JPH01157517A

JPH01157517A - 結晶の形成方法

Info

Publication number: JPH01157517A
Application number: JP21035588A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Tokunaga; 博之徳永
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1987-08-24
Filing date: 1988-08-24
Publication date: 1989-06-20

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は結晶の形成方法に係り、特に堆積面材料の種類
による堆積材料の核形成密度の差を利用した結晶の形成
方法に関する。

本発明は、たとえば半導体集積回路、光集積回路、磁気
回路等の電子素子、光素子、磁気素子、圧電素子あるい
は表面音響素子等に使用される単結晶や多結晶等の結晶
の形成に適用される。

［背景技術］任意の基体における結晶形成の選択性についての実験結
果がＣ１ａｓｓｅｎ、　Ｊ、　Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ
、　５ａｃＶｏ１．１２７．　Ｎｏ、１．　Ｊａｎ、１
９８０．　ｐ、１９４−２０２に記載されている。上記
文献に記載された内容は、堆積すべき膜の形成が行いや
すい材料（Ｓ　ｉ　Ｎ４　）から成る表面を有する基体
と堆積すべき膜の形成が行いにくい材料（Ｓｉｎ２）か
ら成る表面を有する基体との２種類を用意して、それ等
の基体上におけるシリコン結晶の形成の選択性を実験的
に確認したものである。

上記文献に記載された結晶形成の選択性を利用すれば、
任意の基体上に選択的に結晶性の堆積膜を形成すること
も可能であることが、上記文献によりうかがえる。しか
しながら、形成される堆積膜は任意基体の表面上の所望
位置に単結晶を形成する方法については、上記文献には
何部示唆する′ところがない。また、上記文献の記載内
容からでは、結晶の粒径を精度よく制御して多結晶を形
成することについても、侮辱示唆されるものではない。

基体の所望の位置に粒径の制御された単結晶を成長させ
る方法としては、木出顆人によって選択的単結晶成長方
法として出願されている方法がある。

この方法は第１図（Ａ）〜（Ｄ）の工程断面図に示され
る様に、結晶核が生じにくい材料で形成された非核形成
面１０２と結晶核が生じ易い材料で形成され微小面積に
バターニングされた核形成面１０３−１，１０３−２と
を支持体１０１上に配した基体（第１図（Ａ））に気相
法による結晶形成処理を施し、上記核形成面１０３−１
゜１０３−２上より単結晶を成長させ（第１図（Ｂ））
、基体上に独立した単結晶の領域である結晶島１０４−
１，１０４−２を選択的に成長させる方法であり、複数
の結晶島１０４Ａ−１゜１０４Ａ−２が互いに接し、粒
界を形成するまで成長させた場合（第１図（Ｃ））には
粒径（ρ）と粒界１０５の位置とが制御された単結晶の
集合体による多結晶膜を形成することもできる方法であ
る。

この方法は、非核形成面１０２からの結晶成長を生じさ
せることなく、核形成面１０３−１゜１０３−２のみか
ら核の発生、単結晶の成長を生じさせ得るので、所望の
位置に所望の大きさの単結晶を形成することができると
いう優れた利点を有している。

本発明者はこの方法について更に研究を重ねたところ、
結晶１０４−１，１０４−２が非核形成面１０２上を横
方向へ成長していく過程（第１図　（Ｂ）　−’　（Ｃ
）に示す工程）において結晶１０４−１，１０４−２と
非核形成面１０２との界面近傍における結晶内に結晶欠
陥が生じる場合があるという事実を発見するに至った。

この結晶欠陥は界面近傍の領域だけで収まる場合もある
が、結晶の上方までこの欠陥が発達して、各々の結晶島
の特性にばらつきを生じてしまうこともあった。基体上
に成長した多数の結晶島を利用し大面積の能動素子を形
成する場合には上記特性のばらつきは問題となる。

