JPH01144582A - 混成集積回路の製造方法 - Google Patents
混成集積回路の製造方法Info
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- JPH01144582A JPH01144582A JP62301824A JP30182487A JPH01144582A JP H01144582 A JPH01144582 A JP H01144582A JP 62301824 A JP62301824 A JP 62301824A JP 30182487 A JP30182487 A JP 30182487A JP H01144582 A JPH01144582 A JP H01144582A
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-
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-
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- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
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- Laser Beam Processing (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は混成集積回路の製造方法に関し、特に、ベアペ
レットを搭載した基板とリード端子とをレーザー照射に
より半田付けする混成集積回路の製造方法に関する。
レットを搭載した基板とリード端子とをレーザー照射に
より半田付けする混成集積回路の製造方法に関する。
［従来の技術］
従来、混成集積回路基板にリード端子を接続して混成集
積回路を製造する場合は、先ず、基板上に各種部品を搭
載し、各種の配線及び接続を行う。
積回路を製造する場合は、先ず、基板上に各種部品を搭
載し、各種の配線及び接続を行う。
また、ベアペレットを樹脂により被覆して保護する。
次に、クリップ端子により基板を挟み、これを溶融半田
槽に浸漬するか（半田デイツプ法）又は半田ペーストを
端子に塗布し、この半田ペーストを加熱して溶融させる
（リフロー法）ことにより、端子を接続する。
槽に浸漬するか（半田デイツプ法）又は半田ペーストを
端子に塗布し、この半田ペーストを加熱して溶融させる
（リフロー法）ことにより、端子を接続する。
リフロー法は、赤外線リフロー炉によるもの又は気相法
によるもの等の素子全体を加熱する一括加熱法と、レー
ザー法、光ビーム法、ホットラム法又は熱風法等の素子
の一部を局所的に加熱する部分加熱法とがある。
によるもの等の素子全体を加熱する一括加熱法と、レー
ザー法、光ビーム法、ホットラム法又は熱風法等の素子
の一部を局所的に加熱する部分加熱法とがある。
ところで、半田デイツプ法は、基板及び部品への熱スト
レスが大きいので、近時は、半田デイツプ法からりフロ
ー法への置き換えが進められている。また、リフロー法
の中でも、高密度実装型の製品では所要部品のみを加熱
する部分加熱法が注目されている。
レスが大きいので、近時は、半田デイツプ法からりフロ
ー法への置き換えが進められている。また、リフロー法
の中でも、高密度実装型の製品では所要部品のみを加熱
する部分加熱法が注目されている。
而して、レーザー加熱法は、この部分加熱法の中でも加
熱面積が小さいこと及び加熱時間が短いこと等の特性上
又は製造上の優れた利点を有するため、高密度実装基板
用の端子接続法として最も適しており、その導入が進ん
でいる。
熱面積が小さいこと及び加熱時間が短いこと等の特性上
又は製造上の優れた利点を有するため、高密度実装基板
用の端子接続法として最も適しており、その導入が進ん
でいる。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、上述した従来のレーザー加熱半田付法は
、以下のような欠点を有する。半田ペーストに照射され
たレーザー光は半田を溶融させると共に、フラックスを
突沸させるので、半田ボール及びフラックスを飛散させ
てしまう。このため、基板上に飛散したフラックス及び
半田ボールを有機溶剤により除去する必要がある。しか
しながら、ベアペレットを搭載した基板は、機械的保護
及びα線保護のために、通常、シリコンで被覆するので
、このシリコン樹脂を使用している基板に対してレーザ
