JPH01159849A - 非晶質膜磁気光学記録媒体 - Google Patents

非晶質膜磁気光学記録媒体

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JPH01159849A
JPH01159849A JP27339688A JP27339688A JPH01159849A JP H01159849 A JPH01159849 A JP H01159849A JP 27339688 A JP27339688 A JP 27339688A JP 27339688 A JP27339688 A JP 27339688A JP H01159849 A JPH01159849 A JP H01159849A
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JP
Japan
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medium
rare earth
selenium
platinum
transition metal
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Application number
JP27339688A
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English (en)
Inventor
Boris J Muchnik
ボリス・ジエー・マツチニク
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Kerdix Inc
Original Assignee
Kerdix Inc
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10582Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
    • G11B11/10586Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material

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  • Thin Magnetic Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 孝業上の利用分野 本発明は、磁気光学記録媒体、特に改良されt耐環境安
定度を有する磁気光学記録媒体に関する。
従来の技術 磁気光学記録技術に、光学記録の高トラツク密度の利点
上、移動可能な媒体で記録する慣用の磁気ディスクの消
去能力と結合する。このようなフィルム(記録媒体)上
の情報の記@は、同フィルムの表面に対して変調レーデ
ビームを当てることによって行われ、この際レーデビー
ムパワーは同フィルム七局部的に同フィルムのキュリー
温度l友は補償点温度に加熱するのに十分であシ、かく
してその位置で同フィルムの磁化方向を切換える。次に
同フィルムの所望の位置で情報を読取る九めにカー効果
またはファラデー効果全使用することができる。つ1#
)ある偏光を有する元ビームは、同ビームが記録媒体に
当友る位置で該媒体の磁化に応じて該媒体を通過するか
1tは同媒体によって遮断される。
最近15年間の磁気光学的記録における関心は大部分希
土類遷移金属(RETM )合金(例えばガドリニウム
1tはテルビウムと鉄、コバルトまたはニッケルとの合
金)の使用に集中してい友か、引続きテヨードハリー(
Chaudhari )等(米国特許第3,949,3
87号および同第3.965,463号明細りによって
、前記の記録用合金か比較的安定な非晶質膜として通常
の支持体上に付着されかつ該合金が垂直方向異方性、つ
1り膜面に対して垂直方向の磁化の容易軸(easy 
axis ) k有するという基礎的発見がなδれた。
前記非晶質膜は磁気光学的記録にとって有利である、そ
れというのも核非晶質膜は多結晶質粒子ノイズ(gra
in noise )を除去し、任意の種類の支持体上
に施されて広範囲の組成全提供するために適合されうる
からである。このような合金材料の使用は例えば西独国
特許出願公開第3,309,483号に記載されている
しかしながら、前記u1合金を使用する磁気光学媒体の
限界の一つは、同媒体の限定され友耐塊壇安定度である
ことが判明した。有意な崩壊メカニズムは磁気光学的活
性層の酸化である。
希土類元素は特に酸化しゃ丁い。
このような酸化を防止する九めに、例えばオカダ等(T
echnical Digest 、  Topica
l Meetingon 0ptical Data 
Storage 、 1987年6月11〜17日、1
23〜126頁)は保護層全便用することを開示してい
る。テラオ等(sprEProceedings 、 
vol、 382 、0ptical DataSto
rage 、 1983年1月17〜20日)は、テル
ルまたはビスマスの光学記811fXにセレンを添加す
ることを開示している。前記膜に対するセレンの効果は
予測できなかつ友。セレンはテルル膜の耐酸化性上改善
するか、ビスマス膜の耐酸化性は改善しなかつ友。さら
にテルル膜の耐酸化性の改善はノイズの増大および膜の
亀裂も伴った。イマムラ等(@Magneto −Op
ticalRecordingon Amorphou
s Films ”  IIICEETranaact
ions on Magnetics 、 vol、 
 MAG−21゜No、 5 *  1985年9月)
は、piが酸化上防止する安定な不動態金形放する傾向
を有するという理論に基いて、耐酸化性で増大するkめ
にTbFe膜にpi8 ’A k添加することを開示し
ている。しかしイマムラ等は、増大された耐酸化性が搬
送波/雑音(C/N)比のような性能特性の重大な劣化
なしにpt B 1の磁化によって達成されうることt
示すデータを提供していない。
実際は、TbFe膜へのPt s優の添加は間膜の保磁
力および搬送波/雑音(C/N)比には不利に作用する
。イマムラ等はTbFeCo膜にpt2添加することに
よってもつと良好な効果か得られる可能性のあることt
述べている、それというのもこのような組成はわずかに
高いC/N比を有するかうである。しかしTbFeCo
膜に関してはデータが提示されていない。
発明が解決しようとする問題点 従って本発明の目的は、磁気光学記録媒体の磁気的lた
は物理的特性に不利な影%’l−与えることなく、該媒
体で使用されるRETM合金の耐環境安定度を改善する
ことである。
1友本発明の他の目的は、磁気光学記録媒体の磁気的1
tは物理的特性に不利な影#を与えることな(、RET
M合金を基材とし九改良磁気光学記録媒体を提供するこ
とである。
問題点を解決するための手段 前記目的は、ye、 co : G(lおよびTl)か
ら成る群から選択された少なくとも1棟の成分;お! 
