JPH01112726A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPH01112726A JPH01112726A JP62271386A JP27138687A JPH01112726A JP H01112726 A JPH01112726 A JP H01112726A JP 62271386 A JP62271386 A JP 62271386A JP 27138687 A JP27138687 A JP 27138687A JP H01112726 A JPH01112726 A JP H01112726A
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- shot
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は被測定面、例えばウェハ面の基準面からの隔り
やウェハ面の傾き等の面位置を検出する面位置検出する
手段を具備した露光装置に関する。
やウェハ面の傾き等の面位置を検出する面位置検出する
手段を具備した露光装置に関する。
特に本発明は、例えば半導体製造の分野において、半導
体ウェハ表面にレチクルパターンを繰返し縮少投影露光
する所謂ステッパと呼ばれる露光装置における自動焦点
制御装置用として上記ウニ八表面とレチクルパターン結
像面との位置関係を調整する際に好適な面位置検出装置
を具備した露光装置に関する。
体ウェハ表面にレチクルパターンを繰返し縮少投影露光
する所謂ステッパと呼ばれる露光装置における自動焦点
制御装置用として上記ウニ八表面とレチクルパターン結
像面との位置関係を調整する際に好適な面位置検出装置
を具備した露光装置に関する。
(従来の技術)
従来の縮少投影露光装置のウェハ面の基準位置からのず
れ量である焦点面位置を検出する面位置検出手段を有し
た露光装置としては、エアマイクロセンサーを用いる方
法やウェハ而に斜め方向から光束を入射させ、その反射
光の位置ずれ量を検出する方法(光学方法)等を用いた
装置が知られている。
れ量である焦点面位置を検出する面位置検出手段を有し
た露光装置としては、エアマイクロセンサーを用いる方
法やウェハ而に斜め方向から光束を入射させ、その反射
光の位置ずれ量を検出する方法(光学方法)等を用いた
装置が知られている。
又、近年、パターンの微細化が進み、投影レンズの許容
深度か狭まってきているなかでパターン焼き付は部全面
にわたって高解像力を得る為には、パターン焼き付は面
であるウェハ面の傾きも同時に良好に補正することので
きる面位置検出手段を有した露光装置が必要となってき
ている。
深度か狭まってきているなかでパターン焼き付は部全面
にわたって高解像力を得る為には、パターン焼き付は面
であるウェハ面の傾きも同時に良好に補正することので
きる面位置検出手段を有した露光装置が必要となってき
ている。
ウェハ面等の被測定面の傾き補正機構として、例えばエ
アマイクロセンサーを用いる方法では焼き付は部を直接
計測することができないがセンサー自体が小型である為
、焼き付は部の回りに多点のセンサーを設ければ、これ
らのセンサーを用いて傾き補正を行うと同時に被測定面
の焦点面位置を検出することができる。
アマイクロセンサーを用いる方法では焼き付は部を直接
計測することができないがセンサー自体が小型である為
、焼き付は部の回りに多点のセンサーを設ければ、これ
らのセンサーを用いて傾き補正を行うと同時に被測定面
の焦点面位置を検出することができる。
しかしながら、この方法は焼き付は部を直接計測するこ
とができない為、計測点と焼き付は部の間に段差構造が
あると傾き補正及び焦点面位置の検出に誤差が生じてし
まう。
とができない為、計測点と焼き付は部の間に段差構造が
あると傾き補正及び焦点面位置の検出に誤差が生じてし
まう。
又、ウニ八周辺部のショットでは測定点がウェハ面上よ
りはずれてしまう為に傾き補正や焦点面位置の検出が行
なえない場合が生じるという問題があった。
りはずれてしまう為に傾き補正や焦点面位置の検出が行
なえない場合が生じるという問題があった。
これに対して光学方式の場合には、パターン焼き付は部
の直接測長が可能であるが、画面内の多点を計測し、傾
き補正を行う為に限られた装置内のスペースに複数(3
本以上)異なる光路を持つ光学系を配置しなければなら
