JPH01159651A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
- Publication number
- JPH01159651A JPH01159651A JP62319448A JP31944887A JPH01159651A JP H01159651 A JPH01159651 A JP H01159651A JP 62319448 A JP62319448 A JP 62319448A JP 31944887 A JP31944887 A JP 31944887A JP H01159651 A JPH01159651 A JP H01159651A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- mask
- line width
- resist
- projection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 abstract description 13
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はパターン形成方法、特に電子ビーム露光技術を
用いた最小加工線幅１１ｔｒｒｓ以下の微細パターンの
形成方法に関するものである。
用いた最小加工線幅１１ｔｒｒｓ以下の微細パターンの
形成方法に関するものである。
従来の技術
半導体集積回路の製作等に用いる微細加工技術において
は、その最小加工線幅が１μｍ以下になってきており、
そのため従来のフォトリソグラフィ技術に代わって、微
細加工技術に優れた電子ビーム露光装置を用いて直接描
画を行う電子ビームリソグラフィ技術が導入されはじめ
た。凸形状の閉口部を有するパターンを形成する際に用
いるマスクパターンとしては、フォトリングラフィ技術
においては、突起部のみを有するパターンや、回接効果
等による突起部の根本のくびれを補正するだめの補正パ
ターンを有するパターンがあった。
は、その最小加工線幅が１μｍ以下になってきており、
そのため従来のフォトリソグラフィ技術に代わって、微
細加工技術に優れた電子ビーム露光装置を用いて直接描
画を行う電子ビームリソグラフィ技術が導入されはじめ
た。凸形状の閉口部を有するパターンを形成する際に用
いるマスクパターンとしては、フォトリングラフィ技術
においては、突起部のみを有するパターンや、回接効果
等による突起部の根本のくびれを補正するだめの補正パ
ターンを有するパターンがあった。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら電子ビーム２光技術を用いた場合でも、パ
ターン形状によりレジストへの電子ビームの照射量が変
化する。第４図に示した線幅が０．６ｔｔｍの突起部を
有する凸形状マスクパターン４０を用いて、電子ビーム
露光（加速電圧２０ｋｅＶ、 ドーズ量ｉｓ ｏ ｏ
ｔｔＣ／ｃｔ／Ｉ ）によシ照射した時のレジスト上
に露光された相対強度分布の計算機シミュレーシ目ン結
果を第４図における破線部で囲まれた領域４４について
第５図に示す。第４図において４１は幅広のマスク暗部
、４２はマスク暗部の一部である０、５７Ｊｍ幅の突起
部である。突起部４２の根本付近に近づく程、強度分布
が弱くなシ、レジストの加工線幅がマスクの線幅に対し
て拡がってしまうばかシでなく、現像した後にレジスト
下部が露光不足のため、台形状の拡がシをもって残って
しまう。第６図は、第４図のマスクパターンを用いて露
光した後に、レジストを現像して形成されるレジストパ
ターン６１の見取シ図で、突起部の根本が拡がシ、レジ
スト下部がさらに台形状に拡がってしまう様子を示して
いる。
ターン形状によりレジストへの電子ビームの照射量が変
化する。第４図に示した線幅が０．６ｔｔｍの突起部を
有する凸形状マスクパターン４０を用いて、電子ビーム
露光（加速電圧２０ｋｅＶ、 ドーズ量ｉｓ ｏ ｏ
ｔｔＣ／ｃｔ／Ｉ ）によシ照射した時のレジスト上
に露光された相対強度分布の計算機シミュレーシ目ン結
果を第４図における破線部で囲まれた領域４４について
第５図に示す。第４図において４１は幅広のマスク暗部
、４２はマスク暗部の一部である０、５７Ｊｍ幅の突起
部である。突起部４２の根本付近に近づく程、強度分布
が弱くなシ、レジストの加工線幅がマスクの線幅に対し
て拡がってしまうばかシでなく、現像した後にレジスト
下部が露光不足のため、台形状の拡がシをもって残って
しまう。第６図は、第４図のマスクパターンを用いて露
光した後に、レジストを現像して形成されるレジストパ
ターン６１の見取シ図で、突起部の根本が拡がシ、レジ
スト下部がさらに台形状に拡がってしまう様子を示して
いる。
しかるに、以上の検討結果から明らかなように、１ ／
Ｉｎ以下の突起部を有するマスクパターンを用いる場合
には、何らかの補正を加えることが有効であることが判
明した。
Ｉｎ以下の突起部を有するマスクパターンを用いる場合
には、何らかの補正を加えることが有効であることが判
明した。
本発明はかかる点に鑑み、適切な補正パターンを加える
ことにより、線幅１μｍ以下の突起部を有する凸形状パ
ターンを転写形成することを可能にするものである。
ことにより、線幅１μｍ以下の突起部を有する凸形状パ
ターンを転写形成することを可能にするものである。
問題点を解決するだめの手段
本発明は、線幅１μｍ以下の突起部を有する凸形状パタ
ーンにおいて、突起部の根本の線幅が突一部よシも狭く
した補正パターンを有するマスク暗部からなるマスクパ
ターンを用いることによシ、拡がシを生じることなく微
細パターンを形成する。
ーンにおいて、突起部の根本の線幅が突一部よシも狭く
した補正パターンを有するマスク暗部からなるマスクパ
ターンを用いることによシ、拡がシを生じることなく微
