JPH01113439A - フォトマスク保護用防塵膜 - Google Patents
フォトマスク保護用防塵膜Info
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- JPH01113439A JPH01113439A JP62269888A JP26988887A JPH01113439A JP H01113439 A JPH01113439 A JP H01113439A JP 62269888 A JP62269888 A JP 62269888A JP 26988887 A JP26988887 A JP 26988887A JP H01113439 A JPH01113439 A JP H01113439A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体の製造工程において、フォトマスクや
レチクルをごみの付着から防止する防塵膜に関する。
レチクルをごみの付着から防止する防塵膜に関する。
LSIなどの半導体の製造において、フォトマスクのマ
スクパターンをフォトレジストに転写するりジグラフイ
ー工程では、フォトマスクやレチクルにごみが付着する
のを防止する必要があり、そのためにフォトマスクやレ
チクルを防塵膜で保護している。
スクパターンをフォトレジストに転写するりジグラフイ
ー工程では、フォトマスクやレチクルにごみが付着する
のを防止する必要があり、そのためにフォトマスクやレ
チクルを防塵膜で保護している。
このような防塵膜としては、従来ニトロセルロース、セ
ルロース・アセテート・ブチレート、アルキルセルロー
ス等の薄膜が使用されている。
ルロース・アセテート・ブチレート、アルキルセルロー
ス等の薄膜が使用されている。
このような防塵膜に要求される性能としては、高透光性
を有し、耐光性が良いことであるが、前記従来のもので
は、フォトリゾグラフィーに用いる波長365ni+の
光に対して若干の吸収性を示し、この付近の波長の光に
対し耐光性が悪い。
を有し、耐光性が良いことであるが、前記従来のもので
は、フォトリゾグラフィーに用いる波長365ni+の
光に対して若干の吸収性を示し、この付近の波長の光に
対し耐光性が悪い。
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、高透光
性を有し耐光性に優れて長寿命の防塵膜を提供すること
を目的とする。
性を有し耐光性に優れて長寿命の防塵膜を提供すること
を目的とする。
前記問題点は、ポリスチレン標準による重量平均分子量
が60,000〜400,000のプロピオン酸セルロ
ースで防塵膜を形成することにより解決される。
が60,000〜400,000のプロピオン酸セルロ
ースで防塵膜を形成することにより解決される。
本発明の防塵膜は、波長が365nmの光に対し、99
%以上の高透光率を示す。
%以上の高透光率を示す。
本発明の防塵膜は、プロピオン酸セルロースの有機溶媒
溶液から回転製膜法により製造できる。
溶液から回転製膜法により製造できる。
プロピオン酸セルロースに対する有機溶媒としては、メ
チルイソブチルケトン(MIBK)、アセトン、メチル
エチルケトン、ジエチルケトン、ジイソブチルケトン、
シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール等のケトン系
溶媒が特に適しており、目的とする膜厚、膜厚均一性を
得るために、最も効率の良い溶媒を選定する。
チルイソブチルケトン(MIBK)、アセトン、メチル
エチルケトン、ジエチルケトン、ジイソブチルケトン、
シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール等のケトン系
溶媒が特に適しており、目的とする膜厚、膜厚均一性を
得るために、最も効率の良い溶媒を選定する。
むろん、有機溶媒は上述したものに限定されず、例えば
メタノール、エタノール等のアルコール類、テトラヒド
ロフラン、1.2−ジメトキシエタン、1゜2−ジェト
キシエタン等のエタール類、酢酸エチル、乳酸エチル、