すなわち、結晶欠陥が多数存在する結晶は欠陥のない結
晶と比べて、その電気的特性が低下するため、大面積の
能動素子を多数の結晶島を利用して形成する際には結晶
島の結晶欠陥による特性のばらつきを原因として素子間
のばらつきが大きくなり、信頼性が低下してしまう。

本発明者は多くの時間をかけて研究を行なった結果、上
記問題を解決できる結晶形成方法を発明するに至った。

［発明が解決しようとする問題点］本発明は以上説明した新規技術における新たな問題点を
解決し、結晶欠陥の発生を極力抑えた結晶の形成方法を
提供するものである。

［問題点を解決する手段］本発明の第１の要旨は、核形成密度の小さい非核形成面
と、単一核のみより結晶成長するに充分小さい面積を有
し、前記非核形成面の核形成密度より大きい核形成密度
を有する核形成面とで表面が区分される表面領域を有し
、前記非核形成面が形成される結晶に歪が発生すること
を緩和するバッファ層の表面で構成されている基体に結
晶形成処理を施して、前記核形成面における前記単一核
のみから成長した単結晶を非核形成面上まで成長させる
結晶の形成方法に存在する。

本発明の第２の要旨は、核形成密度が大きく単一結晶の
みが成長するに充分小さい面積を有する核形成面と、前
記核形成面の核形成密度より小さい核形成密度を有する
非核形成面とが相接しており、前記非核形成面を表面と
するバッファ層の層厚が２００Å以下であって、前記バ
ッファ層の内部には熱歪が内包されており、結晶形成処
理によって、前記核形成面において成長した単結晶を非
核形成面上まで成長させることを特徴とする結晶の形成
方法に存在する。

本発明の第３の要旨は、支持体と、該支持体の表面に形
成され核形成密度が大きい表面を有する第１層と、該第
１層の表面に単一核のみより結晶成長するに充分な小さ
い面積で前記第１層の表面が部分的に露出するように形
成され、第１層の核形成密度より小さい核形成密度の表
面を有し、その層厚が２００Å以下の層である第２層と
を有している被結晶形成体に結晶形成処理を施して、核
形成密度差を利用して上記露出部分から上記第２層表面
に及ぶ単結晶を形成することを特徴とする結晶の形成方
法に存在する。

［作用］本発明のより好ましい実施例は、非核形成面を形成する
材料を膜厚数百Å以下の薄膜層、すなわちバッファ層（
ここでは界面の歪を緩和する効果のある層）として堆積
することにより、核形成面上に形成された単結晶が該核
形成面を越えて、横方向（非核形成面上）に成長する際
に、該単結晶と上記非核形成面との界面に発生する歪を
小さくし、上記単結晶の該界面近傍に欠陥が発生するの
を抑えるものである。

非核形成面を形成する層が数百Å以下の厚みであると、
この層の構造変化が生じ易い状態にあり、単結晶の成長
温度において単結晶の成長に応じた層になんらかの変化
が発生して、上記界面に発生する歪の原因を取り去るよ
うに機能していると想定される。また、バッファ層は結
晶成長温度よりも低温で形成されるのが好ましく、通常
基体温度７０〜４５０℃、より好ましくは１００〜３５
０℃、最適には３００℃で形成される。このように低温
で形成されたバッファ層、例えば結晶成長温度より１０
０℃以下の低温で作製されたバッファ層は、結晶成長温
度に加熱されると、内部に相当の熱歪を発生するように
なる。

