JPH01162769A - アモルファスシリコンの形成方法 - Google Patents
アモルファスシリコンの形成方法Info
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- JPH01162769A JPH01162769A JP31863687A JP31863687A JPH01162769A JP H01162769 A JPH01162769 A JP H01162769A JP 31863687 A JP31863687 A JP 31863687A JP 31863687 A JP31863687 A JP 31863687A JP H01162769 A JPH01162769 A JP H01162769A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
アモルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉ：Ｈと略記する）
の形成方法に関し、 明暗抵抗比、緻密度を低下させずに高速成膜を実現でき
るようにすることを目的とし、真空容器内に材料ガスを
導入し、該材料ガスの分解生成物からアモルファスシリ
コンを形成する方法において、前記真空容器内に、一方
が高周波電源に接続され他方が接地された１対の対向す
る電極を設けて、該画電極の間に前処理を施したＷフィ
ラメントを配置し、前記画電極の間に前記高周波電源に
よって発生させたプラズマと、前記Ｗフィラメントを加
熱用電源により赤熱させて発生した熱とによって材料ガ
スを分解する構成とする。
の形成方法に関し、 明暗抵抗比、緻密度を低下させずに高速成膜を実現でき
るようにすることを目的とし、真空容器内に材料ガスを
導入し、該材料ガスの分解生成物からアモルファスシリ
コンを形成する方法において、前記真空容器内に、一方
が高周波電源に接続され他方が接地された１対の対向す
る電極を設けて、該画電極の間に前処理を施したＷフィ
ラメントを配置し、前記画電極の間に前記高周波電源に
よって発生させたプラズマと、前記Ｗフィラメントを加
熱用電源により赤熱させて発生した熱とによって材料ガ
スを分解する構成とする。
本発明はａ−３ｔ：Ｈの形成方法に関する。
従来ａ−Ｓｉ：Ｈは第３図あるいは第４図に示すような
装置で形成されている。これらの装置による成膜は次の
ように行われる。
装置で形成されている。これらの装置による成膜は次の
ように行われる。
第３図は高周波（以下ＲＦと略記する）プラズマＣＶＤ
法によるもので、成膜に際しては、真空容器１内で放電
電極２に対向させて配置された接地電極３に石英または
シリコンウェハ等の基体１０１を配置し、−旦真空容器
ｌ内を高真空度に排気して基体１０１を接地電極３の内
蔵ヒータ４により加熱する。そして、真空容器１内にボ
ンベ５より５ｉｔｌｎ＋ ５ｉｚＨ６等の材料ガスを導
入し、所定のガス圧の下でＲＦ電源６から放電電極２に
供給されるＲＦ電力により材料ガスを分解しプラズマ化
してａ−Ｓｔ：Ｈを基体１０１上に堆積させる。７はＲ
Ｆ電力供給時の反射波低減用のマツチングボックス、８
は材料ガスの流量を調整する流量調整器、９，１０はバ
ルブ、１１及び１２は排気用のメカニカルブースタポン
プ及びロークリポンプ、１３は排気バルブである。
法によるもので、成膜に際しては、真空容器１内で放電
電極２に対向させて配置された接地電極３に石英または
シリコンウェハ等の基体１０１を配置し、−旦真空容器
ｌ内を高真空度に排気して基体１０１を接地電極３の内
蔵ヒータ４により加熱する。そして、真空容器１内にボ
ンベ５より５ｉｔｌｎ＋ ５ｉｚＨ６等の材料ガスを導
入し、所定のガス圧の下でＲＦ電源６から放電電極２に