ギ酸ブチル、酢酸ブチル等のエステル類も単独又は2種
以上の組み合わせで使用し得ることが了解されるべきで
ある。
メタノール、エタノール等のアルコール類、テトラヒド
ロフラン、1.2−ジメトキシエタン、1゜2−ジェト
キシエタン等のエタール類、酢酸エチル、乳酸エチル、
ギ酸ブチル、酢酸ブチル等のエステル類も単独又は2種
以上の組み合わせで使用し得ることが了解されるべきで
ある。
メチルイソブチルケトン等の溶媒に対するプロピオン酸
セルロースの重量比は、30:1〜lO:1゜好適には
20:1〜10:1の範囲内にあるのがよい。
セルロースの重量比は、30:1〜lO:1゜好適には
20:1〜10:1の範囲内にあるのがよい。
このプロピオン酸セルロースの溶液をそのまま使用して
回転製膜法により製膜してもよいが、異物の除去のため
、濾過した後に薄膜に成形した方が良い。濾過は例えば
0.2μ次のフィルタを用いた加圧濾過方法による。
回転製膜法により製膜してもよいが、異物の除去のため
、濾過した後に薄膜に成形した方が良い。濾過は例えば
0.2μ次のフィルタを用いた加圧濾過方法による。
また、プロピオン酸セルロース溶液から分別沈澱法によ
り高分子量のものを予め除去しておくときには、生成す
る薄膜の膜厚の分布が均一となり、且つ光学的特性も顕
著に向上する。
り高分子量のものを予め除去しておくときには、生成す
る薄膜の膜厚の分布が均一となり、且つ光学的特性も顕
著に向上する。
さらに前記有機溶媒に対して混和性を有するがプロピオ
ン酸セルロースに対しては貧溶媒である第二の有機溶媒
を前記プロピオン酸セルロースの有機溶媒溶液に添加し
て、プロピオン酸セルロース中の高分子量セルロース、
さらに好ましくは高分子蛍成分と共にゲル状物、低溶解
度不純物等を析出させ、前記溶液から高分子量プロピオ
ン酸セルロースを分離し、分離後のプロピオン酸セルロ
ース溶液を回転製膜法により製膜するとよい。
ン酸セルロースに対しては貧溶媒である第二の有機溶媒
を前記プロピオン酸セルロースの有機溶媒溶液に添加し
て、プロピオン酸セルロース中の高分子量セルロース、
さらに好ましくは高分子蛍成分と共にゲル状物、低溶解
度不純物等を析出させ、前記溶液から高分子量プロピオ
ン酸セルロースを分離し、分離後のプロピオン酸セルロ
ース溶液を回転製膜法により製膜するとよい。
このように高分子量のものを分別沈澱させであるいは貧
溶媒を用いて除去することにより、製膜用原料溶液の安
定性や濾過性、更には成膜性能を高め、また、これによ
り得られる薄膜の厚みの分布を均一化し、且つ光学的特
性を顕著に向上させることが可能となる。
溶媒を用いて除去することにより、製膜用原料溶液の安
定性や濾過性、更には成膜性能を高め、また、これによ
り得られる薄膜の厚みの分布を均一化し、且つ光学的特
性を顕著に向上させることが可能となる。
プロピオン酸セルロースに対する貧溶媒としては、ヘキ
サン、ヘプタン、メチルシクロヘキサン、シクロヘキサ
ン、トルエン、オクタン、ツルベントナフタ、シクロナ
ツタ、キシレン等が挙げられるが、この貧溶媒は後に加
熱して脱溶媒する必要上、メチルイソブチルケトンの溶
媒の沸点よりその沸点が低いもの、特にヘキサン、ヘプ
タン、メチルシクロヘキサン、シクロヘキサン等の脂肪
族炭化水素又は指環族炭化水素で、炭素数が5乃至10
のものが有利である。入手に容易さやコストの面でヘキ
サンが有利である。
サン、ヘプタン、メチルシクロヘキサン、シクロヘキサ
ン、トルエン、オクタン、ツルベントナフタ、シクロナ
ツタ、キシレン等が挙げられるが、この貧溶媒は後に加
熱して脱溶媒する必要上、メチルイソブチルケトンの溶
媒の沸点よりその沸点が低いもの、特にヘキサン、ヘプ
タン、メチルシクロヘキサン、シクロヘキサン等の脂肪
族炭化水素又は指環族炭化水素で、炭素数が5乃至10
のものが有利である。入手に容易さやコストの面でヘキ
サンが有利である。
貧溶媒の添加量は、容積比で貧溶媒/溶媒=0゜8〜1
.5であるのが好ましく、実使用上は1.0〜1.20
が好適である。メチルイソブチルケトン等の溶媒の里よ
り貧溶媒の量が少ないと、高分子量セルロースの析出作
