JPH01105404A - 誘電体材料 - Google Patents
誘電体材料Info
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- JPH01105404A JPH01105404A JP62262465A JP26246587A JPH01105404A JP H01105404 A JPH01105404 A JP H01105404A JP 62262465 A JP62262465 A JP 62262465A JP 26246587 A JP26246587 A JP 26246587A JP H01105404 A JPH01105404 A JP H01105404A
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- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 47
- 229910001422 barium ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910001427 strontium ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 229910001425 magnesium ion Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 17
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 6
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019704 Nb2O Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- -1 that is Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は、誘電体材料、特にマイクロ波帯の周波数域
において優れた誘電特性を有する誘電体材料に関する。
において優れた誘電特性を有する誘電体材料に関する。
近年、衛星放送、自動車無線、パーソナル無線等のよう
なマイクロ波帯を利用した通信システムの利用が盛んで
ある。これらのシステムに用いられる通信機器のフィル
タや周波数安定化用共振器等の共振回路系には、もっば
ら誘電体共振器が使われる。共振器用の誘電体材料は、
当然、マイクロ波帯において高い比誘電率と低い誘電損
失をもつことが要求される。
なマイクロ波帯を利用した通信システムの利用が盛んで
ある。これらのシステムに用いられる通信機器のフィル
タや周波数安定化用共振器等の共振回路系には、もっば
ら誘電体共振器が使われる。共振器用の誘電体材料は、
当然、マイクロ波帯において高い比誘電率と低い誘電損
失をもつことが要求される。
比誘電率が大きいほど素子形状を小さくすることができ
るので、−船釣には、比誘電率は大きいほどよい。しか
し、この材料を誘電体共振器として用いたときの大きさ
が利用する周波数帯で取り扱いやすい寸法となるように
選定する必要もあり、一義的には定まらないが、例えば
、１０ＧＨｚ帯では２０〜４０程度が適している。
るので、−船釣には、比誘電率は大きいほどよい。しか
し、この材料を誘電体共振器として用いたときの大きさ
が利用する周波数帯で取り扱いやすい寸法となるように
選定する必要もあり、一義的には定まらないが、例えば
、１０ＧＨｚ帯では２０〜４０程度が適している。
一方、誘電損失（ｔａｎδ−１／Ｑ）は小さいほどよく
、例えば、用いる周波数帯で１ ／１００００程度は必
要とされる。
、例えば、用いる周波数帯で１ ／１００００程度は必
要とされる。
ヤイクロ波帯に使われる誘電体材料として、従来、Ｂａ
Ｔｉ４０ｑ 、Ｂａｇ Ｔｉｑ Ｏｚｏ、あるいは、Ｂ
ａ （Ｚｎ＋ｚ＋ Ｔａ２／３ ）０３等が一般的に
知られている。
Ｔｉ４０ｑ 、Ｂａｇ Ｔｉｑ Ｏｚｏ、あるいは、Ｂ
ａ （Ｚｎ＋ｚ＋ Ｔａ２／３ ）０３等が一般的に
知られている。
ところで、共振回路系の性能向上のために、誘電損失を
いっそう低くすることが求められている。極低誘電損失
