JPH01138784A - 半導体レーザの端面保護膜形成方法 - Google Patents
半導体レーザの端面保護膜形成方法Info
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- JPH01138784A JPH01138784A JP29859087A JP29859087A JPH01138784A JP H01138784 A JPH01138784 A JP H01138784A JP 29859087 A JP29859087 A JP 29859087A JP 29859087 A JP29859087 A JP 29859087A JP H01138784 A JPH01138784 A JP H01138784A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
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- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光情報処理用高出力半導体レーザおよび光集
積回路に適した半導体レーザの製作方法に関し、特に半
導体レーザの端面保護膜形成方法に関する。
積回路に適した半導体レーザの製作方法に関し、特に半
導体レーザの端面保護膜形成方法に関する。
（従来の技術）
他の半導体レーザや他の機能素子と同一基板上に集積が
可能で、出力が大きい半導体レーザが各方面で求められ
ている。例えば光情報処理の分野では光デイスクファイ
ルシステムの光ヘツド用としてマルチビームアレイやレ
ーザ（ＬＤ）と光検出器（ＰＤ）の集積化が望まれ、ま
た光集積回路としてはＬＤやＰＤの他にＦＥＴ等の電子
部品との集積化が望まれる。このような目的にエツチド
ミラーで形成した共振器を持つ半導体レーザが適してい
ることはよく知られている。代表的な例として、内国ら
による”Ｉｗｏ−Ｂｅａｍ ＬＤ−ＰＤ ＡｒｒａｙＦ
ａｂｒｉｃａｔｅｄ ＢＹ Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ
Ｂｅａｍ Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｊ（エレクトロニクスレ
ターズ誌、１９８６年、第２２巻、１１号、５８５−５
８７頁）がある。この従来の半導体レーザの例について
簡単に説明する。
可能で、出力が大きい半導体レーザが各方面で求められ
ている。例えば光情報処理の分野では光デイスクファイ
ルシステムの光ヘツド用としてマルチビームアレイやレ
ーザ（ＬＤ）と光検出器（ＰＤ）の集積化が望まれ、ま
た光集積回路としてはＬＤやＰＤの他にＦＥＴ等の電子
部品との集積化が望まれる。このような目的にエツチド
ミラーで形成した共振器を持つ半導体レーザが適してい
ることはよく知られている。代表的な例として、内国ら
による”Ｉｗｏ−Ｂｅａｍ ＬＤ−ＰＤ ＡｒｒａｙＦ
ａｂｒｉｃａｔｅｄ ＢＹ Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ
Ｂｅａｍ Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｊ（エレクトロニクスレ
ターズ誌、１９８６年、第２２巻、１１号、５８５−５
８７頁）がある。この従来の半導体レーザの例について
簡単に説明する。
第３図はその従来例を示す模式的な斜視図である。ｎ型
ＧａＡｓ基板１上にデュアルＢＧＭ構造ト称する埋め込
み型のダブルへテロ構造をエピタキシャル成長する。エ
ピタキシャル成長した半導体多層構造は、ｎ型Ａ１１ｏ
、 ｓ ＊Ｇａａ 、 ＠ ｔＡｓクラッド層２、ｎ
型Ａｆｉｏ 、 ３ｃａ６ 、７Ａｓ光ガイド層３、ア
ンドープＡＱ ｏ ｌ、Ｇａ、 、 ａ ＊Ａ９活性Ｍ