用が思うように行なわれない。貧溶媒(ヘキサン)とメ
チルイソブチルケトンの容積比を変化させることにより
、たとえばプロピオン酸セルロースの平均分子量がどの
ように変化するかを調べたところ、貧溶媒の添加量が増
えるほどプロピオン酸セルロースの平均分子量が減るこ
と、すなわち、高分子量分が析出されることが理解でき
る。但し、貧溶媒の添加量が多すぎると、得るべきプロ
ピオン酸セルロースの精製溶液の収量が少なくなり、生
産性が劣ることとなる。
.5であるのが好ましく、実使用上は1.0〜1.20
が好適である。メチルイソブチルケトン等の溶媒の里よ
り貧溶媒の量が少ないと、高分子量セルロースの析出作
用が思うように行なわれない。貧溶媒(ヘキサン)とメ
チルイソブチルケトンの容積比を変化させることにより
、たとえばプロピオン酸セルロースの平均分子量がどの
ように変化するかを調べたところ、貧溶媒の添加量が増
えるほどプロピオン酸セルロースの平均分子量が減るこ
と、すなわち、高分子量分が析出されることが理解でき
る。但し、貧溶媒の添加量が多すぎると、得るべきプロ
ピオン酸セルロースの精製溶液の収量が少なくなり、生
産性が劣ることとなる。
貧溶媒を添加した後、デカンテーションや遠心分離等の
手段で高分子量セルロースのみを除去したプロピオン酸
セルロースの溶液を得、さらに、残留している貧溶媒を
脱溶媒し、プロピオン酸セルロースの精製溶液を得る。
手段で高分子量セルロースのみを除去したプロピオン酸
セルロースの溶液を得、さらに、残留している貧溶媒を
脱溶媒し、プロピオン酸セルロースの精製溶液を得る。
脱溶媒の手段はメチルイソブチルケトンの沸点以下で貧
溶媒の沸点以上に加熱して、貧溶媒を蒸発させてしまう
ことにより行う。その際プロピオン酸セルロース溶液を
減圧下に置いてもよい。
溶媒の沸点以上に加熱して、貧溶媒を蒸発させてしまう
ことにより行う。その際プロピオン酸セルロース溶液を
減圧下に置いてもよい。
薄膜の厚みは種々変化させ得るが、一般に0.5乃至6
ミクロン、特に0.8乃至3ミクロンのW1囲内にある
のがよい。防塵膜としては2.85μmのものが使用さ
れる。
ミクロン、特に0.8乃至3ミクロンのW1囲内にある
のがよい。防塵膜としては2.85μmのものが使用さ
れる。
ここで、回転製膜法に使用する装置の一例について説明
する。この装置は第1図に示すように、回転駆動される
ターンテーブル!上に基板2を載置したもので、この基
板2を回転体とし、基板2の上面を水平に保って水平面
3としたものである。
する。この装置は第1図に示すように、回転駆動される
ターンテーブル!上に基板2を載置したもので、この基
板2を回転体とし、基板2の上面を水平に保って水平面
3としたものである。
そして、この水平面3にプロピオン酸セルロース溶液を
ノズル4から供給してターンテーブルを回すと、基板2
も回転し、その遠心力でセルロースエステル溶液が水平
面3に沿って薄く広がり、セルロースエステル薄膜が成
形される。
ノズル4から供給してターンテーブルを回すと、基板2
も回転し、その遠心力でセルロースエステル溶液が水平
面3に沿って薄く広がり、セルロースエステル薄膜が成
形される。
基板2の回転速度は通常400〜4000rpm、好ま
しくは500〜3000rpIllがよいが、定速で回
転させるだけでなく、立ち上がりは低速(200〜10
1000rpとし、途中から高速(400〜4000r
pm)としても良い。
しくは500〜3000rpIllがよいが、定速で回
転させるだけでなく、立ち上がりは低速(200〜10
1000rpとし、途中から高速(400〜4000r
pm)としても良い。
また、基板2の水平面3に離型剤を予め塗布しておくと
、薄膜を水平面から剥がしやすい。
、薄膜を水平面から剥がしやすい。
このようにして得られる本発明の防塵膜は、ポリスチレ
ン標準による重量平均分子量が60,000〜400.
000であることが必要である。重量平均分子量が低す
ぎると膜の強度が使用に耐えられなくなり、高すぎると
溶媒に対する溶解性が悪くなり、均一な膜を製造できな
くなる。
ン標準による重量平均分子量が60,000〜400.
