JPH01124917A - 線材の製造方法 - Google Patents
線材の製造方法Info
- Publication number
- JPH01124917A JPH01124917A JP62282876A JP28287687A JPH01124917A JP H01124917 A JPH01124917 A JP H01124917A JP 62282876 A JP62282876 A JP 62282876A JP 28287687 A JP28287687 A JP 28287687A JP H01124917 A JPH01124917 A JP H01124917A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- superconductor
- current density
- critical current
- oxygen atmosphere
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 title abstract description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 abstract description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 238000009689 gas atomisation Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000009690 centrifugal atomisation Methods 0.000 description 1
- 238000001739 density measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009692 water atomization Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は送ｍｓや超電導モーター、超電導マグネット等
に用いる超電導線材の製造方法に関する〔従来の技術〕 高臨界温度の超電導材料にはＺｅｉｔｓｃｈｒｉｆｔ
ｆａｒ Ｐｙｅｉｋ Ｂ、Ｖｏｌ、６４、 ｐ
１８９−１９３とＰｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ
Ｌｅｔｔｅｒｓ、ｖｏｌ、５，８．Ｎｏ。
に用いる超電導線材の製造方法に関する〔従来の技術〕 高臨界温度の超電導材料にはＺｅｉｔｓｃｈｒｉｆｔ
ｆａｒ Ｐｙｅｉｋ Ｂ、Ｖｏｌ、６４、 ｐ
１８９−１９３とＰｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ
Ｌｅｔｔｅｒｓ、ｖｏｌ、５，８．Ｎｏ。
’ｅｐ９０８ ９１０に述べられている様によりＭｆ）
ＪＩＩＧｅｏｒｇｅ Ｂｓｚｌｎｏｒｚとに＠Ａ’１
ｅｘａｎｄｅｒ Ｍｕｌｌｅｒが発見したＢａ−Ｉ、
ａ −Ｃｕ −０系セラミツクとａｏｕａｔｏｎ大学
のＣ！−Ｖ−Ｏｈｕらが発見したＢ ａ −Ｙ −０ｕ
−０系セラミツクがあり、これらの超伝導材料を線材化
する場合はまず粉末法或は共沈法により原料を調合した
後還元雰囲気或は酸素雰囲気中に於て加熱し反応物を碍
、次に該反応物を銅或は銀に詰めた後所定の線経に線引
き、次に焼成を行い製造されていた。
ＪＩＩＧｅｏｒｇｅ Ｂｓｚｌｎｏｒｚとに＠Ａ’１
ｅｘａｎｄｅｒ Ｍｕｌｌｅｒが発見したＢａ−Ｉ、
ａ −Ｃｕ −０系セラミツクとａｏｕａｔｏｎ大学
のＣ！−Ｖ−Ｏｈｕらが発見したＢ ａ −Ｙ −０ｕ
−０系セラミツクがあり、これらの超伝導材料を線材化
する場合はまず粉末法或は共沈法により原料を調合した
後還元雰囲気或は酸素雰囲気中に於て加熱し反応物を碍
、次に該反応物を銅或は銀に詰めた後所定の線経に線引
き、次に焼成を行い製造されていた。
しかしながら従来の超電導材料の製造方法では成形前の
粉末に適度な粒度分布を持たせることが困難であるため
密度が低く、また粉砕により粒度分布を持たせると欠陥
や歪が多発するため臨界電流密度は例えばＮ工ＫＫ］ｌ
ｆ！１ Ｆｉ’Ｌ１ｎＯＴＲＯＮ工Ｏ８１・９８７・
６・１ ｐ８７に述べられているように液体窒素冷却で
１０００Ａ／−前後と低いものであった。そのため応用
範囲が非常に限られたものになっていた。
粉末に適度な粒度分布を持たせることが困難であるため
密度が低く、また粉砕により粒度分布を持たせると欠陥
や歪が多発するため臨界電流密度は例えばＮ工ＫＫ］ｌ
ｆ！１ Ｆｉ’Ｌ１ｎＯＴＲＯＮ工Ｏ８１・９８７・
６・１ ｐ８７に述べられているように液体窒素冷却で
１０００Ａ／−前後と低いものであった。そのため応用
範囲が非常に限られたものになっていた。
本発明はこの様な問題を解決するものであり、その目的
とするところは臨界電流密度が高く応用範囲の限定の少
ない超電導材料を得んとするものである。
