ
にもトリガ指令を与えず、コードが１を示すとき
はアンドゲートＡ１のみをオン（ゲート開）とし
てSCRドライバSDR1のみにトリガ指令を与え、
コードが２を示すときはアンドゲートＡ１および
Ａ２をオンとしてSCRドライバSDR1および
SDR2にトリガ指令を与え、コードが３を示すと
きにアンドゲートＡ１〜Ａ３のいずれもオンとし
てSCRドライバSDR1〜SDR3のすべてにトリガ
指令を与えるようにしている。しかも、各エレメ
ント１５1〜１５3の１回の発光時間が200〜
300nsecと短かいため、SCRドライバSDR1〜
SDR3には１／5000KHz＝200nsecの時間間隔で順
次にトリガパルスを与えて、半導体装置１５から
は、200〜300nsec（粗濃度コード＝１）のパルス
レーザ、400〜500nsec（粗濃度コード＝２）のパ
ルスレーザ、あるいは、600〜700nsec（粗濃度コ
ード＝３）のパルスレーザを、画素タイミング信
号に同期して出力するようにしている。つまり、
画素タイミング信号の１パルスが到来すると、フ
リツプフロツプＦ１がセツトされそのＱ出力が高
レベル「１」となり、アンドゲートＡ４がオンと
なつて5000KHzのパルスがカウンタCOに与えら
れ、カウンタCOのカウントアツプに応じてデコ
ーダDE２が、その出力端０〜３に順次にパルス
出力を生ずる。つまり、5000KHzの第１パルスが
カウンタCOに印加されるとデコーダDE２の出力
端１が「１」となりアンドゲートＡ１に１パルス
（トリガ指令パルス）が与えられ、5000KHzの第
２パルスがカウンタCOに印加されるとデコーダ
DE２の出力端２が「１」となりアンドゲートＡ
２に１パルス（トリガ指令パルス）が与えられ、
5000KHzの第３パルスがカウンタCOに印加され
るとデコーダDE２の出力端３が「１」となりア
ンドゲートＡ２に１パルス（トリガ指令）が与え
られフリツプフロツプＦ１がリセツトされ、カウ
ンタCOがクリアされる。このように、画素タイ
ミング信号が到来すると、アンドゲートＡ１〜Ａ
３に、1/5000ＫHz＝200nsec間隔で順次にトリガ
指令パルスが印加される。
１５1の付勢エネルギレベル）を定めるVrefは、
密濃度指示電圧とインク温度指示電圧の和であ
り、インク温度が低く密指示濃度が高いときに高
レベルであり、インク温度が高く密指示濃度が低
いときに低レベルである。なお、AMvは、電圧
増幅器である。この実施例では更に、粗濃度コー
ドでエレメント１５1〜１５3の付勢数を定めるよ
うにしている。すなわち、粗濃度コードがデコー
ダDE１に与えられ、コードが０を示すときには
アンドゲートＡ１〜Ａ３のいずれもオフ（ゲート
閉）としてSCRドライバSDR1〜SDR3のいずれ
にもトリガ指令を与えず、コードが１を示すとき
はアンドゲートＡ１のみをオン（ゲート開）とし
てSCRドライバSDR1のみにトリガ指令を与え、
コードが２を示すときはアンドゲートＡ１および
Ａ２をオンとしてSCRドライバSDR1および
SDR2にトリガ指令を与え、コードが３を示すと
きにアンドゲートＡ１〜Ａ３のいずれもオンとし
てSCRドライバSDR1〜SDR3のすべてにトリガ
指令を与えるようにしている。しかも、各エレメ
ント１５1〜１５3の１回の発光時間が200〜
300nsecと短かいため、SCRドライバSDR1〜
SDR3には１／5000KHz＝200nsecの時間間隔で順
次にトリガパルスを与えて、半導体装置１５から
は、200〜300nsec（粗濃度コード＝１）のパルス
レーザ、400〜500nsec（粗濃度コード＝２）のパ
ルスレーザ、あるいは、600〜700nsec（粗濃度コ
ード＝３）のパルスレーザを、画素タイミング信
号に同期して出力するようにしている。つまり、
画素タイミング信号の１パルスが到来すると、フ
リツプフロツプＦ１がセツトされそのＱ出力が高
レベル「１」となり、アンドゲートＡ４がオンと
なつて5000KHzのパルスがカウンタCOに与えら
れ、カウンタCOのカウントアツプに応じてデコ
ーダDE２が、その出力端０〜３に順次にパルス
出力を生ずる。つまり、5000KHzの第１パルスが
