JPH0113428Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0113428Y2 JPH0113428Y2 JP1980129357U JP12935780U JPH0113428Y2 JP H0113428 Y2 JPH0113428 Y2 JP H0113428Y2 JP 1980129357 U JP1980129357 U JP 1980129357U JP 12935780 U JP12935780 U JP 12935780U JP H0113428 Y2 JPH0113428 Y2 JP H0113428Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- core tube
- furnace core
- quartz glass
- thick film
- cross
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Muffle Furnaces And Rotary Kilns (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
本考案は半導体厚膜IC焼成用石英ガラス製炉
芯管の改良に関する。 周知の如く、半導体厚膜ICはAu，Pt，Ag，
Pd等の貴金属の粉末（1μm以下）、ガラス粉末、
バインダー及び溶剤を混和したペーストを、セラ
ミツク基板に印刷法により印刷し、乾燥した後焼
成炉内で700〜950℃で焼成することにより製造さ
れる。 ところで、上述した半導体厚膜ICの製造に用
いられる焼成炉は、従来、第１図に示すように断
面形状が長方形の角型石英ガラス製炉芯管１の周
囲にヒータ２…を配置し、更にその周辺に外側を
炉殻３で覆われたレンガからなる断熱材４（或い
はセラミツクフアイバー製の断熱材）を配設した
構造になつている。 しかしながら、上記従来構造の炉芯管にあつて
は次のような欠点があつた。 半導体厚膜ICの焼成時には、ヒータ２の温
度が約1000℃と高温になるため、石英ガラス製
炉芯管の粘性が低下し、長時間連続的な焼成を
行なうと、第２図に示す如く炉芯管１上部が自
重でたわみ、変形を起こす。その結果、炉芯管
内に温度分布が生じ、高性能の半導体厚膜IC
の製造に支障をきたす。 自重によるたわみの影響を少なくするには、
炉芯管２の幅（Ｗ）を小さくするか、高さ(H)を
大きくするか、いずれかによりある程度達成で
きる。しかしながら、半導体厚膜ICはベルト
等で送られ、上部に不必要な空間が広くなる
と、熱効率が低下する。特に、炉芯管２の高さ
(H)を大きくした場合、炉芯管の断面積が大きく
なり、炉芯管の外表面と半導体厚膜ICのセツ
ト位置の温度差が増大し、所定温度の焼成を行
なおうとすると、炉芯管外表面の温度が高くな
り、失透し易くなる。 本考案は上記事情に鑑みなされたもので、焼成
中での上部壁面のたわみ発生がなく、かつ内部の
温度を均一化できる半導体厚膜IC焼成炉用石英
ガラス製炉芯管を提供しようとするものである。 すなわち、本考案の石英ガラス製炉芯管は第３
図に示すように高さ(H)対幅（Ｗ）の比（Ｈ／Ｗ）
が1/2以下で断面がカマボコ形状をなしている。
このような構造にすれば上部がアーチ状になるた
めに上部のたわみを防止でき、かつ幅方向の長さ
を高さに比べて大きくできるために炉芯管内の温
度分布を均一にできる。 次に、本考案の効果を確認するための実験例を
前述の第３図を参照して説明する。 実験例 長さ6000mm、肉厚10mm、幅（Ｗ）330mm、高さ
150mmで断面がカマボコ形状をなす第３図図示の
石英ガラス製炉芯管（実験例）、前記実験例と同
長さ、同肉厚、同幅で高さが200mmの断面カマボ
コ形状をなす石英ガラス炉芯管（参照例）、及び
長さ6000mm、肉厚10mm、幅3300mm、高さ150mmの
断面長方形状をなす石英ガラス製炉芯管（比較
例）を、炉内に夫々設置し、炉芯管の中央部を
900℃に昇温し、10時間保持した後の炉芯管の幅
方向の温度のバラツキ状態を測定した。 その結果を下記表に示した。
芯管の改良に関する。 周知の如く、半導体厚膜ICはAu，Pt，Ag，
Pd等の貴金属の粉末（1μm以下）、ガラス粉末、
バインダー及び溶剤を混和したペーストを、セラ
