JPH01143384A - 光電子集積回路およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体レーザや発光ダイオードなどの発光素
子を駆動するためのへテロ接合バイポーラトランジスタ
（ＨＢＴ）などの電気素子を同一の基板上に集積化した
光電子集積回路（ｏＥＩＣ’）およびその製造方法に関
する。

従来の技術 半導体レーザや発光ダイオードなどの発光素子とこれら
の発光菓子を駆動するためのへテロ接合バイポーラトラ
ンジスタなどの電気素子を同一の基板上に集積化した光
電子集積回路はＬＡＮや石英ファイバーをつかった長距
離光フアイバー通信やコンピュータ間の光ファイバーに
よる高速データ通信などに用いる光源として高性能、高
信頼、低価格が期待されている。まず、従来の光電子集
積回路について述べる。

第２図（−）〜（ｉ）は従来の光電子集積回路の製造工
程を示す断面構造図である。

６へ一ノ 第２図（ａ）に示すように（１ｏｏ）面を主面とする半
絶縁性ＩｎＰ基板２０１上にＮ＋型の高キャリア密度Ｉ
ｎＰクラッド層２ｏ２（たとえばキャリア密度ｌＸ１０
　　ｃｍ　　、厚さ１　μｍ）、Ｎ型の低キヤリア密度
ＩｎＰ　　クラッド層２０３（たとえばキャリア密度ｌ
Ｘ１０　　Ｊ　　、厚さ１μｍ）、前記Ｎ型ＩｎＰクラ
ッド層２０３よシもバンドギャップが小さいＩ　ｎＧａ
Ａｓ　Ｐ活性層２０４（たとえばバンドギャップ波長λ
９＝１．３μｍ、厚さ０．１５μｍ）、前記活性層２０
４よりもバンドギャップが大きいＰ型のＩｎＧａＡｓＰ
光導波層２０６（たとえばバンドギャップ波長λｑ＝１
．１μｍ１　　キャリア密度５Ｘ１０　ｃｍ　。

厚さｏ、ｓμｍ）、Ｐ型のＩｎＰ　　クラッド層２０６
（たとえばキャリア密度５　Ｘ　１０　”　’　ｃｍ−
３、厚さ１μｍ）およびＰ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト
層２Ｑ７（たとえばバンドギャップ波長λ９＝１．３μ
ｍやキャリア密度１×１ｏ１８０−３、厚さ０．５μｍ
）を順次液相エピタキシャル法によって形成する。

次に、たとえばプラズマＣＶＤ法で堆積した厚さ３００
ｎｍのシリコン窒化膜２ｏ８をたとえば６、−７ 幅５μｍのストライプ状に＜０１１＞方向と平行に形成
し、このシリコン窒化膜２０８をマスクとしてＨ２ＳＯ
４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２ｏ＝１：１：５の混合液テＰ　型Ｉ
　ｎＧａＡ　ｓ　Ｐコンタクト層２０７をエッｆＪグし
、さらにＨＣｌ：Ｈ３ＰＯ４、＝１：２の混合液でＰ型
ＩｎＰクラッド層２０６をエツチングすると第２図（ロ
）に示すように幅３μｍのりッジが形成される。

シリコン窒化膜２０８をたとえばＨＦ：ＮＨ４Ｆ＝１：
１０の混合液で除去した後液相エピタキシャル法でリッ
ジをＮ型ＩｎＰエミッタ層　２ｏ９（たとえばキャリア
密度５Ｘ１０”（−＠−３、厚さ１μｒｎ）およびＮ型
ＩｎＧａＡｓ　　エミッタコンタクト層２１０（たとえ
ばキャリア密度１×１０１８０−３、厚さｏ、５μｍ）
で順次埋め込むと第２図（ｃ）に示すようになる。

