JPH01156475A - 光ｃｖｄ装置 - Google Patents
光ｃｖｄ装置Info
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- JPH01156475A JPH01156475A JP62313848A JP31384887A JPH01156475A JP H01156475 A JPH01156475 A JP H01156475A JP 62313848 A JP62313848 A JP 62313848A JP 31384887 A JP31384887 A JP 31384887A JP H01156475 A JPH01156475 A JP H01156475A
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- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 45
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 10
- 239000000376 reactant Substances 0.000 abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 244000292604 Salvia columbariae Species 0.000 description 8
- 235000012377 Salvia columbariae var. columbariae Nutrition 0.000 description 8
- 235000001498 Salvia hispanica Nutrition 0.000 description 8
- 235000014167 chia Nutrition 0.000 description 8
- 240000008620 Fagopyrum esculentum Species 0.000 description 6
- 235000009419 Fagopyrum esculentum Nutrition 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 3
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45517—Confinement of gases to vicinity of substrate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/047—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using irradiation by energy or particles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置の製造などに利用される光ＣＶＤ
装置に関するものである。
装置に関するものである。
（従来の技術）
従来、半導体デバイスの製造などに利用されるＣＶ Ｄ
（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ ）装置においては、半導体基板などの対象物は固
定のホルダ機構に保持されており、薄膜形成中に移動せ
しめられることはない。
（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ ）装置においては、半導体基板などの対象物は固
定のホルダ機構に保持されており、薄膜形成中に移動せ
しめられることはない。
しかしながら、光ＣＶＤ法によるフォトマスクの白点欠
陥修正装置のように、半導体基板上の任意の個所に所定
の寸法の矩形薄膜を形成するような場合には、従来のＣ
ＶＤ装置とは事情が異なってくる。
陥修正装置のように、半導体基板上の任意の個所に所定
の寸法の矩形薄膜を形成するような場合には、従来のＣ
ＶＤ装置とは事情が異なってくる。
すなわち、矩形薄膜を形成しようとする半導体基板上の
所定の個所に光を選択的に照射するために結像光学系（
または投影光学系とも称される）を用いるが、この種の
光学系では半導体基板上の結像位置を変えるために光学
系を移動可能に構成することは実用上困難である。
所定の個所に光を選択的に照射するために結像光学系（
または投影光学系とも称される）を用いるが、この種の
光学系では半導体基板上の結像位置を変えるために光学
系を移動可能に構成することは実用上困難である。
そこで、従来は、半導体基板を保持するホルダ機構を反
応用の気密室（チアンバ）内に移動可能に設置し、固定
された光学系の結像位置に半導体基板の薄膜形成個所を
移動させるようにしている。
応用の気密室（チアンバ）内に移動可能に設置し、固定
された光学系の結像位置に半導体基板の薄膜形成個所を
移動させるようにしている。
（発明が解決しようとする問題点）
上記従来の光ＣＶ Ｄ ｇ置では、ホルダ機構を移動さ
せるための移動機構をチアンバ内に収納しているので、
