JPH01138476A - 半導体素子の不良解析装置 - Google Patents
半導体素子の不良解析装置Info
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- JPH01138476A JPH01138476A JP62297220A JP29722087A JPH01138476A JP H01138476 A JPH01138476 A JP H01138476A JP 62297220 A JP62297220 A JP 62297220A JP 29722087 A JP29722087 A JP 29722087A JP H01138476 A JPH01138476 A JP H01138476A
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 17
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1306—Details
- G02F1/1309—Repairing; Testing
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、液晶の電界効果を応用した半導体素子の不良
解析装置に関する。
解析装置に関する。
〈従来の技術〉
従来からの半導体素子の不良解析装置の一例を第３図に
示して説明する。
示して説明する。
図中、符号ｌは検査対象となる半導体素子を示しており
、この半導体素子１は、説明を簡略化するために表面に
二本の金属配線２．３が設けられているとする。この金
属配線２．３の形成面は保護膜４で覆われている。
、この半導体素子１は、説明を簡略化するために表面に
二本の金属配線２．３が設けられているとする。この金
属配線２．３の形成面は保護膜４で覆われている。
そして、保護膜４上には、ネマティック液晶５およびカ
バーガラス６が載置されている。このネマティック液晶
５は、金属配線２，３に電圧を印加させていないとき分
子軸が垂直配向状態になっていて、金属配線２，３に電
圧を印加させたときにその上方の分子軸だけが傾向状態
になる。
バーガラス６が載置されている。このネマティック液晶
５は、金属配線２，３に電圧を印加させていないとき分
子軸が垂直配向状態になっていて、金属配線２，３に電
圧を印加させたときにその上方の分子軸だけが傾向状態
になる。
この半導体素子１の上方には、光学顕微鏡７゜ＣＣＤｆ
ｉＳＣＣＤ撮像カメラ８おり、ＣＣＤ撮像カメラ８はＴ
Ｖモニタ９に接続されている。
ｉＳＣＣＤ撮像カメラ８おり、ＣＣＤ撮像カメラ８はＴ
Ｖモニタ９に接続されている。
次に動作解析の原理を説明する。
即ち、光学顕微鏡７の光源１０からの光は第１の偏光板
１１により直線偏光され、ハーフミラ−１２を介して反
射されてネマティック液晶５を介して半導体素子１に注
がれる。半導体素子ｌで反射された光はハーフミラ−１
２を透過して第２の偏光板１３に至る。この第２の偏光
板１３は第１の偏光板１１の偏光方向に対して直交して
いるために複屈折を受けた光以外は透過しないようにな
っている。したがって、ネマティック液晶５の分子軸が
垂直配向状態の場合には入射した光が不変のまま第２の
偏光板１３に到達するので、この光は第２の偏光板１３
を透過しない。一方、ネマティック液晶５の分子軸が傾
向状態の場合には入射した光が複屈折させられるので、
第２の偏光板１３を透過する。
１１により直線偏光され、ハーフミラ−１２を介して反
射されてネマティック液晶５を介して半導体素子１に注
がれる。半導体素子ｌで反射された光はハーフミラ−１
２を透過して第２の偏光板１３に至る。この第２の偏光
板１３は第１の偏光板１１の偏光方向に対して直交して
いるために複屈折を受けた光以外は透過しないようにな
っている。したがって、ネマティック液晶５の分子軸が
垂直配向状態の場合には入射した光が不変のまま第２の
偏光板１３に到達するので、この光は第２の偏光板１３
を透過しない。一方、ネマティック液晶５の分子軸が傾
向状態の場合には入射した光が複屈折させられるので、
第２の偏光板１３を透過する。
そこで、半導体素子１の金属配線２．３に所定の信号を
印加させて動作させると、高電圧となる金属配線２．：
Ｌ）、のネマティック液晶５の分子軸のみが傾向し、金
属間′ｇＡ２．３が存在しない部分上の分子軸は垂直配
向状態を保つことになるために、ＣＣＤ撮像素子８を通
じてＴＶモニク９には金属配線２．３が明るく表示され
る一方、その他の部分は暗く表示されることになる。
印加させて動作させると、高電圧となる金属配線２．：
Ｌ）、のネマティック液晶５の分子軸のみが傾向し、金
属間′ｇＡ２．３が存在しない部分上の分子軸は垂直配
向状態を保つことになるために、ＣＣＤ撮像素子８を通
じてＴＶモニク９には金属配線２．３が明るく表示され
る一方、その他の部分は暗く表示されることになる。
そして、従来では、このようにして表示した画像をオペ
レータが観察し、正確に動作しているか否かを解析して
いた。
レータが観察し、正確に動作しているか否かを解析して
いた。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかしながら、このような構成を存する従来例の場合に
は、次のような問題点がある。