４、ｐ型ＡＱ ｏ、５ｏＧａｏ、ａａＡｓ中間層５、ｐ
型ＡＱ ｏ、５ｓＧａｏ、１ｒＡ９クラッド層６、ｐ型
Ｍｏ 、 ｏ ５Ｇａｏ 、 ｓ ｓＡ９キャップ層７
、ｐ型ＡＱｉ、ｘａＧａａ、５ｘＡｓ埋め込み層３１お
よびｎ型Ｍ。、□Ｇａｓ、。ｔＡｓ埋め込み層３２から
なっている。この構造は発光領域となる巾３褐のメサス
トライプが巾５０褐隔てて形成してあり、全体が活性層
よりもバンドギャップが大きいｐおよびｎ型ＡＱＧａＡ
ｓ層で埋め込まれている構造である。この結果、近接し
た２個のメサストライプは、電気的にも光学的にも分離
されているから、独立に動作させることができる。妨ら
に共振器方向にエツチングの溝３３を形成し、その溝の
側面をエツチドミラーレーザとして用い、メサを前後に
分離することによって一方をＬ Ｄ ３４ 、３６、他
方をＦＤ３５．３７として用いることによって２対のＬ
Ｄ−ＰＤアレイを形成したものである。このため、これ
を光ディスクのヘッドとして用いた場合光学系がｉ′！
！単になる長所がある。
ＧａＡｓ基板１上にデュアルＢＧＭ構造ト称する埋め込
み型のダブルへテロ構造をエピタキシャル成長する。エ
ピタキシャル成長した半導体多層構造は、ｎ型Ａ１１ｏ
、 ｓ ＊Ｇａａ 、 ＠ ｔＡｓクラッド層２、ｎ
型Ａｆｉｏ 、 ３ｃａ６ 、７Ａｓ光ガイド層３、ア
ンドープＡＱ ｏ ｌ、Ｇａ、 、 ａ ＊Ａ９活性Ｍ
４、ｐ型ＡＱ ｏ、５ｏＧａｏ、ａａＡｓ中間層５、ｐ
型ＡＱ ｏ、５ｓＧａｏ、１ｒＡ９クラッド層６、ｐ型
Ｍｏ 、 ｏ ５Ｇａｏ 、 ｓ ｓＡ９キャップ層７
、ｐ型ＡＱｉ、ｘａＧａａ、５ｘＡｓ埋め込み層３１お
よびｎ型Ｍ。、□Ｇａｓ、。ｔＡｓ埋め込み層３２から
なっている。この構造は発光領域となる巾３褐のメサス
トライプが巾５０褐隔てて形成してあり、全体が活性層
よりもバンドギャップが大きいｐおよびｎ型ＡＱＧａＡ
ｓ層で埋め込まれている構造である。この結果、近接し
た２個のメサストライプは、電気的にも光学的にも分離
されているから、独立に動作させることができる。妨ら
に共振器方向にエツチングの溝３３を形成し、その溝の
側面をエツチドミラーレーザとして用い、メサを前後に
分離することによって一方をＬ Ｄ ３４ 、３６、他
方をＦＤ３５．３７として用いることによって２対のＬ
Ｄ−ＰＤアレイを形成したものである。このため、これ
を光ディスクのヘッドとして用いた場合光学系がｉ′！
！単になる長所がある。
この製作プロセスで重要となるエツチングの工程は以下
の如くである。結晶の表面に工ｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる
電極９をＥガン蒸着器で形成し、アレイの電極パターン
を通常のフォトリングラフィおよびリアクティブイオン
エツチングで形成する。このあとＡＺ１３５０Ｊ／ Ｉ
ｉ／ΔＺ１３５０Ｊからなる多層レジスト・をマスクと
してＲＩＢＥを行う。ＥＣＲパワー２００Ｗ、塩素ガス
圧１．２Ｘ １０″″工ｏｒｒ、引出し電圧４００■、
エツチング時間４５分の条件下で深さ１Ｑ７ｓ 。
の如くである。結晶の表面に工ｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる
電極９をＥガン蒸着器で形成し、アレイの電極パターン
を通常のフォトリングラフィおよびリアクティブイオン
エツチングで形成する。このあとＡＺ１３５０Ｊ／ Ｉ
ｉ／ΔＺ１３５０Ｊからなる多層レジスト・をマスクと
してＲＩＢＥを行う。ＥＣＲパワー２００Ｗ、塩素ガス
圧１．２Ｘ １０″″工ｏｒｒ、引出し電圧４００■、
エツチング時間４５分の条件下で深さ１Ｑ７ｓ 。
巾５Ｇ−のエツチング溝が形成きれ、その側面がエツチ
ドミラーとなる。エツチング終了後酸素プラズマでエツ
チングマスクの多層レジストを除去し裏面に電極８を形
成することによりエツチドミラーレーザは完成する。こ
