JPH01172513A - 非晶質合金薄帯巻磁心の熱処理方法とその装置 - Google Patents
非晶質合金薄帯巻磁心の熱処理方法とその装置Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C21—METALLURGY OF IRON
- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D1/00—General methods or devices for heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering
- C21D1/04—General methods or devices for heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering with simultaneous application of supersonic waves, magnetic or electric fields
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は非晶質磁性合金薄帯の磁気特性を改良するだめ
の熱処理方法とその装置に関する。
の熱処理方法とその装置に関する。
〈従来の技術〉
高周波トランス、チョークコイルおよび磁気フィルタな
どに非晶質合金薄帯が用いられる場合。
どに非晶質合金薄帯が用いられる場合。
それらに適した磁気特性のものを使用すること例えば透
磁率を高めたり、ヒステリシス曲線の角型比Ｂｒ／Ｂｓ
を適当に低くしたりコア損失を小さくしたりすることは
磁化の発生機構に基づく本質的な特性であるがその他に
もその合金の磁区分布を適当な方法で制御することによ
って、製品として要求される磁気特性を出現させること
が出来る。その制御手段の１つとして直交磁場中冷却法
がある。
磁率を高めたり、ヒステリシス曲線の角型比Ｂｒ／Ｂｓ
を適当に低くしたりコア損失を小さくしたりすることは
磁化の発生機構に基づく本質的な特性であるがその他に
もその合金の磁区分布を適当な方法で制御することによ
って、製品として要求される磁気特性を出現させること
が出来る。その制御手段の１つとして直交磁場中冷却法
がある。
この直交磁場中冷却法の１つに９回転磁場中熱処理法が
ある。これは、磁性薄膜および薄帯の面内誘導異方性を
小さくするために、上記の磁場を熱処理中に印加する方
法である。
ある。これは、磁性薄膜および薄帯の面内誘導異方性を
小さくするために、上記の磁場を熱処理中に印加する方
法である。
しかしこの方法による場合、直交又は回転磁界を印加す
るために巻コアの外側に二対又はそれ以上のへルムホル
ツコイルや電磁石を配設したり。
るために巻コアの外側に二対又はそれ以上のへルムホル
ツコイルや電磁石を配設したり。
巻コアに直接導線を巻装させたりする方法が採られてい
る。しかしヘルムホルツコイル又は電磁石を設置するた
めに、広い空間が必要であったり。
る。しかしヘルムホルツコイル又は電磁石を設置するた
めに、広い空間が必要であったり。
巻線作業のための煩雑さがあったりして量産のための熱
処理装置としては複雑すぎると言う欠陥がある。
処理装置としては複雑すぎると言う欠陥がある。
〈発明の目的〉
本発明は上記の欠点を除去するために、アン４−ルの法
則に基づく通電方式による円形磁場と巻線抵抗加熱炉と
を兼用したソレノイ、トコイルに発生する直角磁場とを
用いる事によって、小さな空間で、大量の巻コアに一方
又は両方の磁場を印加することによって薄帯面内に摂動
磁界を発生させその中で熱処理を行ない面内誘導磁気異
方性を小さくシ、量産に適した簡単な磁場中熱処理装置
を提供することにある。
則に基づく通電方式による円形磁場と巻線抵抗加熱炉と
を兼用したソレノイ、トコイルに発生する直角磁場とを
用いる事によって、小さな空間で、大量の巻コアに一方
又は両方の磁場を印加することによって薄帯面内に摂動
磁界を発生させその中で熱処理を行ない面内誘導磁気異
方性を小さくシ、量産に適した簡単な磁場中熱処理装置
を提供することにある。
〈発明の構成〉
本発明は巻磁心の中心に配置された金属線に通電するこ
とにより円形磁場を発生させつつ前記巻磁心を熱処理す
ることを特徴とする非晶質合金薄帯巻磁心の熱処理方法
でさらに発生させた円形磁場と巻線抵抗又はその外側に
配設された巻状線輪によって発生させる薄帯の長手方向
とこれに直角な板幅方向の磁場とを用いて熱処理を行う
ことを特徴とする非晶質合金薄帯巻磁心の熱処理方法と
巻磁心の中心に円形磁場発生用金属線を配置するととも