の誘電体材料は、低位相雑音発振器や高電力用フィルタ
ー・分波器等にも利用可能となり、用途が広い。
いっそう低くすることが求められている。極低誘電損失
の誘電体材料は、低位相雑音発振器や高電力用フィルタ
ー・分波器等にも利用可能となり、用途が広い。
この発明は、前記事情に鑑み、マイクロ波帯において、
実用的な範囲の比誘電率を保持し、かつ極めて低い誘電
損失特性を有する誘電体材料を提供することを目的とす
る。
実用的な範囲の比誘電率を保持し、かつ極めて低い誘電
損失特性を有する誘電体材料を提供することを目的とす
る。
前記目的を達成するため、発明者は、様々な角度から検
討を行った。そして、多数の誘電体材料のうちから、組
成式： Ｂ ａ （ＡＩ／３ Ｂｚｙ３）○。
討を行った。そして、多数の誘電体材料のうちから、組
成式： Ｂ ａ （ＡＩ／３ Ｂｚｙ３）○。
（但し、Ａは２価イオン、Ｂは５価イオン）であられさ
れ、複合ペロブスカイト系結晶構造を有する誘電体材料
に着目した。この誘電体材料は、多数の元素からなる複
雑な結晶構造を有しており、誘電損失等の誘電特性の機
構の解明が十分されておらず、改善できる可能性が大き
いとみたのである。
れ、複合ペロブスカイト系結晶構造を有する誘電体材料
に着目した。この誘電体材料は、多数の元素からなる複
雑な結晶構造を有しており、誘電損失等の誘電特性の機
構の解明が十分されておらず、改善できる可能性が大き
いとみたのである。
複合ペロブスカイト系結晶構造を有する誘電体材料では
、マイクロ波領域では、イオン分極が誘電特性を基本的
に支配する。この場合、以下に述べるように、赤外活性
な基準振動モードのＴ Ｏ（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ ０
ｐｔｉｃａｌ Ｍｏｄｅ）モードの周波数と古典分散理
論からマイクロ波領域での比誘電率ε′ （ε−ε′−
ｊε“）および誘電損失（ｔａｎδ−１／Ｑ）を推定す
ることができる。
、マイクロ波領域では、イオン分極が誘電特性を基本的
に支配する。この場合、以下に述べるように、赤外活性
な基準振動モードのＴ Ｏ（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ ０
ｐｔｉｃａｌ Ｍｏｄｅ）モードの周波数と古典分散理
論からマイクロ波領域での比誘電率ε′ （ε−ε′−
ｊε“）および誘電損失（ｔａｎδ−１／Ｑ）を推定す
ることができる。
１、５ ｔｅｒａ〜３００ｔｅｒａＨｚ（５０〜１００
０ ｃｍ−’）の範囲の赤外線スペクトルの測定結果を
クラマースークロー−’−ソヒ（Ｃｒａｍｅｒｓ−Ｋｒ
ｏｎｉｇ）の関係式に適用し、赤外領域における各Ｔｏ
モードの周波数（通常、複数のＴＯモードがある）とそ
れぞれの周波数におけるε“の値、すなわち周波数（赤
外領域）−複素誘電率の虚数部ε”の誘電分散を求める
。この結果を、さらに古典分散理論から導かれる下記（
２）式に適用するのである。ただし、（２）式はν〈〈
νＪ （ω−２πν）の条件で近似式化されている。
０ ｃｍ−’）の範囲の赤外線スペクトルの測定結果を
クラマースークロー−’−ソヒ（Ｃｒａｍｅｒｓ−Ｋｒ
ｏｎｉｇ）の関係式に適用し、赤外領域における各Ｔｏ
モードの周波数（通常、複数のＴＯモードがある）とそ
れぞれの周波数におけるε“の値、すなわち周波数（赤
外領域）−複素誘電率の虚数部ε”の誘電分散を求める
。この結果を、さらに古典分散理論から導かれる下記（
２）式に適用するのである。ただし、（２）式はν〈〈
νＪ （ω−２πν）の条件で近似式化されている。
ε′−ε■十各４πρＪ＋１ま
ただし、νＪ ＝ＴＯモードの周波数
４πρＪ 二ＴＯモードの周波数ν１における複素誘電
率のε“成分の値に応じ て定まる共振の強さの稙 γｊ ：減衰定数 ε■：電子分極の与える誘電率の近似値上記の（２）式
は、Ｔｏモードの周波数ν４が上がれば誘電損失が小さ
くなることを示している。このことから、発明者は、上
記誘電体材料の格子振動の解析を試み以下の知見を見出
すことができた。すなわち、上記誘電体材料では、赤外
活性な格子振動が円振動と外振動からなる。ここでいう
円振動とは、Ａイオン（またはＢイオン）とこのイオン
に最近接な０（酸素）イオンの間で起こる振動であり、
外振動とは、Ａイオン（またはＢイオン）およびＯイオ
ンの集団とＢａイオンとの間で起こる振動であり、長距
離的なり−ロン相互作用である。したがって、外振動の
Ｔｏモードの周波数の方が円振動のそれよりも低く、そ
のため、外振動のＴＯモードの周波数を高くすることが
できれば、これに伴い誘電損失も低下させられるであろ
うという知見が得られたのである。
率のε“成分の値に応じ て定まる共振の強さの稙 γｊ ：減衰定数 ε■：電子分極の与える誘電率の近似値上記の（２）式
は、Ｔｏモードの周波数ν４が上がれば誘電損失が小さ
くなることを示している。このことから、発明者は、上
記誘電体材料の格子振動の解析を試み以下の知見を見出
すことができた。すなわち、上記誘電体材料では、赤外
活性な格子振動が円振動と外振動からなる。ここでいう
円振動とは、Ａイオン（またはＢイオン）とこのイオン
に最近接な０（酸素）イオンの間で起こる振動であり、
外振動とは、Ａイオン（またはＢイオン）およびＯイオ
ンの集団とＢａイオンとの間で起こる振動であり、長距
離的なり−ロン相互作用である。したがって、外振動の
Ｔｏモードの周波数の方が円振動のそれよりも低く、そ
のため、外振動のＴＯモードの周波数を高くすることが
できれば、これに伴い誘電損失も低下させられるであろ
うという知見が得られたのである。
外振動の周波数は、Ｂａイオンの質量と密接な関係があ
る。Ｂａイオンの質量がもし小さくなれば外振動の周波
数が高くなることになるのである。それで、このＢａイ
オンの一部を他のイオン、より質量の小さいイオンで置
き換え、誘電損失を小さく、かつ、比誘電率ε′を実用
的な範囲に維持することができると推察し、その方向で
さらに深く検討を続けた。その結果、Ｂ’ａイオンの一
部をＳｒイオンで置き換えれば、実用的な比誘電率ε′
を維持しつつ、誘電損失を小さくすることができること
を見出せたのである。Ｓｒの原子量は８７．６であり、
Ｂａの原子量の１３７．３のそれよりも相当に小さく、
上記推察の正しさが裏付けられた格好となっている。
る。Ｂａイオンの質量がもし小さくなれば外振動の周波
数が高くなることになるのである。それで、このＢａイ
オンの一部を他のイオン、より質量の小さいイオンで置
き換え、誘電損失を小さく、かつ、比誘電率ε′を実用
的な範囲に維持することができると推察し、その方向で
さらに深く検討を続けた。その結果、Ｂ’ａイオンの一
部をＳｒイオンで置き換えれば、実用的な比誘電率ε′
を維持しつつ、誘電損失を小さくすることができること
を見出せたのである。Ｓｒの原子量は８７．６であり、
Ｂａの原子量の１３７．３のそれよりも相当に小さく、
上記推察の正しさが裏付けられた格好となっている。
したがって、この発明は、
組成式：
％式％）
（ただし、Ａは２価イオン、Ｂは５価イオン）であられ
され、複合ペロブスカイト系結晶構造を有する誘電体材
料において、Ｂａイオンの一部がＳｒイオンに置換され
てなることを特徴とする誘電体材料を要旨とする。
され、複合ペロブスカイト系結晶構造を有する誘電体材
料において、Ｂａイオンの一部がＳｒイオンに置換され
てなることを特徴とする誘電体材料を要旨とする。
以下、この発明をさらに詳しく説明する。
この発明にかかる誘電体材料の組成式はっぎの通りであ
る。
る。
Ｂａ、−０Ｓ ｒＸ（ＡＩ／３ Ｂ２／３ ） ０３た
だし、Ｑ＜ｘ＜１ ＡイオンとＢイオンの組み合わせとしてはっぎのような
ものがある。
だし、Ｑ＜ｘ＜１ ＡイオンとＢイオンの組み合わせとしてはっぎのような
ものがある。
Ａイオンとして、Ｚ ｎ ％ ＣＯ％ Ｎ ｉ 、、Ｍ
ｇの各イオンのうちからひとつを選択し、これとＢイ
オンとしてＮｂイオンを組み合わせる。あるいは、Ａイ
オンとして、Ｚ ｎ ％ Ｃｏ 、、Ｎ ｉの各イオン
のうちからひとつを選択し、これとＢイオンとしてＴａ
イオンを組み合わせてもよい。
ｇの各イオンのうちからひとつを選択し、これとＢイ
オンとしてＮｂイオンを組み合わせる。あるいは、Ａイ
オンとして、Ｚ ｎ ％ Ｃｏ 、、Ｎ ｉの各イオン
のうちからひとつを選択し、これとＢイオンとしてＴａ
イオンを組み合わせてもよい。
Ｂａイオンの置換割合、すなわち、Ｂａイオン（１−ｘ
）：Ｓｒイオン（Ｘ）は、比誘電率と誘電損失の観点か
らは、ｏ、６：ｏ、４〜０．１１．９の範囲が好ましい
。なお、比率はモル比である。置換割合が上記比率を下
回ると、Ｓｒによる置換効果が少なく比誘電率と誘電損
失の向上の程度が小さい。逆に上記割合を上回ってしま
っても、結晶構造の歪を生じるため向上の程度が小さい
。誘電体材料は温度特性も重要な要素であり、実用にあ
たっては、上記範囲に限らず、これらの各特性がバラン
スする置換割合が選ばれることはいうまでもない。
）：Ｓｒイオン（Ｘ）は、比誘電率と誘電損失の観点か
らは、ｏ、６：ｏ、４〜０．１１．９の範囲が好ましい
。なお、比率はモル比である。置換割合が上記比率を下
回ると、Ｓｒによる置換効果が少なく比誘電率と誘電損
失の向上の程度が小さい。逆に上記割合を上回ってしま
っても、結晶構造の歪を生じるため向上の程度が小さい
。誘電体材料は温度特性も重要な要素であり、実用にあ
たっては、上記範囲に限らず、これらの各特性がバラン
スする置換割合が選ばれることはいうまでもない。
ＢａイオンがＳｒイオンで置換された状態、すなわち、
複合ペロブスカイト系誘電体材料が、例えば、固溶体と
なっているようにすればよい。
複合ペロブスカイト系誘電体材料が、例えば、固溶体と
なっているようにすればよい。
続いて、具体的な実施例と比較例の説明を行う〔実施例
１〕 純度９９．９％以上のＢａＣ０，，５ｒＣＯ，、ＺｎＯ
１Ｎｂ２０．の各粉末を用いた。これらを混合し、蒸留
水を添加して２４時間ボールミル粉砕を行った後、乾燥
させてから、温度：１０７５℃、４時間の仮焼を行い粒
状の複合ペロブスカイト系化合物を得た。ついで、この
化合物を再び粉砕し、所定の形状にした後、ルツボ内の
ＭｇＯ板上に置いて、温度：１５００℃、２時間、空気
雰囲気で焼成し誘電体材料を得た。得られた材料の寸法
は、直径約１１■ｌ、長さ約１５ｍの円柱である。上記
雰囲気が、チッソガス、アルゴンガス、あるいは、酸素
ガス雰囲気である場合もある。
１〕 純度９９．９％以上のＢａＣ０，，５ｒＣＯ，、ＺｎＯ
１Ｎｂ２０．の各粉末を用いた。これらを混合し、蒸留
水を添加して２４時間ボールミル粉砕を行った後、乾燥
させてから、温度：１０７５℃、４時間の仮焼を行い粒
状の複合ペロブスカイト系化合物を得た。ついで、この
化合物を再び粉砕し、所定の形状にした後、ルツボ内の
ＭｇＯ板上に置いて、温度：１５００℃、２時間、空気
雰囲気で焼成し誘電体材料を得た。得られた材料の寸法
は、直径約１１■ｌ、長さ約１５ｍの円柱である。上記
雰囲気が、チッソガス、アルゴンガス、あるいは、酸素
ガス雰囲気である場合もある。
なお、ＢａイオンとＳｒイオンの比（モル比）が第１表
となるように、ＢａＣＯ３，５ｒＣｏ３粉末の割合を変
えて誘電体材料を作成した。比較のために、Ｂａイオン
を全く含まないものと、逆に、Ｓｒイオンを全く含まな
いものもそれぞれ作成した。
となるように、ＢａＣＯ３，５ｒＣｏ３粉末の割合を変
えて誘電体材料を作成した。比較のために、Ｂａイオン
を全く含まないものと、逆に、Ｓｒイオンを全く含まな
いものもそれぞれ作成した。
〔実施例２〕
Ｎ ｂ ２０ ｓ粉末の代わりにＴａ２Ｏ，粉末を用い
、温度＝１１００℃、４時間の仮焼を行い、温度：１５
００℃、２時間、空気雰囲気で焼成するようにした以外
は、実施例１と全く同様にして誘電体材料を得た。
、温度＝１１００℃、４時間の仮焼を行い、温度：１５
００℃、２時間、空気雰囲気で焼成するようにした以外
は、実施例１と全く同様にして誘電体材料を得た。
〔実施例３〕
ＺｎＯ粉末の代わりにＣｏｏ粉末を用い、温度：ｔｏｏ
ｏ℃、４時間の仮焼を行い、温度：１４００℃、２時間
、空気雰囲気で焼成するようにした以外は、実施例１と
全く同様にして誘電体材料を得た。
ｏ℃、４時間の仮焼を行い、温度：１４００℃、２時間
、空気雰囲気で焼成するようにした以外は、実施例１と
全く同様にして誘電体材料を得た。
〔実施例４〕
ＺｎＯ粉末の代わりにＣｏｏ粉末を用い、Ｎｂ２Ｏ５粉
末の代わりにＴａ２０５粉末を用い、温度： １０００
’Ｃ１４時間の仮焼を行い、温度：１４００℃、２時
間、空気雰囲気で焼成するようにした以外は、実施例１
と全く同様にして誘電体材料を得た。
末の代わりにＴａ２０５粉末を用い、温度： １０００
’Ｃ１４時間の仮焼を行い、温度：１４００℃、２時
間、空気雰囲気で焼成するようにした以外は、実施例１
と全く同様にして誘電体材料を得た。
〔実施例５〕
ＺｎＯ粉末の代わりにＮｉＯ粉末を用い、温度：１１０
０℃、４時間の仮焼を行い、温度：１５５０℃、２時間
、空気雰囲気で焼成するようにした以外は、実施例１と
全く同様にして誘電体材料を得た。
０℃、４時間の仮焼を行い、温度：１５５０℃、２時間
、空気雰囲気で焼成するようにした以外は、実施例１と
全く同様にして誘電体材料を得た。
〔実施例６〕
ＺｎＯ粉末の代わりにＮｉＯ粉末を用い、Ｎｂ２ｏ、粉
末の代わりにＴａ２Ｏ，粉末を用い、温度：１１００℃
、４時間の仮焼を行い、温度：１６００℃、２時間、空
気雰囲気で焼成するようにした以外は、実施例１と全く
同様にして誘電体材料を得た。
末の代わりにＴａ２Ｏ，粉末を用い、温度：１１００℃
、４時間の仮焼を行い、温度：１６００℃、２時間、空
気雰囲気で焼成するようにした以外は、実施例１と全く
同様にして誘電体材料を得た。
〔実施例７〕
ＺｎＯ粉末の代わりにＭｇＯ粉末を用い、温度：１１０
０℃、４時間の仮焼を行い、温度：１６００℃、２時間
、空気雰囲気で焼成するようにした以外は、実施例１と
全く同様にして誘電体材料を得た。
０℃、４時間の仮焼を行い、温度：１６００℃、２時間
、空気雰囲気で焼成するようにした以外は、実施例１と
全く同様にして誘電体材料を得た。
作成した誘電体材料が、ペロブスカイト系結晶構造をし
ていて、かつＢ’ａイオンがＳｒイオンで置換されてい
ることは、Ｘ線回折により確認した各誘電体材料の比誘
電率ε′、および、Ｑ値を、数Ｇ〜２０数Ｇ ｆｉｚ帯
における測定に適した誘電体円柱共振器法により測定し
た。測定に用いた機器は、ヒユーレット・パソカード社
製：ネソトワークアナライザ８５１０Ｔである。測定結
果を、第１〜７表に示す。
ていて、かつＢ’ａイオンがＳｒイオンで置換されてい
ることは、Ｘ線回折により確認した各誘電体材料の比誘
電率ε′、および、Ｑ値を、数Ｇ〜２０数Ｇ ｆｉｚ帯
における測定に適した誘電体円柱共振器法により測定し
た。測定に用いた機器は、ヒユーレット・パソカード社
製：ネソトワークアナライザ８５１０Ｔである。測定結
果を、第１〜７表に示す。
上記第１〜７表から、Ｓｒイオンの添加により、比誘電
率特性および誘電損失特性が向上していることが分かる
。
率特性および誘電損失特性が向上していることが分かる
。
この材料は、前記した共振器等のみならず、マイクロ波
集積回路用基板として用いたり、導波管の空洞内に入れ
導波管の小型化を図るのに用いたりもできる。
集積回路用基板として用いたり、導波管の空洞内に入れ
導波管の小型化を図るのに用いたりもできる。
この発明は上記実施例に限らない。誘電体材料が上記に
例示した以外の製法で作られてもよい。
例示した以外の製法で作られてもよい。
誘電体材料が単結晶であってもよい。
この発明にかかる誘電体材料は、上記に述べたような構
成であるので、誘電体材料は、マイクロ波帯の周波数領
域において、十分に実用的な比誘電率であり、極低誘電
損失である。
成であるので、誘電体材料は、マイクロ波帯の周波数領
域において、十分に実用的な比誘電率であり、極低誘電
損失である。
代理人 弁理士 松 本 武 彦
Claims (3)
- （１）組成式： Ｂａ（Ａ＿１＿／＿３Ｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３（ただし
、Ａは２価イオン、Ｂは５価イオン）であらわされ、複
合ペロブスカイト系結晶構造を有する誘電体材料におい
て、Ｂａイオンの一部がＳｒイオンに置換されてなるこ
とを特徴とする誘電体材料。 - （２）Ａイオンが、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｇの各イオン
のうちから選ばれたひとつのイオンであって、Ｂイオン
がＮｂイオンである特許請求の範囲第１項記載の誘電体
材料。 - （３）Ａイオンが、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｎｉの各イオンのうち
から選ばれたひとつのイオンであって、ＢイオンがＴａ
イオンである特許請求の範囲第１項記載の誘電体材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62262465A JPH0670885B2 (ja) | 1987-10-17 | 1987-10-17 | 誘電体材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62262465A JPH0670885B2 (ja) | 1987-10-17 | 1987-10-17 | 誘電体材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01105404A true JPH01105404A (ja) | 1989-04-21 |
| JPH0670885B2 JPH0670885B2 (ja) | 1994-09-07 |
Family
ID=17376161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62262465A Expired - Lifetime JPH0670885B2 (ja) | 1987-10-17 | 1987-10-17 | 誘電体材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0670885B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05298922A (ja) * | 1992-04-22 | 1993-11-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | マイクロ波用誘電体セラミックス |
| WO2002028668A2 (en) | 2000-09-29 | 2002-04-11 | Nsk Ltd. | Bearing unit for wheel drive |
| KR100360974B1 (ko) * | 2000-08-24 | 2002-11-23 | 주식회사 아모텍 | 유전체 세라믹 조성물의 제조방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61191556A (ja) * | 1985-02-18 | 1986-08-26 | 日本特殊陶業株式会社 | 高周波用誘電体磁器組成物の焼成方法 |
| JPS63285146A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-22 | Ube Ind Ltd | ペロブスカイトセラミックスの製造方法 |
-
1987
- 1987-10-17 JP JP62262465A patent/JPH0670885B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61191556A (ja) * | 1985-02-18 | 1986-08-26 | 日本特殊陶業株式会社 | 高周波用誘電体磁器組成物の焼成方法 |
| JPS63285146A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-22 | Ube Ind Ltd | ペロブスカイトセラミックスの製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05298922A (ja) * | 1992-04-22 | 1993-11-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | マイクロ波用誘電体セラミックス |
| KR100360974B1 (ko) * | 2000-08-24 | 2002-11-23 | 주식회사 아모텍 | 유전체 세라믹 조성물의 제조방법 |
| WO2002028668A2 (en) | 2000-09-29 | 2002-04-11 | Nsk Ltd. | Bearing unit for wheel drive |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0670885B2 (ja) | 1994-09-07 |
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