000であることが必要である。重量平均分子量が低す
ぎると膜の強度が使用に耐えられなくなり、高すぎると
溶媒に対する溶解性が悪くなり、均一な膜を製造できな
くなる。
以下、本発明の実施例について比較例と比較しつつ説明
する。
する。
プロピオン酸セルロース〔アルドリッチ社製、ハイモレ
キュラーウェートゲレード〕を70g、メチルイソブチ
ルケトン930gに溶解してプロピオン酸セルロース溶
液を形成し、このプロピオン酸セルロース溶液にヘキサ
ンを605g滴下により添加しくこの時、メチルイソブ
チルケトンの竜が1170av12゜ヘキサンの量が9
20xQで、両者の関係を容積比で表すと1.27:l
である)、5時間放置してデカンテーションを行って沈
澱した高分子量プロピオン酸セルロースを除去し、上澄
み液を40℃で15〜20肩肩Hgの減圧下に置いてヘ
キサンを脱溶媒し、プロピオン酸セルロース精製溶液を
得た。
キュラーウェートゲレード〕を70g、メチルイソブチ
ルケトン930gに溶解してプロピオン酸セルロース溶
液を形成し、このプロピオン酸セルロース溶液にヘキサ
ンを605g滴下により添加しくこの時、メチルイソブ
チルケトンの竜が1170av12゜ヘキサンの量が9
20xQで、両者の関係を容積比で表すと1.27:l
である)、5時間放置してデカンテーションを行って沈
澱した高分子量プロピオン酸セルロースを除去し、上澄
み液を40℃で15〜20肩肩Hgの減圧下に置いてヘ
キサンを脱溶媒し、プロピオン酸セルロース精製溶液を
得た。
このプロピオン酸セルロース精製溶液を孔径0゜2μ肩
で、直径142xmのフィルタを用いて0.5kg7a
m”・Gの加圧下で循環濾過を行ったところ、40時間
後もフィルタの詰まりはなく濾過できた。また、濾過後
のプロピオン酸セルロース溶液で回転製膜法により薄膜
を製造した。
で、直径142xmのフィルタを用いて0.5kg7a
m”・Gの加圧下で循環濾過を行ったところ、40時間
後もフィルタの詰まりはなく濾過できた。また、濾過後
のプロピオン酸セルロース溶液で回転製膜法により薄膜
を製造した。
得られた薄膜の重量平均分子量は470,000であり
、色むらや筋の無い光学的特性の良いプロピオン酸セル
ロース薄膜で、光透過率が99%以上であった。
、色むらや筋の無い光学的特性の良いプロピオン酸セル
ロース薄膜で、光透過率が99%以上であった。
本発明の防塵膜によれば、透光性が極めて良く、耐光性
に優れているため、防塵膜としての性能を十分に発揮で
き、しかも、寿命がニトロセルロース製防塵膜の2倍以
上という優れた効果を有する。
に優れているため、防塵膜としての性能を十分に発揮で
き、しかも、寿命がニトロセルロース製防塵膜の2倍以
上という優れた効果を有する。
第1図は本発明のセルロースエステル薄膜の製造方法に
使用する装置の斜視図である。 1・・・ターンテーブル、2・・・基板、3・・・水平
面。 第1図
使用する装置の斜視図である。 1・・・ターンテーブル、2・・・基板、3・・・水平
面。 第1図
Claims (2)
- (1)ポリスチレン標準による重量平均分子量が60,
000〜400,000のプロピオン酸セルロースから
なる防塵膜。 - (2)膜厚が2.85μmである特許請求の範囲第1項
記載の防塵膜。
Priority Applications (11)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26988887A JPH0798869B2 (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | フォトマスク保護用防塵膜 |
CA000580730A CA1330860C (en) | 1987-10-26 | 1988-10-20 | Dust-proof film |
MYPI88001207A MY103629A (en) | 1987-10-26 | 1988-10-22 | Dust-proof film |
AT88309983T ATE171550T1 (de) | 1987-10-26 | 1988-10-24 | Staubschutzschicht |
DE3856253T DE3856253T2 (de) | 1987-10-26 | 1988-10-24 | Staubschutzschicht |
KR1019880013854A KR910009610B1 (ko) | 1987-10-26 | 1988-10-24 | 방진막 |
ES88309983T ES2124686T3 (es) | 1987-10-26 | 1988-10-24 | Pelicula anti-polvo. |
EP88309983A EP0314418B1 (en) | 1987-10-26 | 1988-10-24 | Dust-proof film |
SG1996001337A SG47433A1 (en) | 1987-10-26 | 1988-10-24 | Dust-proof film |
US07/262,809 US5028702A (en) | 1987-10-26 | 1988-10-26 | Dust-proof film |
HK98103210A HK1003950A1 (en) | 1987-10-26 | 1998-04-17 | Dust-proof film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26988887A JPH0798869B2 (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | フォトマスク保護用防塵膜 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26319496A Division JP2786845B2 (ja) | 1996-10-03 | 1996-10-03 | フォトマスク保護用防塵膜 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01113439A true JPH01113439A (ja) | 1989-05-02 |
JPH0798869B2 JPH0798869B2 (ja) | 1995-10-25 |
Family
ID=17478611
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26988887A Expired - Lifetime JPH0798869B2 (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | フォトマスク保護用防塵膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0798869B2 (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6239859A (ja) * | 1985-08-14 | 1987-02-20 | Daicel Chem Ind Ltd | フオトマスク保護用樹脂薄膜の製法 |
-
1987
- 1987-10-26 JP JP26988887A patent/JPH0798869B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6239859A (ja) * | 1985-08-14 | 1987-02-20 | Daicel Chem Ind Ltd | フオトマスク保護用樹脂薄膜の製法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0798869B2 (ja) | 1995-10-25 |
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