に前記磁心を外部から巻状線輪によって加熱する手段を
設けた非晶質合金薄帯巻磁心の磁場中熱処理装置に関す
るものである。
とにより円形磁場を発生させつつ前記巻磁心を熱処理す
ることを特徴とする非晶質合金薄帯巻磁心の熱処理方法
でさらに発生させた円形磁場と巻線抵抗又はその外側に
配設された巻状線輪によって発生させる薄帯の長手方向
とこれに直角な板幅方向の磁場とを用いて熱処理を行う
ことを特徴とする非晶質合金薄帯巻磁心の熱処理方法と
巻磁心の中心に円形磁場発生用金属線を配置するととも
に前記磁心を外部から巻状線輪によって加熱する手段を
設けた非晶質合金薄帯巻磁心の磁場中熱処理装置に関す
るものである。
く作用〉
磁化発生装置の１つは、アン被−ルの法則に従い２巻コ
アの中心に金属導線を通し、その周囲に円形磁界Ｈ＝２
πＩ／ａ （Ｉは電流、ａは巻コアの平均半径）を前記
巻コアの径に直角方向に発生させる。
アの中心に金属導線を通し、その周囲に円形磁界Ｈ＝２
πＩ／ａ （Ｉは電流、ａは巻コアの平均半径）を前記
巻コアの径に直角方向に発生させる。
他の１つは巻線抵抗炉の定常通電時に発生する磁場を用
いる。
いる。
前記導線を巻コアとともに巻線抵抗炉の中心に通し導線
と巻線抵抗炉に同時に通電するとき、前記巻コアの幅方
向とそれに直角方向に同時に磁場を印加することが出来
る。またこれと同時に巻コアを一定温度で加熱すること
が出来る。
と巻線抵抗炉に同時に通電するとき、前記巻コアの幅方
向とそれに直角方向に同時に磁場を印加することが出来
る。またこれと同時に巻コアを一定温度で加熱すること
が出来る。
巻コアの幅方向に印加される任意の位置Ｐにおける磁場
ＨＰＩＬは次式で与えられる。
ＨＰＩＬは次式で与えられる。
ここにＸは巻線抵抗炉の中心からＰ点までの距離、ｔは
巻線抵抗炉の長さ、ａはその半径そして。
巻線抵抗炉の長さ、ａはその半径そして。
Ｎおよびｉはそれぞれ巻線の巻数と電流である。
他方上記巻線抵抗体にｉを流したとき抵抗体の発熱温度
ΔＴは次式で与えられる。
ΔＴは次式で与えられる。
ここにρ。は巻線抵抗体の比抵抗、ｔは時間、Ｊは仕事
当１．Ｃｐは比熱、ｄは密度である。（２）式から明ら
かな様に（１）式におけるＨｐＬを変化させない様にし
て任意の温度で発熱させるためには、Ｄを制御すればよ
い。
当１．Ｃｐは比熱、ｄは密度である。（２）式から明ら
かな様に（１）式におけるＨｐＬを変化させない様にし
て任意の温度で発熱させるためには、Ｄを制御すればよ
い。
以上の装置を用いて上記非晶質合金薄帯に結晶化温度Ｔ
ｘ以下で適当な磁場中熱処理を施すと、磁気履歴曲線を
変える事が出来る。
ｘ以下で適当な磁場中熱処理を施すと、磁気履歴曲線を
変える事が出来る。
例えば上記の様な２方向の磁場を印加して熱処理を施す
ことによって、前記非晶質合金薄帯の残留磁束密度Ｂｒ
を適当に小さくし角型比Ｂ ｒ／Ｂ ｓを制御すること
が出来る。印加磁場はＡＣ又はＤＣどちらでもよい。印
加磁場は上記薄帯の磁化を飽和させるに十分な１００ｅ
もあれば十分である。
ことによって、前記非晶質合金薄帯の残留磁束密度Ｂｒ
を適当に小さくし角型比Ｂ ｒ／Ｂ ｓを制御すること
が出来る。印加磁場はＡＣ又はＤＣどちらでもよい。印
加磁場は上記薄帯の磁化を飽和させるに十分な１００ｅ
もあれば十分である。
上記の様な熱処理を施しＢｒ／Ｂｓを適当に小さくする
ことによって、高周波トランス、平滑チョークコイル等
の磁心材として必要な特性を得ることが出来る。
ことによって、高周波トランス、平滑チョークコイル等
の磁心材として必要な特性を得ることが出来る。
〈実施例〉
本発明の実施例を以下に述べる。
Ｆ ｅ ９２ Ｂ ３Ｓ ｒ ｓの組成を有する板厚２
４ ａｍ 、板幅５■の非晶質磁性合金薄帯を片ロール
法で作成した。
４ ａｍ 、板幅５■の非晶質磁性合金薄帯を片ロール
法で作成した。
この合金薄帯の結晶化温度ＴＸ＝５５０℃、キュリー温
度Ｔｃ＝４１５℃であった。この薄帯を外径１８瓢、内
径１２簡の筒状に巻き、これを磁心とした。
度Ｔｃ＝４１５℃であった。この薄帯を外径１８瓢、内
径１２簡の筒状に巻き、これを磁心とした。
次の熱処理条件の下で熱処理された試料を用いて、磁気
履歴曲線の測定を行った。熱処理は全てＮ２雰囲気中で
行われた。 １未処理のもの、１１４５０℃で１時間加
熱した後５０℃／ｍｉｎの冷却速度で２００℃まで冷却
し、続いて２００℃で１時間保持した後室温まで炉冷し
た。上記の熱処理中。
履歴曲線の測定を行った。熱処理は全てＮ２雰囲気中で
行われた。 １未処理のもの、１１４５０℃で１時間加
熱した後５０℃／ｍｉｎの冷却速度で２００℃まで冷却
し、続いて２００℃で１時間保持した後室温まで炉冷し