とするところは臨界電流密度が高く応用範囲の限定の少
ない超電導材料を得んとするものである。
上記の問題を解決するため本発明の線材の製造方法は１
）超電導体粉末を銅や銀等の補強パイプに詰め所定の線
経に線引きした後焼成する線材の製造に於て超伝導体粉
末に溶融噴霧により作製した粉末を用いたことを特徴と
する。
）超電導体粉末を銅や銀等の補強パイプに詰め所定の線
経に線引きした後焼成する線材の製造に於て超伝導体粉
末に溶融噴霧により作製した粉末を用いたことを特徴と
する。
以下実施例に従い本発明の詳細な説明する。
Ｙ２Ｏ３、ＢａＯＯ８，ＯｕＯの微粉末を混合分散した
後白金坩堝中に於て溶融する。この時のＹ、Ｂａ、Ｏｕ
の割合は１：２：５であり溶融雰囲気は空気中である。
後白金坩堝中に於て溶融する。この時のＹ、Ｂａ、Ｏｕ
の割合は１：２：５であり溶融雰囲気は空気中である。
次に遠心噴霧装置のｓ ｏ’ ｏ 。
ｒｐｍ〜３００００ｒｐｍで回転しているディスク上に
該溶融物を落下、噴霧化させ微粉末を得る・。得られる
粉末の粒径をＤとしディスクの回転数をＲとしたときＤ
とＲには ｎ＝ｘ、ａ−ｎ （ｎ（１） の関係が成立するためディスクの回転数を調整すること
により容易に粉末の粒度及び粒度分布の適正化を図るこ
とが出来るわけである。この時得られた粉末を顕微鏡観
察したところ形状はほぼ球形であり表面は非常に滑らか
なものであった。次に、遠心噴霧法による粉末化は高温
からの急冷となり粉末中の酸素が適正でなく更に構造が
安定でないため該粉末を９３０℃酸素雰囲気中に於て８
時間アニール処理し超電導体粉末を得る」次に超電導体
粉末を銀パイプに詰め所定の線経に線引きした後９７０
℃酸素雰囲気中に於て１２時間焼成、４５０℃酸素雰囲
気中で１２時間アニール処理して線材を得る。粉末の時
のアニール処理、焼成、焼成後のアニール処理に於ける
冷却速度は５０℃／Ｈである。
該溶融物を落下、噴霧化させ微粉末を得る・。得られる
粉末の粒径をＤとしディスクの回転数をＲとしたときＤ
とＲには ｎ＝ｘ、ａ−ｎ （ｎ（１） の関係が成立するためディスクの回転数を調整すること
により容易に粉末の粒度及び粒度分布の適正化を図るこ
とが出来るわけである。この時得られた粉末を顕微鏡観
察したところ形状はほぼ球形であり表面は非常に滑らか
なものであった。次に、遠心噴霧法による粉末化は高温
からの急冷となり粉末中の酸素が適正でなく更に構造が
安定でないため該粉末を９３０℃酸素雰囲気中に於て８
時間アニール処理し超電導体粉末を得る」次に超電導体
粉末を銀パイプに詰め所定の線経に線引きした後９７０
℃酸素雰囲気中に於て１２時間焼成、４５０℃酸素雰囲
気中で１２時間アニール処理して線材を得る。粉末の時
のアニール処理、焼成、焼成後のアニール処理に於ける
冷却速度は５０℃／Ｈである。
得られた線材の臨界電流密度（Ｊｃ）と臨界温度（Ｔｃ
ｏｉオンセットｇ Ｔ Ｑ ＠ ：エンドポイント）を
測定した。結果を従来例と共に第１表に示した。従来例
は共沈法による作成で粒度分布の適正化が図れないもの
（従来例１）と粉砕により粒度分布の適正化を行ったも
の（従来例２）゛である。臨界電流密度測定時の試料温
度は７７Ｋ（液体窒素冷却）であり磁界は印加していな
い。
ｏｉオンセットｇ Ｔ Ｑ ＠ ：エンドポイント）を
測定した。結果を従来例と共に第１表に示した。従来例
は共沈法による作成で粒度分布の適正化が図れないもの
（従来例１）と粉砕により粒度分布の適正化を行ったも
の（従来例２）゛である。臨界電流密度測定時の試料温
度は７７Ｋ（液体窒素冷却）であり磁界は印加していな
い。
表より判る様に本実施例によると大幅に臨界電流密度を
向上させることが出来る。ここで従来例１で臨界電流密
度が低いのは粒度分布の適正化が図れないだけでなく製
造過程で完全に不純物を取シ除くことが出来ないためで
ある。また従来例２の低いのは機械粉砕時に生ずる欠陥
と歪によるものであり、欠陥と歪は臨界温度の低下も招
いている。
向上させることが出来る。ここで従来例１で臨界電流密
度が低いのは粒度分布の適正化が図れないだけでなく製
造過程で完全に不純物を取シ除くことが出来ないためで
ある。また従来例２の低いのは機械粉砕時に生ずる欠陥
と歪によるものであり、欠陥と歪は臨界温度の低下も招
いている。
尚実施例では遠心噴霧による粉末化であるが高圧水噴ｍ
！（高圧水アトマイズ）、ガス噴霧（ガスアトマイズ）
、超音波ガス噴霧によるものでも効果は同じでありまた
実施例の超電導物質は酸化物であるがセラミック系超電
導材料のように脆い超伝導材料の線材の製造であれば酸
化物だけでなくどの物質にも本発明を適用出来る。
！（高圧水アトマイズ）、ガス噴霧（ガスアトマイズ）
、超音波ガス噴霧によるものでも効果は同じでありまた
実施例の超電導物質は酸化物であるがセラミック系超電
導材料のように脆い超伝導材料の線材の製造であれば酸
化物だけでなくどの物質にも本発明を適用出来る。
以上述べたように本発明によれば高密度で不純物が少な
く且つ欠陥や歪の少ない超伝導線材を得ることが出来る
ため臨界電流密度の大幅な向上を図ることが出来る。そ