供給されるＲＦ電力により材料ガスを分解しプラズマ化
してａ−Ｓｔ：Ｈを基体１０１上に堆積させる。７はＲ
Ｆ電力供給時の反射波低減用のマツチングボックス、８
は材料ガスの流量を調整する流量調整器、９，１０はバ
ルブ、１１及び１２は排気用のメカニカルブースタポン
プ及びロークリポンプ、１３は排気バルブである。
また、第４図はＷフィラメントを用いたＣＶＤ法による
もので、２１はリング状のＷフィラメントである。なお
、第３図と同様の部材には第３図と同様の符号を付して
いる。成膜に際しては、Ｗフィラメント２１を図示しな
い加熱源により１２００℃程度に赤熱させ、この発熱に
より、ボンベ５から供給される材料ガスを所定圧力の下
でプラズマ化して成膜が行われる。
もので、２１はリング状のＷフィラメントである。なお
、第３図と同様の部材には第３図と同様の符号を付して
いる。成膜に際しては、Ｗフィラメント２１を図示しな
い加熱源により１２００℃程度に赤熱させ、この発熱に
より、ボンベ５から供給される材料ガスを所定圧力の下
でプラズマ化して成膜が行われる。
ところで、これらの従来の方法でａ−５ｉ：Ｈを高速成
膜するために真空容器内の圧力を約Ｑ、 ５ ｔｏｒｒ
以上と高くすると、真空容器内に多量の粉が発生する。
膜するために真空容器内の圧力を約Ｑ、 ５ ｔｏｒｒ
以上と高くすると、真空容器内に多量の粉が発生する。
この粉は、基体や膜成長表面に付着すると膜に欠陥を生
じさせるばかりでなく、インライン方式の真空容器にお
いては２つの真空容器間の真空シールができなくなる原
因となる。
じさせるばかりでなく、インライン方式の真空容器にお
いては２つの真空容器間の真空シールができなくなる原
因となる。
そこで、第３図のＲＦプラズマＣＶＤ装置では、この粉
発生を防ぐために圧力を０．２ ｔｏｒｒ以下と低くし
なければならず、この低圧化はａ−５ｉ：Ｈの成膜速度
を著るしく低下させるため、一般にＲＦ電力を大きくし
たり、ガス流量を増やすといった方法がとられている。
発生を防ぐために圧力を０．２ ｔｏｒｒ以下と低くし
なければならず、この低圧化はａ−５ｉ：Ｈの成膜速度
を著るしく低下させるため、一般にＲＦ電力を大きくし
たり、ガス流量を増やすといった方法がとられている。
ところが、ＲＦ電力を高くするとプラズマ中に高エネル
ギイオンの増加やプラズマ電位増加による基板方向への
イオンの加速が大きくなり、成長膜にダメージを与え、
欠陥発生の原因となる。また、材料ガスの流量を非常に
多くすると、ａ−ＳｉｓＨ中に（−３ｉＨｚ−）ｎやＳ
ｉ −Ｉｆ ３結合が増加し、明暗抵抗比の低下や膜
の緻密度低下の原因となる。
ギイオンの増加やプラズマ電位増加による基板方向への
イオンの加速が大きくなり、成長膜にダメージを与え、
欠陥発生の原因となる。また、材料ガスの流量を非常に
多くすると、ａ−ＳｉｓＨ中に（−３ｉＨｚ−）ｎやＳ
ｉ −Ｉｆ ３結合が増加し、明暗抵抗比の低下や膜
の緻密度低下の原因となる。
また、第４図のＷフィラメントによるａ−Ｓｉ：Ｈの成
膜方法の場合は、材料ガスの流量を多（すると、膜中に
Ｗや酸素が取り込まれたり、緻密度が低下し明暗抵抗比
が１０２〜１０’と小さくなるといった問題が生じてい
た。
膜方法の場合は、材料ガスの流量を多（すると、膜中に
Ｗや酸素が取り込まれたり、緻密度が低下し明暗抵抗比
が１０２〜１０’と小さくなるといった問題が生じてい
た。
本発明は明暗抵抗比、緻密度を低下させずに高速成膜を
実現することのできるアモルファスシリコン膜の形成方
法を提供することを目的とするものである。
実現することのできるアモルファスシリコン膜の形成方
法を提供することを目的とするものである。
上述の問題点を解決するため、本発明では、真空容器内
