JPH01124997A - 薄膜ｅｌ素子の駆動方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子の駆動方法Info
- Publication number
- JPH01124997A JPH01124997A JP62281965A JP28196587A JPH01124997A JP H01124997 A JPH01124997 A JP H01124997A JP 62281965 A JP62281965 A JP 62281965A JP 28196587 A JP28196587 A JP 28196587A JP H01124997 A JPH01124997 A JP H01124997A
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- JP
- Japan
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- switching element
- thin film
- wave form
- gate
- constant current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000007600 charging Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 15
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000010277 constant-current charging Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of El Displays (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、薄膜ＥＬ素子の書込み、消去を行なう駆動方
法に関する。
法に関する。
薄膜ＥＬ素子としては例えば第２図に示すものが知られ
ている。
ている。
つまり、ガラス基板１上に透明電極２、絶縁層（Ｔａ２
０４ ）３、発光層（ＺｎＳ：Ｍｎ）４、絶縁層（Ｔａ
２０４ ）５、背面電極ＣＡＤ ”）６を順次積層し、
透明電極２と背面電極６との間に電圧を印加することで
発光層４を発光するようにしである。
０４ ）３、発光層（ＺｎＳ：Ｍｎ）４、絶縁層（Ｔａ
２０４ ）５、背面電極ＣＡＤ ”）６を順次積層し、
透明電極２と背面電極６との間に電圧を印加することで
発光層４を発光するようにしである。
この様な薄膜ＥＬ素子はＥＬドツトマトリクスパネルと
して用いられる。
して用いられる。
他方、薄膜ＥＬ素子は、容量性負荷であるために電圧印
加時に過大な電流が流れ、その電流ｉｃは次式で表わさ
れる。
加時に過大な電流が流れ、その電流ｉｃは次式で表わさ
れる。
ｔ
ｍ−素子ドツト数、Ｃ−素子１ドツト当りの容ｊ１ （
ＰＦ） 、ｄＶ−電圧立上り幅、ｄｔ−電圧立上り時間
。
ＰＦ） 、ｄＶ−電圧立上り幅、ｄｔ−電圧立上り時間
。
ここで、電流ｉｃは薄膜ＥＬ素子を駆動する駆動電流ｉ
ｃの絶対定格を越えてはならないので、立上り時間ｄｔ
大きくしなければならない。
ｃの絶対定格を越えてはならないので、立上り時間ｄｔ
大きくしなければならない。
例えば、フィールド参リフレッシュ法で８４０×２００
ドツトの薄膜ＥＬ素子を用いたドツトマトリクスパネル
を全点燈させる場合の立上り時間を考えてみると、 書込み時に必要な電圧１８０Ｖ、１素子当りの容量が４
９Ｆ、行ドライバのシンク（ｓｉｎｋ）電流が最大５０
ｍＡで規定されているとすれば、前記（１）式より となるので、書込み電圧は９μｓ以上の立上り時間でゆ
っくりと立上りを行なわなければならない。
ドツトの薄膜ＥＬ素子を用いたドツトマトリクスパネル
を全点燈させる場合の立上り時間を考えてみると、 書込み時に必要な電圧１８０Ｖ、１素子当りの容量が４
９Ｆ、行ドライバのシンク（ｓｉｎｋ）電流が最大５０
ｍＡで規定されているとすれば、前記（１）式より となるので、書込み電圧は９μｓ以上の立上り時間でゆ
っくりと立上りを行なわなければならない。
従来、この様にゆっくりと立上りを行なうには、例えば
第３図に示すようにしている。
第３図に示すようにしている。
つまり、薄膜ＥＬ素子Ａの背面電極６とスイッチング素
子７との間に抵抗Ｒを設け、この抵抗Ｒと薄膜ＥＬ素子
Ａの容量Ｃとの時定数で立上りを、第４図に示すように
ゆっくりと行なっている。
子７との間に抵抗Ｒを設け、この抵抗Ｒと薄膜ＥＬ素子
Ａの容量Ｃとの時定数で立上りを、第４図に示すように
ゆっくりと行なっている。
かかる方法であると発光する素子ドツト数が変化すると
容量Ｃが変化して時定数が異なるので、立上り時間が変
化してしまうために輝度が変化してしまう。
容量Ｃが変化して時定数が異なるので、立上り時間が変
化してしまうために輝度が変化してしまう。
そこで、本発明は発光する素子ドツト数が変化しても立
上り時間を一定にできるようにした薄膜ＥＬ素子の駆動
方法を提供することを目的とする。
上り時間を一定にできるようにした薄膜ＥＬ素子の駆動
方法を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕薄膜ＥＬ素子
Ａの透明電極２と背面電極６とに電圧を印加するスイッ
チング素子１０のバイアスを台形状の波形で立上り、立