細パターンを形成する。
作 用
本発明は、前記したマスクパターンを用いることによシ
、光強度分布の弱くなる部分を凸形状突起部の根本に近
づけることができ、従って拡がシを抑制することかでさ
る。このため、所望する微細なパターン形状を実現する
ことが可能となる。
、光強度分布の弱くなる部分を凸形状突起部の根本に近
づけることができ、従って拡がシを抑制することかでさ
る。このため、所望する微細なパターン形状を実現する
ことが可能となる。
実施例
第１図は本発明の実施例に用いるマスクパターン１ｏを
示す。このパターン１０は、マスク暗部１１から幅０．
５７１ｍ 、長さ２．０１１ｍの突起部（暗部）を有す
る凸形状パターンであって、突起部１２の根本０．５７
１ｍの長さにわたって両側の幅が各々０．１７１ｍずつ
狭くなった補正パターン１３（明部）を付加したもので
ある。
示す。このパターン１０は、マスク暗部１１から幅０．
５７１ｍ 、長さ２．０１１ｍの突起部（暗部）を有す
る凸形状パターンであって、突起部１２の根本０．５７
１ｍの長さにわたって両側の幅が各々０．１７１ｍずつ
狭くなった補正パターン１３（明部）を付加したもので
ある。
パターン形成は以下の方法で行う。まず半導体基板上に
ポジ型レジスト（以後レジスト）を塗布し、ソフトベー
キングを施す。次に第１図に示したマスクパターンを具
備したデータを電子ビーム露光装置に入力して、加速電
圧２０ｋｅＶ、ドーズ量６００μＣ／ｉでレジストに対
して電子ビームを照射して露光する。最後にレジストを
現像液にて、露光部分を現像除去する。
ポジ型レジスト（以後レジスト）を塗布し、ソフトベー
キングを施す。次に第１図に示したマスクパターンを具
備したデータを電子ビーム露光装置に入力して、加速電
圧２０ｋｅＶ、ドーズ量６００μＣ／ｉでレジストに対
して電子ビームを照射して露光する。最後にレジストを
現像液にて、露光部分を現像除去する。
第２図に第１図の破線部で囲まれた領域１４についてレ
ジスト上に露光された相対強度分布の計算機シミュレー
ション結果を示す。図に示す様に、強度分布は本来の所
望する凸形状マスクパターンを実現している。すなわち
、突起部の根本における拡がりは十分抑制されている。
ジスト上に露光された相対強度分布の計算機シミュレー
ション結果を示す。図に示す様に、強度分布は本来の所
望する凸形状マスクパターンを実現している。すなわち
、突起部の根本における拡がりは十分抑制されている。
また第３図は、第１図のマスクを用いて蕗光後にレジス
トを現像して形成されるレジストパターン３１の見取シ
図で、凸形状根本の拡がシを防止している様子を示して
いる。
トを現像して形成されるレジストパターン３１の見取シ
図で、凸形状根本の拡がシを防止している様子を示して
いる。
なお、上記の実施例で示した補正パターンは長さ０．５
μｍ 、幅０．１／ｊ！ｎの補正パターン（明部）を
凸形状の突起部根本に付加したものであるが、これに限
るものではない。凸形状パターンの寸法や形状により適
切な補正パターンを付加するととが可能である。ただし
補正パターンはマスク明部でなければならない。
μｍ 、幅０．１／ｊ！ｎの補正パターン（明部）を
凸形状の突起部根本に付加したものであるが、これに限
るものではない。凸形状パターンの寸法や形状により適
切な補正パターンを付加するととが可能である。ただし
補正パターンはマスク明部でなければならない。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、線１陥１／Ａｍ以
下の突起部を有する凸形状パターンにおける根本の拡が
りを抑制でき、その実用的効果は大きい。
下の突起部を有する凸形状パターンにおける根本の拡が
りを抑制でき、その実用的効果は大きい。
第１図は本発明における実施例に用いたマスク明部の補
正パターンを有する凸形状マスクパターンの平面図、第
２図は同実施例における露光相対強度分布図、第３図は
同実施例の現像後に得られるレジストの形成パターンの
斜視図、第４図は従来例として、補正パターンのない凸
形状マスクパターンの平面図、第５図は同従来例におけ
る露光相対強度分布図、第６図は同従来例の現像後に得
られるレジストの形成パターンの斜視図である。 １０ 、４０・・・・・・マスクパターン、１１．４１
・・・・・・マスク暗部、１２ 、４２・・・・・・突
起部、３１．８１・・・・・・レジスト。 第 １ 図
１・−−−マ。り７、−り、・＋１−マス２１１１奪
名や １２−°−突起砕 ＋３−４正八°タ一ソＣマスク期音ヤ）第２図 Ｘ−ＡメＩ５ （μｍ） 第３図 ３１−１．ジスＶ ４１−−−７１２日ｔきｐ 第５図 Ｘ−ＡＸＴＳ（ｐｍｌ 第 ６ 図 Ｃｔ−一一レジスＹ
正パターンを有する凸形状マスクパターンの平面図、第
２図は同実施例における露光相対強度分布図、第３図は
同実施例の現像後に得られるレジストの形成パターンの
斜視図、第４図は従来例として、補正パターンのない凸
形状マスクパターンの平面図、第５図は同従来例におけ
る露光相対強度分布図、第６図は同従来例の現像後に得
られるレジストの形成パターンの斜視図である。 １０ 、４０・・・・・・マスクパターン、１１．４１
・・・・・・マスク暗部、１２ 、４２・・・・・・突
起部、３１．８１・・・・・・レジスト。 第 １ 図
１・−−−マ。り７、−り、・＋１−マス２１１１奪
名や １２−°−突起砕 ＋３−４正八°タ一ソＣマスク期音ヤ）第２図 Ｘ−ＡメＩ５ （μｍ） 第３図 ３１−１．ジスＶ ４１−−−７１２日ｔきｐ 第５図 Ｘ−ＡＸＴＳ（ｐｍｌ 第 ６ 図 Ｃｔ−一一レジスＹ
Claims (1)
- 基板上にレジストを塗布する工程と、線幅が１μｍ以
下の突起部を有するマスク暗部の凸形状で、前記突起部
の根本に線幅が前記突起部の線幅よりも狭いマスク明部
を有するマスクパターンを用いて、選択的に前記レジス
トを電子ビーム露光する工程と、前記露光されたレジス
トを現像する工程とを備えたパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62319448A JPH01159651A (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62319448A JPH01159651A (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01159651A true JPH01159651A (ja) | 1989-06-22 |
Family
ID=18110314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62319448A Pending JPH01159651A (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01159651A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56162747A (en) * | 1980-05-21 | 1981-12-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | Mask for exposure to light |
| JPS60124822A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-03 | Fujitsu Ltd | 縮小投影露光装置を用いたパタ−ン形成方法 |
-
1987
- 1987-12-17 JP JP62319448A patent/JPH01159651A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56162747A (en) * | 1980-05-21 | 1981-12-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | Mask for exposure to light |
| JPS60124822A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-03 | Fujitsu Ltd | 縮小投影露光装置を用いたパタ−ン形成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5804339A (en) | Fidelity ratio corrected photomasks and methods of fabricating fidelity ratio corrected photomasks | |
| US5480047A (en) | Method for forming a fine resist pattern | |
| JP3119217B2 (ja) | フォトマスクおよびフォトマスクを使用した露光方法 | |
| US4717644A (en) | Hybrid electron beam and optical lithography method | |
| US6556277B2 (en) | Photolithographic apparatus | |
| JPS5984518A (ja) | 電子ビーム・リングラフィの近接効果補正方法 | |
| KR950025914A (ko) | 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 | |
| US10025177B2 (en) | Efficient way to creating process window enhanced photomask layout | |
| JPH01159651A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS594017A (ja) | 電子ビ−ム露光方法 | |
| JPS58124230A (ja) | 微細パタ−ン形成方法 | |
| US4604345A (en) | Exposure method | |
| JPS5819127B2 (ja) | 微細パタ−ン形成方法 | |
| JPS63165851A (ja) | フオトレジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPH0750671B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS5914888B2 (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH01195450A (ja) | フォトマスクのパターン作成法 | |
| JPS63220522A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH0954438A (ja) | フォトレジストパターン及びその形成方法 | |
| JP2834468B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS62105423A (ja) | ネガ型レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPS58101427A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11153871A (ja) | レジストパターン形成方法及び半導体基板 | |
| JPH05243114A (ja) | 露光方法 | |
| JPS61202430A (ja) | 荷電ビ−ム露光方法 |