に材料ガスを導入し、該材料ガスの分解生成物からアモ
ルファスシリコンを形成する方法において、前記真空容
器内に、一方が高周波電源に接続され他方が接地された
１対の対向する電極を設けて、該画電極の間に前処理を
施したＷフィラメントを配置し、前記画電極の間に前記
高周波電源によって発生させたプラズマと、前記Ｗフィ
ラメントを加熱用電源により赤熱させて発生した熱とに
よって材料ガスを分解するように構成する。
に材料ガスを導入し、該材料ガスの分解生成物からアモ
ルファスシリコンを形成する方法において、前記真空容
器内に、一方が高周波電源に接続され他方が接地された
１対の対向する電極を設けて、該画電極の間に前処理を
施したＷフィラメントを配置し、前記画電極の間に前記
高周波電源によって発生させたプラズマと、前記Ｗフィ
ラメントを加熱用電源により赤熱させて発生した熱とに
よって材料ガスを分解するように構成する。
本発明のアモルファスシリコン形成方法では、上述のよ
うに赤熱したＷフィラメントとＲＦプラズマの併用励起
によってガス分解効率を高め、その結果としてアモルフ
ァスシリコンを形成して基体等の上に堆積させるもので
ある。従って、本発明に係るアモルファスシリコン形成
方法では、高速成膜のためにＲＦ電力を高くしないため
高エネルギイオン数やプラズマ電位の増加が起こらず、
また流量を増やした場合に、分解効率が良いため膜中の
（−５ｉＨ２−）ｎや５ｉ）ｌｘ結合の増加が少ない。
うに赤熱したＷフィラメントとＲＦプラズマの併用励起
によってガス分解効率を高め、その結果としてアモルフ
ァスシリコンを形成して基体等の上に堆積させるもので
ある。従って、本発明に係るアモルファスシリコン形成
方法では、高速成膜のためにＲＦ電力を高くしないため
高エネルギイオン数やプラズマ電位の増加が起こらず、
また流量を増やした場合に、分解効率が良いため膜中の
（−５ｉＨ２−）ｎや５ｉ）ｌｘ結合の増加が少ない。
さらに、Ｗフィラメントの表面処理によって不純物混入
を除くことができ、且つＲＦプラズマ中の粒子による弱
い衝撃が緻密度向上の原因となり、良質のアモルファス
シリコンが得られる。
を除くことができ、且つＲＦプラズマ中の粒子による弱
い衝撃が緻密度向上の原因となり、良質のアモルファス
シリコンが得られる。
以下、第１図及び第２図に関連して本発明の詳細な説明
する。
する。
第１図は本発明のａ−５ｉ：Ｈの形成方法を適用するた
めの装置の概要図で、図中、３１は加熱用電源３２によ
り赤熱状態に加熱されるＷフィラメントである。なお、
従来と同様の部材には従来と同様の符号を付している。
めの装置の概要図で、図中、３１は加熱用電源３２によ
り赤熱状態に加熱されるＷフィラメントである。なお、
従来と同様の部材には従来と同様の符号を付している。
Ｗフィラメント３１は、前処理として５ｉＪ６中で赤熱
し表面にａ−５ｉを堆積させたもので、電極２゜３の間
に配置されている。
し表面にａ−５ｉを堆積させたもので、電極２゜３の間
に配置されている。
成膜に際しては、まずＮ極３の電極２に対向する面に基
体１０１をセントし、排気バルブ１３を全開にしてポン
プ１１．１２により真空容器ｌ内を排気する。そして、
真空容器１内の圧力が１×１０−’ｔｏｒｒ以下になる
ように真空排気した後、ヒータ４及びＷフィラメント３
１によって基体１０１の温度が２５０℃になるように加
熱する。基体１０１の温度が２５０℃になったところで
一度Ｗフィラメント３１の加熱用電源３２を切り、次に
、バルブ９，１０と流量調整器８を通してボンベ５内の
５ｉＪ６を’ｌ、 Ｑ ｓｃｃｍ流し、排気バルブ１３
を全開から少し絞って真空容器１内の圧力が０．２０ｔ
ｏｒｒになるように調整する。この状態で、周波数１３