ず、このことは実用上大変困難であると共に、ウェハ面
上に塗布したレジストの存在によりレジスト表面で反射
されてきた光束とウニ八表面で反射された光とか干渉を
起こし、検出精度を低下させるという問題がある故、多
点計測での傾き補正の検出値に誤差が生じやすい。
の直接測長が可能であるが、画面内の多点を計測し、傾
き補正を行う為に限られた装置内のスペースに複数(3
本以上)異なる光路を持つ光学系を配置しなければなら
ず、このことは実用上大変困難であると共に、ウェハ面
上に塗布したレジストの存在によりレジスト表面で反射
されてきた光束とウニ八表面で反射された光とか干渉を
起こし、検出精度を低下させるという問題がある故、多
点計測での傾き補正の検出値に誤差が生じやすい。
この為、従来は先ず画面内の一点を検出する面位置検出
手段を用いてステージによりウェハを移動させることに
より、焼き付けを行う前に予めウェハ面上の各ショット
、又は一部のショットの位置検出を行っておき、それよ
りウェハ面全体の傾きやそり量を算出している。
手段を用いてステージによりウェハを移動させることに
より、焼き付けを行う前に予めウェハ面上の各ショット
、又は一部のショットの位置検出を行っておき、それよ
りウェハ面全体の傾きやそり量を算出している。
次に各ショットの焼き付は時に、この情報より被測定面
の傾き補正を行うようにしている。
の傾き補正を行うようにしている。
しかしながら、この方法では露光装置のスルーブツトを
低下させると共にステージ移動の際の駆動誤差が傾き補
正値に入り込むという問題があった。
低下させると共にステージ移動の際の駆動誤差が傾き補
正値に入り込むという問題があった。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明はウェハ面等の被測定面の基準位置からのずれ量
や被測定面の傾き等を同時に、しかも高精度に1出する
ことのできる簡易な構成の面位置検出手段を有した露光
装置の提供し、高速度な検出が可能となるので、スルー
プットを低下させることなく焼き付はショット毎に傾き
補正を含めた面位置制御を行うことを目的とする。
や被測定面の傾き等を同時に、しかも高精度に1出する
ことのできる簡易な構成の面位置検出手段を有した露光
装置の提供し、高速度な検出が可能となるので、スルー
プットを低下させることなく焼き付はショット毎に傾き
補正を含めた面位置制御を行うことを目的とする。
(問題点を解決するための手段)
レチクルの回路パターンを投影光学系を介してウェハ上
の各ショット領域に転写して露光する露光装置であって
、面記ウェハの前記投影光学系の光軸方向の位置を所定
の基準位置に合わせると共に、前記各ショット領域の露
光面に各ショットの面の所定基準面に対する傾きを検出
し、各露光毎に各ショットの面の傾きを補正することで
ある。
の各ショット領域に転写して露光する露光装置であって
、面記ウェハの前記投影光学系の光軸方向の位置を所定
の基準位置に合わせると共に、前記各ショット領域の露
光面に各ショットの面の所定基準面に対する傾きを検出
し、各露光毎に各ショットの面の傾きを補正することで
ある。
(実施例)
第1図は本発明を縮少投影露光装置に適用したときの一
実施例の概略図である。本実施例では特に被測定面とし
てのウェハ面の自動焦点制御を行う場合を示している。
実施例の概略図である。本実施例では特に被測定面とし
てのウェハ面の自動焦点制御を行う場合を示している。
同図において、1は投影レンズ、2は被測定面としての
ウェハであり投影レンズ1により不図示のレチクルパタ
ーンが縮少投影されている。又、ウェハ2は上下方向に
移動で、かつ紙面に垂直な平面内で傾き補正可能なステ
ージ3上に載置されている。4は光源でレ−ザー、若し
くはLED等である。5は照明レンズであり光源4から
の光束を反射プリズム6aを介してステージ3上のウェ
ハ2面上を所定の角度で照明している。
ウェハであり投影レンズ1により不図示のレチクルパタ
ーンが縮少投影されている。又、ウェハ2は上下方向に
移動で、かつ紙面に垂直な平面内で傾き補正可能なステ
ージ3上に載置されている。4は光源でレ−ザー、若し
くはLED等である。5は照明レンズであり光源4から
の光束を反射プリズム6aを介してステージ3上のウェ
ハ2面上を所定の角度で照明している。
7は検出レンズ、8は光分割器であり、ウェハ2面上か
