JPH01105343A - 光ディスク基板の製造方法 - Google Patents
光ディスク基板の製造方法Info
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- JPH01105343A JPH01105343A JP26318887A JP26318887A JPH01105343A JP H01105343 A JPH01105343 A JP H01105343A JP 26318887 A JP26318887 A JP 26318887A JP 26318887 A JP26318887 A JP 26318887A JP H01105343 A JPH01105343 A JP H01105343A
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光メモリ用ガラス基板の光案内溝形成方法に
関する。
関する。
従来、光ディスクメモリにガラス基板を用いた場合、レ
ーザ光案内用の凹凸溝のガラス基板への直接形成は、ガ
ラス基板上にフォトレジストを全面塗布し、所望のパタ
ーン状にレーザ光により露光し、案内溝を記録し、次い
で案内溝を現像した後に、残ったレジストをマスクとし
て反応性イオンエツチングを行ない、所望の深さまでガ
ラスをエツチングした後、残レジストを剥離するという
工程に従って行なわれる（真空、第２８巻、第２号（１
９８５）７７頁）。ガラス基板は、媒体の寿命に影響を
及ぼす吸湿性、光学特性劣化を引き起こす複屈折性にお
いて、樹脂基板より優れている。
ーザ光案内用の凹凸溝のガラス基板への直接形成は、ガ
ラス基板上にフォトレジストを全面塗布し、所望のパタ
ーン状にレーザ光により露光し、案内溝を記録し、次い
で案内溝を現像した後に、残ったレジストをマスクとし
て反応性イオンエツチングを行ない、所望の深さまでガ
ラスをエツチングした後、残レジストを剥離するという
工程に従って行なわれる（真空、第２８巻、第２号（１
９８５）７７頁）。ガラス基板は、媒体の寿命に影響を
及ぼす吸湿性、光学特性劣化を引き起こす複屈折性にお
いて、樹脂基板より優れている。
しかし、前述の従来技術では、フォトレジストを露光す
るための光学系は、高精度で安定な装置が必要とされ、
更に、周囲の影響を受けやすいために、再現性の良い均
一な露光が困難である。また、露光−現像の条件を再現
性良く制御することが困難で、フォトレジストマスクの
均一性が悪いという問題点を存する。
るための光学系は、高精度で安定な装置が必要とされ、
更に、周囲の影響を受けやすいために、再現性の良い均
一な露光が困難である。また、露光−現像の条件を再現
性良く制御することが困難で、フォトレジストマスクの
均一性が悪いという問題点を存する。
また、一般にスタンバと称する型とガラス基板の間に光
感応樹脂を挾み、紫外線によって硬化させることにより
、レーザ光案内溝を形成する方法がある（以下２Ｐ法と
表わす）。しかし、耐候性に優れ、磁気光学効果がかせ
げるなどの特徴を有したＢｉ置換磁性ガーネット（以下
Ｂｉ：ＲＩＧと表わす。ただしＲはＹあるいは希土類元
素である。）等の酸化物磁性体を記録材料とした場合、
成膜温度が高いため、この方法によるガラス基板は使用
できない。
感応樹脂を挾み、紫外線によって硬化させることにより
、レーザ光案内溝を形成する方法がある（以下２Ｐ法と
表わす）。しかし、耐候性に優れ、磁気光学効果がかせ
げるなどの特徴を有したＢｉ置換磁性ガーネット（以下
Ｂｉ：ＲＩＧと表わす。ただしＲはＹあるいは希土類元
素である。）等の酸化物磁性体を記録材料とした場合、
成膜温度が高いため、この方法によるガラス基板は使用
できない。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、均一な光案内用凹凸溝を有した
、光ディスク用ガラス基板の再現性、量産性を向上させ
るところにある。
の目的とするところは、均一な光案内用凹凸溝を有した
、光ディスク用ガラス基板の再現性、量産性を向上させ
るところにある。
本発明の光ディスク基板の製造方法は、所望の幅、ピッ
チを有する凹凸溝が形成された硬質基体面上の前記溝部