は、次のような問題点がある。
即ち、解析すべき半導体素子１は近年において非常に複
雑になってきており、実際の検査では種々な条件下にお
ける動作の解析を行う必要があるため、半導体素子１の
配線レイアウトを設計した者またはそれに準する知識を
有する者でなければ正確な解析を行えない。
雑になってきており、実際の検査では種々な条件下にお
ける動作の解析を行う必要があるため、半導体素子１の
配線レイアウトを設計した者またはそれに準する知識を
有する者でなければ正確な解析を行えない。
ゆえに、従来装置では、前記所定の知識を有する者に立
ち合ってもられなければならず、不便であった。
ち合ってもられなければならず、不便であった。
ところで、一般にＬＳＩなどの半導体素子の設計にあた
っては、ＣＡ Ｄ （Ｃｏｍｐｕｔｅｒ Ａｉｄｅｄ
Ｄｅｓｉｇｎ）システムが利用されるので普通で、この
ＣＡＤシステムのデータヘースには各半導体素子の配線
パターン、素子領域などの画像データが総て蓄積されて
いる。
っては、ＣＡ Ｄ （Ｃｏｍｐｕｔｅｒ Ａｉｄｅｄ
Ｄｅｓｉｇｎ）システムが利用されるので普通で、この
ＣＡＤシステムのデータヘースには各半導体素子の配線
パターン、素子領域などの画像データが総て蓄積されて
いる。
本発明はＣＡＤシステムなどのデータヘースに蓄積され
ている画像データを利用することにより検査対象となる
半導体素子を熟知した者でなくとも、正確な解析結果を
知ることができるようにすることを目的としている。
ている画像データを利用することにより検査対象となる
半導体素子を熟知した者でなくとも、正確な解析結果を
知ることができるようにすることを目的としている。
く問題点を解決するだめの手段〉
本発明は、このような目的を達成するために、次のよう
な構成をとる。
な構成をとる。
即ち、本発明にかかる半導体素子の不良解析装置は、ネ
マティック液晶の電界効果を応用したものであって、 前記半導体素子を種々な条件下で動作させたときの高電
圧部分を表す標準の画像データがそれぞれ格納された格
納手段と、 この標準画像データと、検査対象とする半導体素子に対
面する光学系を通じて得られた検査画像データとを比較
して解析結果を出力する判定手段と、 を備えていることに特徴を有する。
マティック液晶の電界効果を応用したものであって、 前記半導体素子を種々な条件下で動作させたときの高電
圧部分を表す標準の画像データがそれぞれ格納された格
納手段と、 この標準画像データと、検査対象とする半導体素子に対
面する光学系を通じて得られた検査画像データとを比較
して解析結果を出力する判定手段と、 を備えていることに特徴を有する。
く作用〉
本発明の構成による作用は次の通りである。
まず、従来例とほぼ同様にして、特定条件下における検
査画像データを得ると、これが判定手段に与えられる。
査画像データを得ると、これが判定手段に与えられる。
そして、判定手段には格納手段より前記特定条件下にお
ける標準の画像データが与えられるので、判定手段は標
準画像データと検査画像データとを比較して解析結果を
出力する。
ける標準の画像データが与えられるので、判定手段は標
準画像データと検査画像データとを比較して解析結果を
出力する。
このように、検査についての解析結果が出力されるよう
に構成しているから、検査対象である半導体素子を熟知
した者を検査に立ち合わせなくて済む。
に構成しているから、検査対象である半導体素子を熟知
した者を検査に立ち合わせなくて済む。
〈実施例〉
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例を示している。
図において、従来例にかかる第３図に付しである符号と
同一の符号は、本実施例においても、その符号が示す部
品１部分等と同様のものを指す。
同一の符号は、本実施例においても、その符号が示す部
品１部分等と同様のものを指す。
本実施例において、従来例と異なっている構成は、次の
通りである。
通りである。
ＴＶモニク９に表示される実際の検査画像をオペレータ
が観察して動作解析を行うのではなく、予め種々な条件
下における高電圧部分を表す標準の画像データを格納手
段２０にそれぞれ格納させておき、これから特定条件下
における高電圧部分を表す標準の画像データを抽出して
、この標準画像データと実際に得る検査画像データとを
判定手段２１で比較してその解析結果を出力するように
している。
が観察して動作解析を行うのではなく、予め種々な条件
下における高電圧部分を表す標準の画像データを格納手
段２０にそれぞれ格納させておき、これから特定条件下
における高電圧部分を表す標準の画像データを抽出して
、この標準画像データと実際に得る検査画像データとを
判定手段２１で比較してその解析結果を出力するように
している。
格納手段２０は、具体的にはＣＡ Ｄ （Ｃｏｍｐｕｔ
ｅｒ Ａｉｄｅｄ Ｄｅｓｉｇｎ）システムを利用した
もので、検査対象となる配線レイアウトや素子領域など
の総ての画像データを蓄積するデータヘース２２から、
マニュアル操作により特定条件下における高電圧部分を
表す標準の図形データを作成し、この図形データを格納
する。この図形データは、所定のプログラムにより自動
的に作成するようにしてもよい。
ｅｒ Ａｉｄｅｄ Ｄｅｓｉｇｎ）システムを利用した
もので、検査対象となる配線レイアウトや素子領域など