ヒ約0.7〜5原子パーセントの白金および約1〜10
原子パーセントのセレンかう成る群から選択され友少な
くとも1種の成分を包含する希土類遷移金属合金から成
る非晶質膜の表面に対して垂直の、容易に磁化可能の軸
を有する非晶質膜磁気光学記録媒体によって達成される
有利な実施態様の場合には、白金のfは約O67〜3.
0原子パーセントであるか1几はセレンの:Fl:は約
1〜5原子パーセントである。特に有利な実施態様では
白金1友はセレンのtは約1原子パーセントである。本
発明による有利な膜はさらに希土類遷移金属合金の両面
上に保響物質、例えば窒化珪素の層を有する。2個のこ
れらの窒化珪素層は有利には同じ厚さを有するう本発明
の他の目的、特徴および利点は吹下の詳細な説明から明
らかになるであろう。しかし本発明の有利な実施態様全
示しながら詳細に」明した記載は、例として与えられて
いるに過ぎない。それというのも本発明の精神および範
囲内の棟々の変更および変化は、このような記載から白
業者には明らかになるからである。
RETM合金へのptt友はBeの添加によシ耐環境性
が改善とれるとめう事実は本発明以前には判っていなか
つ九。PE’I’Mの組成に若干の調節?胞子場合、若
干のパーセントのptおよび/またはSe2!i−添加
して、記録媒体の性能特性に不利な影響上役ぼ丁ことな
く耐環境安定性を・増大式せることがでさることか、本
発明に二つて見出され几。
本発明によれば、RETM合金は有利にはTbFeCo
合金、GdFeCo合金およびTbGdFeCo合金で
ある。pt 2約5L41で添加することかできるが、
性能特性の損失は若干の場合にはわずか3チの量しか認
められない。1幅以下のptt添加するのが極めて有利
である。8eの場合には、104’ffiで添加するこ
とができるが、−般には5チ以下の量が有利であり、極
めて有利には6チ以下である。所望の改稗會な丁には2
チまたは1係以下のSe量で十分である。
本発明による有利な組成に、次式: %式% 〔式中a”0.7〜3;b−1〜5、x−22〜27、
y−6〜10〕によって表わ丁ことかできる。
白金lたはセレン七本発明の希土類遷移金属合金に添加
すると、希土類/遷移金属比は相当に乱される。この系
においては白金は強磁性物質として働くように見える。
この効果全考慮することなく白金を標章的希土類遷移金
属合金に添加すると、保磁力の損失が起きて媒体の性能
上着しく減少させる。この保磁力の損失全補償して媒体
の性能を維持する九めにはテルビウムを加えなければな
らない。この効果は全く予想されなかつ九。
本発明によるRBTM記録)−の特定の有利な組成の例
は以下のとおりである: Tb22Fe68CO6から成る三元組成から始する場
合には、室温近くで補償全維持する几めには、1原子パ
ーセントのptの添加は約2原子パーセントのテルビク
ム世の増大勿要求する。これによって約(Tb24Fe
68CO6) 99 Ptlの組成が得られる。l几白
金鷺のさらなる増大は磁気光学層の改善された安定性と
C/Hの崩壊との間のトレードオフを表わ丁。性能の諸
要求および操作環境に依るとこのような白金量の増大か
窒讐しい。有利な組成は(Tb2aFegeCO8)o
ePtgおよび(Tb2.Fe、、C08) Q、Pt
、である。
有利なRETM合金か四元GdTbFeCoである場合
にも、保磁力およびC/Rに対する同様な効果が認めら
れる。しかしGd / Tb比は感度t−調節する他の