カウンタCOに印加されるとデコーダDE２の出力
端１が「１」となりアンドゲートＡ１に１パルス
（トリガ指令パルス）が与えられ、5000KHzの第
２パルスがカウンタCOに印加されるとデコーダ
DE２の出力端２が「１」となりアンドゲートＡ
２に１パルス（トリガ指令パルス）が与えられ、
5000KHzの第３パルスがカウンタCOに印加され
るとデコーダDE２の出力端３が「１」となりア
ンドゲートＡ２に１パルス（トリガ指令）が与え
られフリツプフロツプＦ１がリセツトされ、カウ
ンタCOがクリアされる。このように、画素タイ
ミング信号が到来すると、アンドゲートＡ１〜Ａ
３に、1/5000ＫHz＝200nsec間隔で順次にトリガ
指令パルスが印加される。
この実施例では、第２の実施例（第２図）より
も、更に、インク噴射口の最外部のインクに限定
してエネルギが投与される。したがつて、この実
施例も小径インク粒子の生成に適し、インク粒子
生成周期をきわめて短かくしうる。また、ノズル
ピツチが短かいマルチノズル記録に適する。
も、更に、インク噴射口の最外部のインクに限定
してエネルギが投与される。したがつて、この実
施例も小径インク粒子の生成に適し、インク粒子
生成周期をきわめて短かくしうる。また、ノズル
ピツチが短かいマルチノズル記録に適する。
なお、上記実施例においてはいずれも、吸引電
極７に、それ自身が形成する電界ではインク噴射
口よりのインクの分離を生じない一定高電圧を印
加しているが、高圧電源を可制御電源としてその
出力電圧をインク温度、もしくは室温などのイン
ク温度を対応付けうる温度に応じて制御するよう
にしてもよく、また、濃度指示値に応じて制御す
るようにしてもよい。インク温度等の変化はゆる
やかであるのに対して、濃度指示値の変化は速い
ので、吸引電圧を温度のみに対応付けて制御する
のが好ましい。
極７に、それ自身が形成する電界ではインク噴射
口よりのインクの分離を生じない一定高電圧を印
加しているが、高圧電源を可制御電源としてその
出力電圧をインク温度、もしくは室温などのイン
ク温度を対応付けうる温度に応じて制御するよう
にしてもよく、また、濃度指示値に応じて制御す
るようにしてもよい。インク温度等の変化はゆる
やかであるのに対して、濃度指示値の変化は速い
ので、吸引電圧を温度のみに対応付けて制御する
のが好ましい。
いずれにしても、インク噴射口よりインクが分
離しない程度の吸引電界をインク噴射口のインク
に作用させている定常状態で、インク噴射口のイ
ンクをインク噴射口から分離させるためのパラメ
ータには、インク圧（上昇）、インク噴射口の変
化（拡大）、インク噴射口外部の気圧（低下）等、
およびその他、いくつかのものがあり得るが、例
えば常温で略50センチポアズの粘度を示すインク
は加熱により容易に20センチポアズの粘度とな
り、吸引電極とインク噴射口のインクの間に、
3KV程度の吸引電圧を印加していると、20セン
チポアズの粘度でインク噴射口よりインクが分離
して吸引電極に向かう。インク噴射口は極々小径
であるので、該小径の口内のインクを瞬間的に加
熱することは、上記実施例に示す手段で容易であ
り、上記実施例で、濃度制御をした記録が得られ
る。
離しない程度の吸引電界をインク噴射口のインク
に作用させている定常状態で、インク噴射口のイ
ンクをインク噴射口から分離させるためのパラメ
ータには、インク圧（上昇）、インク噴射口の変
化（拡大）、インク噴射口外部の気圧（低下）等、
およびその他、いくつかのものがあり得るが、例
えば常温で略50センチポアズの粘度を示すインク
は加熱により容易に20センチポアズの粘度とな
り、吸引電極とインク噴射口のインクの間に、
3KV程度の吸引電圧を印加していると、20セン
チポアズの粘度でインク噴射口よりインクが分離
して吸引電極に向かう。インク噴射口は極々小径
であるので、該小径の口内のインクを瞬間的に加
熱することは、上記実施例に示す手段で容易であ
り、上記実施例で、濃度制御をした記録が得られ
る。
以上の通り本発明のインクジエツト記録装置で
は、インク噴射口と吸引電極の間に印加する吸引
電圧は、比較的に低くて良く、この電圧単独では