ミツク基板に印刷法により印刷し、乾燥した後焼
成炉内で700〜950℃で焼成することにより製造さ
れる。 ところで、上述した半導体厚膜ICの製造に用
いられる焼成炉は、従来、第１図に示すように断
面形状が長方形の角型石英ガラス製炉芯管１の周
囲にヒータ２…を配置し、更にその周辺に外側を
炉殻３で覆われたレンガからなる断熱材４（或い
はセラミツクフアイバー製の断熱材）を配設した
構造になつている。 しかしながら、上記従来構造の炉芯管にあつて
は次のような欠点があつた。 半導体厚膜ICの焼成時には、ヒータ２の温
度が約1000℃と高温になるため、石英ガラス製
炉芯管の粘性が低下し、長時間連続的な焼成を
行なうと、第２図に示す如く炉芯管１上部が自
重でたわみ、変形を起こす。その結果、炉芯管
内に温度分布が生じ、高性能の半導体厚膜IC
の製造に支障をきたす。 自重によるたわみの影響を少なくするには、
炉芯管２の幅（Ｗ）を小さくするか、高さ(H)を
大きくするか、いずれかによりある程度達成で
きる。しかしながら、半導体厚膜ICはベルト
等で送られ、上部に不必要な空間が広くなる
と、熱効率が低下する。特に、炉芯管２の高さ
(H)を大きくした場合、炉芯管の断面積が大きく
なり、炉芯管の外表面と半導体厚膜ICのセツ
ト位置の温度差が増大し、所定温度の焼成を行
なおうとすると、炉芯管外表面の温度が高くな
り、失透し易くなる。 本考案は上記事情に鑑みなされたもので、焼成
中での上部壁面のたわみ発生がなく、かつ内部の
温度を均一化できる半導体厚膜IC焼成炉用石英
ガラス製炉芯管を提供しようとするものである。 すなわち、本考案の石英ガラス製炉芯管は第３
図に示すように高さ(H)対幅（Ｗ）の比（Ｈ／Ｗ）
が1/2以下で断面がカマボコ形状をなしている。
このような構造にすれば上部がアーチ状になるた
めに上部のたわみを防止でき、かつ幅方向の長さ
を高さに比べて大きくできるために炉芯管内の温
度分布を均一にできる。 次に、本考案の効果を確認するための実験例を
前述の第３図を参照して説明する。 実験例 長さ6000mm、肉厚10mm、幅（Ｗ）330mm、高さ
150mmで断面がカマボコ形状をなす第３図図示の
石英ガラス製炉芯管（実験例）、前記実験例と同
長さ、同肉厚、同幅で高さが200mmの断面カマボ
コ形状をなす石英ガラス炉芯管（参照例）、及び
長さ6000mm、肉厚10mm、幅3300mm、高さ150mmの
断面長方形状をなす石英ガラス製炉芯管（比較
例）を、炉内に夫々設置し、炉芯管の中央部を
900℃に昇温し、10時間保持した後の炉芯管の幅
方向の温度のバラツキ状態を測定した。 その結果を下記表に示した。
【表】
上表より明らかな如く、高さ(H)150mm、幅（Ｗ）
330mm、（Ｈ／Ｗ＝1/2以下）で断面カマボコ形の
本考案の炉芯管〔実験例〕は温度分布が少なく均
一加熱できる。しかも上部のたわみ発生もほとん
ど起きなかつた。これに対し、高さＨ）200mm、
幅（Ｗ）330mm、（Ｈ／Ｗ＝1/2以上）のカマボコ
形の炉芯管（参照例）は昇温時でのたわみ発生は
起きなかつたが、温度むらが大きく、かつ断面積
が大きいために昇温に時間を要し、熱効率が悪
い。また、断面長方形状の従来の炉芯管は温度の
測定時に既にたわみ始じめ温度むらを生じ、更に
時間経過と共にたわみ度合が大きくなつた。 また、本考案の炉芯管は上部がアーチ形になつ
ているため、半導体厚膜ICの焼成中に発生する
排気ガスの流れが良好となり半導体厚膜ICに与
える影響も少なくできた。 更に、本考案のカマボコ形の炉芯管は、断面積
を大きくせずに幅を広くでき、幅の広いベルトが
使用できるので、一定の焼成速度でも半導体厚膜
ICの単位時間当りの焼成個数を増大でき、ひい
ては生産性を著しく向上できる。 以上詳述した如く、本考案によれば高さ対幅の
比を1/2以下で断面形状をカマボコ形に改良した
構造にすることによつて、焼成中での上部壁面の
たわみ発生を防止できると共に、内部の温度を均
一化でき、もつて高寿命で高品質の半導体厚膜
ICを量産的に焼成することが可能な石英ガラス
製炉芯管を提供できるものである。
330mm、（Ｈ／Ｗ＝1/2以下）で断面カマボコ形の
本考案の炉芯管〔実験例〕は温度分布が少なく均
一加熱できる。しかも上部のたわみ発生もほとん
ど起きなかつた。これに対し、高さＨ）200mm、
幅（Ｗ）330mm、（Ｈ／Ｗ＝1/2以上）のカマボコ