らの反射光束のうち反射プリズム6bと検出レンズ7を
通過した光束を2つの光束に分割している。12は第1
検出器であり入射光束の1次元的位置検出が可能な受光
面を有している。
らの反射光束のうち反射プリズム6bと検出レンズ7を
通過した光束を2つの光束に分割している。12は第1
検出器であり入射光束の1次元的位置検出が可能な受光
面を有している。
又、第1検出器12は検出レンズ7を介してウェハ2面
と略共役関係となるように設定されている。
と略共役関係となるように設定されている。
2点鎖線で示す9a、9bは各々検出レンズ7の射出瞳
位置を示している。10は集光レンズ、11は第2検出
器であり、入射光束の2次元的検出が可能な受光面を有
している。ここで集光レンズ10は検出レンズ7の射出
瞳における振幅の強度分布を第2検出器11面上に再結
像させている。
位置を示している。10は集光レンズ、11は第2検出
器であり、入射光束の2次元的検出が可能な受光面を有
している。ここで集光レンズ10は検出レンズ7の射出
瞳における振幅の強度分布を第2検出器11面上に再結
像させている。
本実施例では光源4からの光束を照明レンズ5により反
射プリズム6aを介してウェハ2面上に入射させ、ウェ
ハ2面上からの反射光束を反射プリズム6bと検出レン
ズ7を介し、光分割器8で2つの方向に分割している。
射プリズム6aを介してウェハ2面上に入射させ、ウェ
ハ2面上からの反射光束を反射プリズム6bと検出レン
ズ7を介し、光分割器8で2つの方向に分割している。
そして、一方の光束を第1検出器12に入射させウニ八
面2の基準位置からのずれ量である投影レンズ1に対す
る光軸方向のずれ量(上下方向の位置ずれ)、即ちウェ
ハ而2の面位置を検出し、他方の光束を集光レンズ10
により第2検出器11に入射させウニ凸面2の傾き状態
を検出している。
面2の基準位置からのずれ量である投影レンズ1に対す
る光軸方向のずれ量(上下方向の位置ずれ)、即ちウェ
ハ而2の面位置を検出し、他方の光束を集光レンズ10
により第2検出器11に入射させウニ凸面2の傾き状態
を検出している。
ここでウェハ2の面位置検出はウェハ2面の入射光束の
反射点と第1検出器12への光束の入射点とが結像関係
となるように設定されている為に、ウェハ2の傾きによ
るウェハ2の上下方向の位置検出に関する誤差を原理的
に除くと共に、ウェハ2の上下方向の位置ずれを第1検
出器への光束の入射位置のずれとして検出している。そ
して、このときのずれ量をなくすように自動制御を行い
投影レンズ1の焦点位置にウェハ2か位置するようにし
ている。
反射点と第1検出器12への光束の入射点とが結像関係
となるように設定されている為に、ウェハ2の傾きによ
るウェハ2の上下方向の位置検出に関する誤差を原理的
に除くと共に、ウェハ2の上下方向の位置ずれを第1検
出器への光束の入射位置のずれとして検出している。そ
して、このときのずれ量をなくすように自動制御を行い
投影レンズ1の焦点位置にウェハ2か位置するようにし
ている。
次にウェハ2面の傾き検出方法を第2図(A)。
(B)を用いて説明する。同図(A) 、 (B)は第
1図におけるウェハ2、検出レンズ7、そして検出レン
ズ7の射出瞳位置9を展開した状態で示している。
1図におけるウェハ2、検出レンズ7、そして検出レン
ズ7の射出瞳位置9を展開した状態で示している。
第2図(A)はウェハ2に傾きがない場合、第2図(B
)はウェハ2が一定角度β傾いた場合のウェハ2への入
射光束とウェハ2からの反射光束の状態を各々示してい
る。
)はウェハ2が一定角度β傾いた場合のウェハ2への入
射光束とウェハ2からの反射光束の状態を各々示してい
る。
同図(A)に示すようにウェハ2面が傾いていないとき
には反射光束は検出レンズ7を通り射出R9の中心に入
射する。
には反射光束は検出レンズ7を通り射出R9の中心に入
射する。
これに対してウェハ2面が同図(B)に示すように角度
βだけ傾いているとウェハ2からの反射光束は検出レン
ズ7を通り、射出瞳9上の中心よりΔdだけずれた位置
に入射する。このときのずれ量Δdを光学的に射出瞳位
置に相当する位置に配置した第2検出器11により検出
している。
βだけ傾いているとウェハ2からの反射光束は検出レン
ズ7を通り、射出瞳9上の中心よりΔdだけずれた位置
に入射する。このときのずれ量Δdを光学的に射出瞳位
置に相当する位置に配置した第2検出器11により検出