チアンバが大型となる。このため、半導体基板上の特定
の個所に選択的に微小な薄膜を形成するのに必要な反応
ガス（原料ガスとキャリアガスの混合したもの）が微量
であるにもかかわらず大容量のチアンバ全体を多量の反
応ガスで充填することが必要になる。
せるための移動機構をチアンバ内に収納しているので、
チアンバが大型となる。このため、半導体基板上の特定
の個所に選択的に微小な薄膜を形成するのに必要な反応
ガス（原料ガスとキャリアガスの混合したもの）が微量
であるにもかかわらず大容量のチアンバ全体を多量の反
応ガスで充填することが必要になる。
この結果、多量の反応ガスが無駄になると共に、反応ガ
スの供給系や排気系も大型となり不経済になるという問
題がある。
スの供給系や排気系も大型となり不経済になるという問
題がある。
また、この種の反応ガスとしてはクロム、モリブデン、
タングステン等の金属カルボニルを昇華させたものが多
用されているが、これらの反応ガスは極めて強い毒性を
有する。このため、多量の反応ガスを循環させる全流路
にわたって漏れ防止などに関する万全の安全対策を講じ
る必要があり、装置が高価になるという問題もある。
タングステン等の金属カルボニルを昇華させたものが多
用されているが、これらの反応ガスは極めて強い毒性を
有する。このため、多量の反応ガスを循環させる全流路
にわたって漏れ防止などに関する万全の安全対策を講じ
る必要があり、装置が高価になるという問題もある。
更に、薄膜形成個所への反応ガスの供給と反応済みガス
の排除という局所的な流れの制御が困難になりやす（、
良質の薄膜を形成できなくなるおそれもある。
の排除という局所的な流れの制御が困難になりやす（、
良質の薄膜を形成できなくなるおそれもある。
（問題点を解決するための手段）
本発明の光ＣＶＤ装置は、照射光の透過窓が形成された
壁面を有する気密性のメインチァンバと、このメインチ
ァンバ内において薄膜形成対象物を保持しつつ移動可能
に設置され薄膜形成対象物の所定個所を照射光の照射個
所に位置決めする可動ホルダ機構と、この可動ホルダ機
構に保持中の薄膜形成対象物と照射光の透過窓が形成さ
れたメインチァンバの壁面との間に形成されるプロセス
チァンバと、可動ホルダ機構の周辺部に保持されつつメ
インチァンバの壁面との間に微小な間隙を形成すること
によりブロセスチアンバとメインチァンバとの間を適宜
な流体抵抗を有する流路で連結すると共に、この流路の
途中においてこれに連結される排気孔を有するシールウ
オール機構とを備えている。
壁面を有する気密性のメインチァンバと、このメインチ
ァンバ内において薄膜形成対象物を保持しつつ移動可能
に設置され薄膜形成対象物の所定個所を照射光の照射個
所に位置決めする可動ホルダ機構と、この可動ホルダ機
構に保持中の薄膜形成対象物と照射光の透過窓が形成さ
れたメインチァンバの壁面との間に形成されるプロセス
チァンバと、可動ホルダ機構の周辺部に保持されつつメ
インチァンバの壁面との間に微小な間隙を形成すること
によりブロセスチアンバとメインチァンバとの間を適宜
な流体抵抗を有する流路で連結すると共に、この流路の
途中においてこれに連結される排気孔を有するシールウ
オール機構とを備えている。
更に、本発明の光ＣＶＤ装置は、メインチァンバをプロ
セスチァンバ内の圧力よりも高い圧力の不活性ガスで充
填する不活性ガス充填系と、プロセスチァンバに反応ガ
スを供給する反応ガス供給系と、プロセスチァンバから
排気を行うプロセスチァンバ排気系と、シールウオール
機構内の排気孔から排気を行うシールウオール排気系と
を備えている。
セスチァンバ内の圧力よりも高い圧力の不活性ガスで充
填する不活性ガス充填系と、プロセスチァンバに反応ガ
スを供給する反応ガス供給系と、プロセスチァンバから
排気を行うプロセスチァンバ排気系と、シールウオール
機構内の排気孔から排気を行うシールウオール排気系と
を備えている。
以下、本発明の作用を実施例と共に詳細に説明する。
（実施例）
第１図は、本発明の一実施例の光ＣＶＤ装置の構成の概
要を示すブロック図であり、１０はメインチァンバ、２
０はプロセスチァンバ、３０はシールウオール機構であ
る。また、１１は不活性ガスの供給管、１２は不活性ガ
スの排気管、２１は反応ガスの供給管、２２は反応ガス
の排気管、３２はシールウオール機構３０からの排気管
である。
要を示すブロック図であり、１０はメインチァンバ、２
０はプロセスチァンバ、３０はシールウオール機構であ
る。また、１１は不活性ガスの供給管、１２は不活性ガ
スの排気管、２１は反応ガスの供給管、２２は反応ガス
の排気管、３２はシールウオール機構３０からの排気管
である。
第２図は、上記チアンバ部分の構造を示す断面図である
。
。
気密性のメインチァンバ１０の上部を仕切る壁面１０ａ
の中央部分には、対物レンズ４から出射されるレーザ光
の透過窓１０ｃが形成されている。この窓１０ｃの直下
には、ホルダ２に保持された半導体基板１が設置されて
いる。このホルダ２を保持する可動ホルダ機構３は、メ
インチアソバ１０内に移動可能に設置され、窓１０Ｃを
透過するレーザ光の照射個所に半導体基板１の薄膜形成