．５６ＭＨｚのＲＦ電源６から放電電極２にＲＦ電力５
．ＯＷを供給し、マツチングボックス７で反射波を低減
させた直後に、Ｗフィラメント３１を１２００℃に赤熱
した。このようにして、赤熱したＷフィラメント３１の
熱とＲＦプラズマ中の電子によって５ｉｚｌ１６を励起
、分解してａ−５ｉ：Ｈを基体１０１に堆積させること
ができた。この場合、併合励起によってガス分解効率が
高まるので、高速成膜のためにＲＦ電力を高くする必要
はなく、高エネルギイオン数やプラズマ電位の増加は起
らない。また、流量を増やしても、分解効率が良いため
膜中の（−５ｉＨｚＪ□や５ｉＨ１結合の増加は少ない
。さらに、Ｗフィラメントの表面処理によって不純物混
入を防ぐことができ、且つＲＦプラズマ中の粒子による
弱い衝撃が緻密向上の原因となる。従って、良質のａ−
Ｓｉ：Ｈを高速成膜することが可能である。これらの効
果を実験結果に基づいて説明すると次の通りである。
体１０１をセントし、排気バルブ１３を全開にしてポン
プ１１．１２により真空容器ｌ内を排気する。そして、
真空容器１内の圧力が１×１０−’ｔｏｒｒ以下になる
ように真空排気した後、ヒータ４及びＷフィラメント３
１によって基体１０１の温度が２５０℃になるように加
熱する。基体１０１の温度が２５０℃になったところで
一度Ｗフィラメント３１の加熱用電源３２を切り、次に
、バルブ９，１０と流量調整器８を通してボンベ５内の
５ｉＪ６を’ｌ、 Ｑ ｓｃｃｍ流し、排気バルブ１３
を全開から少し絞って真空容器１内の圧力が０．２０ｔ
ｏｒｒになるように調整する。この状態で、周波数１３
．５６ＭＨｚのＲＦ電源６から放電電極２にＲＦ電力５
．ＯＷを供給し、マツチングボックス７で反射波を低減
させた直後に、Ｗフィラメント３１を１２００℃に赤熱
した。このようにして、赤熱したＷフィラメント３１の
熱とＲＦプラズマ中の電子によって５ｉｚｌ１６を励起
、分解してａ−５ｉ：Ｈを基体１０１に堆積させること
ができた。この場合、併合励起によってガス分解効率が
高まるので、高速成膜のためにＲＦ電力を高くする必要
はなく、高エネルギイオン数やプラズマ電位の増加は起
らない。また、流量を増やしても、分解効率が良いため
膜中の（−５ｉＨｚＪ□や５ｉＨ１結合の増加は少ない
。さらに、Ｗフィラメントの表面処理によって不純物混
入を防ぐことができ、且つＲＦプラズマ中の粒子による
弱い衝撃が緻密向上の原因となる。従って、良質のａ−
Ｓｉ：Ｈを高速成膜することが可能である。これらの効
果を実験結果に基づいて説明すると次の通りである。
上述のＷフィラメント３１の前処理（Ｓｉ２Ｈ６中での
赤熱）時間Ｔ、を変えたときの、■本発明によるａ−３
ｉ：Ｈの明暗抵抗比と、■本発明によるａ−３ｔ：）ｌ
の成膜速度をＲＦプラズマ単独励起によるａ−５ｉ：Ｈ
の成膜速度で割った値ｒＤ、Ｒ，（成膜時間１５分間）
との変化は次の表１に示す通りである。
赤熱）時間Ｔ、を変えたときの、■本発明によるａ−３
ｉ：Ｈの明暗抵抗比と、■本発明によるａ−３ｔ：）ｌ
の成膜速度をＲＦプラズマ単独励起によるａ−５ｉ：Ｈ
の成膜速度で割った値ｒＤ、Ｒ，（成膜時間１５分間）
との変化は次の表１に示す通りである。
表１：明暗抵抗比、成膜速度のＷフィラメント前処理時
間依存性 Ｔ’、：Ｗフィラメント前処理（ＳｉＪ６中赤熱）時間
ρｄ ：暗抵抗 ρ２ ：明抵抗（白熱電球１ｍＷ／ｃｎ０この表１から
明らかなように、Ｗフィラメント表面の前処理が３分以
上のとき明暗抵抗比が１０’以上となり、９０分と長く
すると、成膜速度がＲＦプラズマとほぼ同じになってし
まう。この前処理を行ったときのＷフィラメント温度は
成膜時と同じ１２００℃で、本発明の成膜を同じ時間行
うと同様の結果が得られた。従って、本実施例のａ−Ｓ
ｔ：Ｈの形成は、温度１２００℃のとき前処理を５分間