のため応用上の制約が少なくなり様々な分野に超電導線
材を応用出来る。
く且つ欠陥や歪の少ない超伝導線材を得ることが出来る
ため臨界電流密度の大幅な向上を図ることが出来る。そ
のため応用上の制約が少なくなり様々な分野に超電導線
材を応用出来る。
以上
出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- 超電導体粉末を銅や銀等の補強パイプに詰め所定の線経
に線引きした後焼成する線材の製造に於て超伝導体粉末
に溶融噴霧により作製した粉末を用いたことを特徴とす
る線材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62282876A JPH01124917A (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 線材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62282876A JPH01124917A (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 線材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01124917A true JPH01124917A (ja) | 1989-05-17 |
Family
ID=17658230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62282876A Pending JPH01124917A (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 線材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01124917A (ja) |
-
1987
- 1987-11-09 JP JP62282876A patent/JPH01124917A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH02153803A (ja) | 酸化物超電導バルク材料およびその製造方法 | |
| US5077268A (en) | Procesing of superconducting ceramics using microwave energy | |
| JPH01124917A (ja) | 線材の製造方法 | |
| JP2685951B2 (ja) | ビスマス系超電導体の製造方法 | |
| JPH01115866A (ja) | 超電導材料の製造方法 | |
| JP3217727B2 (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
| JP2570326B2 (ja) | シールド材の製造方法 | |
| JPH027309A (ja) | 酸化物系超電導線条体の製造方法 | |
| JPH04119968A (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
| JPH05229820A (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
| JPH04254466A (ja) | イットリウム系超電導バルク材の製造方法 | |
| Goto et al. | Zone melting of suspension spun Bi2Sr2Ca1Cu2Ox filament | |
| JPH01160861A (ja) | 超電導セラミクスの異方成長法 | |
| JPH05254834A (ja) | 酸化物超電導体及びその製造方法 | |
| JPH01176608A (ja) | 酸化物超電導線条体の製造方法 | |
| JPH02221149A (ja) | 酸化物超伝導体の製造方法 | |
| JPH0421505A (ja) | セラミックス超電導体およびその製造方法 | |
| JPH02225368A (ja) | 超電導セラミックスの製造方法 | |
| JPH05339009A (ja) | Ｂｉ系超電導体および超電導厚膜の製造方法 | |
| JPH01227310A (ja) | 酸化物超電導線材の製造方法 | |
| JPH0412023A (ja) | 酸化物超電導体 | |
| JPH0816023B2 (ja) | セラミックス超電導体の製造方法 | |
| JPH04175296A (ja) | 酸化物超電導体の製造方法並びにその酸化物超電導体の製造方法における結晶成長制御方法 | |
| JPH03153560A (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
| JPH01234327A (ja) | 酸化物超伝導体の製造方法 |