の結果、レーザ部は通常のへき開のレーザにほぼ匹敵す
る特性を得、光検出器も２０％以上の量子効率を得てい
る。
ドミラーとなる。エツチング終了後酸素プラズマでエツ
チングマスクの多層レジストを除去し裏面に電極８を形
成することによりエツチドミラーレーザは完成する。こ
の結果、レーザ部は通常のへき開のレーザにほぼ匹敵す
る特性を得、光検出器も２０％以上の量子効率を得てい
る。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながらこのドライエツチドミラーレーザにはミラ
ーの早朝劣化という欠点が有る。つまり、ドライエツチ
ングの場合加速きれたプラズマがエツチング端面に物理
的および化学的にダメージを与えることが懸念され、実
際高出力動作あるいは寿命試験の結果はそれぞれ通常の
へき開のレーザに比べて半分以下の値になっている。
ーの早朝劣化という欠点が有る。つまり、ドライエツチ
ングの場合加速きれたプラズマがエツチング端面に物理
的および化学的にダメージを与えることが懸念され、実
際高出力動作あるいは寿命試験の結果はそれぞれ通常の
へき開のレーザに比べて半分以下の値になっている。
本発明の目的は、従来のエツチドミラーレーザの欠点を
除去し、高出力動作ができかつ信頼性の高い半導体レー
ザの製作を可能にする端面保護膜形成方法の提供にある
。
除去し、高出力動作ができかつ信頼性の高い半導体レー
ザの製作を可能にする端面保護膜形成方法の提供にある
。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、化合物半導体レーザ結晶にエツチングにより
共振器を形成したあと、該共振器面に該半導体レーザの
活性層の禁止帯巾よりも大きな禁止帯巾を持つ高抵抗化
合物半導体層を、該半導体レーザを発振させながら、エ
ピタキシャル成長することを特徴とする半導体レーザの
端面保護膜形成方法である。
共振器を形成したあと、該共振器面に該半導体レーザの
活性層の禁止帯巾よりも大きな禁止帯巾を持つ高抵抗化
合物半導体層を、該半導体レーザを発振させながら、エ
ピタキシャル成長することを特徴とする半導体レーザの
端面保護膜形成方法である。
（作用）
ドライエツチドミラーレーザの劣化の原因は端面近傍が
ダメージを受けたことにょるレーザ光に対する吸収係数
の増加にある。このことは等測的にはエツチドミラ一端
面のバンドギャップが縮小したことに相当する。したが
ってこのバンドギャップの縮小領域を除去あるいは改善
すれば劣化を防ぐことができる。本発明の意図はダメー
ジを受けた層を、たとえば通常の化学エツチング等で除
去した後、ミラーの表面を活性層よりもバンドギャップ
の大きな高抵抗の化合物半導体でエピタキシャルパッシ
ベーションすることによりミラ一端面近傍をレーザ光に
対し、て透明領域にすることである。しかしここで問題
となるのはミラーを形成する段階では、従来例ではレー
ザウェハは電極が形成ずみであるということである。エ
ツチング段差は約１０−あるのでエツチング後に選択的
に電極を形成することはかなり困難であり、エツチング
の前に電極を形成せざるを得ない。一方、通常の結晶成
長条件では成長温度は７００ ’Ｃないし８００℃であ
る。この温度では通常の金糸の電極は容易に劣化したり
結晶中に拡散してしまう。しかし有機金属気相成長法（
ＭＯ−ＶＰＥ法）ではより低い温度で成長できる条件が
ある。つまり成長中にＡｒレーザ等で原料およびレーザ
ウェハを励起する光励起ＭＯＶＰＥ法である。この成長
法の原理はＡｒレーザを原料および基板に照射すること
により原料を光学的に活性状態にし基板はレーザによる
熱効果で温度上昇を図ることによりレーザビームの当っ
た部分だけに成長させるというものである。本発明の場
合、半導体レーザの光出射面の発光領域だけにエピタキ
シャル成長すればよいので、半導体レーザ自身のレーザ