している。
そして、このときのずれ量Δdよりウェハ2面の傾き、
即ち投影レンズ1の光軸に対して直交する平面に対する
ウェハ2面の傾き量を検出している。
即ち投影レンズ1の光軸に対して直交する平面に対する
ウェハ2面の傾き量を検出している。
第3図にフィードバック制御系13によるウェハ而の位
置検出、傾き検出、及び焼き付は時の制御のフローチャ
ートを示す。
置検出、傾き検出、及び焼き付は時の制御のフローチャ
ートを示す。
本実施例のウニ凸面の位置、傾き検出、及び焼き付は方
法を第3図に従って説明する。まずウェハを搬入し、最
初の焼き付は領域を焼き付は位置にセットする。この後
に光源4が発光し、焼き付は対象物であるウェハ2で反
射された光が、第1検出器12と第2検出器11に同時
に入光し、各々の検出器より信号出力がフィードバック
制御系13に対する。
法を第3図に従って説明する。まずウェハを搬入し、最
初の焼き付は領域を焼き付は位置にセットする。この後
に光源4が発光し、焼き付は対象物であるウェハ2で反
射された光が、第1検出器12と第2検出器11に同時
に入光し、各々の検出器より信号出力がフィードバック
制御系13に対する。
すると、フィードバック制御系は不図示の2つ(7)C
PUを持ツ(CP U −1、CP U −2とする)
。cpu−iは第1検出器12からの信号出力よりウニ
凸面の位置ズレ量の算出を行う、これと同時にCPU−
2は第2検出器11からの信号出力よりウニ八面の傾き
量の算出を行う。
PUを持ツ(CP U −1、CP U −2とする)
。cpu−iは第1検出器12からの信号出力よりウニ
凸面の位置ズレ量の算出を行う、これと同時にCPU−
2は第2検出器11からの信号出力よりウニ八面の傾き
量の算出を行う。
次にCPU−1はウニ八面の位置が許容値内にないと判
断すると、ウニ凸面を基準位置(投影レンズの最良像面
)に近づく様、ステージ3中の不図示の上下位置調整機
構で駆動させる。
断すると、ウニ凸面を基準位置(投影レンズの最良像面
)に近づく様、ステージ3中の不図示の上下位置調整機
構で駆動させる。
これと同時にCPU−2はウニ凸面の傾きが、許容値内
にないと判断すると、ウニ凸面の傾きを投影レンズの最
良像面の傾きに近づく様、ステージ3中の不図示の傾き
調整機構で駆動させる。
にないと判断すると、ウニ凸面の傾きを投影レンズの最
良像面の傾きに近づく様、ステージ3中の不図示の傾き
調整機構で駆動させる。
これらの動作はウニ凸面の位置と傾きが許容値内に入る
まで、それぞれCPU、−1,CPU−2によって独立
に、かつ同時に行う。
まで、それぞれCPU、−1,CPU−2によって独立
に、かつ同時に行う。
ウニへ面の位置と傾きが共に許容値内に入ると本露光装
置は、ウェハ上の第1シヨツトにレチクルパターンの投
影焼き付けを行う。この焼き付は作業はウェハ上の最終
ショットまで繰り返し行なわれ、全ショット焼き付けの
行なわれたウェハを検出し、−枚のウェハの焼き付は処
理を完了する。
置は、ウェハ上の第1シヨツトにレチクルパターンの投
影焼き付けを行う。この焼き付は作業はウェハ上の最終
ショットまで繰り返し行なわれ、全ショット焼き付けの
行なわれたウェハを検出し、−枚のウェハの焼き付は処
理を完了する。
本実施例では入射光束をウェハ2面に対してS偏光成分
とし、かつウェハ2面への入射角度が80度以上となる
ようにしてウニ八基板からの反射光を減少させ、ウェハ
基板上に塗布され、平坦化したレジスト表面からの反射
光を主に検出している。これによりパターンのあるウェ
ハに対しても検出誤差を少なくし、傾き検出精度を向上
させている。
とし、かつウェハ2面への入射角度が80度以上となる
ようにしてウニ八基板からの反射光を減少させ、ウェハ
基板上に塗布され、平坦化したレジスト表面からの反射
光を主に検出している。これによりパターンのあるウェ
ハに対しても検出誤差を少なくし、傾き検出精度を向上
させている。
又、ウェハ2面上にパターンがある場合、検出レンズ7
の射出瞳面上においては、反射光束の0次回折光とその
回りに高次の回折パターンが生じてくる。
の射出瞳面上においては、反射光束の0次回折光とその
回りに高次の回折パターンが生じてくる。
そこで、第1図に示すように検出レンズの射出側主点よ
り該検出レンズの焦点距離の長さに相当する位置に絞り
29を配置して高次の回折パターンの散乱光を除去して