のみを紫外線硬化樹脂で埋め、前記樹脂より形成される
前記凹凸溝パターンをガラス基体面上に転写し、前記転
写樹脂をマスクとして、前記ガラス基体面をエツチング
し、光案内用溝を形成することを特徴とする。
チを有する凹凸溝が形成された硬質基体面上の前記溝部
のみを紫外線硬化樹脂で埋め、前記樹脂より形成される
前記凹凸溝パターンをガラス基体面上に転写し、前記転
写樹脂をマスクとして、前記ガラス基体面をエツチング
し、光案内用溝を形成することを特徴とする。
以下、本発明について実施例に基づいて詳細に説明する
。
。
第１図は本発明の実施例を工程順に示した断面図である
。深さ約０．７μｍ１幅約０．７μｍ１ピッチ１．６μ
ｍの溝が形成されたニッケルスタンバ１に紫外線硬化樹
脂との密着を低下させる表面剥離剤を塗布した後、ａ図
に示すようにアクリル系紫外線硬化樹脂２を塗布する。
。深さ約０．７μｍ１幅約０．７μｍ１ピッチ１．６μ
ｍの溝が形成されたニッケルスタンバ１に紫外線硬化樹
脂との密着を低下させる表面剥離剤を塗布した後、ａ図
に示すようにアクリル系紫外線硬化樹脂２を塗布する。
この紫外線硬化樹脂は溝を埋めるのに充分な厚さとする
。次にｂ図のように溝部にのみ紫外線硬化樹脂２′が残
るようにスタンバ表面の樹脂を除去する。このスタンバ
１の上に直径３インチ、厚さ１．２ｍｍのバリウム硼硅
酸ガラス円盤３を洗浄した後に０図のように密着するよ
うにはり合わせ、水銀ランプで照射した後に、ガラス基
板３をスタンバ１から分離すると、基板３上にスタンバ
溝パターンノ、紫外線硬化樹脂２′が転写される（ｄ図
）。その後、残った紫外線硬化樹脂２′をマスクとして
、ＲＦ２極エツチング装置を用いてＣＨＦ、ガス中で反
応性イオンエツチングを行なう。約０．１μｍの深さま
でガラスをエツチングした後、残った紫外線硬化樹脂を
Ｏ，ガスプラズマで灰化除却するとｅ図に示すようなレ
ーザ光案内溝付きのガラスディスク基板３′となる。こ
のように作製されたガラス基板の表面を走査型電子顕微
鏡を用いて観察した。レーザカッティング装置でフォト
レジストを露光−現象しマスクを作製して得られたガラ
スディスク基板に見られる、溝の蛇行、基板によって、
溝幅が異なる再現性の悪さはほとんどない。また、光案
内用の溝は幅約０．９μｍ１ピッチ１．６μｍとなって
おり、スタンバのパターンが正確に転写されていること
がわかる。また、−度スタンパを作製すれば、比較的容
易に繰り返して光案内用溝マスクパターンを形成するこ
とができる。
。次にｂ図のように溝部にのみ紫外線硬化樹脂２′が残
るようにスタンバ表面の樹脂を除去する。このスタンバ
１の上に直径３インチ、厚さ１．２ｍｍのバリウム硼硅
酸ガラス円盤３を洗浄した後に０図のように密着するよ
うにはり合わせ、水銀ランプで照射した後に、ガラス基
板３をスタンバ１から分離すると、基板３上にスタンバ
溝パターンノ、紫外線硬化樹脂２′が転写される（ｄ図
）。その後、残った紫外線硬化樹脂２′をマスクとして
、ＲＦ２極エツチング装置を用いてＣＨＦ、ガス中で反
応性イオンエツチングを行なう。約０．１μｍの深さま
でガラスをエツチングした後、残った紫外線硬化樹脂を
Ｏ，ガスプラズマで灰化除却するとｅ図に示すようなレ
ーザ光案内溝付きのガラスディスク基板３′となる。こ
のように作製されたガラス基板の表面を走査型電子顕微
鏡を用いて観察した。レーザカッティング装置でフォト
レジストを露光−現象しマスクを作製して得られたガラ
スディスク基板に見られる、溝の蛇行、基板によって、
溝幅が異なる再現性の悪さはほとんどない。また、光案
内用の溝は幅約０．９μｍ１ピッチ１．６μｍとなって
おり、スタンバのパターンが正確に転写されていること
がわかる。また、−度スタンパを作製すれば、比較的容
易に繰り返して光案内用溝マスクパターンを形成するこ
とができる。
次に、第２図に示すように本発明の製造方法で作製され
たガラスディスク基板３′上に記録材料としてＢｉ：Ｇ
ｄ１Ｇ膜４を形成した。成膜は、２極ＲＦマグネトロン
スパツタ装置 ニ、Ｂ ｉ＊ ＧｄＦｅａＡρＯ１，の
組成を持つ焼結体円盤ターゲットを設置して行なった。
たガラスディスク基板３′上に記録材料としてＢｉ：Ｇ
ｄ１Ｇ膜４を形成した。成膜は、２極ＲＦマグネトロン