この様に、大きな熱歪を有する状態にあるバッファ層上
に結晶を成長させると、その成長過程でバッファ層が構
造変化を起こし、その結果単結晶とバッファ層との界面
との歪の発生は緩和され、該単結晶の界面近傍に欠陥が
発生するのを抑えることができる。この時にバッファ層
が厚い（例えば１０００人の厚さ）と、構造変化が膜全
体にスムーズに広がることが阻害され、結晶下面に歪が
残る場合がある。この時、単結晶中に発生する欠陥の原
因となってしまうので、この原因を除去するためには、
本発明においては、バッファ層の層厚として通常５００
Å以下が好ましく、より好ましくは２００Å以下、最適
には６０Å以下である。下限としては、好ましくは２０
人、より好ましくは４０人である。これ等上限と下限の
範囲において、バッファ層を形成する材料、作製条件、
結晶の種類、結晶の形成条件等によって、適宜バッファ
層の厚みは選択される。本発明の場合、多くの実験結果
により、好ましくは２０〜２００人、より好ましくは４
０〜６０人である。

バッファ層の作製法としては、非平衡的で熱歪が残留す
るような方法が望ましい。例えば、蒸着や分子線エピタ
キシー成長法、低温のＭＯＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法
などは、効果的に積極的な熱歪をバッファ層に形成でき
るので、実用上好ましい。反対に本発明においては、高
温のＣＶＤ法やＬＰＥ法（液相成長法）などは熱歪が残
留し難いので、適当な改良を必要とするが、本発明に採
用できないものでもない。

また、このバッファ層は結晶中の歪の発生の緩和と同時
に非核形成面としての機能を持ち合わせている必要があ
る。バッファ層はその表面と核形成面とを核形成密度に
おいて比較した際、１０’個／　ｃ　ｒｎ’以上核形成
密度が低い材料で構成されていることが好ましい。それ
らの条件を満たすものとして好ましいものは、スパッタ
法による５ｉ０２やプラズマＣＶＤ法による窒化硅素が
挙げられるが、これ等に限定されるわけではなく、この
機能、歪発生の緩和を行えるものであれば良い。

核形成面は単一核のみより結晶成長するに充分小さい面
積を有している。その面積の具体的な値としては１６μ
ｍ２以下が好ましく、より好ましくは４μｍ２以下、最
適には１μｍ２以下である。

また、核形成面の核形成密度は、非核形成面の核形成密
度よりも大きいことを必要とし、該核形成面を形成する
材料は非晶質であることが望ましい。

［実施例コ以下に本発明を実施例をあげて具体的に説明する。

（実施例１）第２図（八）〜（Ｅ）は本発明の選択核形成技術による
結晶形成法によって低欠陥密度のシリコン結晶を形成す
る場合を示す工程断面図である。

工程　（Ａ）；高融点ガラス支持体２０１上に選択核形
成を可能にする核形成密度の高い材料、ここでは非晶質
のＳｉ３Ｎ４薄膜２０２を、ＬＰＣＶＤ法により１５０
０人に堆積した。

工程　（Ｂ）；高融点ガラス支持体２０１上に堆積した
５ｉｓＮ４薄ＩＩ！２０２の上に５ｉ０２膜２０３をス
パッタ法により５０人厚に堆積した。

この時の支持体の温度は３００℃に保持した。

工程　（Ｃ）；通常行われているフォトリソグラフィ技
術を使って、５ｉ０２膜２０３に１μｍの角の窓２０４
をあけて上記Ｓｔ、Ｎ４薄膜２０２の一部を露出させ、
選択核形成の種を作った。

工程（Ｄ）；次に、ＨＣＪ２ガスを９７０℃の高温に保
持されている基体の表面に流すことで基体を清浄化した
。その後、Ｈ２と５ｔＨ２ＣＪ２２とＨＣＩｔとをモル
比でそれぞれ１００：１．２：１．６で供給し、反応圧
力を１５０Ｔｏｒｒとしてシリコン単結晶島４の形成を
行った。この時、５ｉ０２薄膜２０３は低温で堆積させ
ているので、シリコン結晶成長の際に生じる歪を緩和し
続ける。