いる。これにより集光レンズ10により射出瞳面(2点
鎖線で示す9aの位置)上での光束の振幅分布を高精度
に第2検出器11に導光し、ウェハ2面の傾きの検出精
度を向上させている。(射出側テレセントリックな光学
系で照明レンズ5を構成すると、該検出レンズの射出瞳
位置と、本絞り29の位置は一致する)第4図は本発明
の他の一実施例の概略図である。本実施例では第1図の
実施例に比べてウェハ2面上に異った2つの波長の光束
を入射させ面位置検出、及び傾き検出の高精度化を図っ
ている。
り該検出レンズの焦点距離の長さに相当する位置に絞り
29を配置して高次の回折パターンの散乱光を除去して
いる。これにより集光レンズ10により射出瞳面(2点
鎖線で示す9aの位置)上での光束の振幅分布を高精度
に第2検出器11に導光し、ウェハ2面の傾きの検出精
度を向上させている。(射出側テレセントリックな光学
系で照明レンズ5を構成すると、該検出レンズの射出瞳
位置と、本絞り29の位置は一致する)第4図は本発明
の他の一実施例の概略図である。本実施例では第1図の
実施例に比べてウェハ2面上に異った2つの波長の光束
を入射させ面位置検出、及び傾き検出の高精度化を図っ
ている。
同図において第1図に示す要素と同一要素には同符番な
付している。
付している。
同図において、31は第1光源、32は第2光源であり
、これらの各光源31.32は互いに異った波長の光を
放射している。第1.第2光源31.32からの光束を
ハーフミラ−14を介して照明レンズ5に入射させてい
る。照明レンズ5からの光束をウェハ2面上に入射させ
た後の作用は第1図の実施例と同様である。
、これらの各光源31.32は互いに異った波長の光を
放射している。第1.第2光源31.32からの光束を
ハーフミラ−14を介して照明レンズ5に入射させてい
る。照明レンズ5からの光束をウェハ2面上に入射させ
た後の作用は第1図の実施例と同様である。
ウェハ2面上に入射させる光束が単色光であるときは、
レジスト表面からの反射光束とウニ八基板面からの反射
光束が互いに干渉して検出器での検出光の光量が増減し
たり、ウェハ面上の様々のパターンにより反射光束の振
幅分布に歪や片よりか生じ測定誤差を生じる場合がある
。
レジスト表面からの反射光束とウニ八基板面からの反射
光束が互いに干渉して検出器での検出光の光量が増減し
たり、ウェハ面上の様々のパターンにより反射光束の振
幅分布に歪や片よりか生じ測定誤差を生じる場合がある
。
この為、本実施例では波長の異なる複数個(本実施例で
は2つであるが3つ以上であっても良く、又、白色光を
用いても良い。)の光源を用いて反射光束が互いに干渉
するのを防止したり、反射光束の振幅分布の歪や片より
等を平均化して検出精度を向トさせている。
は2つであるが3つ以上であっても良く、又、白色光を
用いても良い。)の光源を用いて反射光束が互いに干渉
するのを防止したり、反射光束の振幅分布の歪や片より
等を平均化して検出精度を向トさせている。
第1図、第4図に示す実施例では検出レンズ7の射出瞳
面上での光束のズレ量を2次元位置検出素子(2次元ポ
ジションセンサー、2次元CCD等)を用いた場合を示
した。射出瞳面上での光束の広がりが大きい光学システ
ムにおいては、大面積の2次元位置検出素子が必要とな
ってくる。
面上での光束のズレ量を2次元位置検出素子(2次元ポ
ジションセンサー、2次元CCD等)を用いた場合を示
した。射出瞳面上での光束の広がりが大きい光学システ
ムにおいては、大面積の2次元位置検出素子が必要とな
ってくる。
一般に2次元位置検出素子が大面積になると、検出リニ
アリティが低下したり(2次元ポジションセンサー)演
算処理時間が長くなってくる。
アリティが低下したり(2次元ポジションセンサー)演
算処理時間が長くなってくる。
(2次元CCD)そこで、大面積の2次元位置検出素子
を用いる代わりに射出瞳面上を分割し、分割された各領
域に入射する光束を小さな面積の複数の受光素子で受光
し、各受光素子からの出力信号を利用するようにしても
良い。
を用いる代わりに射出瞳面上を分割し、分割された各領
域に入射する光束を小さな面積の複数の受光素子で受光
し、各受光素子からの出力信号を利用するようにしても
良い。
第5図、第6図は各々第1図において第2受光器11の
代わりに複数のフォトダイオード等の受光素子を配置し