ーによる半田付をした後、洗浄のために基板全体を有機
溶剤に浸漬すると、シリコン樹脂が膨潤してワイヤの接
続不良を生じさせることが多い。
、以下のような欠点を有する。半田ペーストに照射され
たレーザー光は半田を溶融させると共に、フラックスを
突沸させるので、半田ボール及びフラックスを飛散させ
てしまう。このため、基板上に飛散したフラックス及び
半田ボールを有機溶剤により除去する必要がある。しか
しながら、ベアペレットを搭載した基板は、機械的保護
及びα線保護のために、通常、シリコンで被覆するので
、このシリコン樹脂を使用している基板に対してレーザ
ーによる半田付をした後、洗浄のために基板全体を有機
溶剤に浸漬すると、シリコン樹脂が膨潤してワイヤの接
続不良を生じさせることが多い。
なお、リード端子に予め予備半田付をしておき、還元性
雰囲気下でレーザーを照射すれば、半田ボール及びフラ
ックスの飛散を防止することができるが、製造コストが
高くなるという問題点がある。
雰囲気下でレーザーを照射すれば、半田ボール及びフラ
ックスの飛散を防止することができるが、製造コストが
高くなるという問題点がある。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
樹脂膨潤による接続不良が防止され、混成集積回路の小
型化を可能とする混成集積回路の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
樹脂膨潤による接続不良が防止され、混成集積回路の小
型化を可能とする混成集積回路の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明に係る混成集積回路の製造方法は、ペアペレット
を搭載した基板上にリード端子を装着する工程と、半田
ペーストを前記リード端子に塗布する工程と、前記リー
ド端子と前記ベアペレットとの間に透明遮蔽板を介装す
る工程と、前記半田ペーストにレーザーを照射して半田
ペーストを溶融させる工程と、前記透明遮蔽板を除去し
たベアペレットに封脂を被覆する工程とを有することを
特徴とする。
を搭載した基板上にリード端子を装着する工程と、半田
ペーストを前記リード端子に塗布する工程と、前記リー
ド端子と前記ベアペレットとの間に透明遮蔽板を介装す
る工程と、前記半田ペーストにレーザーを照射して半田
ペーストを溶融させる工程と、前記透明遮蔽板を除去し
たベアペレットに封脂を被覆する工程とを有することを
特徴とする。
［作用］
本発明においては、ベアペレットを搭載した基板上にリ
ード端子を装着し、半田ペーストを前記リード端子に塗
布する。そして、リード端子とベアペレットとの間に透
明ガラス等の透明遮蔽板を介装し、前記半田ペーストに
レーザーを照射して半田ペーストを溶融させ、この半田
ペーストにより前記リード端子と基板とを固定する０次
いで、前記透明遮蔽板を除去し、基板に付着したフラッ
クス及び半田ボールを清掃除去した後、前記ベアペレッ
トに樹脂を被覆して保護する。
ード端子を装着し、半田ペーストを前記リード端子に塗
布する。そして、リード端子とベアペレットとの間に透
明ガラス等の透明遮蔽板を介装し、前記半田ペーストに
レーザーを照射して半田ペーストを溶融させ、この半田
ペーストにより前記リード端子と基板とを固定する０次
いで、前記透明遮蔽板を除去し、基板に付着したフラッ
クス及び半田ボールを清掃除去した後、前記ベアペレッ
トに樹脂を被覆して保護する。
このように、本発明においては、半田付後に有機溶剤の
洗浄等による清掃を実施した後、ペレットを樹脂で被覆
する。従って、樹脂の膨潤が回避され、ワイヤの接続不
良が防止される。また、その製造工程も格別新たな工程
を付加することはないから、製造コストを増大させるこ
とはない。
洗浄等による清掃を実施した後、ペレットを樹脂で被覆
する。従って、樹脂の膨潤が回避され、ワイヤの接続不
良が防止される。また、その製造工程も格別新たな工程
を付加することはないから、製造コストを増大させるこ
とはない。
［実施例］
次に、本発明の実施例について添付の図面を参照して説
明する。
明する。
第１図（ａ）乃至（ｄ）は、本発明の実施例に係る混成
集積回路の製造方法を工程順に示す断面図である。
集積回路の製造方法を工程順に示す断面図である。
第１図（ａ）に示すように、混成集積回路基板１上にベ
アペレット２を搭載して基板１とペレット２とをボンデ
ィングワイヤ３により接続配線する。
アペレット２を搭載して基板１とペレット２とをボンデ