個所を位置決めするように自在に移動する。この可動ホ
ルダ機構３に保持中の半導体基板１とメインチァンバの
壁面１０ａとの間にプロセスチェンバ２０が形成される
と共に、このプロセスチァンバ２０とメインチァンバ１
０との間にシールウオール機構３０が形成されている。
の中央部分には、対物レンズ４から出射されるレーザ光
の透過窓１０ｃが形成されている。この窓１０ｃの直下
には、ホルダ２に保持された半導体基板１が設置されて
いる。このホルダ２を保持する可動ホルダ機構３は、メ
インチアソバ１０内に移動可能に設置され、窓１０Ｃを
透過するレーザ光の照射個所に半導体基板１の薄膜形成
個所を位置決めするように自在に移動する。この可動ホ
ルダ機構３に保持中の半導体基板１とメインチァンバの
壁面１０ａとの間にプロセスチェンバ２０が形成される
と共に、このプロセスチァンバ２０とメインチァンバ１
０との間にシールウオール機構３０が形成されている。
このシールウオール機構３０は、可動ホルダ機構３の周
辺部に保持されつつメインチァンバの壁面１０ａとの間
に微小な間隙を形成することにより、プロセスチァンバ
２０とその外側のメインチァンバ１０との間を適宜な流
体抵抗を有する流路で連結している。この流路の途中に
おいてこれに連結される排気孔３１が、シールウオール
機構３０内に形成されている。
辺部に保持されつつメインチァンバの壁面１０ａとの間
に微小な間隙を形成することにより、プロセスチァンバ
２０とその外側のメインチァンバ１０との間を適宜な流
体抵抗を有する流路で連結している。この流路の途中に
おいてこれに連結される排気孔３１が、シールウオール
機構３０内に形成されている。
プロセスチァンバ２０には、反応ガス供給管２１から反
応ガスが供給され、反応済みのガスは排気管２２を通し
て排気される。メインチアソバ１０内の圧力は、不活性
ガス供給管１１からアルゴンガスや窒素ガスなどの不活
性ガスの供給を受けることにより、プロセスチアソバ２
０内の圧力よりも僅かに高い値に保たれる。このため、
メインチアソバ１０内を充填する不活性ガスは、シール
ウオール機構３０と壁面１０ａの隙間に形成された流路
を通って、小量ずつ排気孔３１とプロセスチアソバ２０
内に流れ込みそれぞれの排気系によって排気される。プ
ロセスチアソバ２０内の有毒反応ガスは、メインチアソ
バ１０側からプロセスチアソバ２０側に向かう不活性ガ
スの流れに押し戻されるため、シールウオール機構側や
メインチァンバ側には流れ込まない。
応ガスが供給され、反応済みのガスは排気管２２を通し
て排気される。メインチアソバ１０内の圧力は、不活性
ガス供給管１１からアルゴンガスや窒素ガスなどの不活
性ガスの供給を受けることにより、プロセスチアソバ２
０内の圧力よりも僅かに高い値に保たれる。このため、
メインチアソバ１０内を充填する不活性ガスは、シール
ウオール機構３０と壁面１０ａの隙間に形成された流路
を通って、小量ずつ排気孔３１とプロセスチアソバ２０
内に流れ込みそれぞれの排気系によって排気される。プ
ロセスチアソバ２０内の有毒反応ガスは、メインチアソ
バ１０側からプロセスチアソバ２０側に向かう不活性ガ
スの流れに押し戻されるため、シールウオール機構側や
メインチァンバ側には流れ込まない。
このメインチァンバ内の圧力を調整するために、メイン
チァンバ１０、プロセスチァンバ２０及びシールウオー
ル機構３０内の排気孔３１内のそれぞれに圧力センサ１
０ｄ、２０ａ及び３０ａが設置されると共に、不活性ガ
スの排気管１２がメインチァンバに形成される。
チァンバ１０、プロセスチァンバ２０及びシールウオー
ル機構３０内の排気孔３１内のそれぞれに圧力センサ１
０ｄ、２０ａ及び３０ａが設置されると共に、不活性ガ
スの排気管１２がメインチァンバに形成される。
メインチァンバ１０からの排気管１２と、プロセスチァ
ンバ２０からの排気管２２と、シールウオール機構３０
からの排気管３２は、それぞれ個別の流量制御機構１３
，２３．３３を経て共通のマニホールド（真空溜め）４
０に接続される。流量制御機構１３．２３．３３は、各
チアンバやシールウオール機構内に設置された圧力セン
サ１０ｄ、２０ａ及び３０ａの検出値に基づき、メイン
チァンバ、シールウオール機構及びプロセスチァンバの
順に漸次圧力が低下してゆくように各排気系統の流量を
制御する。
ンバ２０からの排気管２２と、シールウオール機構３０
からの排気管３２は、それぞれ個別の流量制御機構１３
，２３．３３を経て共通のマニホールド（真空溜め）４
０に接続される。流量制御機構１３．２３．３３は、各
チアンバやシールウオール機構内に設置された圧力セン
サ１０ｄ、２０ａ及び３０ａの検出値に基づき、メイン
チァンバ、シールウオール機構及びプロセスチァンバの
順に漸次圧力が低下してゆくように各排気系統の流量を
制御する。
マニホ−ルド４０は、各排気系に対して共通の真空溜め
の役割りをはたしており、各排気系からの排気量の多寡
によらずほぼ一定の負圧を保持するように設計されてい
る。マニホールド４０内の圧力は圧力センサ４１により
モニタされている。排気処理部４１は、冷却トラップ、
熱分解用ヒータ、フィルターなどで構成され、有毒反応
