JP2010016372A - 並列プロセス焦点補償 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この方法は3つのステップを含むことができる。第一に、第一センサがウェーハの上面を感知して、ウェーハの第一表面の第一トポグラフィマップを画定する第一センサデータを提供する。第一センサは、例えばエアゲージである。第二に、第二センサが第一センサと並列にウェーハの上面を感知して、ウェーハの第一表面の第二トポグラフィマップを画定する第二センサデータを提供する。第二センサは、例えば光センサ又は容量センサである。第三に、較正モジュールが、第一及び第二センサデータに基づいて露光システムの焦点位置決めパラメータを較正する。較正モジュールは、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、又はそれらの組み合わせで実施することができる。
【選択図】図4
Description
[0033] 本発明は、並列プロセス焦点補償とその用途を提供することを指向している。以下の詳細な説明では、「1つの実施形態」、「ある実施形態」、「例示的実施形態」などの表現は、記載された実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を含むことができる旨を示すが、各実施形態は、特定の特徴、構造、又は特性を含まなくてもよい。さらに、そのような語句は、必ずしも同じ実施形態に言及している訳ではない。さらに、特定の特徴、構造、又は特性がある実施形態に関連して記載されている時には、明示的であるか否かを問わず、当業者は知識の範囲内でそのような特徴、構造、又は特性を他の実施形態に関連して扱うことができると考えられる。
1)グローバルプロセスエラー−ウェーハ全体に対する定数としてモデル化できる。
2)フィールド間プロセスエラー−ウェーハ全体とほぼ同じ大きさで、化学的機械的研磨(CMP)及び/又はレジストスピン処理によって処理されることが多いアーチファクトである。
3)フィールド内プロセスエラー−ウェーハを露光するためにプリントされたフィールドに関して測定位置によって示されたエラーのパターンが与えられたセット。
グローバル及びフィールド間プロセスエラーは個々のウェーハで異なる署名を有することがあるが、フィールド内プロセスエラーはウェーハのフィールドにわたって、又はプロセスのウェーハごとにあまり変動しない。従って、フィールド内プロセスエラーに関する情報を第一ウェーハから得て、第一ウェーハと類似の方法で処理された他のウェーハに適用することができる。
[0039] 上記のように、本発明の実施形態は、基準センサとレベルセンサの両方を用いてウェーハをマッピングして露光システムの焦点位置決めパラメータのプロセスエラーを補償する。以下に、そのような基準及びレベルセンサを実施できる(A)リソグラフィシステムの例と、(B)基準及びレベルセンサの例とについて詳述する。
[0040] 図1A及び図1Bは、それぞれリソグラフィ装置100とリソグラフィ装置100’の概略図を示す。リソグラフィ装置100及びリソグラフィ装置100’は、各々、放射ビームB(例えば、DUV又はEUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、パターニングデバイス(例えば、マスク、レチクル、又は動的パターニングデバイス)MAを支持するように構成され、パターニングデバイスMAを正確に位置決めするように構成された第一ポジショナPMに接続された支持構造(例えば、マスクテーブル)MTと、基板(例えば、レジストを塗布したウェーハ)Wを保持するように構成され、基板Wを正確に位置決めするように構成された第二ポジショナPWに接続された基板テーブル(例えば、ウェーハテーブル)WTとを含む。リソグラフィ装置100及び100’は、さらに、基板Wのターゲット部分(例えば、1つ又は複数のダイを含む)CにパターニングデバイスMAで放射ビームBに付与されたパターンを投影するように構成された投影システムPSを有する。リソグラフィ装置100内でパターニングデバイスMA及び投影システムPSは反射型であり、リソグラフィ装置100’内でパターニングデバイスMA及び投影システムPFは透過型である。
1.ステップモードにおいては、支持構造(例えばマスクテーブル)MT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームBに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち1回の静止露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。
2.スキャンモードにおいては、支持構造(例えばマスクテーブル)MT及び基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームBに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する(つまり1回の動的露光)。支持構造(例えばマスクテーブル)MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。
3.別のモードでは、支持構造(例えばマスクテーブル)MTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して実質的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームBに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。パルス状放射源SOを使用して、基板テーブルWTを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、本明細書で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