光を用いることにより、この光励起ＭＯＶＰＥを行うこ
とができる。この結果室温で低温成長可能となり、たと
え電極を形成した後であっても電極を劣化きせる事無く
エビタキシャルバッシベ・−シ５・ンを行うことができ
る。
ダメージを受けたことにょるレーザ光に対する吸収係数
の増加にある。このことは等測的にはエツチドミラ一端
面のバンドギャップが縮小したことに相当する。したが
ってこのバンドギャップの縮小領域を除去あるいは改善
すれば劣化を防ぐことができる。本発明の意図はダメー
ジを受けた層を、たとえば通常の化学エツチング等で除
去した後、ミラーの表面を活性層よりもバンドギャップ
の大きな高抵抗の化合物半導体でエピタキシャルパッシ
ベーションすることによりミラ一端面近傍をレーザ光に
対し、て透明領域にすることである。しかしここで問題
となるのはミラーを形成する段階では、従来例ではレー
ザウェハは電極が形成ずみであるということである。エ
ツチング段差は約１０−あるのでエツチング後に選択的
に電極を形成することはかなり困難であり、エツチング
の前に電極を形成せざるを得ない。一方、通常の結晶成
長条件では成長温度は７００ ’Ｃないし８００℃であ
る。この温度では通常の金糸の電極は容易に劣化したり
結晶中に拡散してしまう。しかし有機金属気相成長法（
ＭＯ−ＶＰＥ法）ではより低い温度で成長できる条件が
ある。つまり成長中にＡｒレーザ等で原料およびレーザ
ウェハを励起する光励起ＭＯＶＰＥ法である。この成長
法の原理はＡｒレーザを原料および基板に照射すること
により原料を光学的に活性状態にし基板はレーザによる
熱効果で温度上昇を図ることによりレーザビームの当っ
た部分だけに成長させるというものである。本発明の場
合、半導体レーザの光出射面の発光領域だけにエピタキ
シャル成長すればよいので、半導体レーザ自身のレーザ
光を用いることにより、この光励起ＭＯＶＰＥを行うこ
とができる。この結果室温で低温成長可能となり、たと
え電極を形成した後であっても電極を劣化きせる事無く
エビタキシャルバッシベ・−シ５・ンを行うことができ
る。
（実施例）
以下に図面を参照して本発明の一実施例について説明す
る。第２図は本発明の一実施例を適用して端面保護膜が
形成される半導体レーザとこの半導体レーザの出射光を
モニターするホトダイオードとが集積されてなる光集積
回路の模式的な斜視図である。未発明を適用した端面保
護膜を備える半導体レーザは高出力し−ザであることが
多い。
る。第２図は本発明の一実施例を適用して端面保護膜が
形成される半導体レーザとこの半導体レーザの出射光を
モニターするホトダイオードとが集積されてなる光集積
回路の模式的な斜視図である。未発明を適用した端面保
護膜を備える半導体レーザは高出力し−ザであることが
多い。
第１図の半導体レーザは、高出力のＰ ＣＷ （Ｐｌａ
ｎ。
ｎ。
Ｃｏｎｖｅｘ Ｗａｖｅｇｕｉｄｅ ）レーザである。
ＰＣＷレーザの場合、へき開面にコーティングしない状
態で５０ｍＷ以上の光出力を持ち、端面光出力を２０ｍ
Ｗの時には、端面の温度上昇は５００℃程度となる。ま
た、発振波長が７８０ｎｍのとき、原料ガスの吸収係数
も大きく、励起光として十分用いることができる。エツ
チングの工程は以下の如くである。結晶の表面にＴｉ／
ｐｔ、’ Ａｕからなる電極９をＥガン蒸看器で形成
し所望の電極パターンを通常のフォトリングラフィおよ
びリアクティブイオンエツチングで形成する。コノあと
ＡＺ１３５０Ｊ／ Ｔｉ／ ＡＺ１３５０Ｊからなる多
層レジストをマスクとしてＲＩＢＥを行う。
態で５０ｍＷ以上の光出力を持ち、端面光出力を２０ｍ
Ｗの時には、端面の温度上昇は５００℃程度となる。ま
た、発振波長が７８０ｎｍのとき、原料ガスの吸収係数
も大きく、励起光として十分用いることができる。エツ
チングの工程は以下の如くである。結晶の表面にＴｉ／
ｐｔ、’ Ａｕからなる電極９をＥガン蒸看器で形成