ガスを回収する。
の役割りをはたしており、各排気系からの排気量の多寡
によらずほぼ一定の負圧を保持するように設計されてい
る。マニホールド４０内の圧力は圧力センサ４１により
モニタされている。排気処理部４１は、冷却トラップ、
熱分解用ヒータ、フィルターなどで構成され、有毒反応
ガスを回収する。
本実施例では、原料ガスとしてクロムカルボニル（Ｃｒ
（ｃｏ）６）などの金属カルボニルの粉末の蒸気が使
用される。常温・常圧で固体の金属カルボニルがリザー
バ２４に収納されている。リザーバ２４にはヒータと熱
電対が付加されており、収納中の金属カルボニルが所定
温度に制御されながら加熱される。この原料ガスをプロ
セスチァンバ２０に運ぶためのキャリアガスがボンベ２
６から供給される。
（ｃｏ）６）などの金属カルボニルの粉末の蒸気が使
用される。常温・常圧で固体の金属カルボニルがリザー
バ２４に収納されている。リザーバ２４にはヒータと熱
電対が付加されており、収納中の金属カルボニルが所定
温度に制御されながら加熱される。この原料ガスをプロ
セスチァンバ２０に運ぶためのキャリアガスがボンベ２
６から供給される。
このキャリアガスは、減圧弁やマスフロー・コントロー
ラなどで構成される流量制御部２５を経てリザーバー２
４に供給される。リザーバー２４において原料ガスとキ
ャリアガスの混合体として生成された反応ガスは、供給
管２１を通してプロセスチァンバ２０に供給される。
ラなどで構成される流量制御部２５を経てリザーバー２
４に供給される。リザーバー２４において原料ガスとキ
ャリアガスの混合体として生成された反応ガスは、供給
管２１を通してプロセスチァンバ２０に供給される。
一方、メインチアソバ１０内を充填する不活性ガスは、
アルゴンガスや窒素ガスなどの不活性ガスのボンベ１５
から流量制御機構１４と供給管１１を通してメインチァ
ンバｌｌ内に供給される。
アルゴンガスや窒素ガスなどの不活性ガスのボンベ１５
から流量制御機構１４と供給管１１を通してメインチァ
ンバｌｌ内に供給される。
以上、不活性ガスについてメインチァンバからの排気系
を設ける構成を例示した。しかしながら、メインチァン
バからの排気系を設けずにこれをシールウオール機構や
プロセスチァンバから排気してやる構成としてもよい。
を設ける構成を例示した。しかしながら、メインチァン
バからの排気系を設けずにこれをシールウオール機構や
プロセスチァンバから排気してやる構成としてもよい。
また、反応ガスの供給系を１系統のみとする構成を例示
したが、これを複数系統設置すると共に各供給系統の反
応ガスを適宜な比率で混合しつつプロセスチァンバに供
給する構成とすることもできる。
したが、これを複数系統設置すると共に各供給系統の反
応ガスを適宜な比率で混合しつつプロセスチァンバに供
給する構成とすることもできる。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように本発明の光ＣＶＤ装置は、可
動ホルダ機構を設置する大容量のメインチァンバ内にシ
ールウオール機構で仕切られる小容量のプロセスチァン
バを形成する構成であるがら、薄膜形成に実際に必要な
小量の反応ガスを小容量のプロセスチァンバに供給して
やればよい。
動ホルダ機構を設置する大容量のメインチァンバ内にシ
ールウオール機構で仕切られる小容量のプロセスチァン
バを形成する構成であるがら、薄膜形成に実際に必要な
小量の反応ガスを小容量のプロセスチァンバに供給して
やればよい。
この結果、大容量のメインチァンバ全体に反応ガスを供
給する場合に比べて反応ガスの無駄がなくなると共に、
供給系や排気系も小型となり、極めて経済的になるとい
う利点がある。
給する場合に比べて反応ガスの無駄がなくなると共に、
供給系や排気系も小型となり、極めて経済的になるとい
う利点がある。
また、強い毒性の反応ガスが流れるプロセスチァンバ系
の容量が小さくなるので、安全対策も容易になり、この
点からも装置が安価になるという利点がある。
の容量が小さくなるので、安全対策も容易になり、この
点からも装置が安価になるという利点がある。
更に、薄膜形成個所への反応ガスの供給と反応済みガス
の排除という局所的な流れの制御が容易になり、良質の
薄膜を形成できるという利点もある。
の排除という局所的な流れの制御が容易になり、良質の
薄膜を形成できるという利点もある。
また、本発明の一実施例によれば、各排気系が個別の流
量制御機構と共通のマニホールドを介して排気処理系に
接続される構成であるから、各部の差圧の調整が容易に
なると共に排気系が簡易になるという利点がある。
量制御機構と共通のマニホールドを介して排気処理系に
接続される構成であるから、各部の差圧の調整が容易に
なると共に排気系が簡易になるという利点がある。
第１図は本発明の一実施例の光ＣＶＤ装置の概略の構成
を示すブロック図、第２図は第１図のチアンバ部分の構
成を示す断面図である。 １０・・・メインチァンバ、１１・・・不活性ガスの供
給管、１２・・・不活性ガスの排気管、２０・・・プロ
セスチァンバ、２１・・・反応ガスの供給管、２２・・
・反応ガスの排気管、３０・・・シールウオール機構、