の総ての画像データを蓄積するデータヘース２２から、
マニュアル操作により特定条件下における高電圧部分を
表す標準の図形データを作成し、この図形データを格納
する。この図形データは、所定のプログラムにより自動
的に作成するようにしてもよい。
さらに、この標準の図形データは、検査対象である半導
体素子１を駆動する駆動信号発生回路２３の動作に関連
して格納手段２０から出力され、判定手段２１へ与えら
れる。
体素子１を駆動する駆動信号発生回路２３の動作に関連
して格納手段２０から出力され、判定手段２１へ与えら
れる。
なお、実際の検査画像は、従来例と同様にネマティック
液晶５．光学顕微鏡７．ＣＣＤｊＣＣＤ撮像カメラ８Ｔ
Ｖモニタ９によって得るようにしている。
液晶５．光学顕微鏡７．ＣＣＤｊＣＣＤ撮像カメラ８Ｔ
Ｖモニタ９によって得るようにしている。
その他の構成は従来例と同様であるので、説明を省略す
る。
る。
次に、例えば第２図（ａｌに示すようなレイアウトの金
属配線を有する半導体素子１においてハツチングを付し
である金属配線２４に駆動信号発生回路２３より所定の
信号を印加させたときの例を説明する。
属配線を有する半導体素子１においてハツチングを付し
である金属配線２４に駆動信号発生回路２３より所定の
信号を印加させたときの例を説明する。
ＦＩＵち、動作させると、ハンチングを付しである金属
配線２４が高電圧となり、そのために金属配線２４上に
位置するネマティック液晶５の分子軸が傾向することに
なる。よって、光源１０から第１の偏光板１１およびハ
ーフミラ−１２を介してネマティック液晶５および半導
体素子１に光が注がれると、前記金属配線２４上の傾向
分子軸により複屈折された反射光のみが第２の偏光板１
３を透過することになる。この透過した光がＣＣＤ撮像
カメラ８を通じてＴＶモニタ９に明るく表示される一方
、その他の部位が暗く表示され、この画像が判定手段２
Ｉに与えられる。
配線２４が高電圧となり、そのために金属配線２４上に
位置するネマティック液晶５の分子軸が傾向することに
なる。よって、光源１０から第１の偏光板１１およびハ
ーフミラ−１２を介してネマティック液晶５および半導
体素子１に光が注がれると、前記金属配線２４上の傾向
分子軸により複屈折された反射光のみが第２の偏光板１
３を透過することになる。この透過した光がＣＣＤ撮像
カメラ８を通じてＴＶモニタ９に明るく表示される一方
、その他の部位が暗く表示され、この画像が判定手段２
Ｉに与えられる。
ところで、上記特定条件を設定した場合、判定手段２１
には、格納手段２０より比較基準となる第２図（ｂｌに
示すような標準の図形Ａが与えられているから、この標
準図形Ａと同一のパターンの画像がＴＶモニタ９に表示
された場合には、判定手段２１からは動作状態が正常で
あることを示す結果が出力される。一方、例えば第２図
ｔｃ＋に示すような第２図山）の標準図形と異なる画像
ＢがＴＶモニク９に表示された場合には、判定手段２１
からは動作状態が不良であることを示す結果が出力され
る。
には、格納手段２０より比較基準となる第２図（ｂｌに
示すような標準の図形Ａが与えられているから、この標
準図形Ａと同一のパターンの画像がＴＶモニタ９に表示
された場合には、判定手段２１からは動作状態が正常で
あることを示す結果が出力される。一方、例えば第２図
ｔｃ＋に示すような第２図山）の標準図形と異なる画像
ＢがＴＶモニク９に表示された場合には、判定手段２１
からは動作状態が不良であることを示す結果が出力され
る。
このように、本実施例においては、検査時において得た
画像の解析結果を自動的に出力するように構成している
ので、検査対象とする半導体素子ｌを熟知した者を検査
に立ち合わせる必要がな（なる。
画像の解析結果を自動的に出力するように構成している
ので、検査対象とする半導体素子ｌを熟知した者を検査
に立ち合わせる必要がな（なる。
なお、本発明は以上説明した構成の実施例のみに限定さ
れるものでなく、種々な変形実施例が考えられる。
れるものでなく、種々な変形実施例が考えられる。
〈発明の効果〉
本発明によれば、次の効果が発揮される。
検査時において得た画像データと予め用意している標準
図形データとを比較してその解析結果を自動的に出力す
るように構成しているので、検査対象とする半導体素子
を熟知した者をわざわざ検査に立ち合わせなくとも、誰
でもが正確な解析結果を簡単に知ることができる。しか
も、検査画像を観察して解析を行う従来例に比べて検査
能率が向上することになる′。
図形データとを比較してその解析結果を自動的に出力す
るように構成しているので、検査対象とする半導体素子
を熟知した者をわざわざ検査に立ち合わせなくとも、誰
でもが正確な解析結果を簡単に知ることができる。しか
も、検査画像を観察して解析を行う従来例に比べて検査
能率が向上することになる′。
第１図および第２図は本発明の一実施例にかかり、第１
図は本発明装置の構成を略示した原理図、第２図ｆａｔ
は半導体素子の配線レイアウトの一例を示す平面図、第
２図ｆｂｌは特定動作時における標準図形を示す平面図
、第２図（Ｃ１は動作状態が不良である場合の検査画像
を示す平面図である。 また、第３図は従来装置の構成を略示した原理図である