インク噴射が行なわれないので、多数のインク噴
射口を併設しそれらに一個の共通吸引電極を対向
させるマルチノズルインクジエツト記録が可能と
なる。吸引電圧のスイツチングは不用である。ま
た、１ドツト毎に記録濃度（インク粒子量）を制
御する階調記録や、一枚又は複数枚の記録の全体
を通しての記録濃度の調整又は設定、すなわち濃
度調整、が比較的に容易になる。
は、インク噴射口と吸引電極の間に印加する吸引
電圧は、比較的に低くて良く、この電圧単独では
インク噴射が行なわれないので、多数のインク噴
射口を併設しそれらに一個の共通吸引電極を対向
させるマルチノズルインクジエツト記録が可能と
なる。吸引電圧のスイツチングは不用である。ま
た、１ドツト毎に記録濃度（インク粒子量）を制
御する階調記録や、一枚又は複数枚の記録の全体
を通しての記録濃度の調整又は設定、すなわち濃
度調整、が比較的に容易になる。
第１図は本発明の一実施例を示すブロツク図、
第２図は本発明のもう１つの実施例の主要部を示
す斜視図である。第３ａ図は本発明の更に他の１
つの実施例を示すブロツク図、第３ｂ図は第３ａ
図に示すパルスレーザ付勢装置１６の構成を示す
ブロツク図である。 １：筐体、２：金属筒、３：ガラスパイプ、
４：抵抗膜（加熱手段、抵抗素子）、５：ノズル
プレート、６：記録紙、７：吸引電極（電界吸引
電極）、８：定電圧電圧源（電圧源装置）、９：通
電付勢回路（発熱付勢装置）、１０：負特性サー
ミスタ（温度センサ）、１１：ガラス板、１２：
プリント基板、１３：セルフオクレンズ（光収束
性のオプリカルガイド）、１４：オプテイカルフ
アイバ、１５：半導体レーザ装置（半導体レーザ
装置）、１６：パルスレーザ付勢装置（パルスレ
ーザ付勢装置）（第３図：レーザ制御回路）。
第２図は本発明のもう１つの実施例の主要部を示
す斜視図である。第３ａ図は本発明の更に他の１
つの実施例を示すブロツク図、第３ｂ図は第３ａ
図に示すパルスレーザ付勢装置１６の構成を示す
ブロツク図である。 １：筐体、２：金属筒、３：ガラスパイプ、
４：抵抗膜（加熱手段、抵抗素子）、５：ノズル
プレート、６：記録紙、７：吸引電極（電界吸引
電極）、８：定電圧電圧源（電圧源装置）、９：通
電付勢回路（発熱付勢装置）、１０：負特性サー
ミスタ（温度センサ）、１１：ガラス板、１２：
プリント基板、１３：セルフオクレンズ（光収束
性のオプリカルガイド）、１４：オプテイカルフ
アイバ、１５：半導体レーザ装置（半導体レーザ
装置）、１６：パルスレーザ付勢装置（パルスレ
ーザ付勢装置）（第３図：レーザ制御回路）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ インク液収納空間と連通するインク噴射口； インク噴射口近傍のインクを加熱する加熱手
段； インク噴射口に対向する電界吸引電極； インク液収納空間のインク液と電界吸引電極の
間に、インク噴射口よりのインク液の分離には不
十分な比較的に高い吸引電圧を印加する電圧源装
置；および、 記録付勢信号に応じて間欠的に前記加熱手段
に、前記吸引電圧印加状態においてインク噴射口
のインクの粘度をインク噴射口よりインクが分離
するに十分低下させるための発熱を励起するレベ
ルおよび時間幅のエネルギを印加する発熱付勢装
置； を備えたインクジエツト記録装置。 ２ 加熱手段は通電により発熱する抵抗素子であ
り、発熱付勢装置は抵抗素子にパルス電流を流す
通電付勢装置である前記特許請求の範囲第１項記
載のインクジエツト記録装置。 ３ 加熱手段はインク噴射口のインクに電流を流
す電極であり、発熱付勢装置は該電極にパルス電
流を流す通電付勢装置である前記特許請求の範囲
第１項記載のインクジエツト記録装置。 ４ 通電付勢装置は、インク液温度もしくはそれ
に対応付けられる温度を検出する温度センサ、お
よび、パルス電流のレベルと幅の少くとも一方を
検出温度に対応して制御する電流制御回路を有す
る前記特許請求の範囲第２項又は第３項記載のイ
ンクジエツト記録装置。 ５ 加熱手段は、インク噴射口、インク噴射口を
形成したノズル、あるいはそれらの前後、に焦点
を合せて配置した光収束性のオプテイカルガイド
を介して間接にレーザを放射する半導体レーザ装