行ったＷフィラメントを約４０〜９０分間励起源として
用いるのが適当である。
間依存性 Ｔ’、：Ｗフィラメント前処理（ＳｉＪ６中赤熱）時間
ρｄ ：暗抵抗 ρ２ ：明抵抗（白熱電球１ｍＷ／ｃｎ０この表１から
明らかなように、Ｗフィラメント表面の前処理が３分以
上のとき明暗抵抗比が１０’以上となり、９０分と長く
すると、成膜速度がＲＦプラズマとほぼ同じになってし
まう。この前処理を行ったときのＷフィラメント温度は
成膜時と同じ１２００℃で、本発明の成膜を同じ時間行
うと同様の結果が得られた。従って、本実施例のａ−Ｓ
ｔ：Ｈの形成は、温度１２００℃のとき前処理を５分間
行ったＷフィラメントを約４０〜９０分間励起源として
用いるのが適当である。
本実施例による５分間前処理Ｗフィラメントを用いて得
られたシリコンウェハ上に堆積したａ−９ｉ：Ｈ膜のフ
ーリエ赤外分光ＦＴ−ＩＲスペクトルを第２図に示す。
られたシリコンウェハ上に堆積したａ−９ｉ：Ｈ膜のフ
ーリエ赤外分光ＦＴ−ＩＲスペクトルを第２図に示す。
本図に明らかなように、ＦＴ−ＩＲスペクトルは２００
０ｃｍ−’にピークをもっており、水素結合状態は５ｔ
−Ｈが主体となっていることが分る。従って、本発明の
ａ−５ｔ：Ｈの形成方法によれば、（−Ｓｉｌｌｚ−）
ｎやＳｉＨ＋結合を含まない明暗抵抗比１０４以上のａ
−３ｉ：ｌ（をＲＦプラズマＣＶＤより速い成膜速度で
得ることができる。
０ｃｍ−’にピークをもっており、水素結合状態は５ｔ
−Ｈが主体となっていることが分る。従って、本発明の
ａ−５ｔ：Ｈの形成方法によれば、（−Ｓｉｌｌｚ−）
ｎやＳｉＨ＋結合を含まない明暗抵抗比１０４以上のａ
−３ｉ：ｌ（をＲＦプラズマＣＶＤより速い成膜速度で
得ることができる。
上述の説明では、Ｗフィラメント３１をＳｉ２Ｈ６中で
赤熱させて前処理する例について述べたが、次に、Ｗフ
ィラメント３１の前処理を５ｔｚＨ６のＲＦプラズマ中
にさらして行う例について説明する。
赤熱させて前処理する例について述べたが、次に、Ｗフ
ィラメント３１の前処理を５ｔｚＨ６のＲＦプラズマ中
にさらして行う例について説明する。
このような条件で行うＷフィラメント３１の前処理の時
間Ｔ２を変えたときの、■本発明によるａ−Ｓｉ：Ｈの
明暗抵抗比と、■本発明によるａ−５ｉ：Ｈの成膜速度
をＲＦプラズマ単独励起によるａ−５ｔ：Ｉｆの成膜速
度で割った値ｒ、、＊、（成膜１５分間）との変化は次
の表２に示す通りである。
間Ｔ２を変えたときの、■本発明によるａ−Ｓｉ：Ｈの
明暗抵抗比と、■本発明によるａ−５ｉ：Ｈの成膜速度
をＲＦプラズマ単独励起によるａ−５ｔ：Ｉｆの成膜速
度で割った値ｒ、、＊、（成膜１５分間）との変化は次
の表２に示す通りである。
表２：明暗抵抗比、成膜速度のＷフィラメント前処理時
間依存性 Ｔ、：Ｗフィラメント前処理（Ｓｉ２Ｈ，プラズマ中放
置）時間 ρｄ ：暗抵抗。
間依存性 Ｔ、：Ｗフィラメント前処理（Ｓｉ２Ｈ，プラズマ中放
置）時間 ρｄ ：暗抵抗。
ρ、：明抵抗（白熱電球１ｍ葬／ｃｆｌｌ）ここで施し
た前処理は、５ｉｚＨ６２，Ｏ５ＣＣＩＩ１％ ＲＦ電
力５．０ Ｗ、圧力０．２０ ｔｏｒｒの条件下で行っ
たものである。
た前処理は、５ｉｚＨ６２，Ｏ５ＣＣＩＩ１％ ＲＦ電
力５．０ Ｗ、圧力０．２０ ｔｏｒｒの条件下で行っ
たものである。
表２から明らかなように、Ｗフィラメント表面の前処理
が１０分以上のとき明暗抵抗比は１０’以上となる。
が１０分以上のとき明暗抵抗比は１０’以上となる。
この前処理では、前処理時間が長くなってもａ−Ｓ ｉ
： Ｉｆの成膜速度の低下を非常に小さくできる。こ
の原因は、Ｗフィラメント表面に堆積した膜の厚さが５
ｉＪａガス中で行う先の処理条件の場合より非常に薄い