次に、たとえばプラズマＣＶＤ法で堆積した厚さ３００
　ｎｍのシリコン窒化膜２１１とたとえば熱ＣＶＤ法で
堆積した厚さ２００　ｎｍのシリコン酸化膜２１２から
なる２層膜に開孔２１３を穿ち２層膜をマスクとして開
孔部２１３からＰ型の不７ヘーノ゛ 鈍物であるＺｎをたとえばＺ　ｎ　Ｐ　２を拡散源とす
る封管拡散法によってベース層（光導波層）２ｏ５に達
する壕で５００”０１０分間の拡散を行って、第２図（
ｄ）に示すようにグラフトベース領域２１４を形成する
。さらにシリコン窒化膜２１１をマスクとしてたとえば
Ｈ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ−１：１：５の混合液で
Ｎ　型ＩｎＧａＡｓ　エミッタコンタクト層２１０をエ
ツチングしさらにサイドエツチングを行ってＺｎが拡散
された領域のＩｎＧａＡｓ　エミッタコンタクト層２Ｉ
Ｑを除去する。

次に、たとえばプラズマＣＶＤ法で新だに堆積した厚さ
３００ｎｍのシリコン窒化膜２１５を部分的に形成し、
このシリコン窒化膜２１５をマスクとしてたとえばＨ２
ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ−１：に５の混合液でＮ型Ｉ
ｎＧａＡｓ　　エミッタコンタクト層２１０をエツチン
グし、さらにたとえばＨＣＩ：Ｈ２ＰＯ４−１：２の混
合液でＮ型ＩｎＰ　　エミッタ層２０９をエツチングす
ると第２図（ｅ）に示すような形状になる。このエツチ
ングの際リッジ部のＰ型Ｉ　ｎＧａＡｓ　Ｐ　ｍｌ　：
／タクト層２０７はＨ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２０＝１
：１：５の混合液に対するエツチング速度がＮ型ＩｎＧ
ａＡ３エミッタコンタクト層２１０よりも遅い（約１／
１０）のでエツチングされずに残り、リッジ部が第２図
（ｂ）の形状に掘シ出される。

次に、たとえばプラズマＣＶＤ法で新たに堆積した厚さ
３００ｎｍのシリコン窒化膜２１６をヘテロ接合バイポ
ーラトランジスタ部およびレーザ部を覆うように部分的
に形成し、たとえばＨ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ−１
：１：５の混合液でＰ型ＩｎＧａＡｓＰ　　ベース層（
先導波層）２０６およびＩｎＧａＡｓＰ活性層２０４を
エツチングすると第２図（ｆ）に示すようにＮ型ＩｎＰ
コレクタ層（クラッド層）２０３の表面が露出する。

次に、たとえばプラズマＣＶＤ法で新たに堆積した厚さ
３００ｎｍのシリコン窒化膜２１７に開孔を穿ち、この
シリコン窒化膜２１７としてたとえばＨＣｌ：Ｈ２ＰＯ
４−１：２の混合液でＮ型ＩｎＰコレクタ層（クラッド
層）２ｏ３およびＮ型ＩｎＰクラッド層２０２をエツチ
ングすると第２図（ｑ）に９ベー。

示すような素子間を電気的に絶縁分離する分離溝２１８
が形成される。分離溝２１８はレーザのストライプと平
行なく０１１＞方向では第２図（ｑ）に示すような半絶
縁性ＩｎＰ　基板２０１の主面に垂直表側面を持ってお
シレーザのストライプと垂直な（０１１）方向では７字
型のテーパ状の側面を持っている。

次に、たとえばプラズマＣＶＤ法で堆積した厚さ３００
ｎｍのシリコン窒化膜２１９とたとえば熱ＣＶＥ法で堆
積した厚さ２００　ｎｍのシリコン酸化膜２２０をパッ
シベーション膜として形成し、−コンタクト金属として
たとえば厚さ１０／１５／３００ｎｍのＡｕ／Ｓｎ／Ａ
ｕを蒸着してリフトオフ法によりエミッタ電極２２１、
コレクタ電極２２２およびカソード電極２２３を形成す
る。さらにたとえば厚さ１　ｏ／１０／３００ｎｍのＡ
　ｕ／Ｚ　ｎ／Ａ　ｕ電極を蒸着してリフトオフ法によ
りベース電極２２４およびアノード電極２２５を形成す
ると第２図小）に示すようになる。