し所望の電極パターンを通常のフォトリングラフィおよ
びリアクティブイオンエツチングで形成する。コノあと
ＡＺ１３５０Ｊ／ Ｔｉ／ ＡＺ１３５０Ｊからなる多
層レジストをマスクとしてＲＩＢＥを行う。
ＥＣＲパワー２００Ｗ、塩素ガス圧１．２Ｘ １０−’
Ｔｏｒｒ。
Ｔｏｒｒ。
引出し電圧４００Ｖ、エツチング時間４５分の条件下で
深さ１０褐、巾５０−のエツチング溝３３が形成きれ、
その側面がエツチドミラーとなる。この後にマスクを酸
素プラズマで除去することによりミラーエツチング工程
は終了する。この工程でエツチドミラーに誘起されるダ
メージは表面からほぼ１０ｎｍの深さに及んでいる。マ
スクを酸素プラズマで除去した後、このレーザウェハの
正電極に正、負電極に負の電圧を印加できるように配線
しＭＯ−ＶＰＨに装填する。端面の成長に先立ち塩酸あ
るいは塩化水素等でガスエツチングすることにより、表
面のダメージ層を除去する。次に７００℃でアンドープ
ＡＱ ＠ 、 ｓＧａ＠。ｙＡｓをエピタキシャル成長
できる状態に流量およびガス圧等成長条件を設定し、レ
ーザ光の出力を２０ｍＷに保つことによりエピタキシャ
ルパッシベーション膜２３が成長する。
深さ１０褐、巾５０−のエツチング溝３３が形成きれ、
その側面がエツチドミラーとなる。この後にマスクを酸
素プラズマで除去することによりミラーエツチング工程
は終了する。この工程でエツチドミラーに誘起されるダ
メージは表面からほぼ１０ｎｍの深さに及んでいる。マ
スクを酸素プラズマで除去した後、このレーザウェハの
正電極に正、負電極に負の電圧を印加できるように配線
しＭＯ−ＶＰＨに装填する。端面の成長に先立ち塩酸あ
るいは塩化水素等でガスエツチングすることにより、表
面のダメージ層を除去する。次に７００℃でアンドープ
ＡＱ ＠ 、 ｓＧａ＠。ｙＡｓをエピタキシャル成長
できる状態に流量およびガス圧等成長条件を設定し、レ
ーザ光の出力を２０ｍＷに保つことによりエピタキシャ
ルパッシベーション膜２３が成長する。
第１図（ａ）は第２図の半導体レーザに本発明の一実施
例の方法を適用して端面保護膜の形成を始める際の様子
を示す模式的な平面図、第１図（ｂ）はその方法により
端面保護膜が形成された半導体レーザを示す模式的な平
面図である。レーザビーム２２の出射面２４の表面温度
は５００℃程度に上昇すると共に、そこに近い原料ガス
２５はレーザ光を吸収し活性化するから、発光領域の近
傍だけにＡＱＧａＡｓエピタキシャルパッシベーション
膜２３が成長する。ＡＱ ＠ 、 ８ Ｇａ ＃ 、
ｓ Ａｓの組成は多少ずれてもレーザ光の吸収係数に与
える影響は小さいから成長条件の範囲は通常のエピタキ
シャル成長に比べて広い。また、エピタキシャルパッシ
ベーション膜２３の厚さは、ＡＱＧａＡｓ膜をっけたこ
とによって端面の反射率はほとんど変化しないから細か
い設定は必要でない。
例の方法を適用して端面保護膜の形成を始める際の様子
を示す模式的な平面図、第１図（ｂ）はその方法により
端面保護膜が形成された半導体レーザを示す模式的な平
面図である。レーザビーム２２の出射面２４の表面温度
は５００℃程度に上昇すると共に、そこに近い原料ガス
２５はレーザ光を吸収し活性化するから、発光領域の近
傍だけにＡＱＧａＡｓエピタキシャルパッシベーション
膜２３が成長する。ＡＱ ＠ 、 ８ Ｇａ ＃ 、
ｓ Ａｓの組成は多少ずれてもレーザ光の吸収係数に与
える影響は小さいから成長条件の範囲は通常のエピタキ
シャル成長に比べて広い。また、エピタキシャルパッシ
ベーション膜２３の厚さは、ＡＱＧａＡｓ膜をっけたこ
とによって端面の反射率はほとんど変化しないから細か
い設定は必要でない。
（発明の効果）
本発明の効果は第１に高出力半導体レーザを極めて容易
に形成できる点にある。本発明によれば従来のエツチド
ミラーレーザの信頼性を大幅に改善し、通常のへき開と