ために生じていることがマイクロメータによるＷフィラ
メントの太さ測定から明らがとなった。そして、この処
理では、先の処理条件の場合より薄い膜の堆積によって
Ｗの膜中への混入を防ぐことができた。
： Ｉｆの成膜速度の低下を非常に小さくできる。こ
の原因は、Ｗフィラメント表面に堆積した膜の厚さが５
ｉＪａガス中で行う先の処理条件の場合より非常に薄い
ために生じていることがマイクロメータによるＷフィラ
メントの太さ測定から明らがとなった。そして、この処
理では、先の処理条件の場合より薄い膜の堆積によって
Ｗの膜中への混入を防ぐことができた。
但し、先の前処理はより短時間に容易に処理できる長所
を持っており、必要に応じて両方の前処理を使い分ける
ことが望ましい。
を持っており、必要に応じて両方の前処理を使い分ける
ことが望ましい。
以上述べたように、本発明によれば、従来低い、圧力で
ａ−Ｓｉ：）ｌを高速成膜しようとする場合に生じてい
た明暗抵抗比の著るしい低下や、膜中の（−３ｉＨ□−
）ｆｉ、ＳｉＨ３等の水素結合増加を起さずに成膜速度
を向上させることが可能である。
ａ−Ｓｉ：）ｌを高速成膜しようとする場合に生じてい
た明暗抵抗比の著るしい低下や、膜中の（−３ｉＨ□−
）ｆｉ、ＳｉＨ３等の水素結合増加を起さずに成膜速度
を向上させることが可能である。
第１図は本発明の実施例のａ−Ｓｉ ：Ｈ膜の形成方法
を適用するための装置の概要図、 第２図は本発明の実施例のａ−Ｓｉ：Ｈ膜のフーリエ赤
外分光スペクトルを示すグラフ、 第３図は従来のａ−３ｉ：）Ｉ膜形成に使用される装置
の概要図、 第４図は従来のａ−３ｉ：Ｈ膜形成に使用される他の装
置の概要図で、 図中、 １は真空容器、 ２．３は電極、 ６はＲＦ電源、 ３１はＷフィラメント、 ３２は加熱用電源、 １０１は基体である。
を適用するための装置の概要図、 第２図は本発明の実施例のａ−Ｓｉ：Ｈ膜のフーリエ赤
外分光スペクトルを示すグラフ、 第３図は従来のａ−３ｉ：）Ｉ膜形成に使用される装置
の概要図、 第４図は従来のａ−３ｉ：Ｈ膜形成に使用される他の装
置の概要図で、 図中、 １は真空容器、 ２．３は電極、 ６はＲＦ電源、 ３１はＷフィラメント、 ３２は加熱用電源、 １０１は基体である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、真空容器（１）内に材料ガスを導入し、該材料ガス
の分解生成物からアモルファスシリコンを形成する方法
において、 前記真空容器（１）内に、一方が高周波電源（６）に接
続され他方が接地された１対の対向する電極（２、３）
を設けて、該電極（２、３）の間に前処理を施したＷフ
ィラメント（３１）を配置し、前記電極（２、３）の間
に前記高周波電源（６）により発生させたプラズマと、
前記Ｗフィラメント（３１）を加熱用電源（３２）によ
り赤熱させて発生した熱とによって材料ガスを分解する
ことを特徴とするアモルファスシリコンの形成方法。 ２、Ｗフィラメント（３１）の前処理が、ＳｉＨ＿４、
Ｓｉ＿２Ｈ＿６等含有のガス雰囲気中における赤熱であ
る特許請求の範囲第１項記載のアモルファスシリコンの
形成方法。３、Ｗフィラメント（３１）の前処理が、Ｓ
ｉＨ＿４、Ｓｉ＿２Ｈ＿６等含有のガスをプラズマ化し
た中にさらすことにより行われる特許請求の範囲第１項