最後にたとえば厚さ５０１５０／４００ｎｍのＣｒ／１
０１−＋ Ｐ　ｔ　／Ａ　ｕ電極を蒸着してリフトオフ法により素
子間の電極配線２２６を形成すると第２図（ｉ）に示す
ように本発明の一実施例の光電子集積回路装置が完成す
る。

上述の従来例の特徴はレーザのＮ５クラッド層とへテロ
接合バイポーラトランジスタのコレクタ層、レーザのＰ
型光導波層とへテロ接合バイポーラトランジスタのベー
ス層がそれぞれ共通であるという簡単な構造を有してお
９、ベース層の形成は最初のエビクキシャル成長で平坦
な基板の表面に行うので厚さは均一であり電流増幅率が
素子間で均一になるという点である。

発明が解決しようとする問題点 このよう々従来の光電子集積回路において、ヘテロ接合
バイポーラトランジスタのベース層とエミッタ層の結晶
成長は連続して行われず別々に行われるのでベース・エ
ミッタ接合の界面には結晶欠陥が多く発生しエミッタか
らベースへのキャリアの注入効率の低下を引き起こして
いた。

また、レーザのアノード電極のコンタクトは幅１１　ペ
ージ ３μｍのストライプ状のりフジ上に形成されるのでコン
タクト面積が小さくコンタクト抵抗が約８９と大きくな
シコンタクト部での発熱が素子の特性に悪影響を与えて
しまうという問題点もあった。

問題点を解決するための手段 本発明は上述のよう々従来の光電子集積回路における問
題点を解決するためになされたもので、半絶縁性基板上
にＮ型のクラッド層が形成されており、Ｎ型クラッド層
の表面に部分的に活性層およびＰ型の光導波層が形成さ
れており、さらにＰ型光導波層の表面に部分的にストラ
イプ状にＰ型のクラッド層が形成されており、Ｎ型クラ
ッド層の表面、Ｐ型クラッド層の表面およびＰ型クラッ
ド層の側面を埋め込むようにＮ型のエミッタ層、Ｎ型エ
ミッタ層よりもバンドギャップが小さいＰ型のベース層
およびＮ型のコレクタ層が形成されておＪ、Ｐ型クラッ
ド層の表面のコレクタ層に設けられたＰ型の拡散層の表
面にアノード電極が形作　　用 上述のような構成により本発明の光電子集積回路は、ヘ
テロ接合バイポーラトランジスタのエミッタ層、ベース
層およびコレクタ層の結晶成長を連続して行うので従来
問題となっていたベース・エミッタ接合の界面に発生す
る結晶欠陥は少なくエミッタからベースへのキャリアの
注入効率が低下するという問題点が解決される。

また、レーザのアノード電極のコンタクトはストライプ
状のリッジの幅よシも広く形成されるのでコンタクト面
積を大きく取ることができてコンタクト抵抗を小さくす
ることができ、コンタクト部での発熱による問題点も解
決される。

実施例 以下、本発明をＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系光電子集積回
路に応月光電子集積回路例にしたがって説明する。第１
図（ａ）〜０）は、本発明の一実施例の光電子集積回路
の製造工程を示す断面構造図である。

１３、、。

密度のＩｎＰ　　クラッド層１０２（たとえばキャリア
密度Ｉ　Ｘ　１０’　”ｃｍ−３，厚さ１μｍ）、前記
Ｎ型ＩｎＰクラッド層１０２よシもバンドギャップが小
さいＩｎＧａＡｓＰ活性層１０３（たとえばバンドギャ
ップ波長λｑ　〜１−３　ｐ　ｍＳＪさ０．１５μｍ）
、前記活性層１０３よシもバンドギャップが大きいＰ型
のＩｎＧａＡｓＰ光導波層１０４（たとえばバンドギャ
ップ波長λｑ−１．１μｍ５キャリア密度１×１０’”
ｃｒｎ−’、厚さ０．３μｍ）およびＰ型のＩｎＰクラ
ッド層１０５（たとえばキャリア密度１×１０　ｍ　１
厚さ１μｍ）を順次液相エピタキシャル法によって形成
する。

