JPH01124997A - 薄膜el素子の駆動方法 - Google Patents
薄膜el素子の駆動方法Info
- Publication number
- JPH01124997A JPH01124997A JP62281965A JP28196587A JPH01124997A JP H01124997 A JPH01124997 A JP H01124997A JP 62281965 A JP62281965 A JP 62281965A JP 28196587 A JP28196587 A JP 28196587A JP H01124997 A JPH01124997 A JP H01124997A
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- Japan
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- switching element
- thin film
- wave form
- gate
- constant current
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- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000007600 charging Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 15
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000010277 constant-current charging Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、薄膜EL素子の書込み、消去を行なう駆動方
法に関する。
法に関する。
薄膜EL素子としては例えば第2図に示すものが知られ
ている。
ている。
つまり、ガラス基板1上に透明電極2、絶縁層(Ta2
04 )3、発光層(ZnS:Mn)4、絶縁層(Ta
204 )5、背面電極CAD ”)6を順次積層し、
透明電極2と背面電極6との間に電圧を印加することで
発光層4を発光するようにしである。
04 )3、発光層(ZnS:Mn)4、絶縁層(Ta
204 )5、背面電極CAD ”)6を順次積層し、
透明電極2と背面電極6との間に電圧を印加することで
発光層4を発光するようにしである。
この様な薄膜EL素子はELドツトマトリクスパネルと
して用いられる。
して用いられる。
他方、薄膜EL素子は、容量性負荷であるために電圧印
加時に過大な電流が流れ、その電流icは次式で表わさ
れる。
加時に過大な電流が流れ、その電流icは次式で表わさ
れる。
t
m−素子ドツト数、C−素子1ドツト当りの容j1 (
PF) 、dV−電圧立上り幅、dt−電圧立上り時間
。
PF) 、dV−電圧立上り幅、dt−電圧立上り時間
。
ここで、電流icは薄膜EL素子を駆動する駆動電流i
cの絶対定格を越えてはならないので、立上り時間dt
大きくしなければならない。
cの絶対定格を越えてはならないので、立上り時間dt
大きくしなければならない。
例えば、フィールド参リフレッシュ法で840×200
ドツトの薄膜EL素子を用いたドツトマトリクスパネル
を全点燈させる場合の立上り時間を考えてみると、 書込み時に必要な電圧180V、1素子当りの容量が4
9F、行ドライバのシンク(sink)電流が最大50
mAで規定されているとすれば、前記(1)式より となるので、書込み電圧は9μs以上の立上り時間でゆ
っくりと立上りを行なわなければならない。
ドツトの薄膜EL素子を用いたドツトマトリクスパネル
を全点燈させる場合の立上り時間を考えてみると、 書込み時に必要な電圧180V、1素子当りの容量が4
9F、行ドライバのシンク(sink)電流が最大50
mAで規定されているとすれば、前記(1)式より となるので、書込み電圧は9μs以上の立上り時間でゆ
っくりと立上りを行なわなければならない。
従来、この様にゆっくりと立上りを行なうには、例えば
第3図に示すようにしている。
第3図に示すようにしている。
つまり、薄膜EL素子Aの背面電極6とスイッチング素
子7との間に抵抗Rを設け、この抵抗Rと薄膜EL素子
Aの容量Cとの時定数で立上りを、第4図に示すように
ゆっくりと行なっている。
子7との間に抵抗Rを設け、この抵抗Rと薄膜EL素子
Aの容量Cとの時定数で立上りを、第4図に示すように
ゆっくりと行なっている。
かかる方法であると発光する素子ドツト数が変化すると
容量Cが変化して時定数が異なるので、立上り時間が変
化してしまうために輝度が変化してしまう。
容量Cが変化して時定数が異なるので、立上り時間が変
化してしまうために輝度が変化してしまう。
そこで、本発明は発光する素子ドツト数が変化しても立
上り時間を一定にできるようにした薄膜EL素子の駆動
方法を提供することを目的とする。
上り時間を一定にできるようにした薄膜EL素子の駆動
方法を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕薄膜EL素子
Aの透明電極2と背面電極6とに電圧を印加するスイッ
チング素子10のバイアスを台形状の波形で立上り、立
下りさせることで薄膜EL素子Aを台形状の波形で立上