手段である。M、)!、クライダー(Kryder )
等によれば(’ Control ofParamet
ers in Rare Earth −Transi
tionMetall A11oys for Mag
neto−OpticalRecording Med
ia”、IEBE Tranaactions ofM
agnetics 、MAG −23(1)、1987
年1月、165〜167頁)、このGd / Tt)比
は補償近くの温度に対する保磁力の特異性の幅に影Vt
−及ぼす。従ってGd / ’I’b比を増大すること
によって感度を改善することができる。トレードオフは
RE、 / TM比に関しては組成臨界の増大であり、
温度に関しては安定性の減少である。
補償を維持する几めには、三元合金の場合と同様にテル
ビウムのtt−増大しなければならない。1九三元合金
の場合と同様により多量の白金を1性能要求および操作
環境に依存して加えてもよい。有利な組53!は (Gd1pTbx*Fe+RCOs70oPtx %(
Gd1zTbx3FeayCO8)oePtg  およ
び(Gd13TJ aFe6scOs70yPts  
である0三元合金に添加すべき元素がセレンである場合
には、有用な組成は(Tb2*Fe〒oCos)sg8
e1、(Tb2*Fe〒oCos)su+se*  %
  (Tb2*Fe〒oCos70ass4および(T
bzpF’tsroCo870xBenである。
コバルト量の変化する効果は周知である。コバルトの増
加はキュリー@度およびカー角金増大嘔せる。従って本
発明でコバルトを増加させることはC/R’(1−増大
させると予想される。しかし1次前記のような添加は、
書込み力の要求全増大させるであろう、これは技術の現
状によって与えられる限定要因である。コパル)k増加
させることは、より大きい書込み力が利用できるので性
能の改善にとって可能な選択である。
感度を維持する九めには、このようなコバルトの増加は
()d / Tb比の増大を伴う。代表的な組成は(G
dxeTb?FeasCozz70ePtgである0本
発明による磁気光学記碌媒体’tm造する几めに使用す
る支持体は、商業的に入手できる直径160朋で、厚さ
1.2#llIの射出成形ポリカーボネートディスクで
ある。このような支持体は、材料中の応力による複屈折
t−i小にするtめに注意深く成形逼れていて、深さ約
70a%幅600 nmで、トラックぜツテ1.6μm
t−有する成形され交線旋状溝を有している。ポリカー
ボネートディスクが光学的にアドレスされるように溝付
面上に磁気元学層勿施し九〇これによりに結合して両面
ディスク七農造することができる。′!!几実験目的の
ためには、コーニング(Corning )マイクロカ
バースライド上に磁気光学層を付着嘔せmo 代表的には、本発明による層’に**させる前に、支持
体から水分全除去し、この支持体全公知法により中和ア
ルゴンビームによって僅かにエッチする。
この支持体上に1標準マグネトロンスパツタリング装置
で白金1九はセレンの混入されt希土類遷移金属合金を
スパッターして付着嘔セる。
−!九マグネトロンスパッタリングおよび反応マグネト
ロンスパッタリング用に改良した拡散ポンプ真空装置(
例えばBa1zers’ BAK 760 )全使用し
てもよい。1個以上のスパッター源を用いてもよく、こ
れは確かに、希土類遷移合鴨合金のスパッタリング前ま
たは債に付加層、例えば誘電性保護層全スパッターする
場合である。