次に、たとえばＣＶＤ法で堆積した厚さ３００ｎｍのシ
リコン窒化膜１０６をたとえば幅３μｍのストライプ状
に（０１１）方向と平行に形成し、このシリコン窒化膜
１０６をマスクとしてたとえばＨＣｌ：Ｈ２ＰＯ４−１
：２の混合液でＰ型ＩｎＰクラッド層１０５をエツチン
グすると第１図（ｂ）に示すような幅２μｍのストライ
プ状のリッジが形成される。

さらに、たとえばプラズマＣＶＤ法で堆積した１４へ−
７・ 厚さ３００　ｎｍのシリコン窒化膜１０７をストライフ
状ノリッジを覆うように形成し、このシリコン窒化膜１
０７をマスクとしてたとえばＨ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ
２０＝１：１：５の混合液でＰ型Ｉ　ｎＧ　ａＡｓ　Ｐ
光導波層１０４およびＩｎＧａＡｓＰ活性層１０３をエ
ツチングすると第１図（Ｃ）に示すようにＮ型ＩｎＰク
ラッド層１０２が掘シ出される。

シリコン窒化膜１０７をたとえばＨＦ：ＮＨ４Ｆ＝１：
１ｏの混合液で除去した後液相エピタキシャル法でリッ
ジをＮ型ＩｎＰエミッタ層１１１（たとえばキャリア密
度５Ｘ１０”、、”、厚さ１μｍ）、Ｐ型ＩｎＧａＡｓ
Ｐベース層１１２（たとえばバンドギャップ波長λｑ＝
１．１μｍ、キャリア密度２Ｘ１０　Ｃ１ｎ　ｓ厚さｏ
、３ｐｍ）、Ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ：＋レクタ層１１３（
たとえばバンドギャップ波長λｇ８＝＝１．１μｍ、キ
ャリア密度１×１０　ｃｒｎ　１厚さ１μｍ）およびＮ
型ＩｎＧａＡｇコレクタコンタクト層１１４（たとえば
キャリア密度２×１ｏ１８ｃｒｎ−３、厚さ０．３μｍ
）で順次埋め込むと第１図（ｄ）に示すようになる。

次に、たとえばプラズマＣＶＤ法で堆積した厚１５　　
、。

さ５０ｎｍのシリコン窒化膜１１５とたとえば熱ＣＶＤ
法で堆積した厚さ２００　ｎｍのシリコン酸化膜１１６
から々る２層膜に開孔を穿ち２層膜をマスクとしてたと
えばＨ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２０＝１　：１　：１０
の混合液でＮ型ＩｎＧａＡｓ：ｌｚクタコンタクト層層
膜１４エツチングし、さらに開孔部からＰ型の不純物で
あるＺｎをたとえばＺ　ｎ　Ｐ　２を拡散源とする封管
拡散法によってＮ型ＩｎＰエミッタ層１１１に達するま
で５Ｑ○°Ｃ１０分間の拡散を行って、第１図（ｅ）に
示すようにＰ型グラフトベース拡散層１１７およびＰ型
アノード拡散層１１８を形成する。さらにシリコン窒化
膜１１６をマスクとしてたとえばＨ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２
：Ｈ２Ｏ−１：１　：５の混合液でＮ型ＩｎＧａＡｓコ
レクタコンタクト層１１４にサイドエツチングを行って
Ｚｎが拡散された領域のＩｎＧａＡｓコレクタコンタク
ト層１１４を除去する。

次に、２層膜１１５，１１６を除去した後たとえばプラ
ズマＣＶＤ法で新たに堆積した厚さ３００ＧＰ、’ｍの
シリコン窒化膜１１９を部分的に形成し、このシリコン
窒化膜１１９をマスクとしてたとえばＨ２ＳＯ４：Ｈ２
Ｏ２：Ｈ２Ｏ−１：１　：５の混合液でＮ型Ｉ　ｎ　Ｇ
　ａ　Ａ　ｓコレクタコンタクト層１１４をエツチング
すると第１図（ｆ）に示すような形状になる。

