JPH01101386A - Bonding of wafer - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ワックスによってウェーハをキャリアプレ
ートに接着するウェーハの接着方法に関するものである
。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a wafer bonding method for bonding a wafer to a carrier plate using wax.
シリコンやＧａＡｓ＄の半導体デバイスの高集積化とパ
ターンサイズの極小化に伴ない、半導体ウェーハ（以下
中にウェーハという。）は高度の平面度が要求されてい
る。そこで、ウェーハの加工工程であるポリシング工程
においても高い平面度を得ることが必要である。このボ
リシング■程では、金属、セラミックまたはガラス製の
円板であるキャリアプレートの上にウェーハを数枚ずつ
ソックスによって接着して、このウェーハの接着面と反
対側の面を研磨布に押し付け、キャリアプレートおよび
研磨布をともに回転させて鏡面仕上げをしでいる。した
がって、ウェーハとキャリアプレートが均一に接着され
ないと所要の平面度が得られない。BACKGROUND OF THE INVENTION With the increasing integration of silicon and GaAs semiconductor devices and miniaturization of pattern sizes, semiconductor wafers (hereinafter referred to as wafers) are required to have a high level of flatness. Therefore, it is necessary to obtain high flatness even in the polishing step, which is a wafer processing step. In this borising process, several wafers are glued onto a carrier plate, which is a disk made of metal, ceramic, or glass, using socks, and the surface opposite to the bonded side of the wafer is pressed against a polishing cloth. A mirror finish is achieved by rotating the plate and polishing cloth together. Therefore, the required flatness cannot be obtained unless the wafer and carrier plate are evenly bonded.
ところで、従来このようなウェーハの接着方法としては
、にシリアプレートをワックスの軟化点より高く加熱し
ておき、ワックスをＬ記キＶリアプレートのウェーハの
接着予定位置に均一な厚さに塗布して、この上にウェー
ハを載置して加圧冶具でウェーハをキャリアプレートに
押圧して接着するか、またはウェーハの表面にワックス
を均一なルさに塗布し、このウェーハを上記のように加
熱されたキャリアプレートの上に４１１！置して加圧冶
具“でウェーハをキャリアプレートに押圧して接着し、
接着終了後キャリアプレートを冷却してワックスを固化
する方法が行なわれていた。By the way, the conventional method for bonding such wafers is to heat the serial plate to a temperature higher than the softening point of the wax, and then apply the wax to a uniform thickness at the position where the wafers are to be bonded on the rear plate. Then, place the wafer on top of this and use a pressure jig to press the wafer against the carrier plate to bond it, or apply wax evenly to the surface of the wafer and heat the wafer as described above. 411 on the carrier plate! Place the wafer on the carrier plate and use a pressure jig to press and bond the wafer to the carrier plate.
A method has been used in which the carrier plate is cooled after completion of adhesion to solidify the wax.
（発明が解決しようとＪる問題点）
ところが、このような従来のウェーハの接着方法におい
ては、ウェーハをキシリアプレートに載置する際、ウェ
ーハとキャリアプレートとの間の空気の一部がウェーハ
外へ扱けないでウェーハとキャリアプレートとの間に点
在して残ってしまう。(Problem to be solved by the invention) However, in such a conventional wafer bonding method, when the wafer is placed on the xyria plate, a part of the air between the wafer and the carrier plate escapes from the wafer. They cannot be handled and remain scattered between the wafer and the carrier plate.
その状態でウェーハをキシリアプレートに接着すると気
泡がウェーハとキャリアプレートとの間に介在し、この
ような場合に、ウェーハの気泡と反対側の部分が他の部
分に対して突出する。この状態でボリシングが行なわれ
ると、ウェーハの突出した部分が多く （ｔｌｔ磨され
るため、ウェーハを１．１？リアプレートから取り外し
たときに、上記気泡に対応する部分が凹み、所要の平面
度を得ることができないという問題があった。When the wafer is bonded to the xyria plate in this state, air bubbles are interposed between the wafer and the carrier plate, and in such a case, the portion of the wafer opposite to the air bubble protrudes from the other portion. If borishing is performed in this state, there will be many protruding parts of the wafer (tlt polished), so when the wafer is removed from the 1.1? rear plate, the parts corresponding to the bubbles will be dented and the required flatness will be The problem was that I couldn't get it.
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、ウェー
ハとキャリアプレートとの間に気泡が介在することがな
く、均一・な接着面を得ることができ、したがって後工
程であるポリシング工程において高い平面度を得ること
ができるウェーハの接着方法を提供することを目的とす
る。This invention was made in view of the above-mentioned circumstances, and it is possible to obtain a uniform bonding surface without the presence of air bubbles between the wafer and the carrier plate. An object of the present invention is to provide a wafer bonding method that can obtain flatness.