工程　（Ｅ）；工程りを続けた後の最終状態である。単
結晶島４は大きく成長し、所望の粒径の単結晶２０５と
なる。

この単結晶２０５を検討したところ、以下の通りであっ
た。

成長した単結晶２０５の端面部を研磨した後、欠陥顕在
化エツチング（いわゆる５ｅｃｃｏエツチング）処理し
てＳＥＭで観察したところ、本実施例の方が、本願の実
施例のように薄いバッファ層を設けないでＣＶＤ法でＳ
ｉｏ２膜を１５００人の膜厚に形成した後に該５ｉ０２
膜上に形成したシリコン単結晶よりも、界面近傍の欠陥
密度や大きさは著しく低下していた。

（実施例２）次に、バッファ層の厚さに対する端面近傍の欠陥の数の
依存性について実験的に確認したことを示す。

第３図はバッファ層の厚さと、バッファ層上に成長した
５ｉＪｌ結晶島の界面近傍の欠陥密度の関係を示すグラ
フである。欠陥密度の測定は、断面部をダイヤモンドペ
ーストで研磨した後、研磨部を５ｅｃｃｏエツチング液
を水で２倍に薄めたエツチング液で９０秒間エツチング
して、顕在化した欠陥をＳＥＭで観察した。欠陥数の測
定は、１μｍ厚に研磨した際の研磨面に平行な５０μｍ
の線分を横切る欠陥の数をカウントした。これらのサン
プルのバッファ層とＳｔ結晶の作製条件は以下に示す通
りである。なお、バッファ層を形成する支持体としては
、各サンプルともに高融点ガラス支持体を使用した。

（１）ＳｉＯ，バッファ層の形成条件支持体温度・２５０℃ 圧　　力　　　：　　　６ｍＴｏｒｒ使用ガス　−Ａｒ、０２モル比　：Ａｒ　：Ｏ，＝２　：　３ＲＦパワー：１．０ｗ／ｃｍ” （２）Ｓｔ単結晶形成の条件基体温度　：９２０℃ 圧力　：１５０Ｔｏｒｒ使用ガス　：　Ｓ　ｆ　Ｈ２Ｃ１１２，）ＩＣＪ２．Ｈ
２モル比　：　Ｓ　ｉ　Ｈａ　ＣＪＺ２　：　ＨＣＪ２
　：　Ｈ２＝０．　６：１．　　Ｏ：１００第３図から、バッファ層の層厚が５００Å以下になると
結晶端面近傍の欠陥数が急に減少し、その傾向はバッフ
ァ層の層厚が薄くなる程著しくなることが判る。

（実施碗３）次に、本発明の選択核形成による結晶形成法によって形
成した低欠陥密度のＧａＡｓ結晶成長法を第４図（Ａ）
〜（Ｄ）を参照し説明する。

工程　（＾）；シリコンウェハ支持体４０１上に、Ｓｉ
Ｈ４とＮ　Ｈｓを原料ガスとして用いたプラズマＣＶＤ
法によって、非晶質窒化硅素膜４０２をバッファ層とし
て６０人の厚さに堆積した。Ｓ　ｉ　Ｈ４とＮ　Ｈ３の
供給比はモル比で１：１で、反応圧力は０．１５Ｔｏｒ
ｒ、ＲＦパワー（１３，５６ＭＨｚ）は１．．６Ｘ１０
−２Ｗ／Ｃｍ２であった。

工程　（Ｂ）；フォトレジスト（東京応化製、０５ＴＲ
−８００）　４０３でパターニングして、イオンインブ
ランク（ＶＡＲＩＡＮ製、Ｃ５３０００）　ヲ用いてＡ
ｓイオンを上記窒化硅素層４０２中に打込んだ。打込量
は３Ｘ１０”個／　ｃ　ｍ　２であフた。

この様にして、非晶質の核形成面４０４を形成した。こ
の時、イオン打込み部分の大ぎさは１μｍ角、間隔は１
０μｍとした。なお、図中では核形成面は１つしか示し
ていないが、実際には１０×１０個作成した。

