JPH01151533A - 高級ケトンの製造方法 - Google Patents
高級ケトンの製造方法Info
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- JPH01151533A JPH01151533A JP62310626A JP31062687A JPH01151533A JP H01151533 A JPH01151533 A JP H01151533A JP 62310626 A JP62310626 A JP 62310626A JP 31062687 A JP31062687 A JP 31062687A JP H01151533 A JPH01151533 A JP H01151533A
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- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
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- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高級ケトンの製造方法に関する。詳しくは本発
明は塗料、樹脂、溶剤或いは各種有・機合成の原料又は
中間体として有用性の高い飽和高級ケトンの製造方法に
関する。
明は塗料、樹脂、溶剤或いは各種有・機合成の原料又は
中間体として有用性の高い飽和高級ケトンの製造方法に
関する。
低級ケトンを原料としてその2分子の縮合によって得ら
れる炭素骨格を有する飽和高級ケトンを製造する方法が
種々提案されている。例えば代表的な飽和高級ケトンで
あるメチルインブチルケトン(以下、MIBKという)
の製造法について述べると、アセトンと水素とを原料と
し、ジアセトンアルコール、メシチルオキシドを経由す
るいわゆる三段法が用いられている。
れる炭素骨格を有する飽和高級ケトンを製造する方法が
種々提案されている。例えば代表的な飽和高級ケトンで
あるメチルインブチルケトン(以下、MIBKという)
の製造法について述べると、アセトンと水素とを原料と
し、ジアセトンアルコール、メシチルオキシドを経由す
るいわゆる三段法が用いられている。
しかしこの方法は工程も長く、最初のジアセトンアルコ
ール製造工程が平衡反応のため原料転化率が低い。従っ
て、アセトン等の低級ケトンと水素とから直接−工程で
飽和高級ケトンを製造する方法について種々検討がなさ
れ、触媒として次のような提案がなされている。
ール製造工程が平衡反応のため原料転化率が低い。従っ
て、アセトン等の低級ケトンと水素とから直接−工程で
飽和高級ケトンを製造する方法について種々検討がなさ
れ、触媒として次のような提案がなされている。
■ パラジウム−イオン交換樹脂、パラジウム−リン酸
ジルコニウム、パラジウム−アルミナ等を液相で用いる
方法。
ジルコニウム、パラジウム−アルミナ等を液相で用いる
方法。
■ パラジウム−■B族金属酸化物を用いる方法(特公
昭32−1357弘)。
昭32−1357弘)。
しかしながら上記■の触媒は触媒活性、触媒寿命、安定
性等の点で問題があった。また上記■の触媒は反応温度
130ないしtioo℃で使用されているが、気相での
実施例の結果は目的とする飽和高級ケトンへの選択率が
低く、満足すべき結果は得られていない。さらに触媒活
性も高くないので、目的とする飽和高級ケトンへの選択
率が高くなると思われる液相での使用は事実上不可能で
あることが推察される。
性等の点で問題があった。また上記■の触媒は反応温度
130ないしtioo℃で使用されているが、気相での
実施例の結果は目的とする飽和高級ケトンへの選択率が
低く、満足すべき結果は得られていない。さらに触媒活
性も高くないので、目的とする飽和高級ケトンへの選択
率が高くなると思われる液相での使用は事実上不可能で
あることが推察される。
本発明者らはかかる従来技術の問題点を解決すべく、低
級ケトンと水素とから一工程で飽和高級ケトンを製造し
得る高活性かつ高選択性を必須成分とする触媒を用いる
仁とによシ上記の問題点が解決できることを見出して本
発明に到達した。
級ケトンと水素とから一工程で飽和高級ケトンを製造し
得る高活性かつ高選択性を必須成分とする触媒を用いる
仁とによシ上記の問題点が解決できることを見出して本
発明に到達した。
即ち本発明の要旨は、低級ケトンと水素とを触媒の存在
下に液相で反応させて一段で飽和高級ケトンを製造する
に際し、・・メット指示薬法により測定される表面酸−
塩基強度が実質的に中性であるジルコニウム酸化物とパ
ラジウムとを必須成分とする触媒を使用することを特徴
とする高級ケトンの製造方法、に存する。
下に液相で反応させて一段で飽和高級ケトンを製造する
に際し、・・メット指示薬法により測定される表面酸−
塩基強度が実質的に中性であるジルコニウム酸化物とパ
ラジウムとを必須成分とする触媒を使用することを特徴
とする高級ケトンの製造方法、に存する。