実験目的の九めに使用する装置は、ターゲット上音通過
する円軌道にディスクを乗せながら支持体の回転運動を
与える、6個の遊星を有する水平遊星歯車装[’に有す
る。
実験目的のために、異なる量の白金1次はセレンを含有
する試料’i、Feターゲットの表面に施され7jCo
、Tbおよび71次はGd、およびSeおよび/1tは
Ptチップを有する則ターrットを同時にスパッターす
ることによって製造することができる。これらのチップ
は、例えば銀ペーストによって鉄ターゲツトに結合され
た厚さ1朋で、5鵡平方のチップであってもよい。各チ
ップは単一元素を含有しておシ、テップモデイクが、組
成を変化させる実験的手段を提供する。このモザイク法
は実験的に有利であるにすぎない。生産の場合には、所
1の組成を有する均質なターrット’ta造する。有利
な実#I態様では磁気光学層のスパッタリング前および
後に、窒化珪素の保穫層七スパッターする。
珪素ターゲットはポリ珪素(polysilicon 
)の厚さ6IIIIの円形ターゲットであシ、このもの
には固有抵抗t″機けるために硼素が添加されていても
よい。岡スパッター源は直流によって作動される。
RETM記録層?!−製造する九めに使用される方法は
、文献上周知であって、ここでは詳述しない。次子に記
載する有利な操作条件が技術上代表的である: 磁気光学層のスパッタリングの間に有利に使用逼れる雰
囲気は、2x10−3ミリバール(mBar )〜24
X10弓ミリバールの圧力のアルデンである。白金を含
有する膜のスパッタリングの際には、約400〜600
ワツトのスパッター電力を使用することができる。セレ
ンをスパッターする際には、セレンが低融点および低熱
伝導率を有する故に約150ワツト以上の低電力上使用
する。他の方法パラメターは殆ど同じであろう。厚さ約
90 nmの磁気光学層は約8分でスパッター嘔れうる
有利な実施暢様の場合には、磁気光学層の付着前および
後に窒化珪素を付N嘔せる。この窒化珪素の付着は、窒
素およびアルザンのスパッタリングガス中で全圧的2 
X 10−’〜8 X 10−3ξリバールおよび窒素
分圧/全圧の割合約6゜係〜75%で珪素のDC反応ス
パッタリングによって行う。スパッタリング電力は約6
00ワツトである。窒化珪素層の有利な厚葛は約800
〜1000オングストロームである。窒化珪素は、偏光
回転の有効カー角を改善するための反射防止光結合およ
び環境による酸化からの追加的保護をもたら丁。同じ厚
さの2個の窒化珪素Mk設けることによって、記録およ
び読取シは窓ガラスディスク+エアギャップを用いて支
持体全通して1友は反対側から行うこともできる。
本発明の他の有利な特徴によれば、大気に暴露される保
護層は、非窒化物材料、丁なわち酸化物から成る暴露面
における第一材料、および非酸化物材料、有利にはSi
N ’! 7’jはAZNのような窒化物から成る、R
ETM層に隣接する第二材料から形成されt複合層から
成っていてもよい。
本発明の一実施態様では保護層は、磁気光学的活性層に
隣接する5iNJ九はAZNの層および外面に隣接する
A1203層から構成されている。しかし本発明の他の
実施態様では、保σ層の構成は、磁気光学的活性層に隣
接する純粋SiN lたはAjNから、′a断層の反対
外面上の純粋M2O31で徐々に変化する。さらなる詳
細は米国同時係続出願第790,497号(1985年
10月26日出願)に記載されている。
本発明による媒体は、33 KHzの帯域幅および0.