３２・・・シールウオール機構からの排気管、１３．２
３．３３・・・各排気系統に個別の流量制御機構、４０
・・・上記各排気系統に共通のマニホールド（真空溜め
）、１０ｄ、２０ａ、３０ａ・・・圧力センサ。
を示すブロック図、第２図は第１図のチアンバ部分の構
成を示す断面図である。 １０・・・メインチァンバ、１１・・・不活性ガスの供
給管、１２・・・不活性ガスの排気管、２０・・・プロ
セスチァンバ、２１・・・反応ガスの供給管、２２・・
・反応ガスの排気管、３０・・・シールウオール機構、
３２・・・シールウオール機構からの排気管、１３．２
３．３３・・・各排気系統に個別の流量制御機構、４０
・・・上記各排気系統に共通のマニホールド（真空溜め
）、１０ｄ、２０ａ、３０ａ・・・圧力センサ。
Claims (3)
- （１）照射光の透過窓が形成された壁面を有する気密性
のメインチァンバと、 このメインチァンバ内において薄膜形成対象物を保持し
つつ移動可能に設置され、前記薄膜形成対象物の所定個
所を前記照射光の照射個所に位置決めする可動ホルダ機
構と、 この可動ホルダ機構に保持中の薄膜形成対象物と前記照
射光の透過窓が形成されたメインチァンバの壁面との間
に形成されるプロセスチァンバと、前記可動ホルダ機構
の周辺部に保持されつつ前記メインチァンバの壁面との
間に微小な間隙を形成することにより前記プロセスチァ
ンバと前記メインチァンバとの間を適宜な流体抵抗を有
する流路で連結すると共に、この流路の途中においてこ
れに連結される排気孔を有するシールウォール機構と、 前記メインチァンバを前記プロセスチァンバ内の圧力よ
りも高い圧力の不活性ガスで充填する不活性ガス充填系
と、 前記プロセスチァンバに反応ガスを供給する反応ガス供
給系と、 前記プロセスチァンバから排気を行うプロセスチァンバ
排気系と、 前記シールウォール機構内の排気孔から排気を行うシー
ルウォール排気系とを備えたことを特徴とする光ＣＶＤ
装置。 - （２）前記プロセスチァンバ排気系とシールウォール排
気系は、個別の流量調整機構と共通のマニホールドを介
して排気処理部に接続されたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の光ＣＶＤ装置。 - （３）前記不活性ガス充填系は、前記メインチァンバに
不活性ガスを供給する不活性ガス供給系と、このメイン
チァンバから排気を行うメインチァンバ排気系とで構成
され、このメインチァンバ排気系は個別の流量調整機構
と前記共通のマニホールドを介して前記排気処理部に接
続されたことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の
光ＣＶＤ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62313848A JP2545897B2 (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 光ｃｖｄ装置 |
| US07/282,113 US4901668A (en) | 1987-12-11 | 1988-12-09 | Photo-chemical vapor deposition apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62313848A JP2545897B2 (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 光ｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01156475A true JPH01156475A (ja) | 1989-06-20 |
| JP2545897B2 JP2545897B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=18046237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62313848A Expired - Fee Related JP2545897B2 (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 光ｃｖｄ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4901668A (ja) |
| JP (1) | JP2545897B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2639567B1 (fr) * | 1988-11-25 | 1991-01-25 | France Etat | Machine a microfaisceau laser d'intervention sur des objets a couche mince, en particulier pour la gravure ou le depot de matiere par voie chimique en presence d'un gaz reactif |