下りさせることで薄膜ＥＬ素子Ａを台形状の波形で立上
げ、立下げするようにすることで、スイッチング素子１
０の台形状の波形であるバイアスの立上り、立下りによ
って薄膜ＥＬ素子の立上り時間を決定でき、それにより
発光する素子ドツト数が異なっても立上り時間を一定に
でき、輝度が変化することがないようしたものである。
Ａの透明電極２と背面電極６とに電圧を印加するスイッ
チング素子１０のバイアスを台形状の波形で立上り、立
下りさせることで薄膜ＥＬ素子Ａを台形状の波形で立上
げ、立下げするようにすることで、スイッチング素子１
０の台形状の波形であるバイアスの立上り、立下りによ
って薄膜ＥＬ素子の立上り時間を決定でき、それにより
発光する素子ドツト数が異なっても立上り時間を一定に
でき、輝度が変化することがないようしたものである。
第１図に示すように、薄膜ＥＬ素子Ａの背面電極６はス
イッチング素子１０と抵抗１１との間に接続され、その
スイッチング素子１０のゲ−）ＩＯＣは充電用スイッチ
ング素子１２と放電用スイッチング素子１３との間に接
続され、かつ高耐圧のコンデンサ１４を介して接地して
いる。
イッチング素子１０と抵抗１１との間に接続され、その
スイッチング素子１０のゲ−）ＩＯＣは充電用スイッチ
ング素子１２と放電用スイッチング素子１３との間に接
続され、かつ高耐圧のコンデンサ１４を介して接地して
いる。
前記充電用スイッチング素子１２のゲート１２Ｇは定電
流充電設定トリマ１５に接続し、放電用スイッチング素
子１３のゲート１３Ｇは定電流放電設定トリマ１６に接
続していると共に、指令信号は第１・第２反転バッファ
１７．１８に入力され、その第１反転バッファ１７はコ
ンデンサ１９を経て前記定電流充電設定トリマ１５、ツ
ナ−ダイオード２０を通して充電用スイッチング素子１
２のソース１２ｓ側に接続し、第２反転バッファ１８は
前記定電流放電設定トリマ１６を経て接地している。
流充電設定トリマ１５に接続し、放電用スイッチング素
子１３のゲート１３Ｇは定電流放電設定トリマ１６に接
続していると共に、指令信号は第１・第２反転バッファ
１７．１８に入力され、その第１反転バッファ１７はコ
ンデンサ１９を経て前記定電流充電設定トリマ１５、ツ
ナ−ダイオード２０を通して充電用スイッチング素子１
２のソース１２ｓ側に接続し、第２反転バッファ１８は
前記定電流放電設定トリマ１６を経て接地している。
このようであるから、高耐圧のコンデンサ１４は充電用
スイッチング素子１２からの定電流で充電されるので、
書込み時にはスイッチング素子１０のゲート１０Ｇに印
加されるゲート電圧は充電用スイッチング素子１２より
の定電流と高耐圧のコンデンサ１４の容量Ｃで決定され
る時間によって台形状の波形で立上り、抵抗１１には台
形状の電圧が発生し、薄膜ＥＬ素子Ａはその台形状の波
形で立上る。
スイッチング素子１２からの定電流で充電されるので、
書込み時にはスイッチング素子１０のゲート１０Ｇに印
加されるゲート電圧は充電用スイッチング素子１２より
の定電流と高耐圧のコンデンサ１４の容量Ｃで決定され
る時間によって台形状の波形で立上り、抵抗１１には台
形状の電圧が発生し、薄膜ＥＬ素子Ａはその台形状の波
形で立上る。
また、高耐圧のコンデンサ１４は放電用スイッチング素
子１３より定電流放電トリマー１６の定電流で放電され
るので、消去時にはスイッチング素子１０のゲート１０
Ｇに印加されているゲート電圧は放電用スイッチング素
子１３の定電流と高耐圧のコンデンサ１４の容ＱＣで決
定される時間によって台形状で立下り、薄膜ＥＬ素子Ａ
はダイオードＤ１を通してその台形状の波形で立下りす
る。
子１３より定電流放電トリマー１６の定電流で放電され
るので、消去時にはスイッチング素子１０のゲート１０
Ｇに印加されているゲート電圧は放電用スイッチング素
子１３の定電流と高耐圧のコンデンサ１４の容ＱＣで決
定される時間によって台形状で立下り、薄膜ＥＬ素子Ａ
はダイオードＤ１を通してその台形状の波形で立下りす
る。
このように、コンデンサ１４の容量Ｃと充・放電用スイ
ッチング素子１２．１３の定電流によって決定される時
間によって台形状の波形で薄膜ＥＬ素子Ａに印加される
電流が立上り、立下りするので、発光する素子ドツト数
が変化しても立上り時間を一定にできる。
ッチング素子１２．１３の定電流によって決定される時
間によって台形状の波形で薄膜ＥＬ素子Ａに印加される
電流が立上り、立下りするので、発光する素子ドツト数
が変化しても立上り時間を一定にできる。
次に具体的な動作を説明する。
書込み指令が第１反転バッファ１７に入力するとコンデ
ンサ１９の電位差はツナ−ダイオード２０で１９０Ｖ−
１２Ｖとなり、コンデンサ１９が充電されると定電流充
電トリマー１５に２００Ｖ＋１２Ｖの電流が流れて設定
した定電流が充電用スイッチング素子１２のゲート１２
Ｇに印加され、コンデンサ１４に＋２００ｖが流れ、充
電完了するとスイッチング素子１０のゲート１０Ｇに２
００ｖのゲート電圧が印加されるので、そのゲート電圧
は書込み指令が入力されてからコンデンサ１４の容量と
定電流充電トリマー１５の設定電流により決定される傾
むきで立上る。
ンサ１９の電位差はツナ−ダイオード２０で１９０Ｖ−
１２Ｖとなり、コンデンサ１９が充電されると定電流充
電トリマー１５に２００Ｖ＋１２Ｖの電流が流れて設定
した定電流が充電用スイッチング素子１２のゲート１２
Ｇに印加され、コンデンサ１４に＋２００ｖが流れ、充