。 １・・・半導体素子 ２．３・・・金属配線 ５・・・７マテイソク液晶 ７・・・光学顕微鏡 ８・・・ＣＣＤ撮像カメラ ９・・・ＴＶモニタ ２０・・・格納手段 ２１・・・判定手段 ２２・・・データベース。
図は本発明装置の構成を略示した原理図、第２図ｆａｔ
は半導体素子の配線レイアウトの一例を示す平面図、第
２図ｆｂｌは特定動作時における標準図形を示す平面図
、第２図（Ｃ１は動作状態が不良である場合の検査画像
を示す平面図である。 また、第３図は従来装置の構成を略示した原理図である
。 １・・・半導体素子 ２．３・・・金属配線 ５・・・７マテイソク液晶 ７・・・光学顕微鏡 ８・・・ＣＣＤ撮像カメラ ９・・・ＴＶモニタ ２０・・・格納手段 ２１・・・判定手段 ２２・・・データベース。
Claims (1)
- （１）ネマティック液晶の電界効果を応用した半導体素
子の不良解析装置において、 前記半導体素子を種々な条件下で動作させたときの高電
圧部分を表す標準の画像データがそれぞれ格納された格
納手段と、 この標準画像データと、検査対象とする半導体素子に対
面する光学系を通じて得られた検査画像データとを比較
して解析結果を出力する判定手段と、 を備えていることを特徴とする半導体素子の不良解析装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62297220A JPH01138476A (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | 半導体素子の不良解析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62297220A JPH01138476A (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | 半導体素子の不良解析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01138476A true JPH01138476A (ja) | 1989-05-31 |
Family
ID=17843729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62297220A Pending JPH01138476A (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | 半導体素子の不良解析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01138476A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03161951A (ja) * | 1989-11-20 | 1991-07-11 | Sharp Corp | 半導体素子不良解析装置 |
| WO1999018472A1 (en) * | 1997-10-06 | 1999-04-15 | Orbotech Ltd. | Optical inspection method and system |
| US6135896A (en) * | 1997-07-03 | 2000-10-24 | Nippon Shaft Co., Ltd. | Putter club |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5438036A (en) * | 1977-08-27 | 1979-03-22 | Jiyunichirou Aono | Nonnskid mat for automobile |
| JPS5976441A (ja) * | 1982-10-22 | 1984-05-01 | Fujitsu Ltd | 集積回路の診断装置 |
| JPS59123241A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-17 | Toshiba Corp | 半導体集積回路の不良解析方法 |
| JPS6120142A (ja) * | 1984-07-06 | 1986-01-28 | Nec Corp | 電子装置の試験方式 |
-
1987
- 1987-11-25 JP JP62297220A patent/JPH01138476A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5438036A (en) * | 1977-08-27 | 1979-03-22 | Jiyunichirou Aono | Nonnskid mat for automobile |
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| US6135896A (en) * | 1997-07-03 | 2000-10-24 | Nippon Shaft Co., Ltd. | Putter club |
| WO1999018472A1 (en) * | 1997-10-06 | 1999-04-15 | Orbotech Ltd. | Optical inspection method and system |
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