JPH01169958A - 半導体パッケージ - Google Patents
半導体パッケージInfo
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- JPH01169958A JPH01169958A JP32692587A JP32692587A JPH01169958A JP H01169958 A JPH01169958 A JP H01169958A JP 32692587 A JP32692587 A JP 32692587A JP 32692587 A JP32692587 A JP 32692587A JP H01169958 A JPH01169958 A JP H01169958A
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- package
- lead
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- semiconductor element
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体パッケージに関し、特に、その外部は接
続用リードを改良することにより当該パッケージ内に収
納された半導体素子を静電破壊から保護する技術に関す
る。
続用リードを改良することにより当該パッケージ内に収
納された半導体素子を静電破壊から保護する技術に関す
る。
従来の半導体パッケージにおける外部接続用のリードは
、その一部が当該パッケージの外部に引き出（露出）さ
れ、その外部に露出したアウターリードと称される部分
をプリント配線基板などの実装用基板のスルーホール導
体部にプラグイン実装したりあるいは基板配線に面装着
実装するという形態がとられている。
、その一部が当該パッケージの外部に引き出（露出）さ
れ、その外部に露出したアウターリードと称される部分
をプリント配線基板などの実装用基板のスルーホール導
体部にプラグイン実装したりあるいは基板配線に面装着
実装するという形態がとられている。
なお、当該パッケージのリード形態について述べた特許
の例としては、特願昭５１−１１４６１号があげられる
。
の例としては、特願昭５１−１１４６１号があげられる
。
しかるに、このように、外部接続用リードをパッケージ
本体の外部Ｋｇ出させておくときには。
本体の外部Ｋｇ出させておくときには。
当該リードが外部からの静電気侵入の接点となっている
ことになる。
ことになる。
そのため、当該パッケージ内部の半導体チップなどの半
導体素子が静電破壊されるということが起る。
導体素子が静電破壊されるということが起る。
当該静電破壊を防止するため、半導体素子における集積
回路に保護抵抗を付設するなどの回路上の対策を施して
いるが、未だ充分ではない。
回路に保護抵抗を付設するなどの回路上の対策を施して
いるが、未だ充分ではない。
本発明はかかる外部接続用リードをもつ半導体パッケー
ジにおいて静電破壊を防止できる技術を提供することを
目的としたものである。
ジにおいて静電破壊を防止できる技術を提供することを
目的としたものである。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
本発明は外部接続用リードを外部に突出させずに、パッ
ケージ内部に内蔵させるよう圧した。
ケージ内部に内蔵させるよう圧した。
当該リードがパッケージ外部に突出していないので、静
電気帯電物との接触の可能性が少なくなり、そのため、
当該リードを介してパッケージ内部の半導体素子へ静電
気を伝達することが少なくなり、当該半導体素子を静電
破壊から保護することができる。
電気帯電物との接触の可能性が少なくなり、そのため、
当該リードを介してパッケージ内部の半導体素子へ静電
気を伝達することが少なくなり、当該半導体素子を静電
破壊から保護することができる。
次に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の実施例を示す半導体パッケージの断面
図、第２図は当該パッケージの斜視図、第３図は当該パ
ッケージの底面図である。
図、第２図は当該パッケージの斜視図、第３図は当該パ
ッケージの底面図である。
同図にて、１はパッケージ、２は外部接続用リード、３
は同リードの折曲部、４は半導体素子（チップ）、５は
ボンディングワイヤ、６は樹脂封止部、７は接続用孔で
ある。
は同リードの折曲部、４は半導体素子（チップ）、５は
ボンディングワイヤ、６は樹脂封止部、７は接続用孔で
ある。
同図に示すように、外部接続用リード２の端部は折曲げ
られ、樹脂封止部６が外部に突出していない。半導体素
子（チップ）４は、例えばシリコン単結晶基板から成り
、周知の技術によってこのチップ内には多数の回路素子
が形成され、１つの回路機能が与えられている。回路素
子の具体例は、例えばＭＯＳトランジスタから成り、こ
れらの回路素子によって、例えば論理回路およびメモリ
の回路機能が形成されている。
られ、樹脂封止部６が外部に突出していない。半導体素
子（チップ）４は、例えばシリコン単結晶基板から成り
、周知の技術によってこのチップ内には多数の回路素子
が形成され、１つの回路機能が与えられている。回路素
子の具体例は、例えばＭＯＳトランジスタから成り、こ
れらの回路素子によって、例えば論理回路およびメモリ
の回路機能が形成されている。
半導体素子４の周辺に配設されたボンディング用電極（
図示せず）と外部接続用リード２の先端部とは図示のよ
うに例えばＡｕＭ＃ｉｌより成るボンディング用ワイヤ
５により電気的に接続されている。当該ボンディングは
例えば超音波ワイヤボンディング法により行われる。
図示せず）と外部接続用リード２の先端部とは図示のよ
うに例えばＡｕＭ＃ｉｌより成るボンディング用ワイヤ
５により電気的に接続されている。当該ボンディングは
例えば超音波ワイヤボンディング法により行われる。
当該ワイヤボンディングにより、半導体素子４内の内部
配線は外部に取り出しされ、外部接続用リード２の折曲
部３で外部との接続が可能となる。
配線は外部に取り出しされ、外部接続用リード２の折曲
部３で外部との接続が可能となる。
当該リード２は、例えばＮｉ−Ｆｅ系合金より成る。
当該パッケージｌは、当該ワイヤボンディング後の組立
品を、トランスファーモールド用金型に入れ、外部接続
用リード２の折曲部３が、パッケージ１内部に内蔵され
るように、例えばエポキシ樹脂などより成る封止用樹脂
をトランスファーモールドすること釦より得ることがで
きる。
品を、トランスファーモールド用金型に入れ、外部接続
用リード２の折曲部３が、パッケージ１内部に内蔵され
るように、例えばエポキシ樹脂などより成る封止用樹脂
をトランスファーモールドすること釦より得ることがで
きる。