電完了するとスイッチング素子１０のゲート１０Ｇに２
００ｖのゲート電圧が印加されるので、そのゲート電圧
は書込み指令が入力されてからコンデンサ１４の容量と
定電流充電トリマー１５の設定電流により決定される傾
むきで立上る。
同様に消去指令が第２反転バッファ１８に入力されると
定電流放電用トリマー１６の設定電流が放電用スイッチ
ング素子１３のゲート１３Ｇにゲート電圧として印加し
、コンデンサ１４が放電開始して放電終了するとスイッ
チング素子１０のゲート電圧がゼロとなるので、そのゲ
ート電圧は消去指令が入力されてからコンデンサ１４の
容量と定電流放電トリマー１６の設定電流により決定さ
れる傾むきで立下る。
定電流放電用トリマー１６の設定電流が放電用スイッチ
ング素子１３のゲート１３Ｇにゲート電圧として印加し
、コンデンサ１４が放電開始して放電終了するとスイッ
チング素子１０のゲート電圧がゼロとなるので、そのゲ
ート電圧は消去指令が入力されてからコンデンサ１４の
容量と定電流放電トリマー１６の設定電流により決定さ
れる傾むきで立下る。
したがって、薄膜ＥＬ素子Ａに印加される電流は台形状
の波形で変化することになる。
の波形で変化することになる。
スイッチング素子１０の台形状の波形であるバイアスの
立上り、立下りによって薄膜ＥＬ素子の立上り時間を決
定できるので、発光する素子ドツト数が異なっても立上
り時間を一定にでき、輝度が変化することがない。
立上り、立下りによって薄膜ＥＬ素子の立上り時間を決
定できるので、発光する素子ドツト数が異なっても立上
り時間を一定にでき、輝度が変化することがない。
第１図は本発明の実施例を示す回路図、第２図は薄膜Ｅ
Ｌ素子の説明図、第３図は従来例の回路図、第４図は立
上り時間を示す図表である。 ２は透明電極、６は背面電極、１０はスイ・ソチング素
子。 出願人 株式会社 小 松 製 作 所代理人 弁
理士 米 原 正 章
Ｌ素子の説明図、第３図は従来例の回路図、第４図は立
上り時間を示す図表である。 ２は透明電極、６は背面電極、１０はスイ・ソチング素
子。 出願人 株式会社 小 松 製 作 所代理人 弁
理士 米 原 正 章
Claims (2)
- １．薄膜ＥＬ素子Ａの透明電極２と背面電極６とに電圧
印加するスイッチング素子１０のバイアスを台形状の波
形で立上り、立下りさせることで薄膜ＥＬ素子Ａを台形
状の波形で立上げ、立下げするようにしたことを特徴と
する薄膜ＥＬ素子の駆動方法。 - ２．前記スイッチング素子１０のゲート１０Ｇと接地間
にコンデンサ１４を並列に設け、このコンデンサ１４へ
の充電及び放電を定電流で行なうことによりゲートバイ
アスを台形状の波形で立上り、立下りさせてスイッチン
グ素子１０をソースフォロアで出力することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の薄膜ＥＬ素子の駆動方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62281965A JPH01124997A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 薄膜ｅｌ素子の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62281965A JPH01124997A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 薄膜ｅｌ素子の駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01124997A true JPH01124997A (ja) | 1989-05-17 |
Family
ID=17646365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62281965A Pending JPH01124997A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 薄膜ｅｌ素子の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01124997A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5973456A (en) * | 1996-01-30 | 1999-10-26 | Denso Corporation | Electroluminescent display device having uniform display element column luminosity |
-
1987
- 1987-11-10 JP JP62281965A patent/JPH01124997A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5973456A (en) * | 1996-01-30 | 1999-10-26 | Denso Corporation | Electroluminescent display device having uniform display element column luminosity |
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