スパツタ装置 ニ、Ｂ ｉ＊ ＧｄＦｅａＡρＯ１，の
組成を持つ焼結体円盤ターゲットを設置して行なった。
スパッタガスにはアルゴンを用い、ガス圧は１．５Ｐａ
とした。膜形成速度は１０ｍｍ／ｍｉｎで、５００ｎｍ
の膜厚とした。成膜後の結晶化のための熱処理は、温度
ｅｏｏ＠ｃで空気中３時間行なった。光案内用凹凸溝が
形成されていない表面が平坦な基板上に同じ条件で作製
されたＢｉ：Ｇｄ１Ｇ膜の特性は、ファラデー回転角４
．Ｏｄｅｇ１μｍ１測定波長８３３ｎｍ）、保磁カフ
ｋ Ｏｅ ％飽和磁化４０ｅｍ／ｃｍ’である。次に、
Ｂｉ：Ｇｄ１Ｇ記録層４の上にクロム反射膜（膜厚０．
２μｍ）５を蒸着した。この光磁気ディスクのＣＮ比を
Ｈｅ −Ｎｅレーザ（波長６３３ｎｍ）を用いて測定し
たところ５０ｄＢ （周波数２．５ＭＨｚ１分解能帯域
３０ｋＨｚ）が得られた。比較例として、従来のレーザ
カッティング装置を用いて作製したガラス基板上に実施
例と同じ条件でＢｉ：Ｇｄ１Ｇ膜を形成し、ＣＮ化を測
定した結果、再現性が悪く、平均４７ｄＢで、低いもの
では４０ｄＢ以下であった。本発明の方法により作製さ
れた光ディスク基板を用いることにより、耐候性に優れ
たＢｉ：ＲＩＧ膜を記録層として従来の方法で作製され
た基板を使用した場合と同等あるいはそれ以上の性能を
持った、光磁気記録媒体が再現性良く得られた。
とした。膜形成速度は１０ｍｍ／ｍｉｎで、５００ｎｍ
の膜厚とした。成膜後の結晶化のための熱処理は、温度
ｅｏｏ＠ｃで空気中３時間行なった。光案内用凹凸溝が
形成されていない表面が平坦な基板上に同じ条件で作製
されたＢｉ：Ｇｄ１Ｇ膜の特性は、ファラデー回転角４
．Ｏｄｅｇ１μｍ１測定波長８３３ｎｍ）、保磁カフ
ｋ Ｏｅ ％飽和磁化４０ｅｍ／ｃｍ’である。次に、
Ｂｉ：Ｇｄ１Ｇ記録層４の上にクロム反射膜（膜厚０．
２μｍ）５を蒸着した。この光磁気ディスクのＣＮ比を
Ｈｅ −Ｎｅレーザ（波長６３３ｎｍ）を用いて測定し
たところ５０ｄＢ （周波数２．５ＭＨｚ１分解能帯域
３０ｋＨｚ）が得られた。比較例として、従来のレーザ
カッティング装置を用いて作製したガラス基板上に実施
例と同じ条件でＢｉ：Ｇｄ１Ｇ膜を形成し、ＣＮ化を測
定した結果、再現性が悪く、平均４７ｄＢで、低いもの
では４０ｄＢ以下であった。本発明の方法により作製さ
れた光ディスク基板を用いることにより、耐候性に優れ
たＢｉ：ＲＩＧ膜を記録層として従来の方法で作製され
た基板を使用した場合と同等あるいはそれ以上の性能を
持った、光磁気記録媒体が再現性良く得られた。
以上述べたように、本発明の光ディスク基板の製造方法
は、スタンパの凹凸溝パターンを基板上に転写するため
、再現性良く均一なマスクが容易に形成でき、光ディス
ク用ガラス基板の再現性、量産性が向上した。これは、
信号品質、耐候性が良好な光記録媒体、特に、成膜温度
の高い記録材料を用いた場合において多大な効果を存す
るものである。
は、スタンパの凹凸溝パターンを基板上に転写するため
、再現性良く均一なマスクが容易に形成でき、光ディス
ク用ガラス基板の再現性、量産性が向上した。これは、
信号品質、耐候性が良好な光記録媒体、特に、成膜温度
の高い記録材料を用いた場合において多大な効果を存す
るものである。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の光ディスク基板の製造
方法の実施例の工程図である。 第２ｒ！ｇｉは本発明の方法により作製されたガラス基
板を用いた光磁気記録媒体の断面図である。 １・・・ニッケルスタンバ ２．２′・・・紫外線硬化樹脂 ３．３′・・・ガラス基板 ４・・・Ｂｉ ：Ｇ・ｄＩＧ記録膜 ５・・・クロム反射膜 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 第一２図
方法の実施例の工程図である。 第２ｒ！ｇｉは本発明の方法により作製されたガラス基
板を用いた光磁気記録媒体の断面図である。 １・・・ニッケルスタンバ ２．２′・・・紫外線硬化樹脂 ３．３′・・・ガラス基板 ４・・・Ｂｉ ：Ｇ・ｄＩＧ記録膜 ５・・・クロム反射膜 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 第一２図