次に、シリコン窒化膜１１９を除去した後たとえばプラ
ズマＣＶＤ法で新たに堆積した厚さ３００ｎｍのシリコ
ン窒化膜１２０をヘテロ接合バイポーラトランジスタ部
およびレーザ部を覆うように部分的に形成し、たとえば
Ｈ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ−１：１：５の混合液で
、Ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ：＋レクタ層１１３およびＰ型Ｉ
ｎＧａＡｓＰベース層１１２をエツチングすると第１図
（ｑ）に示すようにＮ型ＩｎＰエミッタ層１１１の表面
が露出する。

次に、シリコン窒化膜１２０を除去した後たとえばプラ
ズマＣＶＤ法で新たに堆積した厚さ３００ｎｍのシリコ
ン窒化膜１２１に開孔を穿ち、このシリコン窒化膜１２
１をマスクとしてたとえばＨ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２
Ｏ−１：１　：ｓの混合液でＮ型ＩｎＧａＡｓＰ：＋レ
クタ層１１２およびＰ型Ｉ　ｎＧａＡｓ　Ｐベース層１
１２をエツチングし、さらにたとえば１７　ヘ−ジ ＨＣｌ：Ｈ２ＰＯ４−１：２の混合液でＮ型ＩｎＰ＋：
ミソタ層１１１およびＮ型ＩｎＰクラッド層１０２をエ
ツチングすると第１図き）に示すような素子間を電気的
に絶縁分離する分離溝１２２およびアノード・カソード
間分離溝１２３が形成される。分離溝１２２，１２３は
レーザのストライプと平行な（０１１）方向では第１図
（ｈ）に示すような半絶縁性Ｉｎｉ板１０１の主面に垂
直な側面を持っておシレーザのストライプと垂直なく０
１１〉方向では７字型のテーパ状の側面を持っている。

したがって〈０１１〉方向のぶんシみぞ１２２，１２３
はたとえば幅１μｍであっても深さは３μｍと深くする
ことができる。よって分離溝１２２，１２３にたとえば
シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、ポリイミド膜などを
埋め込むことができる。

次に、シリコン窒化膜１２１を除去した後たとえばプラ
ズマＣＶＤ法で堆積した厚さ５０ｎｍのシリコン窒化膜
１２４とたとえば熱ＣＶＤ法で堆積した厚さ５００ｎｍ
のシリコン酸化膜１２６をパッシベーション膜として形
成し、コンタクト金属１８　／＼−７ としてたとえば厚さ１０／１５／３ＱＱｎｍのＡ　ｕ／
Ｓ　ｎ／Ａｕを蒸着してリフトオフ法によりカソード電
極１３１、エミッタ電極１３２およびコレクタ電極１３
３を形成する。さらにたとえば厚さ１０／１０／３００
　ｎ　ｍのＡ　ｕ／Ｚ　ｎ／Ａ　ｕ電極を蒸着しテリフ
トオフ法によシアノード電極１３４およびベース電極１
３５を形成すると第１図（１）に示すようになる。

最後にたとえば厚さ５０／　５ｏ／４０ｏｎｍのＣｒ／
Ｐｔ／Ａｕ電極を蒸着してリフトオフ法により素子間の
電極配線１３６を形成すると第２図（Ｄに示すように本
発明の一実施例の光電子集積回路が完成する。

上述の本発明の一実施例の特徴はレーザのＮ型クラッド
層とへアロ接口バイポーラトランジスタのエミッタ層、
ベース層およびコレクタ層が２度日の液相エピタキシャ
ル成長で連続して形成されるので欠陥の少ない接合が得
られるという点である。

また、上述の本発明の一実施例の他の特徴は従来例では
アノード電極かりッジの上部のみであっ１９ヘーノ てコンタクト抵抗が高いという問題点があったが、本発
明ではアノード電極のコンタクト面積を大きくできるの
でコンタクト抵抗を低くすることができることである。