ィングワイヤ３により接続配線する。
次に、第１図（ｂ）に示すようにクリップ状のリード端
子５を基板１に嵌合し、デイスペンサー法により、リー
ド端子５°上に半田ペースト６を塗布する。
子５を基板１に嵌合し、デイスペンサー法により、リー
ド端子５°上に半田ペースト６を塗布する。
次いで、第１図（ｃ）に示すようにリード端子５とベア
ペレット２との間に、例えば、０．３ｍｍ厚の石英ガラ
ス板７を挿入し、リード端子５上の半田ペースト６に、
例えば、ＹＡＧレーザーを照射する。そうすると、半田
ペースト６は溶融して各リード端子５に引き寄せられる
共に、大量のフラックスと半田ボールとを飛散させるが
、この飛散物は透明ガラス板７により遮ぎられてベアペ
レット２にフラックス又は半田ボールが衝突・付着する
ことはない。
ペレット２との間に、例えば、０．３ｍｍ厚の石英ガラ
ス板７を挿入し、リード端子５上の半田ペースト６に、
例えば、ＹＡＧレーザーを照射する。そうすると、半田
ペースト６は溶融して各リード端子５に引き寄せられる
共に、大量のフラックスと半田ボールとを飛散させるが
、この飛散物は透明ガラス板７により遮ぎられてベアペ
レット２にフラックス又は半田ボールが衝突・付着する
ことはない。
このようにして、基板１にクリップ状のリード端子５が
半田付けされる。次いで、この基板１を、そのまま有機
溶剤に浸漬して基板１に付着したフラックス及び半田ボ
ールを除去する。
半田付けされる。次いで、この基板１を、そのまま有機
溶剤に浸漬して基板１に付着したフラックス及び半田ボ
ールを除去する。
その後、第１図（ｄ）に示すように、ペアペレット２を
その保護のためにシリコン樹脂４により被覆した後、外
装樹脂８により基板全体を被覆する。これにより混成集
積回路が完成する。
その保護のためにシリコン樹脂４により被覆した後、外
装樹脂８により基板全体を被覆する。これにより混成集
積回路が完成する。
なお、半田ペースト６をレーザー照射する際には、半田
溶融部近辺が局所的に昇温するが、この昇温温度が２３
０乃至２５０℃と低いため、第２図に示すように、石英
ガラス板７の替わりに耐熱性フィルム９を使用してフラ
ックス及び半田ボールを遮蔽することも考えられる。し
かしながら、約０．２乃至０．３ｍｍの板厚の耐熱性フ
ィルム９では、この耐熱性フィルム９が第２図に示すよ
うに変形してしまい、リード端子５に接触することがあ
る。更に、予めプログラムした基板の位置に対して基板
の設定位置がずれると、レーザー光が直接耐熱性フィル
ム９に照射されて、耐熱性フィルム９が炎を出して燃え
ることがある。
溶融部近辺が局所的に昇温するが、この昇温温度が２３
０乃至２５０℃と低いため、第２図に示すように、石英
ガラス板７の替わりに耐熱性フィルム９を使用してフラ
ックス及び半田ボールを遮蔽することも考えられる。し
かしながら、約０．２乃至０．３ｍｍの板厚の耐熱性フ
ィルム９では、この耐熱性フィルム９が第２図に示すよ
うに変形してしまい、リード端子５に接触することがあ
る。更に、予めプログラムした基板の位置に対して基板
の設定位置がずれると、レーザー光が直接耐熱性フィル
ム９に照射されて、耐熱性フィルム９が炎を出して燃え
ることがある。
ところが、遮蔽板が透明ガラス板７の場合には、ＹＡＧ
レーザー光が照射されてもレーザー光はこの透明ガラス
板７を透過するので遮蔽板が燃焼する虞れはない。従っ
て、透明ガラス板７を使用した場合は、機械的位置ずれ
に対して余裕度が高く、安全なレーザー半田付を実施す
ることができる。
レーザー光が照射されてもレーザー光はこの透明ガラス
板７を透過するので遮蔽板が燃焼する虞れはない。従っ
て、透明ガラス板７を使用した場合は、機械的位置ずれ
に対して余裕度が高く、安全なレーザー半田付を実施す
ることができる。
このようにして、本実施例においては、樹脂でペレット
を被覆する前に、リード端子と基板とを、レーザー照射
により半田付けする。そして、レーザー照射時の飛散物
を有機溶剤により洗浄除去した後、ペレットを樹脂で被
覆する。従って、樹脂が膨潤してワイヤの接続不良を発
生させることはない。また、格別新たな工程を付加する
必要がないので、製造コストが増大することはない。
を被覆する前に、リード端子と基板とを、レーザー照射
により半田付けする。そして、レーザー照射時の飛散物
を有機溶剤により洗浄除去した後、ペレットを樹脂で被
覆する。従って、樹脂が膨潤してワイヤの接続不良を発
生させることはない。また、格別新たな工程を付加する
必要がないので、製造コストが増大することはない。