同等あるいはそれ以上の特性を持ち、集積化に適し凡レ
ーザを極めて容易に実現できろ、第２に、低温でエピタ
キシャル居を形成できるから高温に弱い電極等を形成し
た後でもエピタキシャルパッシベーションを形成できる
。第３に任意の構造のレーザにエビタキシャルバッシヘ
ーラヨンできるから、レーザの設計に自由度がある。
に形成できる点にある。本発明によれば従来のエツチド
ミラーレーザの信頼性を大幅に改善し、通常のへき開と
同等あるいはそれ以上の特性を持ち、集積化に適し凡レ
ーザを極めて容易に実現できろ、第２に、低温でエピタ
キシャル居を形成できるから高温に弱い電極等を形成し
た後でもエピタキシャルパッシベーションを形成できる
。第３に任意の構造のレーザにエビタキシャルバッシヘ
ーラヨンできるから、レーザの設計に自由度がある。
本実施例ではＡＱＧａＡｓレーザについて述べたが他の
材料系、例えばＡＱＧａＩｎＡｓ 、 ＧａＩｎＡｓＰ
についても本発明を適用して同様な効果を得ることがで
きる。
材料系、例えばＡＱＧａＩｎＡｓ 、 ＧａＩｎＡｓＰ
についても本発明を適用して同様な効果を得ることがで
きる。
第１図（ａ）は半導体レーザに本発明の一実施例の方法
を適用して端面保護膜の形成を始める際の様子を示す模
式的な平面図、第１図（ｂ）はその方法により端面保護
膜が形成きれた半導体レーザを示す模式的な平面図であ
る。第２図は本発明の一実施例が適用される光集積回路
を示す模式的な斜視図である。第３図は半導体レーザに
端面保護膜が形成されていない従来の光集積回路を示す
模式的な斜視図である。 １ ・・・ＧａＡｓ基板、２ ・・・ｎ型ＡＱ ｏ 、
ｓ ５Ｇａａ 、 ｓ ｔＡｓクラッド層、３・・・
ｎ型ＡＣ’６ 、 ｘＧａａ 、 ＷＡＳ光ガイガ４１
層・・・アンドープＡＱｏ、＋＋Ｇａｏ、５ｔＡ９活性
層、５−ｐ型ＡＱｅ、ｓ＊Ｇａ、 、 ｓ ｏＡ９中間
磨、６ ・ｐ型ＡＪＩ ｏ 、 ｓ ａＧａａ 、 ａ
ｔＡｓクラッド層、７−ｐ型ＡＩＬ 、 ａ １Ｇａ
ａ 、 ｓ ｓＡｓキャップ層、８・・・負電極、９・
・・正電極、１０・・・亜鉛拡散領域、１１゜１３ 、
３４ 、３６・・・半導体１ノーザ、１２ 、１４ 、
３５ 、３７・・・ホトダイオード、３１−ｐ型ＡＱｏ
、ｇｍＧａ＊、ｓｚＡ！Ｉｓ埋め込み癌、３２＝ｎ型Ａ
Ｑ ｏ 、 ｓ ｍＧａｏ 、 ｓ ｔＡｓ埋め込み層
、２１−・・エツチドミラー面、２２・・・レーザ光、
２３・・・エピタキシャルパッシベーション膜、２４・
・・出射面、２５・・・原料ガス、３３・・・エツチン
グ溝、２６・・・発光領域。
を適用して端面保護膜の形成を始める際の様子を示す模
式的な平面図、第１図（ｂ）はその方法により端面保護
膜が形成きれた半導体レーザを示す模式的な平面図であ
る。第２図は本発明の一実施例が適用される光集積回路
を示す模式的な斜視図である。第３図は半導体レーザに
端面保護膜が形成されていない従来の光集積回路を示す
模式的な斜視図である。 １ ・・・ＧａＡｓ基板、２ ・・・ｎ型ＡＱ ｏ 、
ｓ ５Ｇａａ 、 ｓ ｔＡｓクラッド層、３・・・
ｎ型ＡＣ’６ 、 ｘＧａａ 、 ＷＡＳ光ガイガ４１
層・・・アンドープＡＱｏ、＋＋Ｇａｏ、５ｔＡ９活性
層、５−ｐ型ＡＱｅ、ｓ＊Ｇａ、 、 ｓ ｏＡ９中間
磨、６ ・ｐ型ＡＪＩ ｏ 、 ｓ ａＧａａ 、 ａ
ｔＡｓクラッド層、７−ｐ型ＡＩＬ 、 ａ １Ｇａ
ａ 、 ｓ ｓＡｓキャップ層、８・・・負電極、９・
・・正電極、１０・・・亜鉛拡散領域、１１゜１３ 、
３４ 、３６・・・半導体１ノーザ、１２ 、１４ 、
３５ 、３７・・・ホトダイオード、３１−ｐ型ＡＱｏ
、ｇｍＧａ＊、ｓｚＡ！Ｉｓ埋め込み癌、３２＝ｎ型Ａ
Ｑ ｏ 、 ｓ ｍＧａｏ 、 ｓ ｔＡｓ埋め込み層
、２１−・・エツチドミラー面、２２・・・レーザ光、
２３・・・エピタキシャルパッシベーション膜、２４・
・・出射面、２５・・・原料ガス、３３・・・エツチン
