JPH01124245A - 集積回路収容構造 - Google Patents

集積回路収容構造

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JPH01124245A
JPH01124245A JP62283450A JP28345087A JPH01124245A JP H01124245 A JPH01124245 A JP H01124245A JP 62283450 A JP62283450 A JP 62283450A JP 28345087 A JP28345087 A JP 28345087A JP H01124245 A JPH01124245 A JP H01124245A
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JP
Japan
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ceramic
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Application number
JP62283450A
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English (en)
Inventor
Hisashi Nanba
難波 久志
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH01124245A publication Critical patent/JPH01124245A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はICを搭載する集積回路収容構造に関し、特に
内部のパターン配線の構造を改良した集積回路収容構造
に関するものである。
〔従来の技術〕
従来集積回路収容構造におけるセラミックパッケージは
第2図(a)、(b)に示す様にICを搭載するダイ、
OLBパッド、リード等で構成されており、リード間と
OLBパッド間のセラミックパッケージ内配線はリード
、OLB間のみの2次元的パターンのみであった。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来のセラミックパッケージはリード間とOL
Bパッド間のセラミックパッケージ内配線が2次元的パ
ターンであった為、本セラミックパッケージがプリント
基板に搭載された状態において、プリント基板上の回路
に及び本セラミックパッケージの接続状態が不完全であ
った時等は、その診断として第2図に示す様プローブ1
0によりリード7に接触し解析を実施するが、リード間
隔が狭くなると、希望するリードだけに接触することが
不可能となる。又、リード上部をプローブ10により接
触する為、リード7とプリント基板上のはんだ付パッド
8の接触状態が不完全な場合、プローブ10の押圧によ
り接続状態を良にしてしまい、不完全な接続を検出でき
ないと言う欠点があった。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の集積回路収容構造は、プリント基板にセラミッ
クパッケージを接続するリード間とダイに搭載されたI
Cをボンディングによりセラミックパッケージと接続す
る為のOLBバッド間の配線パターン、特にセラミック
基板上部にプローブパッドとして取り出されている三次
元配線パターンを有している。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図<a)、(b)は本発明の一実施例の断面図7平
面図であり、プリント基板1にセラミックパッケージ2
が接続された状態を示すものである。搭載IC3はダイ
12に接続され、IC3とセラミックパッケージ2はO
LBパッド11とボンディング4により接続されている
。プリント基板1とセラミックパッケージ2はプリント
基板はんだ付バッド8とリード7により接続され、IC
3に印加される信号はセデラミック内配線パターン6に
て伝搬される。搭載IC3はキャップ9により封止され
、ヒートシンク5により放熱を実施している。セラミッ
ク基板内配線パターン6はブロービングパッド6′とし
てセラミック基板上に取り出されている。本ブロービン
グパッド6′によりプリント基板上にセラミックパッケ
ージが搭載された状態においてプローブ10を用いブロ
ービングパッド6′に接触させることによりリード7に
触れることなくIC3に伝搬される信号が観測可能であ
る。
また、リード7の間隔が狭くなると従来セラミックパッ
ケージではプローブ10による接触が不可能となるが、
プローブパッド6を千鳥にセラミック基板上に取り出す
ことにより接触が可能となる。
〔発明の効果〕
以上説明した様に本発明はリード間とOLB間の配線パ
ターンを3次元構成にしプローブパッドとしてセラミッ
ク基板上部に取り出すことにより、リード間隔に影響さ
れずに診断の為のプローブの接触が可能となる効果、及
びプリント基板上と接続されるリードを直接プローブす
る必要が無い為その接続状態が不完全な場合でも10−
プパツドを接触することにより不完全状態を検出できる
と言う効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)、(b)は本発明の一実施例を示す縦面図
、平面図であり、第2図(a)、(b)は従来例の縦面
図、平面図である。 1・・・プリント基板、2・・・セラミックパッケージ
、3・・・搭載IC14・・・ボンディング、5・・・
ヒートシンク、6・・・セラミック内配線パターン、6
′・・・ブロービングパッド、7・・・リード、8・・
・プリント基板はんだ付パッド、9・・・キャップ、1
0・・・プローブ、11・・・OLBパッド、12・・
・ダイ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  ICを搭載するダイ、ICボンディングパッドをボン
    ディングによりセラミックパッケージと接続するプリン
    ト基板に本セラミックパッケージを接続する為のリード
    を有し、特に前記リード間と前記OLBパッド間の配線
    パターンが三次元構成によりセラミックパッケージ上部
    にプロビングパッドとして取り出されていることを特徴
    とする集積回路収容構造。
JP62283450A 1987-11-09 1987-11-09 集積回路収容構造 Pending JPH01124245A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62283450A JPH01124245A (ja) 1987-11-09 1987-11-09 集積回路収容構造

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JP62283450A JPH01124245A (ja) 1987-11-09 1987-11-09 集積回路収容構造

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01124245A true JPH01124245A (ja) 1989-05-17

Family

ID=17665701

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62283450A Pending JPH01124245A (ja) 1987-11-09 1987-11-09 集積回路収容構造

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JP (1) JPH01124245A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03201471A (ja) * 1989-12-28 1991-09-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置のパッケージ構造
JPH05259367A (ja) * 1992-03-12 1993-10-08 Nec Corp フラット型icパッケージ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03201471A (ja) * 1989-12-28 1991-09-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置のパッケージ構造
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