工程　（Ｃ）、フォトレジスト４０３を剥離した後、基
体（支持体４０１とバッファ層４０２に核形成面４０４
が設けられたもの）をＨ２雰囲気中で約９００℃で１０
分間熱処理し、表面を清浄化した。

次いで、基体を６５０℃に加熱しながら、基体表面にキ
ャリアガスとしてのＨ２とともにトリメチルガリウム（
ＴＭＧ）とアルシン（ＡＳＨ３）をモル比で１６０の比
で梳し、ＭＯＣＶＤ　（有機金属化学気相堆積）法によ
ってＧａＡｓ膜を成長させた。この際の反応圧力は約１
０Ｔｏｒｒとした。

ＧａＡｓの単結晶島４０５はＡｓイオンを打込んだ部分
４０４の表面だけより成長し、他の部分ではＧａＡｓの
単結晶島の発生が見られなかった。

工程　（Ｄ）　；　５時間成長を続けるとＧａＡｓの単
結晶島４０５は隣のＧａＡｓの単結晶島と接するところ
まで大きくなった（４０５Ａ）。そして、実施例２と同
様に単結晶島端面なＳＥＭで観察したところ、欠陥の発
生は殆ど観察されなかった。

以上、本発明の詳細な説明したが、本発明は、上述した
バッファ層（又は第２層）の条件及びこれを作成する条
件あるいは単結晶形成条件の任意の組合わせを含むもの
である。

上述したように、本願は、従来では知られていない新規
で優れた核形成密度差を利用して単結晶を形成する方法
に対して、新たに見い出された問題を解決する発明を提
供するのであって、単結晶形成技術に対して極めて多大
な貢献を行えるものである。