た場合の第1図にあけるAA’方向から見たときの説明
図である。
代わりに複数のフォトダイオード等の受光素子を配置し
た場合の第1図にあけるAA’方向から見たときの説明
図である。
第5図において17a、17b、17c、17dはフォ
トダイオード等の受光素子であり、第1.4図における
射出瞳面(9a、9b)と共役な位置におかれている。
トダイオード等の受光素子であり、第1.4図における
射出瞳面(9a、9b)と共役な位置におかれている。
2点鎖線で示した領域15はウェハ2に傾きがない場合
の検出光であるウェハ2からの反射光束の広がりを示し
ている。
の検出光であるウェハ2からの反射光束の広がりを示し
ている。
この時の反射光束は4つのフォトダイオード17a 、
17b 、 17c 、 17dに対し、均等に入力
し、4つのフォトダイオード+7a、17b、17c、
17dからの出力が均一となるように設定されている。
17b 、 17c 、 17dに対し、均等に入力
し、4つのフォトダイオード+7a、17b、17c、
17dからの出力が均一となるように設定されている。
フォトダイオード+7a 、 17b 、 17c 、
17dからの出力値をそれぞれA+ 、A2 、A3
.A4とし、傾き検知に用いる信号出力を T i 1 t (y) =A、 −A3T i l
t (x) =A、 −A4と定めると、ウェハ2に傾
きがない場合の信号出力は Ti1t(y)=O Tilt(x)=0 となる。
17dからの出力値をそれぞれA+ 、A2 、A3
.A4とし、傾き検知に用いる信号出力を T i 1 t (y) =A、 −A3T i l
t (x) =A、 −A4と定めると、ウェハ2に傾
きがない場合の信号出力は Ti1t(y)=O Tilt(x)=0 となる。
次にウェハ2が、例えばy方向に傾いたときは射出瞳面
上における反射光束は図中、点線で示す領域16に変倍
する。この時、傾き検知に用いる信号出力は Ti1t(y)>0 Tilt(x)=0 となり、y方向の傾き量を信号出力Ti1t(y)によ
って独立に知ることができる。
上における反射光束は図中、点線で示す領域16に変倍
する。この時、傾き検知に用いる信号出力は Ti1t(y)>0 Tilt(x)=0 となり、y方向の傾き量を信号出力Ti1t(y)によ
って独立に知ることができる。
X方向の傾きを含む場合も同様であり、第7図に示す様
ウェハの傾き量と方向とは、信号出力T i l t
(y)及びT i l t (x)によって検知、制御
することが可能である。
ウェハの傾き量と方向とは、信号出力T i l t
(y)及びT i l t (x)によって検知、制御
することが可能である。
第6図では射出瞳面上(又は射出瞳面と共役な面上)に
四角錐のプリズム18によって2点鎖線で示される領域
15に入射する検出光束を4方向に分割し、各々の分割
された光束をレンズ19によりフォトダイオード20上
に入射させている。
四角錐のプリズム18によって2点鎖線で示される領域
15に入射する検出光束を4方向に分割し、各々の分割
された光束をレンズ19によりフォトダイオード20上
に入射させている。
(同図では簡単の為、一方向のみ、レンズ19及びフォ
トダイオード20を示している)この場合の傾く検出方
法は第5図で説明したと同様であり、より小さい径のフ
ォトダイオードを用いてシステムを構成することができ
る。
トダイオード20を示している)この場合の傾く検出方
法は第5図で説明したと同様であり、より小さい径のフ
ォトダイオードを用いてシステムを構成することができ
る。
又、本実施例ではスルーブツトを向上させる為、2つの
CPUを用い、ウェハ面の位置、傾き制御を独立に行な
っているが、これを単一のCPUを用い制御しても何ら
かまわない。
CPUを用い、ウェハ面の位置、傾き制御を独立に行な
っているが、これを単一のCPUを用い制御しても何ら
かまわない。
(発明の効果)
以上説明したように本発明によれば、ウェハの面位置検
出とウェハの傾き検出を同時に、同一の検出光束である
ウェハ面からの反射光束を用いて行うことができる為、
光学系や装置全体をコンパクトに、かつ安価に構成する
ことが可能となる。
出とウェハの傾き検出を同時に、同一の検出光束である
ウェハ面からの反射光束を用いて行うことができる為、
光学系や装置全体をコンパクトに、かつ安価に構成する
ことが可能となる。