| US5220515A (en) * | 1991-04-22 | 1993-06-15 | Applied Materials, Inc. | Flow verification for process gas in a wafer processing system apparatus and method |
| US6159641A (en) * | 1993-12-16 | 2000-12-12 | International Business Machines Corporation | Method for the repair of defects in lithographic masks |
| US6341006B1 (en) | 1995-04-07 | 2002-01-22 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| US20030164225A1 (en) * | 1998-04-20 | 2003-09-04 | Tadashi Sawayama | Processing apparatus, exhaust processing process and plasma processing |
| KR100805142B1 (ko) * | 1999-07-16 | 2008-02-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광방법 및 노광장치 |
| DE10010016C1 (de) * | 2000-02-26 | 2002-01-31 | Forsch Applikationslabor Plasm | Vorrichtung und Verfahren zur plasmagestützten Oberflächenbehandlung von Substraten im Vakuum |
| US20070085984A1 (en) * | 2005-10-18 | 2007-04-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
| US7502095B2 (en) * | 2005-03-29 | 2009-03-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| SG126120A1 (en) * | 2005-03-29 | 2006-10-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic device, device manufacturing method and device manufactured thereby |
| CN102433552A (zh) * | 2011-12-31 | 2012-05-02 | 汉能科技有限公司 | 一种反应气体传输系统 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0110882A1 (en) * | 1982-06-01 | 1984-06-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Maskless growth of patterned films |
| US4581248A (en) * | 1984-03-07 | 1986-04-08 | Roche Gregory A | Apparatus and method for laser-induced chemical vapor deposition |
| US4595601A (en) * | 1984-05-25 | 1986-06-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of selectively forming an insulation layer |
| US4543270A (en) * | 1984-06-20 | 1985-09-24 | Gould Inc. | Method for depositing a micron-size metallic film on a transparent substrate utilizing a visible laser |
-
1987
- 1987-12-11 JP JP62313848A patent/JP2545897B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-12-09 US US07/282,113 patent/US4901668A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2545897B2 (ja) | 1996-10-23 |
| US4901668A (en) | 1990-02-20 |
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