以下、本発明方法につき詳細に説明する。
本発明方法の出発原料である低級ケトンとしては、α位
に水素原子を有する種々のケトンが用いられ、好ましく
は炭素数が3〜r個の脂肪族ジアルキルケトンが用いら
れる。具体的にはアセトン、メチルエチルケトン、メチ
ルイソブチルケトン、エチルグロビルケトン、ジイソプ
ロピルケトン、プロピルイソブチルケトン等が挙げられ
る。
に水素原子を有する種々のケトンが用いられ、好ましく
は炭素数が3〜r個の脂肪族ジアルキルケトンが用いら
れる。具体的にはアセトン、メチルエチルケトン、メチ
ルイソブチルケトン、エチルグロビルケトン、ジイソプ
ロピルケトン、プロピルイソブチルケトン等が挙げられ
る。
本発明方法においては、触媒として特定の表面酸−塩基
強度を有するジルコニウム酸化物とパラジウムとからな
る二成分系を用いることが重要である。用いるジルコニ
ウム酸化物は、よシ具体的には、ハメット指示薬法(J
、Amer 、 Chem。
強度を有するジルコニウム酸化物とパラジウムとからな
る二成分系を用いることが重要である。用いるジルコニ
ウム酸化物は、よシ具体的には、ハメット指示薬法(J
、Amer 、 Chem。
Soc、、 71. rpりo (t9rA))
によシ測定される表面酸−塩基強度が実質的に中性、好
ましくは酸強度(Ho)+3−7以上かつ塩基強度(H
)+7.2以下、さらに好ましくは酸強度(Ha)+乙
、t 以上かつ塩基強度(H)+7.2以下の測定値を
有するジルコニウム酸化物である。なおジルコニウム酸
化物として含水状態のものを用いることもできる。
によシ測定される表面酸−塩基強度が実質的に中性、好
ましくは酸強度(Ho)+3−7以上かつ塩基強度(H
)+7.2以下、さらに好ましくは酸強度(Ha)+乙
、t 以上かつ塩基強度(H)+7.2以下の測定値を
有するジルコニウム酸化物である。なおジルコニウム酸
化物として含水状態のものを用いることもできる。
ジルコニウム酸化物の調製法として一般的には沈殿法、
熱分解法、酸化法等が挙げられる。
熱分解法、酸化法等が挙げられる。
例えば塩化物、オキシ塩化物、硫酸塩等の可溶性塩の水
溶液にアルカリを作用させて沈殿させ、必要に応じ適当
な温度で焼成、脱水して酸化物を得る方法がある。しか
しながらこのような方法で得られた沈殿には原料の金属
塩に由来するCt−1SO42−等の陰イオンが含まれ
ている場合が多く、本発明者らの検討によれば、これら
の不純物の有無が、得られるジルコニウム酸化物の表面
酸−塩基強度、特に酸強度、に大きく影響し、低級ケト
ンから飽和高級ケトンを製造する触媒の活性、選択性に
対して決定的な影響を及ぼすことが判明した。従って本
発明においては、ジルコニウム酸化物の調製法として沈
殿法を用いる場合、得られた沈殿を十分に水洗し、必要
によシ酸又はアルカリによる処理を行なうことにより不
純物を除いて、表面酸−塩基強度が実質的に中性となる
ようにしなければならない。また他の調製法を用いる場
合にも例えば極めて高純度の原料を使用するなどして、
得られる酸化ジルコニウムの表面酸−塩基強度が実質的
に中性となるようにしなければならない。
溶液にアルカリを作用させて沈殿させ、必要に応じ適当
な温度で焼成、脱水して酸化物を得る方法がある。しか
しながらこのような方法で得られた沈殿には原料の金属
塩に由来するCt−1SO42−等の陰イオンが含まれ
ている場合が多く、本発明者らの検討によれば、これら
の不純物の有無が、得られるジルコニウム酸化物の表面
酸−塩基強度、特に酸強度、に大きく影響し、低級ケト
ンから飽和高級ケトンを製造する触媒の活性、選択性に
対して決定的な影響を及ぼすことが判明した。従って本
発明においては、ジルコニウム酸化物の調製法として沈
殿法を用いる場合、得られた沈殿を十分に水洗し、必要
によシ酸又はアルカリによる処理を行なうことにより不
純物を除いて、表面酸−塩基強度が実質的に中性となる
ようにしなければならない。また他の調製法を用いる場
合にも例えば極めて高純度の原料を使用するなどして、
得られる酸化ジルコニウムの表面酸−塩基強度が実質的
に中性となるようにしなければならない。
また、本発明に従って低級ケトンから飽和高級ケトンを
製造するには水素化能のある触媒成分が必要である。一
般に白金族元素が用いられるが、特にパラジウムが有効
であり、本発明ではこれを使用する。パラジウムの使用
形態としては上記のジルコニウム酸化物に担持する方法
があるが、パラジウム−炭素、パラジウム−アルミナ等
の触媒をジルコニウム酸化物と混合して用いることもで
きる。パラジウムの使用量はジルコニウム酸化物に対し
て通常0.007−70重量%、好ましくはo、oi、
37重量%の範囲である。
製造するには水素化能のある触媒成分が必要である。一
般に白金族元素が用いられるが、特にパラジウムが有効
であり、本発明ではこれを使用する。パラジウムの使用
形態としては上記のジルコニウム酸化物に担持する方法
があるが、パラジウム−炭素、パラジウム−アルミナ等
の触媒をジルコニウム酸化物と混合して用いることもで
きる。パラジウムの使用量はジルコニウム酸化物に対し