げ、立下げするようにすることで、スイッチング素子1
0の台形状の波形であるバイアスの立上り、立下りによ
って薄膜EL素子の立上り時間を決定でき、それにより
発光する素子ドツト数が異なっても立上り時間を一定に
でき、輝度が変化することがないようしたものである。
Aの透明電極2と背面電極6とに電圧を印加するスイッ
チング素子10のバイアスを台形状の波形で立上り、立
下りさせることで薄膜EL素子Aを台形状の波形で立上
げ、立下げするようにすることで、スイッチング素子1
0の台形状の波形であるバイアスの立上り、立下りによ
って薄膜EL素子の立上り時間を決定でき、それにより
発光する素子ドツト数が異なっても立上り時間を一定に
でき、輝度が変化することがないようしたものである。
第1図に示すように、薄膜EL素子Aの背面電極6はス
イッチング素子10と抵抗11との間に接続され、その
スイッチング素子10のゲ−)IOCは充電用スイッチ
ング素子12と放電用スイッチング素子13との間に接
続され、かつ高耐圧のコンデンサ14を介して接地して
いる。
イッチング素子10と抵抗11との間に接続され、その
スイッチング素子10のゲ−)IOCは充電用スイッチ
ング素子12と放電用スイッチング素子13との間に接
続され、かつ高耐圧のコンデンサ14を介して接地して
いる。
前記充電用スイッチング素子12のゲート12Gは定電
流充電設定トリマ15に接続し、放電用スイッチング素
子13のゲート13Gは定電流放電設定トリマ16に接
続していると共に、指令信号は第1・第2反転バッファ
17.18に入力され、その第1反転バッファ17はコ
ンデンサ19を経て前記定電流充電設定トリマ15、ツ
ナ−ダイオード20を通して充電用スイッチング素子1
2のソース12s側に接続し、第2反転バッファ18は
前記定電流放電設定トリマ16を経て接地している。
流充電設定トリマ15に接続し、放電用スイッチング素
子13のゲート13Gは定電流放電設定トリマ16に接
続していると共に、指令信号は第1・第2反転バッファ
17.18に入力され、その第1反転バッファ17はコ
ンデンサ19を経て前記定電流充電設定トリマ15、ツ
ナ−ダイオード20を通して充電用スイッチング素子1
2のソース12s側に接続し、第2反転バッファ18は
前記定電流放電設定トリマ16を経て接地している。
このようであるから、高耐圧のコンデンサ14は充電用
スイッチング素子12からの定電流で充電されるので、
書込み時にはスイッチング素子10のゲート10Gに印
加されるゲート電圧は充電用スイッチング素子12より
の定電流と高耐圧のコンデンサ14の容量Cで決定され
る時間によって台形状の波形で立上り、抵抗11には台
形状の電圧が発生し、薄膜EL素子Aはその台形状の波
形で立上る。
スイッチング素子12からの定電流で充電されるので、
書込み時にはスイッチング素子10のゲート10Gに印
加されるゲート電圧は充電用スイッチング素子12より
の定電流と高耐圧のコンデンサ14の容量Cで決定され
る時間によって台形状の波形で立上り、抵抗11には台
形状の電圧が発生し、薄膜EL素子Aはその台形状の波
形で立上る。
また、高耐圧のコンデンサ14は放電用スイッチング素
子13より定電流放電トリマー16の定電流で放電され
るので、消去時にはスイッチング素子10のゲート10
Gに印加されているゲート電圧は放電用スイッチング素
子13の定電流と高耐圧のコンデンサ14の容QCで決
定される時間によって台形状で立下り、薄膜EL素子A
はダイオードD1を通してその台形状の波形で立下りす
る。
子13より定電流放電トリマー16の定電流で放電され
るので、消去時にはスイッチング素子10のゲート10
Gに印加されているゲート電圧は放電用スイッチング素
子13の定電流と高耐圧のコンデンサ14の容QCで決
定される時間によって台形状で立下り、薄膜EL素子A
はダイオードD1を通してその台形状の波形で立下りす
る。
このように、コンデンサ14の容量Cと充・放電用スイ
ッチング素子12.13の定電流によって決定される時
間によって台形状の波形で薄膜EL素子Aに印加される
電流が立上り、立下りするので、発光する素子ドツト数
が変化しても立上り時間を一定にできる。
ッチング素子12.13の定電流によって決定される時
間によって台形状の波形で薄膜EL素子Aに印加される
電流が立上り、立下りするので、発光する素子ドツト数
が変化しても立上り時間を一定にできる。
次に具体的な動作を説明する。
書込み指令が第1反転バッファ17に入力するとコンデ
ンサ19の電位差はツナ−ダイオード20で190V−
12Vとなり、コンデンサ19が充電されると定電流充
電トリマー15に200V+12Vの電流が流れて設定
した定電流が充電用スイッチング素子12のゲート12
Gに印加され、コンデンサ14に+200vが流れ、充
電完了するとスイッチング素子10のゲート10Gに2
00vのゲート電圧が印加されるので、そのゲート電圧
は書込み指令が入力されてからコンデンサ14の容量と
定電流充電トリマー15の設定電流により決定される傾
むきで立上る。
ンサ19の電位差はツナ−ダイオード20で190V−
12Vとなり、コンデンサ19が充電されると定電流充
電トリマー15に200V+12Vの電流が流れて設定
した定電流が充電用スイッチング素子12のゲート12
Gに印加され、コンデンサ14に+200vが流れ、充
