JPH01156551U - - Google Patents
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- JPH01156551U JPH01156551U JP1988052365U JP5236588U JPH01156551U JP H01156551 U JPH01156551 U JP H01156551U JP 1988052365 U JP1988052365 U JP 1988052365U JP 5236588 U JP5236588 U JP 5236588U JP H01156551 U JPH01156551 U JP H01156551U
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- JP
- Japan
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- electrode
- semiconductor device
- semiconductor
- electrodes
- bump
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- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05556—Shape in side view
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
第1図は本考案の半導体装置の平面図、第2図
は第1図におけるA―A′線の断面図、第3図は
従来の半導体装置の平面図、第4図は第3図にお
けるB―B′線の断面図、第5図は本考案の他の
実施例である半導体装置の平面図である。 1……バンプ電極、2……半導体基板、3……
絶縁膜、5……第1の電極、6……パシベーシヨ
ン膜、8……第2の電極、9……第3の電極。
は第1図におけるA―A′線の断面図、第3図は
従来の半導体装置の平面図、第4図は第3図にお
けるB―B′線の断面図、第5図は本考案の他の
実施例である半導体装置の平面図である。 1……バンプ電極、2……半導体基板、3……
絶縁膜、5……第1の電極、6……パシベーシヨ
ン膜、8……第2の電極、9……第3の電極。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 半導体素子が形成された半導体基板と、こ
の半導体基板上に形成された絶縁膜と、この絶縁
膜の開口部を介して前記半導体素子とオーミツク
コンタクトする第1の電極と、前記半導体基板を
覆うパシベーシヨン膜と、このパシベーシヨン膜
の開口部を介して前記第1の電極とオーミツクコ
ンタクトする第2の電極と、この第2の電極上に
形成される第3の電極と、この第3の電極上に形
成されるバンプ電極とを少なくとも備えた半導体
装置に於いて、第1の電極は方形状で且つ第2お
よび第3の電極は円形状であることを特徴とした
半導体装置。 (2) 第1の電極は円形状である請求項第1項記
載の半導体装置。 (3) パシベーシヨン膜の開口部を円形状または
方形状とした請求項第1項または第2項記載の半
導体装置。 (4) バンプ電極は、Au、Ag、Cu、Sn―
Pb、In―Pbの中のいずれかである請求項第
1項記載の半導体装置。 (5) 第1、第2および第3の電極は、夫々アル
ミニウム、バリアメタルおよび銅である請求項第
1項または第2項記載の半導体装置。 (6) 半導体基板よりパツド電極までの構成は、
ワイヤボンドによつても形成でき、このパツド電
極上に形成される電極は円形で且つこの電極上に
バンプ電極が形成されることを特徴とした半導体
装置。 (7) バンプ電極は、Au、Ag、Cu、Sn―
Pb、In―Pbの中のいずれかである請求項第
6項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1988052365U JPH01156551U (ja) | 1988-04-19 | 1988-04-19 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1988052365U JPH01156551U (ja) | 1988-04-19 | 1988-04-19 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01156551U true JPH01156551U (ja) | 1989-10-27 |
Family
ID=31278366
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1988052365U Pending JPH01156551U (ja) | 1988-04-19 | 1988-04-19 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01156551U (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5441666A (en) * | 1977-09-09 | 1979-04-03 | Hitachi Ltd | Semiconductor integrated circuit element |
-
1988
- 1988-04-19 JP JP1988052365U patent/JPH01156551U/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5441666A (en) * | 1977-09-09 | 1979-04-03 | Hitachi Ltd | Semiconductor integrated circuit element |