［発明の効果］
本発明によれば、有機溶剤に浸漬して飛散物を洗浄除去
することによる樹脂の膨潤が回避されるので、ボンディ
ングワイヤの接続不良が防止される。従って、製造歩留
が上がり、低コストで信頼性が高い混成集積回路を製造
することができる。
することによる樹脂の膨潤が回避されるので、ボンディ
ングワイヤの接続不良が防止される。従って、製造歩留
が上がり、低コストで信頼性が高い混成集積回路を製造
することができる。
また、混成集積回路が小型化すればするほど本発明の効
果は有益になり、更に基板上にフリップチップ等のバン
ブ接続されたペレットを有する混成集積回路にも本発明
を同様に適用することができ、同様の効果を有する。
果は有益になり、更に基板上にフリップチップ等のバン
ブ接続されたペレットを有する混成集積回路にも本発明
を同様に適用することができ、同様の効果を有する。
第１図（ａ）乃至（ｄ）は本発明の実施例方法を工程順
に示す断面図、第２図は耐熱性フィルムを用いた場合の
欠点を説明する断面図である。 １；基板、２；ペレット、３；ボンディングワイヤ、４
；シリコン樹脂、５；リード端子、６；半田ペースト、
７；石英ガラス板、８；樹脂、９；耐熱性フィルム
に示す断面図、第２図は耐熱性フィルムを用いた場合の
欠点を説明する断面図である。 １；基板、２；ペレット、３；ボンディングワイヤ、４
；シリコン樹脂、５；リード端子、６；半田ペースト、
７；石英ガラス板、８；樹脂、９；耐熱性フィルム
Claims (1)
- ベアペレットを搭載した基板上にリード端子を装着す
る工程と、半田ペーストを前記リード端子に塗布する工
程と、前記リード端子と前記ベアペレットとの間に透明
遮蔽板を介装する工程と、前記半田ペーストにレーザー
を照射して半田ペーストを溶融させる工程と、前記透明
遮蔽板を除去したベアペレットに封脂を被覆する工程と
を有することを特徴とする混成集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62301824A JPH01144582A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 混成集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62301824A JPH01144582A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 混成集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01144582A true JPH01144582A (ja) | 1989-06-06 |
Family
ID=17901603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62301824A Pending JPH01144582A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 混成集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01144582A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011528979A (ja) * | 2008-03-18 | 2011-12-01 | レニショウ パブリック リミテッド カンパニー | 流体分注装置および方法 |
| JP2013033596A (ja) * | 2011-08-01 | 2013-02-14 | Yazaki Corp | カバー一体型の基板内蔵型コネクタユニット及びその製造方法 |
-
1987
- 1987-11-30 JP JP62301824A patent/JPH01144582A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011528979A (ja) * | 2008-03-18 | 2011-12-01 | レニショウ パブリック リミテッド カンパニー | 流体分注装置および方法 |
| JP2013033596A (ja) * | 2011-08-01 | 2013-02-14 | Yazaki Corp | カバー一体型の基板内蔵型コネクタユニット及びその製造方法 |
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