電完了するとスイッチング素子10のゲート10Gに2
00vのゲート電圧が印加されるので、そのゲート電圧
は書込み指令が入力されてからコンデンサ14の容量と
定電流充電トリマー15の設定電流により決定される傾
むきで立上る。
同様に消去指令が第2反転バッファ18に入力されると
定電流放電用トリマー16の設定電流が放電用スイッチ
ング素子13のゲート13Gにゲート電圧として印加し
、コンデンサ14が放電開始して放電終了するとスイッ
チング素子10のゲート電圧がゼロとなるので、そのゲ
ート電圧は消去指令が入力されてからコンデンサ14の
容量と定電流放電トリマー16の設定電流により決定さ
れる傾むきで立下る。
定電流放電用トリマー16の設定電流が放電用スイッチ
ング素子13のゲート13Gにゲート電圧として印加し
、コンデンサ14が放電開始して放電終了するとスイッ
チング素子10のゲート電圧がゼロとなるので、そのゲ
ート電圧は消去指令が入力されてからコンデンサ14の
容量と定電流放電トリマー16の設定電流により決定さ
れる傾むきで立下る。
したがって、薄膜EL素子Aに印加される電流は台形状
の波形で変化することになる。
の波形で変化することになる。
スイッチング素子10の台形状の波形であるバイアスの
立上り、立下りによって薄膜EL素子の立上り時間を決
定できるので、発光する素子ドツト数が異なっても立上
り時間を一定にでき、輝度が変化することがない。
立上り、立下りによって薄膜EL素子の立上り時間を決
定できるので、発光する素子ドツト数が異なっても立上
り時間を一定にでき、輝度が変化することがない。
第1図は本発明の実施例を示す回路図、第2図は薄膜E
L素子の説明図、第3図は従来例の回路図、第4図は立
上り時間を示す図表である。 2は透明電極、6は背面電極、10はスイ・ソチング素
子。 出願人 株式会社 小 松 製 作 所代理人 弁
理士 米 原 正 章
L素子の説明図、第3図は従来例の回路図、第4図は立
上り時間を示す図表である。 2は透明電極、6は背面電極、10はスイ・ソチング素
子。 出願人 株式会社 小 松 製 作 所代理人 弁
理士 米 原 正 章
Claims (2)
- 1.薄膜EL素子Aの透明電極2と背面電極6とに電圧
印加するスイッチング素子10のバイアスを台形状の波
形で立上り、立下りさせることで薄膜EL素子Aを台形
状の波形で立上げ、立下げするようにしたことを特徴と
する薄膜EL素子の駆動方法。 - 2.前記スイッチング素子10のゲート10Gと接地間
にコンデンサ14を並列に設け、このコンデンサ14へ
の充電及び放電を定電流で行なうことによりゲートバイ
アスを台形状の波形で立上り、立下りさせてスイッチン
グ素子10をソースフォロアで出力することを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の薄膜EL素子の駆動方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62281965A JPH01124997A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 薄膜el素子の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62281965A JPH01124997A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 薄膜el素子の駆動方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01124997A true JPH01124997A (ja) | 1989-05-17 |
Family
ID=17646365
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62281965A Pending JPH01124997A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 薄膜el素子の駆動方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01124997A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5973456A (en) * | 1996-01-30 | 1999-10-26 | Denso Corporation | Electroluminescent display device having uniform display element column luminosity |
-
1987
- 1987-11-10 JP JP62281965A patent/JPH01124997A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5973456A (en) * | 1996-01-30 | 1999-10-26 | Denso Corporation | Electroluminescent display device having uniform display element column luminosity |
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