[0057] 図2は、本発明の実施形態による基準センサ202及びレベルセンサ204の平面図を示す。ある実施形態では、基準センサ202は、エアゲージで、レベルセンサ204は、光センサ又は容量センサである。しかし、本発明は、これらの実施形態に限定されない。スループット又は対象範囲を拡げるために複数のセンサを参照番号202で有するといった、本発明の精神と範囲とを逸脱することなく、他のタイプのセンサを使用することもできる。
[0061] 図4は、本発明のある実施形態によるリソグラフィツールのプロセスエラーを補償する方法例を示すフローチャート400を示す。
[0066] 図5は、リソグラフィツールのプロセスエラーを補償する2フェーズ方法例の概要を示すフローチャート500を示す。特に、この方法例は、オフラインフェーズ(ステップ510が実行される)とインラインフェーズ(ステップ520及び530が実行される)を含む。図6〜図11は、図5の方法のオフライン及びインラインフェーズの様々な態様を示す。図5の方法例は、基準センサのスキャン速度がリソグラフィ装置の所望のスループットに対応していない時に(例えば、基準センサのスキャン速度が遅すぎる時に)実施できる。この方法例を以下に詳述する。
[0073] 図12は、リソグラフィツールのプロセスエラーを補償する1フェーズ方法例の概要を示す。特に、この方法例は、ステップ1210、1220及び1230が実行されるインラインフェーズだけを含む。図13〜図20は、図12の方法のインラインフェーズの様々な態様を示す。図12の方法例は、例えば、基準センサのスキャン速度がリソグラフィ装置の所望のスループットに対応する時に実施できる。この方法例を以下に詳述する。
[0082] 本発明の実施形態は、ハードウェア、ソフトウェア又はそれらの組み合わせを用いて実施でき、1つ又は複数のコンピュータシステム又はその他の処理システムで実施できる。コンピュータシステム2100の一例を図21に示す。
[0090] 以上、並列プロセス焦点補償の実施形態について説明した。概要及び要約書ではなく詳細な説明は、特許請求の範囲の解釈に使用するものであることを理解されたい。概要及び要約書は発明者が考える本発明の1つ又は複数の例示的な実施形態を述べているが全ての実施形態を網羅しているわけではない。従って、本発明及び添付の特許請求の範囲をいかなる意味でも限定するものではない。
Claims (15)
- リソグラフィツールのプロセスエラーを補償する方法であって、
所望のマッピング速度と所望の精度で第一表面の少なくとも1つのフィーチャを測定することでウェーハのトポグラフィを選択的にマッピングする第一センサを備えた第一表面を有する前記ウェーハを露光するステップと、
前記第一センサの使用と並列に第二センサでウェーハを測定して露光システムの焦点位置決めパラメータを決定するステップと、
前記第一センサによって測定された第一表面の前記少なくとも1つのフィーチャを用いて前記第二センサに関連する前記焦点位置決めパラメータのプロセスエラーの1つ又は複数の源を較正するステップと、
を含む方法。 - 第一センサを備えた第一表面を有するウェーハを露光するステップが、
前記第一センサに、前記ウェーハのサイズの大きさに等しい各々のプリントされたフィールド又は粗いフィーチャを繰り返す前記ウェーハの第一表面の微細なフィーチャの少なくとも1つを正確に測定する基準センサとしてのエアゲージを提供するステップをさらに含む、
請求項1に記載の方法。 - 第二センサで前記ウェーハを測定するステップが、
前記第二センサに、レベルセンサとしての光センサ又は容量センサを提供するステップをさらに含む、
請求項1に記載の方法。 - 前記第一センサで前記ウェーハの第一フル密度フィールドマップを測定して第一センサデータを得るステップと、前記第二センサで前記ウェーハの第二フル密度フィールドマップを測定してフィールド内エラーを決定する第二センサデータを得るステップとをさらに含む、
請求項1に記載の方法。 - 前記第二センサデータから前記第一センサデータを減算して前記第二センサに関連するプロセスエラーを測定するステップをさらに含む、
請求項4に記載の方法。 - 前記ウェーハの第一フル密度フィールドマップを測定するステップ及び前記ウェーハの第二フル密度フィールドマップを測定するステップが、
前記第一及び第二センサの公称マッピング速度よりも比較的遅いマッピング速度と前記第一及び第二センサの公称スキャン速度よりも比較的遅いスキャン速度で前記第一フル密度フィールドマップ及び前記第二フル密度フィールドマップを測定するステップをさらに含む、
請求項4に記載の方法。 - 前記エアゲージが前記第一センサデータから前記ウェーハのスパーストポグラフィマップを生成し、前記レベルセンサが前記第二センサデータから詳細なトポグラフィマップを生成するように、インラインフェーズ中にフルマッピング速度で前記第一センサとしてのエアゲージと前記第二センサとしてのレベルセンサで前記ウェーハを測定するステップをさらに含む、
請求項1に記載の方法。 - リソグラフィツールのプロセスエラーを補正するシステムであって、
ウェーハの第一表面を感知して前記ウェーハの前記第一表面の第一トポグラフィマップを生成するように構成された第一センサと、
前記第一センサと並列に前記ウェーハの前記第一表面を感知して前記ウェーハの前記第一表面の第二トポグラフィマップを生成するように構成された第二センサであって、前記第二マップが露光システムの焦点位置決めパラメータを決定するために使用される第二センサと、
前記第一及び第二トポグラフィマップに基づいて前記露光システムの前記焦点位置決めパラメータを較正するように構成された較正モジュールと、
を備えるシステム。 - 前記第一センサが、前記ウェーハのサイズの大きさに等しい各々のプリントされたフィールド又は粗いフィーチャを繰り返す前記ウェーハの前記第一表面の微細なフィーチャの少なくとも1つを正確に測定するように構成されたエアゲージを備える、
請求項8に記載のシステム。 - 前記第二センサが、光センサ又は容量センサを含む、
請求項8に記載のシステム。 - 前記第一センサが、オフラインフェーズ中に前記ウェーハの前記第一表面を感知して前記ウェーハの前記第一表面の第一フル密度フィールドマップを含む第一センサデータを得るように構成され、
前記第二センサが、オフラインフェーズ中に前記ウェーハの前記第一表面を感知して前記ウェーハの前記第一表面の第二フル密度フィールドマップを含む第二センサデータを得るように構成され、
前記較正モジュールが、前記第一及び第二センサデータに基づいてフィールド内エラーを決定するように構成される、
請求項8に記載のシステム。 - 前記第一センサが、インラインフェーズ中に前記ウェーハの前記第一表面を感知して前記ウェーハの前記第一表面のスパーストポグラフィマップを含む第一センサデータを得るように構成され、
前記第二センサが、インラインフェーズ中に前記ウェーハの前記第一表面を感知して前記ウェーハの前記第一表面の詳細なトポグラフィマップを含む第二センサデータを得るように構成される、
請求項8に記載のシステム。 - リソグラフィツールのプロセスエラーをコンピュータに補正させる制御論理を内部に格納したコンピュータ読み取り可能記憶媒体を備えるコンピュータプログラム製品であって、前記制御論理が、
前記第一センサによって感知されたウェーハの第一トポグラフィマップを含む第一センサデータをコンピュータに受信させる第一コンピュータ読み取り可能プログラムコードと、
前記第一センサと並列に第二センサによって感知された前記ウェーハの第二トポグラフィマップを含む第二センサデータをコンピュータに受信させる第二コンピュータ読み取り可能プログラムコードと、
前記第一及び第二センサデータに基づいて露光システムの焦点位置決めパラメータをコンピュータに較正させる第三コンピュータ読み取り可能プログラムコードと、
を備えるコンピュータプログラム製品。 - 前記第一及び第二センサデータが、それぞれオフラインフェーズ中に得た第一及び第二フル密度トポグラフィマップを含む、
請求項13に記載のコンピュータプログラム製品。 - 前記第一センサデータが、インラインフェーズ中に得たスパーストポグラフィマップを含み、前記第二センサデータがインラインフェーズ中に得た詳細なトポグラフィマップを含む、
請求項13に記載のコンピュータプログラム製品。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020522727A (ja) * | 2017-06-08 | 2020-07-30 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | アライメントの測定のためのシステム及び方法 |
JP2022539475A (ja) * | 2019-07-11 | 2022-09-09 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板高さを測定する装置及び方法 |
JP7519465B2 (ja) | 2020-06-10 | 2024-07-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 高さ測定方法及び高さ測定システム |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20150026846A1 (en) | 2013-07-16 | 2015-01-22 | Oxford Instruments Afm Inc. | Variable Density Scanning |
US7941286B2 (en) * | 2006-01-31 | 2011-05-10 | Asylum Research Corporation | Variable density scanning |
US8203695B2 (en) * | 2008-11-03 | 2012-06-19 | Micron Technology, Inc. | Photolithography systems and associated methods of focus correction |
JP5335380B2 (ja) * | 2008-11-14 | 2013-11-06 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
NL2007052A (en) * | 2010-07-15 | 2012-01-17 | Asml Netherlands Bv | Calibration method and inspection apparatus. |
US8842296B2 (en) | 2012-05-02 | 2014-09-23 | Nikon Corporation | Methods and devices for reducing errors in Goos-Hänchen corrections of displacement data |
US9513460B2 (en) | 2012-08-01 | 2016-12-06 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for reducing autofocus error |
US10274838B2 (en) * | 2013-03-14 | 2019-04-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System and method for performing lithography process in semiconductor device fabrication |
CN109804316B (zh) * | 2016-10-06 | 2021-08-24 | Asml荷兰有限公司 | 确定高度轮廓的方法、测量系统和计算机可读介质 |
US10209636B1 (en) * | 2018-03-07 | 2019-02-19 | Sandisk Technologies Llc | Exposure focus leveling method using region-differentiated focus scan patterns |
WO2021001119A1 (en) * | 2019-07-04 | 2021-01-07 | Asml Netherlands B.V. | Non-correctable error in metrology |
EP3786711A1 (en) * | 2019-08-28 | 2021-03-03 | ASML Netherlands B.V. | Non-correctable error in metrology |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01112726A (ja) * | 1987-10-27 | 1989-05-01 | Canon Inc | 露光装置 |
JPH04106550A (ja) * | 1990-08-27 | 1992-04-08 | Fujitsu Ltd | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JP2007515806A (ja) * | 2003-12-22 | 2007-06-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び測定方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6208407B1 (en) * | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
TW490596B (en) * | 1999-03-08 | 2002-06-11 | Asm Lithography Bv | Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using the lithographic projection apparatus, device manufactured according to the method and method of calibrating the lithographic projection apparatus |
US6859260B2 (en) * | 2001-04-25 | 2005-02-22 | Asml Holding N.V. | Method and system for improving focus accuracy in a lithography system |
US7239371B2 (en) * | 2005-10-18 | 2007-07-03 | International Business Machines Corporation | Density-aware dynamic leveling in scanning exposure systems |
-
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01112726A (ja) * | 1987-10-27 | 1989-05-01 | Canon Inc | 露光装置 |
JPH04106550A (ja) * | 1990-08-27 | 1992-04-08 | Fujitsu Ltd | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JP2007515806A (ja) * | 2003-12-22 | 2007-06-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び測定方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020522727A (ja) * | 2017-06-08 | 2020-07-30 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | アライメントの測定のためのシステム及び方法 |
US11249404B2 (en) | 2017-06-08 | 2022-02-15 | Asml Netherlands B.V. | System and method for measurement of alignment |
JP7038737B2 (ja) | 2017-06-08 | 2022-03-18 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | アライメントの測定のためのシステム及び方法 |
JP2022539475A (ja) * | 2019-07-11 | 2022-09-09 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板高さを測定する装置及び方法 |
US11662669B2 (en) | 2019-07-11 | 2023-05-30 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus and method for measuring substrate height |
JP7331238B2 (ja) | 2019-07-11 | 2023-08-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板高さを測定する装置及び方法 |
JP7519465B2 (ja) | 2020-06-10 | 2024-07-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 高さ測定方法及び高さ測定システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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NL2003068A1 (nl) | 2009-12-31 |
US7940374B2 (en) | 2011-05-10 |
US20090325087A1 (en) | 2009-12-31 |
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