又、焼き付は画面内の一点を測定することで、ウェハの
面位置検出、及び傾き検出が可能であるので、焼き付は
画面周辺の多点検出によってウェハの面位置検出と傾き
検出を行う方法に比べて、ウニ八周辺部のショットに対
しても、センサーがウェハ上よりはずれることがないの
で、ウェハ中心部と同じ精度でウェハの面位置検出と傾
き検出が可能となる。
面位置検出、及び傾き検出が可能であるので、焼き付は
画面周辺の多点検出によってウェハの面位置検出と傾き
検出を行う方法に比べて、ウニ八周辺部のショットに対
しても、センサーがウェハ上よりはずれることがないの
で、ウェハ中心部と同じ精度でウェハの面位置検出と傾
き検出が可能となる。
又、焼き付は画面内の一点を測定することで、つ°エバ
の面位置検出と傾き検出を同時に行うことが可能である
ので、多点検出により傾き補正を行う方法や焼き付は前
にウェハの傾きやゆがみの情報を知り、焼き付は時に傾
き補正を行う方法に比べ、ウニ八面位置の検出と傾き補
正の演算が独立して同時にできる為、より高速な検出が
可能となる。
の面位置検出と傾き検出を同時に行うことが可能である
ので、多点検出により傾き補正を行う方法や焼き付は前
にウェハの傾きやゆがみの情報を知り、焼き付は時に傾
き補正を行う方法に比べ、ウニ八面位置の検出と傾き補
正の演算が独立して同時にできる為、より高速な検出が
可能となる。
又、投影露光装置のスループットを低下させることなく
、焼き付は各ショット毎にウェハの傾き補正を行い、投
影レンズの最良な結像位置でウェハの焼き付けが可能と
なるので、より微細なパターンをもつ集積回路の製造に
おいて、高スループツトでしかも高歩留りを実現するこ
とが可能となる。
、焼き付は各ショット毎にウェハの傾き補正を行い、投
影レンズの最良な結像位置でウェハの焼き付けが可能と
なるので、より微細なパターンをもつ集積回路の製造に
おいて、高スループツトでしかも高歩留りを実現するこ
とが可能となる。
第1図は本発明を縮少投影露光装置に適用したときの一
実施例の概略図、第2図(A) 、 (B)は第1図の
一部分の説明図、第3図は本発明の一実施例のフローチ
ャート図、第4図は第1図の実施例の一部分を変化した
ときの概略図、第5図、第6図は本発明に係る検出器の
他の一実施例の説明図、第7図は第5.第6図に示す受
光素子より得られる傾き検出用の信号出力を示す説明図
である。 図中、1は投影レンズ、2はウェハ、3はステージ、4
,31.32は光源、5は照明レンズ、6a、6bは反
射プリズム、7は検出レンズ、8は光分割器、9a、9
bは検出レンズ7の射出瞳位置、10は集光レンズ、1
2は第1検出器、11は第2検出器、13はフィードバ
ック制御系、14はハーフミラ−117a、17b、1
7c、+7dは受光素子、18はプリズム、19はレン
ズである。 特許出願人 キャノン株式会社 勇 1 ロ 第 4 図 竜 5 口
実施例の概略図、第2図(A) 、 (B)は第1図の
一部分の説明図、第3図は本発明の一実施例のフローチ
ャート図、第4図は第1図の実施例の一部分を変化した
ときの概略図、第5図、第6図は本発明に係る検出器の
他の一実施例の説明図、第7図は第5.第6図に示す受
光素子より得られる傾き検出用の信号出力を示す説明図
である。 図中、1は投影レンズ、2はウェハ、3はステージ、4
,31.32は光源、5は照明レンズ、6a、6bは反
射プリズム、7は検出レンズ、8は光分割器、9a、9
bは検出レンズ7の射出瞳位置、10は集光レンズ、1
2は第1検出器、11は第2検出器、13はフィードバ
ック制御系、14はハーフミラ−117a、17b、1
7c、+7dは受光素子、18はプリズム、19はレン
ズである。 特許出願人 キャノン株式会社 勇 1 ロ 第 4 図 竜 5 口
Claims (4)
- (1)レチクルの回路パターンを投影光学系を介してウ
ェハ上の各ショット領域に転写して露光する露光装置で
あって、前記ウェハの前記投影光学系の光軸方向の位置
を所定の基準位置に合わせると共に、前記各ショット領
域の露光前に各ショットの面の所定基準面に対する傾き
を検出し、各露光毎に各ショットの面の傾きを補正する
ことを特徴とする露光装置。 - (2)前記ウェハの前記投影光学系の光軸方向の位置の
所定の基準位置に対する位置合わせをウェハ面上のショ
ット領域からの反射光束を第1検出器に導光して行い、
各ショットの面の該所定の基準位置に対する傾きの検出