て通常0.007−70重量%、好ましくはo、oi、
37重量%の範囲である。
本発明方法の反応は液相で行なわれる。反応は低級ケト
ンの臨界温度(アセトンの場合23t℃)以下で進行す
るが、高温、通常tjO℃以上では特にカルボニル基の
水素化によるアルコール体への選択率が高くなシ、目的
とする飽和高級ケトンの収率が若干低下する傾向が見ら
れる。またあまり低温では触媒活性が得られないので、
反応温度は好ましくは30〜/ ! 0 ”Cの範囲が
よい。反応圧力は低級ケトンの自然発生圧力以上、通常
tsokg/7以下、好ましくは/ −j Oky /
cdtの間がよく、水素雰囲気下で設定される。触媒
は懸濁床、固定床いずれの形態で用いてもよい。低級ケ
トンの転化率は!−0%以下に抑えるのが好ましい。
ンの臨界温度(アセトンの場合23t℃)以下で進行す
るが、高温、通常tjO℃以上では特にカルボニル基の
水素化によるアルコール体への選択率が高くなシ、目的
とする飽和高級ケトンの収率が若干低下する傾向が見ら
れる。またあまり低温では触媒活性が得られないので、
反応温度は好ましくは30〜/ ! 0 ”Cの範囲が
よい。反応圧力は低級ケトンの自然発生圧力以上、通常
tsokg/7以下、好ましくは/ −j Oky /
cdtの間がよく、水素雰囲気下で設定される。触媒
は懸濁床、固定床いずれの形態で用いてもよい。低級ケ
トンの転化率は!−0%以下に抑えるのが好ましい。
次に実施例によシ本発明の実施態様をさらに具体的に説
明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実
施例によって限定されるものではない。
明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実
施例によって限定されるものではない。
参考例1(ジルコニウム酸化物の調製)三種の市販の水
酸化ジルコニルをそれぞれaOO℃で3時間焼成してジ
ルコニウム酸化物とし、ハメット指示薬法によシ表面酸
−塩基強度を測定した。即ち、Benesiの方法CJ
。
酸化ジルコニルをそれぞれaOO℃で3時間焼成してジ
ルコニウム酸化物とし、ハメット指示薬法によシ表面酸
−塩基強度を測定した。即ち、Benesiの方法CJ
。
Amer、Chem、Soc、、71 、j弘り0(/
9j&))に従い、予めpoo℃で3時間焼成して得た
ジルコニウム酸化物0.32を一脱水処理したベンゼン
10mgに浸漬し、ここに指示薬数滴を滴下し、色調変
化により酸−塩基強度を測定した。各指示薬のpKa
価により酸−塩基強度を示した測定結果を第1表に示
す。
9j&))に従い、予めpoo℃で3時間焼成して得た
ジルコニウム酸化物0.32を一脱水処理したベンゼン
10mgに浸漬し、ここに指示薬数滴を滴下し、色調変
化により酸−塩基強度を測定した。各指示薬のpKa
価により酸−塩基強度を示した測定結果を第1表に示
す。
第1表
(苦)十二変色、 −:変色せず
(+苦)使用したハメット指示薬は次の通りである。
−?、2:アントラキノン
−j、t :ペンザルアセトフェノン
ー3.0 : ジシンナマルアセトン
+j、j : p−ジメチルアミンアゾベンゼン十J、
♂:ニュートラルレッド +7,2:プロモチモールプル− +2.3:フェノール7タレイン 実施例1及び比較例/〜2 参考例1で得られた三種のジルコニウム酸化物/、r
fと21Pa/c(日本エンゲルハルト社製) 0.3
9とを混合して触媒とし、反応に用いた。
♂:ニュートラルレッド +7,2:プロモチモールプル− +2.3:フェノール7タレイン 実施例1及び比較例/〜2 参考例1で得られた三種のジルコニウム酸化物/、r
fと21Pa/c(日本エンゲルハルト社製) 0.3
9とを混合して触媒とし、反応に用いた。
内容積約ioo虎gの5USJ/ 6製 オートクレー
ブに上記混合触媒とアセトンlAO,lとを仕込み、/
ll−0℃に加熱し、水素圧で全圧を10kg / d
l (ゲージ圧)として反応を行なった。反応中は水素
を連続的に供給して常に全圧を一定に保った。反応液は
冷却後、触媒を分離し、ガスクロマトグラフィーによシ
分析した。結果を第2表に示す。
ブに上記混合触媒とアセトンlAO,lとを仕込み、/
ll−0℃に加熱し、水素圧で全圧を10kg / d
l (ゲージ圧)として反応を行なった。反応中は水素
を連続的に供給して常に全圧を一定に保った。反応液は
冷却後、触媒を分離し、ガスクロマトグラフィーによシ
分析した。結果を第2表に示す。
第2表
(+)IPA:インプロビルアルコール実施例2〜3
実施例1で用いたジルコニウム酸化物Aの原料の水酸化
ジルコニルを予め/Nのアンモニア水で処理し、(Pd
(NHs)4〕C1,−H,Oを用いるイオン交換法に
よp o、i重量%相当のパラジウムを担持させた。こ
れを300 ’Cで≠時間水素還元して触媒とし、反応
に用いた。実施例1と同様にアセトン4LO,lと担持
触媒とをオートクレーブに仕込み、l弘O℃、10kg
/cdtG及び/ 70 ’C,/ I kglcdl