［発明の効果］本発明によれば以下の様な効果が得られる。

基体の種類によらず所望の位置に結晶欠陥の発生を抑え
た単結晶の形成方法を提供できる。

また、粒径および粒界の位置の制御され、かつ、結晶欠
陥の発生を抑えた単結晶の形成方法を提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の選択核形成方法による結晶形成方法の
工程図である。第２図はバッファ層を用いた選択核形成
法によるシリコン結晶形成の工程図である。第３図はバ
ッファ層の厚さと、界面の欠陥密度の関係を示すグラフ
である。第４図はバッファ層を用いた選択核形成による
結晶形成方法の他の工程図である。４・・・シリコン車結晶島、１０１・・・支持体、１０
２・・・非核形成面、１０３・・・核形成面、１０４−
１，１０４−２，１０４Ａ−１゜１０４Ａ−２・・・結
晶島、１０５・・・粒界、１０５−１　・・−Ｇ　ａ　
Ａ　ｓの結晶核、１０５−２・ｊｌの結晶、１０６・・
・界面、２０１・・・ガラス支持体、２０２・・・５ｉ
ｓｔＪ＋薄膜、２０３・・・５ｉ０２膜、２０４・・・
窓、２０５・・・単結晶、４０１・・・シリコンウェハ
支持体、４０２・・・非晶貿窒化硅素膜、４０３・・・
フォトレジスト、４０４・・・非晶貿核形成面、４０５
，４０５Ａ・”ＧａＡｓの単結晶島。第１図第２図第３図ＳｉＯ２バッファ層の厚さ　演）第４図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）核形成密度の小さい非核形成面と、単一核のみよ
り結晶成長するに充分小さい面積を有し、前記非核形成
面の核形成密度より大きい核形成密度を有する核形成面
とで表面が区分される表面領域を有し、前記非核形成面
が形成される結晶に歪が発生することを緩和するバッフ
ァ層の表面で構成されている基体に結晶形成処理を施し
て、前記核形成面における前記単一核のみから成長した
単結晶を非核形成面上まで成長させる結晶の形成方法。
（２）バッファ層は、その表面が核形成面と比較して核
形成密度において１０＾３個／ｃｍ＾２以上低い材料で
構成されている請求項１に記載の結晶の形成方法。
（３）バッファ層は、基体温度４５０℃以下で作製され
た請求項１又は請求項２に記載の結晶の形成方法。
（４）バッファ層は、酸化物または窒化物である請求項
１乃至請求項３のうちいずれか１項に記載の結晶の形成
方法。
（５）バッファ層は、層厚が５００Å以下である請求項
１乃至請求項４のうちいずれか１項に記載の結晶の形成
方法。
（６）バッファ層は結晶形成処理の際に構造変化を起こ
す層である請求項１に記載の結晶の形成方法。
（７）バッファ層はその内部に熱歪を内包している請求
項１に記載の結晶の形成方法。
（８）バッファ層は、７０℃以上、結晶形成処理を行う
際の基体温度より１００℃以下の温度範囲内で形成され
る請求項１に記載の結晶の形成方法。
（９）核形成面は、非晶質材料である請求項１に記載の
結晶の形成方法。
（１０）バッファ層は酸化物及び窒化物いずれかよりな
り、核形成面は非晶質材料で形成されている請求項１に
記載の結晶の形成方法。
（１１）バッファ層は酸化物及び窒化物のいずれかより
なり、層厚が２００Å以下である請求項１に記載の結晶
の形成方法。
（１２）バッファ層は酸化物及び窒化物のいずれかより
なり、結晶形成処理を行う温度において構造変化を起こ
す層である請求項１に記載の結晶の形成方法。
（１３）バッファ層は酸化物及び窒化物のいずれかより
なり、７０℃以上、結晶形成処理を行う際の基体温度よ
り１００℃以下の温度範囲内で形成される請求項１に記
載の結晶の形成方法。
（１４）バッファ層は、４５０℃以下で作成され、結晶
形成処理を行なう温度において、構造変化を起こす層で
ある請求項１に記載の結晶の形成方法。
（１５）バッファ層は、４５０℃以下で作成され、その
内部に熱歪を内包している層である請求項１に記載の結
晶の形成方法。
（１６）バッファ層は、４５０℃以下で作成された非晶
質材料からなる層である請求項１に記載の結晶の形成方
法。
（１７）バッファ層は、４５０℃以下で作成された酸化
物及び窒化物のいずれかよりなる層である請求項１に記
載の結晶の形成方法。
（１８）バッファ層は、４５０℃以下で作成され、層厚
が２００Å以下の層である請求項１に記載の結晶の形成
方法。
（１９）核形成密度が大きく単一結晶のみが成長するに
充分小さい面積を有する核形成面と、前記核形成面の核
形成密度より小さい核形成密度を有する非核形成面とが
相接しており、前記非核形成面を表面とするバッファ層
の層厚が２００Å以下であって、前記バッファ層の内部
には熱歪が内包されており、結晶形成処理によつて、前
記核形成面において成長した単結晶を非核形成面上まで
成長させることを特徴とする結晶の形成方法。
（２０）バッファ層は、その表面が核形成面と比較して
核形成密度において１０＾３個／ｃｍ＾２以上低い材料
で構成されている請求項１９に記載の結晶の形成方法。
（２１）バッファ層は、基体温度４５０℃以下で作製さ
れた請求項１９に記載の結晶の形成方法。
（２２）バッファ層は、酸化物または窒化物である請求
項１９に記載の結晶の形成方法。
（２３）バッファ層は結晶形成処理の際に構造変化を起
こす層である請求項１９に記載の結晶の形成方法。
（２４）バッファ層はその内部に熱歪を内包している請
求項１９に記載の結晶の形成方法。
（２５）バッファ層は、７０℃以上、結晶形成処理を行
う際の基体温度より１００℃以下の温度範囲内で形成さ
れる請求項１９に記載の結晶の形成方法。
（２６）核形成面は、非晶質材料である請求項１９に記
載の結晶の形成方法。
（２７）バッファ層は酸化物及び窒化物いずれかよりな
り、核形成面は非晶質材料で形成されている請求項１９
に記載の結晶の形成方法。
（２８）バッファ層は酸化物及び窒化物のいずれかより
なり、結晶形成処理を行う温度において構造変化を起こ
す層である請求項１９に記載の結晶の形成方法。
（２９）バッファ層は酸化物及び窒化物のいずれかより
なり、７０℃以上、結晶形成処理を行う際の基体温度よ
り１００℃以下の温度範囲内で形成される請求項１９に
記載の結晶の形成方法。
（３０）バッファ層は、４５０℃以下で作成され、結晶
形成処理を行なう温度において、構造変化を起こす層で
ある請求項１９に記載の結晶の形成方法。
（３１）バッファ層は、４５０℃以下で作成され、その
内部に熱歪を内包している層である請求項１９に記載の
結晶の形成方法。
（３２）バッファ層は、４５０℃以下で作成された非晶
質材料からなる層である請求項１９に記載の結晶の形成
方法。
（３３）バッファ層は、４５０℃以下で作成された酸化
物及び窒化物のいずれかよりなる層である請求項１９に
記載の結晶の形成方法。
（３４）支持体と、該支持体の表面に形成され核形成密
度が大きい表面を有する第１層と、該第１層の表面に単
一核のみより結晶成長するに充分な小さい面積で前記第
１層の表面が部分的に露出するように形成され、第１層
の核形成密度より小さい核形成密度の表面を有し、その
層厚が２００Å以下の層である第２層とを有している被
結晶形成体に結晶形成処理を施して、核形成密度差を利
用して上記露出部分から上記第２層表面に及ぶ単結晶を
形成することを特徴とする結晶の形成方法。
（３５）バッファ層は、その表面が核形成面と比較して
核形成密度において１０＾３個／ｃｍ＾２以上低い材料
で構成されている請求項３４に記載の結晶の形成方法。
（３６）バッファ層は、基体温度４５０℃以下で作製さ
れた請求項３４に記載の結晶の形成方法。
（３７）バッファ層は、酸化物または窒化物である請求
項３４に記載の結晶の形成方法。
（３８）バッファ層は結晶形成処理の際に構造変化を起
こす層である請求項３４に記載の結晶の形成方法。
（３９）バッファ層はその内部に熱歪を内包している請
求項３４に記載の結晶の形成方法。
（４０）バッファ層は、７０℃以上、結晶形成処理を行
う際の基体温度より１００℃以下の温度範囲内で形成さ
れる請求項３４に記載の結晶の形成方法。
（４１）核形成面は、非晶質材料である請求項３４に記
載の結晶の形成方法。
（４２）バッファ層は酸化物及び窒化物いずれかよりな
り、核形成面は非晶質材料で形成されている請求項３４
に記載の結晶の形成方法。
（４３）バッファ層は酸化物及び窒化物のいずれかより
なり、結晶形成処理を行う温度において構造変化を起こ
す層である請求項３４に記載の結晶の形成方法。
（４４）バッファ層は酸化物及び窒化物のいずれかより
なり、７０℃以上、結晶形成処理を行う際の基体温度よ
り１００℃以下の温度範囲内で形成される請求項３４に
記載の結晶の形成方法。
（４５）バッファ層は、４５０℃以下で作成され、結晶
形成処理を行なう温度において、構造変化を起こす層で
ある請求項３４に記載の結晶の形成方法。
（４６）バッファ層は、４５０℃以下で作成され、その
内部に熱歪を内包している層である請求項３４に記載の
結晶の形成方法。
（４７）バッファ層は、４５０℃以下で作成された非晶
質材料からなる層である請求項３４に記載の結晶の形成
方法。
（４８）バッファ層は、４５０℃以下で作成された酸化
物及び窒化物のいずれかよりなる層である請求項３４に
記載の結晶の形成方法。