5MHzの搬送波の場合常法で該支持体によってテスト
すると、代表的には55 DBよシも良好な搬送波/雑
音(C/R)比を有し、窓がラスディスク+エアギャッ
プによってテストすると58 DBよりも良好なC/R
比全有する。
ディスクは65℃の温度および相対湿度85傷の湿気室
でC/R’!7jは感度の変化なしに500時間を越え
る耐用期間を有している。
コーニングマイクロカバースライド上に付着された磁気
元学膜は環境室で応力全骨けた。これらのスライドは3
00オングストロームの窒化珪素上に付着されN100
0オングストロームの磁気元学層金有してい友。デンシ
トメーターを用いてスライドの変化上反復測定した。デ
ータポイントは°、測定時にピンポールを通る透過光の
影響全除去する友めに大きいピンポールを含1ない領域
で選択し友。このようにしてデータポイントのみがバル
クフィルム(bulkfilm )に変化を反映する。
丁べてのデータボインドは10個の読みの平均である。
温度および相対湿度はそれぞれ65℃および80憾であ
つ九。表1に光学濃度の測定結果t−総括しである。
表  1 白金係 測定時間 1時間 12時間 34時間 13
2時間ゼロ 0   3.23   2.94  2.98  2,
99   2.9B1   3.45   3.29 
 3.31  3.17    り、202  3.4
2  3.37  3.34  3.27   3.2
63  3.35  3.29  3.29  3.2
2   3.20白金を含有しない膜は多数の腐食領域
を包含してい九〇代衣的には同領域は該スライドの縁か
ら形成されて、内部へと成長していた。極めてわずかな
領域か縁の内部から出発してい九。
小δい(I Im )亀裂がスライド部分に出現し穴。
白金1俤を含有する膜ははるかに少ないピンホール上官
してい九が、亀裂はより一層著しくなっていた。
白金2憾を含有する膜は白金1憾の膜と同様であるが、
亀裂は概して試料の縁に限定されていt。
白金3係を含有する膜のみが、少数の一ンホールを有し
ていたが、搬送波/雑音比に関する損害を受は始める。

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.Fe、Co;およびGdとTbとから成る群から選
    択された少なくとも1種の成分;および約0.7〜5原
    子パーセントの白金および約1〜10原子パーセントの
    セレンから成る群から選択された少なくとも1種の成分
    を包含する希土類遷移金属合金から成る非晶質 膜の表面に対して垂直の、容易に磁化可能の軸を有する
    非晶質膜磁気光学記録媒体。
  2. 2.白金の量が約0.7〜3.0原子パーセントである
    請求項1記載の媒体。
  3. 3.白金またはセレンの量が約1原子パーセントである
    請求項2記載の媒体。
  4. 4.セレンの量が約1〜5原子パーセントである請求項
    1記載の媒体。
  5. 5.セレンの量が約1〜3原子パーセントである請求項
    1記載の媒体。
  6. 6.前記希土類遷移金属合金がGdFeCoから成る請
    求項1記載の媒体。
  7. 7.前記希土類遷移金属合金がTbFeCoから成る請
    求項1記載の媒体。
  8. 8.前記希土類遷移金属合金がTbGdFeCoから成
    る請求項1記載の媒体。
  9. 9.((Tb+Gd)_xFe_1_0_0_−_x_
    −_yCo_y)_1_0_0_−_aPt_a(ここ
    でa=0.7〜3、x=22〜27、y=6〜10)か
    ら成る請求項1記載の媒体。
  10. 10.(Tb_2_4Fe_6_8Co_8)_9_9
    Pt_1から成る請求項9記載の媒体。
  11. 11.(Gd_1_2Tb_1_2Fe_6_8Co_
    8)_9_9Pt_1から成る請求項9記載の媒体。
  12. 12.((Tb+Gd)_xFe_1_0_0_−_x
    _−_yCo_y)_1_0_0_−_bSe_b(こ
    こでb=1〜5、x=22〜27、y=6〜10)から
    成る請求項9記載の媒体。
  13. 13.(Tb_2_2Fe_7_0Co_8)_9_9
    Se_1から成る請求項12記載の媒体。
  14. 14.(Gd_1_1Tb_1_1Fe_7_0Co_
    8)_9_9Se_1から成る請求項12記載の媒体。
  15. 15.さらに希土類遷移金属合金の両面上に窒化珪素の
    層を包含する請求項1記載の媒体。
  16. 16.2個の窒化珪素層の厚さが同じである請求項15
    記載の媒体。
JP27339688A 1987-10-30 1988-10-31 非晶質膜磁気光学記録媒体 Pending JPH01159849A (ja)

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EP0364631A1 (en) * 1988-10-17 1990-04-25 Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. Thin film of amorphous alloy
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WO1986007651A1 (en) * 1985-06-21 1986-12-31 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Magnetic recording medium

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