た。上記の熱処理中。
４５０℃では巻磁心の板幅方向にＡＣ磁場を助＝６００
ｅ、２００℃においては３００ｅ印加した。
ｅ、２００℃においては３００ｅ印加した。
また２００℃に於いては薄帯の長手方向に約ＨＪｌ＝１
００ｅのＤＣ磁場を加えた。
００ｅのＤＣ磁場を加えた。
以上の様な熱処理状態を４５０℃Ｘ Ｉ Ｈｒ （ＨＬ
Ｌ＝６００ｅ）＋２５０℃Ｘ Ｉ Ｈｒ （Ｈｕ ＝１
００ｅ ）と表示する。以下同様に表示する。
Ｌ＝６００ｅ）＋２５０℃Ｘ Ｉ Ｈｒ （Ｈｕ ＝１
００ｅ ）と表示する。以下同様に表示する。
ｉｉｉ ４ｓｏ ℃Ｘ Ｉ Ｈｒ （ＨＢ−＝
６００ｅ ）＋２００℃Ｘ Ｉ Ｈｒ（Ｈ１Ｉ＝ Ｉ
ＯＯｅ＋ＨＩＬ＝３００ｅ ） 。
６００ｅ ）＋２００℃Ｘ Ｉ Ｈｒ（Ｈ１Ｉ＝ Ｉ
ＯＯｅ＋ＨＩＬ＝３００ｅ ） 。
１■ ４５０℃Ｘ Ｉ Ｈｒ （Ｈｌｌ ＝６００ｅ）
＋２００℃Ｘ Ｉ Ｈｒ（ＨＬ＝ １００ｅ＋Ｈ４ｌ
＝ ６００ｅ ）以上の熱処理を施した試料のＤＣにお
ける磁気履歴曲線を測定した。第２図には未熱処理試料
、第３図には上記の３つの異なる熱処理を施した試料の
測定結果を併せて示し、第１表は上記の結果を表にまと
めたものである。
＋２００℃Ｘ Ｉ Ｈｒ（ＨＬ＝ １００ｅ＋Ｈ４ｌ
＝ ６００ｅ ）以上の熱処理を施した試料のＤＣにお
ける磁気履歴曲線を測定した。第２図には未熱処理試料
、第３図には上記の３つの異なる熱処理を施した試料の
測定結果を併せて示し、第１表は上記の結果を表にまと
めたものである。
以下余白
図から明らかなように本発明装置を用いて熱処理を行う
と、非晶質合金の履歴曲線を任意に変えることが出来る
。板幅方向の磁場Ｈ止を加えるとＨｃは若干大きくなる
がＢ ｒ ／Ｂ ｓを著しく小さくすることが出来る。
と、非晶質合金の履歴曲線を任意に変えることが出来る
。板幅方向の磁場Ｈ止を加えるとＨｃは若干大きくなる
がＢ ｒ ／Ｂ ｓを著しく小さくすることが出来る。
上記の磁気特性は高周波トランス。
平滑チョーク・コイルの設計に要求される。
〈発明の効果〉
上述のごとく本発明は非晶質合金薄帯巻コアの熱処理を
大川にしかも容易に可能ならしめた。
大川にしかも容易に可能ならしめた。
第１図には本発明非晶質合金薄帯巻磁心の熱処理装置の
主要部分の概略断面図を示す。 第２図には片ロール法で作製されたＦ ｅ ｑ ２ Ｂ
ｓ Ｓ ！ ７系非晶質合金薄帯の未熱処理試料につ
いて測定された磁気履歴曲線（Ａ）を示す。 第３図には印加磁場の異なる熱処理の施された試料の磁
気履歴曲線を示す。 ｌ・・・円形磁場を発生させるための銅・ぐイゾ。 ２・・・熱電対、３・・・補助磁場発生コイル、４・・
・巻コア試料、５・・・試料受は台、６・・・ガス封入
栓、７・・・水冷却管、８・・・熱処理炉兼磁場発生コ
イル、９・・・ネジ、１０・・・熱処理炉取付は台、１
１・・・装置取付は台、１２・・・雰囲気ガス導入管。 第１図 第２図 Ｂ（ＫＧ） 第３図
主要部分の概略断面図を示す。 第２図には片ロール法で作製されたＦ ｅ ｑ ２ Ｂ
ｓ Ｓ ！ ７系非晶質合金薄帯の未熱処理試料につ
いて測定された磁気履歴曲線（Ａ）を示す。 第３図には印加磁場の異なる熱処理の施された試料の磁
気履歴曲線を示す。 ｌ・・・円形磁場を発生させるための銅・ぐイゾ。 ２・・・熱電対、３・・・補助磁場発生コイル、４・・
・巻コア試料、５・・・試料受は台、６・・・ガス封入
栓、７・・・水冷却管、８・・・熱処理炉兼磁場発生コ
イル、９・・・ネジ、１０・・・熱処理炉取付は台、１
１・・・装置取付は台、１２・・・雰囲気ガス導入管。 第１図 第２図 Ｂ（ＫＧ） 第３図
Claims (4)
- （１）巻磁心の中心に配置された金属線に通電すること
により円形磁場を発生させつつ前記巻磁心を熱処理する
ことを特徴とする非晶質合金薄帯巻磁心の熱処理方法 - （２）巻磁心の中心に円形磁場発生用金属線を配置する
とともに前記磁心を外部から加熱する手段を設けたこと
を特徴とする 非晶質合金薄帯巻磁心の磁場中熱処理装置 - （３）巻磁心の中心に金属線を通して通電し円形磁場を
発生させ、これと巻線抵抗体又はその外側に配設された
巻状線輪によって発生させる薄帯の長手方向とこれに直
角な板幅方向の磁場とを用いて熱処理を行うことを特徴
とする非晶質合金薄帯巻磁心の熱処理方法 - （４）前記加熱手段は巻磁心の外側に設けられた巻状線
輪である特許請求の範囲第３項記載の非晶質合金薄帯巻
磁心の磁場中熱処理方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62328372A JPH0724247B2 (ja) | 1987-12-26 | 1987-12-26 | 非晶質合金薄帯巻磁心の熱処理方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62328372A JPH0724247B2 (ja) | 1987-12-26 | 1987-12-26 | 非晶質合金薄帯巻磁心の熱処理方法とその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01172513A true JPH01172513A (ja) | 1989-07-07 |
| JPH0724247B2 JPH0724247B2 (ja) | 1995-03-15 |
Family
ID=18209513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62328372A Expired - Lifetime JPH0724247B2 (ja) | 1987-12-26 | 1987-12-26 | 非晶質合金薄帯巻磁心の熱処理方法とその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0724247B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017183334A (ja) * | 2016-03-28 | 2017-10-05 | 日立金属株式会社 | 巻磁心の磁場中熱処理方法 |
| WO2022131131A1 (ja) * | 2020-12-18 | 2022-06-23 | 株式会社Ifg | 巻鉄心用誘導加熱式熱処理装置およびその熱処理方法 |
| CN117079965A (zh) * | 2023-09-19 | 2023-11-17 | 东莞市昱懋纳米科技有限公司 | 一种提高纳米晶磁芯高频磁导率的热处理方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53146922A (en) * | 1977-05-30 | 1978-12-21 | Hitachi Ltd | Heat treating method for amorphous metal body in magnetic field |
| JPS596360A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-13 | Sony Corp | 非晶質磁性合金の熱処理方法 |
| JPS5954213A (ja) * | 1982-09-22 | 1984-03-29 | Toshiba Corp | 積層磁心の焼鈍方法 |
-
1987
- 1987-12-26 JP JP62328372A patent/JPH0724247B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53146922A (en) * | 1977-05-30 | 1978-12-21 | Hitachi Ltd | Heat treating method for amorphous metal body in magnetic field |
| JPS596360A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-13 | Sony Corp | 非晶質磁性合金の熱処理方法 |
| JPS5954213A (ja) * | 1982-09-22 | 1984-03-29 | Toshiba Corp | 積層磁心の焼鈍方法 |
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| JP2017183334A (ja) * | 2016-03-28 | 2017-10-05 | 日立金属株式会社 | 巻磁心の磁場中熱処理方法 |
| WO2022131131A1 (ja) * | 2020-12-18 | 2022-06-23 | 株式会社Ifg | 巻鉄心用誘導加熱式熱処理装置およびその熱処理方法 |
| CN117079965A (zh) * | 2023-09-19 | 2023-11-17 | 东莞市昱懋纳米科技有限公司 | 一种提高纳米晶磁芯高频磁导率的热处理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0724247B2 (ja) | 1995-03-15 |
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