第４図は、当該外部接続用リード２がパッケージ１外部
に突出せずに内蔵させた本発明によるパッケージの外部
との接続のためのソケットの断面図を示し、当該ソケッ
ト８ではその内部機構を省略しである。
に突出せずに内蔵させた本発明によるパッケージの外部
との接続のためのソケットの断面図を示し、当該ソケッ
ト８ではその内部機構を省略しである。
第５図は当該ソケット８の斜視図を示す。
これら図に示すように、当該ソケット８では、その上面
に、ビン９が立設（垂設）されているとともに、その下
面にもビン９が下方向に垂設されている。
に、ビン９が立設（垂設）されているとともに、その下
面にもビン９が下方向に垂設されている。
本発明によるパッケージ１のソケット９への実装に際し
ては、パッケージ１の接続用孔７に、ソケット８の上面
に配設されたピン９を差込み、当該ソケット８の下面処
配設されたピン９を、プリント配線基板などの実装用基
板のスルーホールに実装するようにする。
ては、パッケージ１の接続用孔７に、ソケット８の上面
に配設されたピン９を差込み、当該ソケット８の下面処
配設されたピン９を、プリント配線基板などの実装用基
板のスルーホールに実装するようにする。
本発明によれば、外部接続用リード２のアウターリード
部をパッケージ１の外部に突出せずに、樹脂封止部６内
に内蔵させるようにしたので、従来の如くアウターリー
ドを突出する場合に比して、帯電物との接触が少なくな
り、パッケージ１内部に収納された半導体素子４へ静電
気を流すことが少なくなり、従って、半導体素子４の静
電破壊の機会を減少させることができた。
部をパッケージ１の外部に突出せずに、樹脂封止部６内
に内蔵させるようにしたので、従来の如くアウターリー
ドを突出する場合に比して、帯電物との接触が少なくな
り、パッケージ１内部に収納された半導体素子４へ静電
気を流すことが少なくなり、従って、半導体素子４の静
電破壊の機会を減少させることができた。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
以上の説明では本発明をデュアルインラインのパッケー
ジに適用した場合について説明したが、ビングリッドア
レイパッケージなど各種のパッケージに適用することが
できる。
ジに適用した場合について説明したが、ビングリッドア
レイパッケージなど各種のパッケージに適用することが
できる。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとうりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとうりであ
る。
本発明によれば、半導体パッケージにおいてその静電破
壊を防止することのできる技術を提供することができた
。
壊を防止することのできる技術を提供することができた
。
第１図は本発明の実施例を示すパッケージ断面図、
第２図は当該パッケージの斜視図、
第３図は当該パッケージの底面図、
第４図は当該パッケージ実装用のソケットの断面図。
第５図は同ソケットの斜視図である。
１・・・パッケージ、２・・・外部接続用リード、３・
・・リード折曲部、４・・・半導体素子、５・・・ボン
ディング用ワイヤ、６・・・樹脂封止部、７・・・接続
用孔、８・・・ソケット、９・・・ピン。 第 １ 図 第２図 第 ３ 図 ／ 第 ４ 図 β
・・リード折曲部、４・・・半導体素子、５・・・ボン
ディング用ワイヤ、６・・・樹脂封止部、７・・・接続
用孔、８・・・ソケット、９・・・ピン。 第 １ 図 第２図 第 ３ 図 ／ 第 ４ 図 β
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、外部接続用リードをもつ半導体パッケージにおいて
、当該リードを当該パッケージ外部に突出させずに、当
該パッケージ内部に内蔵せしめて成ることを特徴とする
半導体パッケージ。 ２、半導体パッケージが、樹脂封止型とセラミック製半
導体パッケージである、特許請求の範囲第１項記載の半
導体パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32692587A JPH01169958A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 半導体パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32692587A JPH01169958A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 半導体パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01169958A true JPH01169958A (ja) | 1989-07-05 |
Family
ID=18193292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32692587A Pending JPH01169958A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 半導体パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01169958A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08288427A (ja) * | 1995-04-20 | 1996-11-01 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置 |
| JP2010129797A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
-
1987
- 1987-12-25 JP JP32692587A patent/JPH01169958A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08288427A (ja) * | 1995-04-20 | 1996-11-01 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置 |
| JP2010129797A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
| JP4607995B2 (ja) * | 2008-11-28 | 2011-01-05 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
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