Claims (1)
- （１）所望の幅、ピッチを有する凹凸溝が形成された硬
質基体面上の前記溝部のみを紫外線硬化樹脂で埋め、前
記樹脂より形成される前記凹凸溝パターンをガラス基体
面上に転写し、前記転写樹脂をマスクとして、前記ガラ
ス基体面をエッチングし、光案内用溝を形成することを
特徴とする光ディスク基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26318887A JPH01105343A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | 光ディスク基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26318887A JPH01105343A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | 光ディスク基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01105343A true JPH01105343A (ja) | 1989-04-21 |
Family
ID=17385993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26318887A Pending JPH01105343A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | 光ディスク基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01105343A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0414648A (ja) * | 1990-05-08 | 1992-01-20 | Sharp Corp | 光磁気ディスク及びその製造方法 |
| WO1999047327A1 (en) * | 1998-03-18 | 1999-09-23 | Omd Devices Llc | Production of optical recording media having plural luminescent recording layers by embossing the recording layer |
| JP2016066763A (ja) * | 2014-09-26 | 2016-04-28 | 株式会社ディスコ | エッチングマスクの形成方法 |
-
1987
- 1987-10-19 JP JP26318887A patent/JPH01105343A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0414648A (ja) * | 1990-05-08 | 1992-01-20 | Sharp Corp | 光磁気ディスク及びその製造方法 |
| WO1999047327A1 (en) * | 1998-03-18 | 1999-09-23 | Omd Devices Llc | Production of optical recording media having plural luminescent recording layers by embossing the recording layer |
| US6500602B1 (en) | 1998-03-18 | 2002-12-31 | Trid Store Ip Llc | Production of optical recording media having plural luminescent recording layers by embossing the recording layer |
| JP2016066763A (ja) * | 2014-09-26 | 2016-04-28 | 株式会社ディスコ | エッチングマスクの形成方法 |
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