Gの条件で反応を行なった。結果を第3表に示す。
ジルコニルを予め/Nのアンモニア水で処理し、(Pd
(NHs)4〕C1,−H,Oを用いるイオン交換法に
よp o、i重量%相当のパラジウムを担持させた。こ
れを300 ’Cで≠時間水素還元して触媒とし、反応
に用いた。実施例1と同様にアセトン4LO,lと担持
触媒とをオートクレーブに仕込み、l弘O℃、10kg
/cdtG及び/ 70 ’C,/ I kglcdl
Gの条件で反応を行なった。結果を第3表に示す。
第3表
実施例体
実施例/で用いたジルコニウム酸化物AO,!−2及び
2 % Pd/Co、o2? とメチルエチルケトン
20m1とをオートクレーブに仕込み、実施例1と同様
に1410℃、水素圧で全圧tokg/crllGで反
応を行なった。反応時間5時間後の結果はメチルエチル
ケトン転化率22.♂チ、!−メチルーヘプタンー3−
オン(エチルアミルケトン)選択率? S、≠チ、2−
ブタノール選択率2.♂チであった。
2 % Pd/Co、o2? とメチルエチルケトン
20m1とをオートクレーブに仕込み、実施例1と同様
に1410℃、水素圧で全圧tokg/crllGで反
応を行なった。反応時間5時間後の結果はメチルエチル
ケトン転化率22.♂チ、!−メチルーヘプタンー3−
オン(エチルアミルケトン)選択率? S、≠チ、2−
ブタノール選択率2.♂チであった。
本発明方法に従って高活性かつ高選択性の触媒を使用す
ることによシ、低級ケトンと水素とから経済的に有利に
飽和高級ケトンを製造することができる。
ることによシ、低級ケトンと水素とから経済的に有利に
飽和高級ケトンを製造することができる。
特許出願人 三菱化成工業株式会社
代 理 人 弁理士 長谷用 −
ほか1名
Claims (3)
- (1)低級ケトンと水素とを触媒の存在下に液相で反応
させて一段で飽和高級ケトンを製造するに際し、ハメッ
ト指示薬法により測定される表面酸−塩基強度が実質的
に中性であるジルコニウム酸化物とパラジウムとを必須
成分とする触媒を使用することを特徴とする高級ケトン
の製造方法。 - (2)特許請求の範囲第1項に記載の高級ケトンの製造
方法において、ジルコニウム酸化物の表面酸−塩基強度
が酸強度(H_0)+3.3以上、かつ塩基強度(H_
−)+7.2以下であることを特徴とする方法。 - (3)特許請求の範囲第1項又は第2項に記載の高級ケ
トンの製造方法において、反応を30〜150℃の温度
で行なうことを特徴とする方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62310626A JPH0774180B2 (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | 高級ケトンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62310626A JPH0774180B2 (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | 高級ケトンの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01151533A true JPH01151533A (ja) | 1989-06-14 |
JPH0774180B2 JPH0774180B2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=18007523
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62310626A Expired - Fee Related JPH0774180B2 (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | 高級ケトンの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0774180B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101830787A (zh) * | 2010-04-13 | 2010-09-15 | 沈阳化工学院 | 由丙酮气相一步法合成甲基异丁基酮和二异丁基酮的方法 |
-
1987
- 1987-12-08 JP JP62310626A patent/JPH0774180B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101830787A (zh) * | 2010-04-13 | 2010-09-15 | 沈阳化工学院 | 由丙酮气相一步法合成甲基异丁基酮和二异丁基酮的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0774180B2 (ja) | 1995-08-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |