JPH0117234B2 - - Google Patents

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JPH0117234B2
JPH0117234B2 JP1286081A JP1286081A JPH0117234B2 JP H0117234 B2 JPH0117234 B2 JP H0117234B2 JP 1286081 A JP1286081 A JP 1286081A JP 1286081 A JP1286081 A JP 1286081A JP H0117234 B2 JPH0117234 B2 JP H0117234B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glass bulb
solution
halogen lamp
thin film
titanium dioxide
Prior art date
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Expired
Application number
JP1286081A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS57128455A (en
Inventor
Hirotaka Nakano
Hiroshi Washida
Akira Onoe
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority to JP1286081A priority Critical patent/JPS57128455A/ja
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Publication of JPH0117234B2 publication Critical patent/JPH0117234B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Description

【発明の詳細な説明】
本発明は球状の部分を有するガラスバルブを用
いたハロゲンランプの製造方法に関するものであ
る。 映写機用、スタジオ用、一般照明用、投光用等
のハロゲンランプは、しばしば第1図に示すよう
に、ほぼ球状の部分を有するガラスバルブ1が用
いられている。ガラスバルブ1の材料としては、
石英やホウケイ酸ガラス等が使用されている。バ
ルブ1内には、フイラメント2があり、雰囲気3
として不活性ガスと共に微量のヨウ素、臭素、塩
素、フツ素等のハロゲン物質が封入されている。
電極4は図のような口金あるいはピン状等のもの
が使用されている。 ハロゲンランプのフイラメント2から放射され
るエネルギー強度スペクトルは、第2図に示す如
く、可視光のみならず赤外領域迄広くおよんでお
り、その最大値は赤外領域にある。映写機用、ス
タジオ用、投光用等の照明用光源としては、必要
な光は可視光部だけであり、ガラスバルブ1の外
表面に赤外線カツト・フイルタを設けることが
種々試みられている。これによりハロゲンランプ
からの赤外線の熱線による発熱を抑え、もつて映
写機、スタジオ用機器、照明器具等の小型、軽量
化がなされる。しかしながら、その一部に球状部
を有するガラスバルブの場合は、この表面に均質
な赤外線カツト・フイルタを形成することは容易
ではなかつた。 そこで、本発明は球状の部分を有するガラスバ
ルブの表面に均質な赤外線カツト・フイルタを設
けることが可能なハロゲンランプの製造方法を提
供するものである。 以下図面を参照して本発明の実施例を詳細に説
明する。本発明は第1図に示すような、ハロゲン
ランプにおいて球状の部分6と円柱状部7とを有
するガラスバルブ1の外側にデイツピング法によ
り赤外カツト・フイルタを形成するものである。 高屈折率の誘電体として二酸化チタン、低屈折
率の誘電体として二酸化シリコンを用いる場合に
ついて述べる。二酸化チタンの薄膜形成のため金
属酸化物としてチタン酸エステル、例えばチタン
テトラブトキシド(Ti(OC4H94)を3.4%含むエ
タノールと酢酸エチルの溶液(エタノールと酢酸
エチルの比は9:1)を第1の溶液として用い
る。二酸化シリコンの薄膜形成のためには金属酸
化物としてケイ酸エステルを用いる。ケイ酸エス
テルとしては、例えばケイ酸エチル(Si
(OC2H54)を5.9%含む。メタノールとエタノー
ルを主成分とし、それに酢酸メチルと酢酸エチル
を加えた溶液を第2の溶液として用いる。 デイツピング方法の概要は第3図に示す如くで
ある。即ち、ハロゲンランプ全体を溶液5にデイ
ツプし、次いで、図示しない引上げ装置で引上速
度を制御して引上げるものである。二酸化チタン
膜厚と引上速度の関係は第4図に示す如くであ
り、二酸化シリコンの膜厚と引上速度の関係は第
5図に示す如くである。いずれも引上速度を大き
くすると、膜厚は増加する。 ハロゲンランプバルブ1の外側に赤外線カツ
ト・フイルタを形成する方法は以下の如くであ
る。図示しない引上げ装置に口金4を固定する。
この場合、口金4の部分が下側に向くように固定
する。これは口金4を上に向けると、溶液から引
上げる際にハロゲンランプバルブ1の球状の部分
6での溶液の切れが悪く、この部分だけ膜厚の制
御が出来ず、赤外線カツト・フイルタが形成出来
ないためである。まず第1層目の二酸化チタンの
薄膜形成のために、ハロゲンランプを第1の溶液
にデイツプする。次にハロゲンランプを第1の溶
液より引上げる。このとき、ガラスバルブ1全体
に等しい膜厚が形成されるように、上部の球状の
部分6はゆつくりと引上げ、円柱状部7はそれよ
り速く、引上げる。第6図に二酸化チタンの薄膜
形成のための第1の溶液中での引上速度とガラス
バルブの位置の関係を示す。第1層目の二酸化チ
タン形成のためには第6図の曲線11に示すガラ
スバルブの形成に応じて引上速度を可変したスケ
ジユールで引上げる。なお、上記引上速度はガラ
スバルブ1の球状の部分6の曲率、外径、形状等
の曲面の形態や所望膜厚によつてそれぞれ選べば
よい。 以上の工程によりガラスバルブ1全体に均一な
二酸化チタンの薄膜が形成される。次に例えば大
気中で250℃の熱処理を施こす。すると安定した
強固な二酸化チタンの薄膜が形成される。その膜
厚は約980Åである。次に前記二酸化チタンの薄
膜が形成されたハロゲンランプを第2の溶液中に
デイツプする。以下、二酸化チタンの薄膜を形成
した場合と同様の方法によりハロゲンランプの形
状に応じ引上速度を可変に制御して引上げること
により二酸化チタンの薄膜の上に二酸化シリコン
の薄膜を形成する。二酸化シリコンの場合の引上
げの際にも、ガラスバルブ1全体に等しい膜厚が
形成されるように、上部の球状の部分6はゆつく
りと引上げ、円柱状部7はやや速く引き上げる。
第7図に二酸化シリコンの薄膜形成のための第2
の溶液中での引上速度とガラスバルブの場所の関
係を示す。第2層目の二酸化シリコン形成のため
には第7図の曲線13に示す引上速度を可変した
スケジユールで引上げる。次に例えば大気中250
℃の熱処理を施す。すると、前記二酸化チタンの
薄膜の上に安定な強固な二酸化シリコンの薄膜が
形成される。その膜厚は約1520Åである。 以下同様の方法により二酸化チタンの薄膜と二
酸化シリコンの薄膜の交互層を形成する。尚第3
層目の二酸化チタン薄膜形成のための引上速度ス
ケジユールは第6図曲線12の如くであり、第4
層目の二酸化シリコン薄膜形成のための引上速度
スケジユールは第7図曲線14の如くである。各
層の必要な膜厚は、赤外光をカツト・オフする半
値波長が約700nmであることから決められる。
半値波長700nmに対応する中心波長λ0を設定し、
nd=λ0/4の条件より、各層の膜厚dが決定され る。ここでnは屈折率である。今、二酸化チタン
の屈折率を2.3とすれば、二酸化チタンの薄膜は
980Åであり、二酸化シリコンの屈折率を1.46と
すれば、二酸化シリコンの薄膜は1390Åである。 表1に本実施例の各層の物質の構成と膜厚の関
係を示す。また第8図には、本実施例により得ら
れた赤外線カツト・フイルタ付きのガラスバルブ
の分光透過率曲線を示す。
【表】 また、第9図の曲線15には、本実施例の赤外
線カツト・フイルタを有するハロゲンランプの放
射エネルギー強度の分光分布の測定結果を示す。
参考として赤外線カツト・フイルタを具備しない
ハロゲンランプの場合を曲線16に示す。第9図
より、本発明によるハロゲンランプは、大幅に赤
外領域の光を遮光していることがわかる。 以上本実施例として、高屈折率の誘電体とし
て、二酸化チタンを用いた場合について詳述した
が、二酸化チタンの代りに他の高屈折率の誘電
体、例えば五酸化タンタルや酸化セリウムを用い
てもよい。五酸化タンタルの薄膜形成のための溶
液の溶質としては、塩化タンタル(Tacl5)を用
いれば良く、酸化セリウムの薄膜形成のための溶
液の溶質としては、硝酸セリウム(Ce(NO33
を用いればよい。 また本実施例では、高屈折の誘電体と低屈折率
の誘電体のみを用いた赤外線カツト・フイルタの
場合につき詳述したが、中間の屈折率の誘電体を
所定の層に用いても赤外線カツト・フイルタが形
成されることも、もちろんのことである。例え
ば、ガラス管5側の第1層として二酸化チタン1
0の代りに酸化インジウム(In2O3)酸化イツト
リウム(Y2O3)あるいは酸化ジルコニウム
(ZrO2)等を用いてもよい。例えば、酸化イツト
リウムの薄膜形成のための溶液の溶質としては硝
酸イツトリウム〔Y(NO33〕を用いれば良く、
酸化インジウムの薄膜形成のための溶液の溶質と
しては硝酸インジウム〔In(NO33〕を用いれば
よい。 さらに、ガラスバルブを構成するほぼ球状の部
分は適宜な曲率からなる曲面を有していればよ
い。さらにまた、この部分にランプの排気封縅部
があつてもよく、この封縅部はあまり特性に影響
がないので被膜が形成されていなくてもさしつか
えない。 本発明によればハロゲンランプを構成するほぼ
球状の部分と円柱状部とを有するガラスバルブの
表面に均質な赤外線カツト・フイルタを形成する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は球状の部分を有するバルブを用いたハ
ロゲンランプ、第2図はハロゲンランプからの放
射エネルギー強度の分光分布、第3図は本発明に
よる製造方法の概念図、第4図及び第5図は、そ
れぞれ二酸化チタン及び二酸化シリコンの薄膜形
成のためのデイツプ液の引上速度と膜厚の関係の
一例、第6図及び第7図は、それぞれ本発明によ
る二酸化チタン及び二酸化シリコン形成のための
デイツプ液からの引上速度とガラス外囲器の位置
の関係、第8図は本発明による赤外線カツト・フ
イルタの分光透過率曲線、第9図は従来のハロゲ
ンランプと本発明によるハロゲンランプの放射エ
ネルギー強度の分光分布の比較を示す図である。 1……ガラスバルブ、2……フイラメント、3
……ハロゲンランプ中の雰囲気、4……口金、5
……デイツプ溶液、6……ガラスバルブの球状の
部分、7……ガラスバルブの円柱状部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 ほぼ球状の部分と円柱状部とを備えたガラス
    バルブの外表面に赤外線カツト・フイルタを形成
    する工程を有するハロゲンランプの製造方法にお
    いて、上記工程は、誘電体薄膜を形成するための
    金属化合物を含む溶液中に上記ガラスバルブをデ
    イツプする工程と、上記溶液より引上げる工程
    と、上記溶液より引上げたガラス外囲器を熱処理
    する工程とからなり、前記ガラスバルブを前記溶
    液より引上げる工程は、前記球状の部分を上にし
    て引上げるとともに、前記円柱状部の引上げ速度
    は前記球状の部分のそれよりも速いことを特徴と
    するハロゲンランプの製造方法。
JP1286081A 1981-02-02 1981-02-02 Halogen lamp and method of producing same Granted JPS57128455A (en)

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