を該ウェハ面上のショット領域からの反射光束を第2検
出器に導光して行い、各ショット毎に該ショット領域の
傾き補正を行ったことを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の露光装置。 - (3)前記ウェハ面に入射させる光束をS偏光成分とし
、該光束と該ウェハ面とのなす角が10度以下となるよ
うに設定したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の露光装置。 - (4)前記ウェハ面に入射させる光束を少なくとも異っ
た2つの波長を有する光束より構成したことを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62271386A JPH01112726A (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62271386A JPH01112726A (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | 露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01112726A true JPH01112726A (ja) | 1989-05-01 |
Family
ID=17499349
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62271386A Pending JPH01112726A (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | 露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01112726A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6266130B1 (en) | 1998-01-16 | 2001-07-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detecting method and position detecting system |
JP2010016372A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-21 | Asml Holding Nv | 並列プロセス焦点補償 |
JP2019516136A (ja) * | 2016-05-31 | 2019-06-13 | シャンハイ マイクロ エレクトロニクス イクイプメント(グループ)カンパニー リミティド | フォーカスレベリング測定装置および方法 |
-
1987
- 1987-10-27 JP JP62271386A patent/JPH01112726A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6266130B1 (en) | 1998-01-16 | 2001-07-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detecting method and position detecting system |
JP2010016372A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-21 | Asml Holding Nv | 並列プロセス焦点補償 |
JP2019516136A (ja) * | 2016-05-31 | 2019-06-13 | シャンハイ マイクロ エレクトロニクス イクイプメント(グループ)カンパニー リミティド | フォーカスレベリング測定装置および方法 |
US10656507B2 (en) | 2016-05-31 | 2020-05-19 | Shanghai Micro Electronics Equipment (Group) Co., Ltd. | Focusing and leveling measurement device and method |
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