置の組合せとし、発熱付勢装置は半導体レーザ装
置をパルス付勢するパルスレーザ付勢装置とした
前記特許請求の範囲第１項記載のインクジエツト
記録装置。 ６ パルスレーザ付勢装置は、インク液温度もし
くはそれに対応付けられる温度を検出する温度セ
ンサの検出温度に対応してパルスレーザのレベル
と幅の少くとも一方を検出温度に対応して制御す
るレーザ制御回路である前記特許請求の範囲第５
項記載のインクジエツト記録装置。 ７ パルスレーザ付勢装置は、記録濃度情報に応
じてパルスレーザのレベルと幅の少くとも一方を
制御するレーザ制御回路である前記特許請求の範
囲第５項記載のインクジエツト記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14021080A JPS5764559A (en) | 1980-10-07 | 1980-10-07 | Ink jet recorder |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14021080A JPS5764559A (en) | 1980-10-07 | 1980-10-07 | Ink jet recorder |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5764559A JPS5764559A (en) | 1982-04-19 |
| JPH0117864B2 true JPH0117864B2 (ja) | 1989-04-03 |
Family
ID=15263472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14021080A Granted JPS5764559A (en) | 1980-10-07 | 1980-10-07 | Ink jet recorder |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5764559A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60174654A (ja) * | 1984-02-20 | 1985-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | インクジエツト記録装置 |
| JPS62286749A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-12 | Fuji Xerox Co Ltd | インクジエツト記録方法 |
| JPH0698757B2 (ja) * | 1986-06-13 | 1994-12-07 | 富士ゼロックス株式会社 | インクジエツト記録方法 |
| JPH0635179B2 (ja) * | 1986-07-14 | 1994-05-11 | 富士ゼロックス株式会社 | インクジエツト記録装置 |
| JPS6357248A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-11 | Fuji Xerox Co Ltd | インクジエツト記録装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49100165A (ja) * | 1972-10-27 | 1974-09-21 |
-
1980
- 1980-10-07 JP JP14021080A patent/JPS5764559A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49100165A (ja) * | 1972-10-27 | 1974-09-21 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5764559A (en) | 1982-04-19 |
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