また従来例ではコレクタ層とＮ型ＩｎＰクラッド層とが
共通であったためＮ型ＩｎＰクラッド層のキャリア密度
を下げてコレクタ・ベース接合の接合容量を低減しよう
とするとレーザの活性層への電子の注入効率が下がって
しまうという問題点があったが、本発明ではへテロ接合
バイポーラトランジスタのＮ型ＩｎＧａＡｓＰ＝＋レク
タ層はＰ型ＩｎＧａＡｓＰベース層の上に形成されベー
ス層およびグラフトベース拡散層以外の層とは接しない
のでＮ型ＩｎＧａＡｓＰコレクタ層のキャリア密度を下
げてコレクタ・ベース接合の接合容量を低減することが
できる。また、従来例ではコレクタ層を選択エツチング
によって表面に露出させる必要があったためコレクタ層
としてはベース層よシもバンドギヤＰＮ接合かへテロ接
合とは異なる位置になった場合、エミッタからベースに
注入された少数キャリアがコレクタに到達せず電流増幅
率が大きく低下するという問題点もあったが、本発明で
はコレクタ層が上にあるためコレクタ・ベース間で選択
エツチングをする必要がないためコレクタ層の組成をベ
ース層とバンドギャップが等しいかまたは小さいＩ　ｎ
　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　Ｐ層にすることができ、ベース層の
不純物がコレクタ層に拡散した場合でも電流増幅率が大
きく低下することはない。

また、本発明においてはベース層の形成は２度目の液相
エピタキシャル成長で行われるがレーザのリッジの幅が
約２μｍと細いため形成されるベース層の厚さは平坦な
基板上に液相エピタキシャル成長した場合と同様に均一
でありｗ流増幅率は素子間で均一になる。

さらに上記本発明の一実施例からも明らかなように、本
発明において分離溝に絶縁膜を埋め込むことは容易にで
きるため素子の表面が平坦なプレーナ構造が実現でき再
現性よく高歩留まシで光電２１　ページ 子集積回路を製造することができる。

なお、上記実施例の説明においてＰ型とＮ型の導電型が
逆であってもよいことはもちろんである。

さらに、以上の実施例の説明では本発明をＩｎＰ／Ｉｎ
ＧａＡｓＰ系光電子集積回路に応月光電子集積回路て述
べたがＧ　ａ　Ａ　ｓ　／Ａ　Ｉ　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ系光
電子集積回路装置でも同様に応用が可能であることはも
ちろんである。

発明の効果 本発明は、半絶縁性基板上にＮ型のクラッド層が形成さ
れており、Ｎ型クラッド層の表面に部分的に活性層およ
びＰ型の光導波層が形成されており、さらにＰ型光導波
層の表面に部分的にストライプ状にＰ型のクラッド層が
形成されており、Ｎ型クラッド層の表面、Ｐ型クラッド
層の表面およびＰ型クラッド層の側面を埋め込むように
Ｎ型のエミッタ層、Ｎ型エミッタ層よシもバンドギャッ
プが小さいＰ型のべ一ヌ層およびＮ型のコレクタ層が形
成されており、Ｐ型クラッド層の表面のコレクタ層に設
けられたＰ型の拡散層の表面にアノ−２２Ａ−／ ド電極が形成されているという構成によシ本発明の光電
子集積回路は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタのコ
レクタ層、ベース層およびエミッタ層の結晶成長を連続
して行うので従来問題となっていたベース・エミッタ接
合の界面に発生する結晶欠陥は少なくエミッタからベー
スへのキャリアの注入効率が低下するという問題点が解
決されるという効果を有する。

また、レーザのアノード電極のコンタクトはストライプ
状のりッジの幅よシも広く形成されるのでコンタクト面
積を大きく取ることができてコンタクト抵抗を小さくす
ることができ、コンタクト部での発熱も少ない。