グ溝、２６・・・発光領域。
Claims (2)
- （１）化合物半導体レーザ結晶にエッチングにより共振
器を形成したあと、該共振器面に該半導体レーザの活性
層の禁止帯巾よりも大きな禁止帯巾を持つ高抵抗化合物
半導体層を、該半導体レーザを発振させながら、エピタ
キシャル成長することを特徴とする半導体レーザの端面
保護膜形成方法。 - （２）前記活性層がＡｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ、前
記高抵抗化合物層がＡｌ＿ｙＧａ＿１＿−＿ｙＡｓ（ｘ
＜ｙ）であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の半導体レーザの端面保護膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29859087A JPH01138784A (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | 半導体レーザの端面保護膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29859087A JPH01138784A (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | 半導体レーザの端面保護膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01138784A true JPH01138784A (ja) | 1989-05-31 |
Family
ID=17861708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29859087A Pending JPH01138784A (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | 半導体レーザの端面保護膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01138784A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02239680A (ja) * | 1989-03-13 | 1990-09-21 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| WO2002027875A3 (de) * | 2000-09-29 | 2002-08-08 | Lumics Gmbh | Passivierung der resonatorendflächen von halbleiterlasern auf der basis von iii-v-halbleitermaterial |
-
1987
- 1987-11-25 JP JP29859087A patent/JPH01138784A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02239680A (ja) * | 1989-03-13 | 1990-09-21 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| WO2002027875A3 (de) * | 2000-09-29 | 2002-08-08 | Lumics Gmbh | Passivierung der resonatorendflächen von halbleiterlasern auf der basis von iii-v-halbleitermaterial |
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