記載のアモルファスシリコンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31863687A JPH01162769A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | アモルファスシリコンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31863687A JPH01162769A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | アモルファスシリコンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01162769A true JPH01162769A (ja) | 1989-06-27 |
Family
ID=18101348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31863687A Pending JPH01162769A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | アモルファスシリコンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01162769A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1004886C2 (nl) * | 1996-12-23 | 1998-06-24 | Univ Utrecht | Halfgeleiderinrichtingen en werkwijze voor het maken daarvan. |
| WO2002025712A1 (fr) * | 2000-09-14 | 2002-03-28 | Japan As Represented By President Of Japan Advanced Institute Of Science And Technology | Dispositif de depot chimique en phase vapeur (cvd) a element chauffant |
-
1987
- 1987-12-18 JP JP31863687A patent/JPH01162769A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1004886C2 (nl) * | 1996-12-23 | 1998-06-24 | Univ Utrecht | Halfgeleiderinrichtingen en werkwijze voor het maken daarvan. |
| WO1998028463A1 (en) * | 1996-12-23 | 1998-07-02 | Debye Instituut, Universiteit Utrecht | Semiconducting devices and method of making thereof |
| WO2002025712A1 (fr) * | 2000-09-14 | 2002-03-28 | Japan As Represented By President Of Japan Advanced Institute Of Science And Technology | Dispositif de depot chimique en phase vapeur (cvd) a element chauffant |
| US6593548B2 (en) | 2000-09-14 | 2003-07-15 | Japan As Represented By President Of Japan Advanced Institute Of Science And Technology | Heating element CVD system |
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