さらに本発明ではプレーナ構造が実現できるため製造工
程の再現性がよく高歩留１りであるという効果もあり工
業的価値は高い。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の光電子集積回路の製造工程
を示す断面構造図、第２図は従来の光電子集積回路の製
造工程を示す断面構造図である。 ２３　べ〜ノ １０３・・・・・・ＩｎＧａＡｓＰ活性層、１０４・・
・・・・Ｐ型Ｉ　ｎ　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　Ｐ光導波層、１
０　ｔｓ−・−・Ｐ型ＩｎＰクラッド層、１１１・・・
・・・Ｎ型ＩｎＰエミッタ層、１１２・・・・・・Ｐ　
型Ｉ　ｎＧａＡｓ　Ｐ　ヘーヌＪＬ１１３・・・・・・
　Ｎ５ＩｎＧａＡｓＰ−ｉＶりｐ　層。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名Ｃ）
　　　　　　　　　　　　　　　！、。 ＼　　　　°Ｃ′１

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）半絶縁性基板上に一方導電型のクラッド層が形成
   されており、前記一方導電型クラッド層の表面に部分的
   に活性層および他方導電型の光導波層が形成されており
   、さらに前記他方導電型光導波層の表面に部分的にスト
   ライプ状に他方導電型のクラッド層が形成されており、
   前記一方導電型クラッド層の表面、前記他方導電型クラ
   ッド層の表面および前記他方導電型クラッド層の側面を
   埋め込むように一方導電型のエミッタ層、前記一方導電
   型エミッタ層よりもバンドギャップが小さい他方導電型
   のベース層および一方導電型のコレクタ層が形成されて
   いることを特徴とする光電子集積回路。
2. （２）半絶縁性基板上に一方導電型のクラッド層が形成
   されており、前記一方導電型クラッド層の表面に部分的
   に活性層および他方導電型の光導波層が形成されており
   、さらに前記他方導電型光導波層の表面に部分的にスト
   ライプ状に他方導電型のクラッド層が形成されており、
   前記一方導電型クラッド層の表面、前記他方導電型クラ
   ッド層の表面および前記他方導電型クラッド層の側面を
   埋め込むように一方導電型のエミッタ層、前記一方導電
   型エミッタ層よりもバンドギャップが小さい他方導電型
   のベース層および一方導電型のコレクタ層が形成されて
   おり、前記他方導電型クラッド層の表面のコレクタ層に
   設けられた他方導電型の拡散層の表面にアノード電極が
   形成されていることを特徴とする光電子集積回路。
3. （３）半絶縁性基板上に一方導電型のクラッド層、活性
   層、他方導電型の光導波層および他方導電型のクラッド
   層を形成する工程、前記他方導電型クラッド層をストラ
   イプ状にエッチングする工程、前記他方導電型光導波層
   および前記活性層を部分的にエッチングする工程、前記
   一方導電型クラッド層の表面、前記他方導電型クラッド
   層の表面および前記他方導電型クラッド層の側面を埋め
   込むように一方導電型のエミッタ層、前記一方導電型エ
   ミッタ層よりもバンドギャップが小さい他方導電型のベ
   ース層および一方導電型のコレクタ層を形成する工程を
   備えたことを特徴とする光電子集積回路の製造方法。
4. （４）半絶縁性基板上に一方導電型のクラッド層、活性
   層、他方導電型の光導波層および他方導電型のクラッド
   層を形成する工程、前記他方導電型クラッド層をストラ
   イプ状にエッチングする工程、前記他方導電型光導波層
   および前記活性層を部分的にエッチングする工程、前記
   一方導電型クラッド層の表面、前記他方導電型クラッド
   層の表面および前記他方導電型クラッド層の側面を埋め
   込むように一方導電型のエミッタ層、前記一方導電型エ
   ミッタ層よりもバンドギャップが小さい他方導電型のベ
   ース層および一方導電型のコレクタ層を形成する工程、
   前記他方導電型クラッド層の表面のコレクタ層に他方導
   電型の拡散層を形成する工程、前記他方導電型拡散層の
   表面にアノード電極を形成する工程を備えたことを特徴
   とする光電子集積回路の製造方法。