形の炉芯管（参照例）は昇温時でのたわみ発生は
起きなかつたが、温度むらが大きく、かつ断面積
が大きいために昇温に時間を要し、熱効率が悪
い。また、断面長方形状の従来の炉芯管は温度の
測定時に既にたわみ始じめ温度むらを生じ、更に
時間経過と共にたわみ度合が大きくなつた。 また、本考案の炉芯管は上部がアーチ形になつ
ているため、半導体厚膜ICの焼成中に発生する
排気ガスの流れが良好となり半導体厚膜ICに与
える影響も少なくできた。 更に、本考案のカマボコ形の炉芯管は、断面積
を大きくせずに幅を広くでき、幅の広いベルトが
使用できるので、一定の焼成速度でも半導体厚膜
ICの単位時間当りの焼成個数を増大でき、ひい
ては生産性を著しく向上できる。 以上詳述した如く、本考案によれば高さ対幅の
比を1/2以下で断面形状をカマボコ形に改良した
構造にすることによつて、焼成中での上部壁面の
たわみ発生を防止できると共に、内部の温度を均
一化でき、もつて高寿命で高品質の半導体厚膜
ICを量産的に焼成することが可能な石英ガラス
製炉芯管を提供できるものである。
第１図は従来の石英ガラス製炉芯管を組み込ん
だ半導体厚膜ICの焼成炉の横断面図、第２図は
焼成炉の横断面図、第２図は焼成処理を行なつた
後の従来の石英ガラス製炉芯管の状態を示す横断
面図、第３図は本考案の一実施例を示す石英ガラ
ス製炉芯管の横断面図である。 １，１′……石英ガラス製炉芯管、２……ヒー
タ、３……炉殻、４……レンガからなる断熱材。
だ半導体厚膜ICの焼成炉の横断面図、第２図は
焼成炉の横断面図、第２図は焼成処理を行なつた
後の従来の石英ガラス製炉芯管の状態を示す横断
面図、第３図は本考案の一実施例を示す石英ガラ
ス製炉芯管の横断面図である。 １，１′……石英ガラス製炉芯管、２……ヒー
タ、３……炉殻、４……レンガからなる断熱材。
Claims (1)
- 高さ対幅の比が1/2以下で断面がカマボコ形状
をなすことを特徴とする半導体厚膜IC焼成炉用
石英ガラス製炉芯管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980129357U JPH0113428Y2 (ja) | 1980-09-11 | 1980-09-11 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980129357U JPH0113428Y2 (ja) | 1980-09-11 | 1980-09-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5753682U JPS5753682U (ja) | 1982-03-29 |
| JPH0113428Y2 true JPH0113428Y2 (ja) | 1989-04-19 |
Family
ID=29489710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1980129357U Expired JPH0113428Y2 (ja) | 1980-09-11 | 1980-09-11 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0113428Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3727875A1 (de) * | 1987-08-21 | 1989-03-02 | Wabco Westinghouse Fahrzeug | Warneinrichtung fuer ein luftbereiftes rad eines fahrzeugs |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS538093Y2 (ja) * | 1973-07-10 | 1978-03-02 |
-
1980
- 1980-09-11 JP JP1980129357U patent/JPH0113428Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5753682U (ja) | 1982-03-29 |
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