（問題点を解決りるための手段）
上記目的を達成するために、この発明のウェーハの接着
方法は、ワックスによってウェーハをキャリアプレート
に接着するつｌ−ハの接着方法において、−ンＩ−への
ワックスが塗布されたワックス塗布面の反対側を真空吸
引するとともにワックス塗布面の反対側の面を支持して
、ワックス塗布面が凸状の球面になるようにウェーハを
湾曲し、この球面状のワックス塗布面の頂部をキャリア
プレートに接触させた後、ウェーハのワックス塗布面の
反対側を昇圧して、球面状のワックス塗布面の頂部から
周辺部に向ってワックス塗布面をキャリアプレートに接
触させていくようにしてウェーハをキャリアプレートに
載置するものである〔実施例〕
この発明のウェーハの接着方法の実施例を図面を参照し
ながら説明する。(Means for Solving the Problems) In order to achieve the above object, the wafer bonding method of the present invention includes a method for bonding a wafer to a carrier plate using wax. The wafer is curved so that the waxed surface becomes a convex spherical surface by applying vacuum suction to the side opposite to the waxed surface and supporting the surface opposite to the waxed surface. After bringing the top of the spherical waxed surface into contact with the carrier plate, the pressure is increased on the opposite side of the waxed surface of the wafer, and the waxed surface is brought into contact with the carrier plate from the top of the spherical waxed surface toward the periphery. [Embodiment] An embodiment of the wafer bonding method of the present invention will be described with reference to the drawings.
（第１実施例）
この発明のウェーハの接着方法の第１実施例を第１図な
いし第３図を参照しながら説明する。(First Embodiment) A first embodiment of the wafer bonding method of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3.
第１図においで符号１はこの発明を実施する場合に使用
するチャック装置を示しており、このチャック装＠１は
、チャック本体２と軟質弾性体であるＯリング３．０リ
ング４とからなっている。In FIG. 1, reference numeral 1 indicates a chuck device used when carrying out the present invention, and this chuck device @1 consists of a chuck body 2 and an O-ring 3, which is a soft elastic body, and a ring 4. ing.
チャック本体２の下面の外周部には環状ｖｌｉ５が形成
されており、この環状溝５には上記のＯリング３が下面
からはみ出るように嵌装されている。また、チャック本
体２の下面には、上記環状溝５より内側に環状の突出部
６が形成されており、この突出部６の下面には環状溝７
が形成されている。An annular vli5 is formed on the outer periphery of the lower surface of the chuck body 2, and the above-mentioned O-ring 3 is fitted into this annular groove 5 so as to protrude from the lower surface. Further, an annular protrusion 6 is formed on the lower surface of the chuck body 2 on the inner side of the annular groove 5, and an annular groove 7 is formed on the lower surface of the protrusion 6.
is formed.
この環状溝７には上記の０リング４が下面からはみ出る
ように嵌装されている。このとき、０リング４はＯリン
グ３より下方に位置している。また、チャック本体２に
は、環状ｙ４６と環状溝７との間にＦ面側に開［１（〕
た環状孔８が穿設されている。The above-mentioned O-ring 4 is fitted into this annular groove 7 so as to protrude from the lower surface thereof. At this time, the O-ring 4 is located below the O-ring 3. In addition, the chuck body 2 has an opening [1(]) between the annular y46 and the annular groove 7 on the F side.
An annular hole 8 is bored therein.
この環状孔８は、その上部からチャック本体２の中央部
に向って横方向に穿設δれた複数の連通孔９によってチ
ャック本体２の中央部に縦方向に穿設された通孔１０に
連通されている。この通孔１０は、図示しない真空ポン
プに接続している。また、チャック本体２の中央部近傍
には、縦方向にプリーツ孔１１が穿設されており、この
ブリーザＩＬ１１によって、チャック本体２の上面と突
出部６の内側の下面とは連通されている。上記チャック
本体２は、図示しない移動機構によって上下移動および
前後左右の水平移動ができるようになっている。This annular hole 8 is connected to a through hole 10 formed vertically in the center of the chuck body 2 by a plurality of communication holes 9 formed horizontally δ from the top toward the center of the chuck body 2. It is communicated. This through hole 10 is connected to a vacuum pump (not shown). Further, a pleat hole 11 is vertically formed near the center of the chuck body 2, and the upper surface of the chuck body 2 and the inner lower surface of the protrusion 6 are communicated with each other by this breather IL11. The chuck main body 2 can be moved up and down and horizontally back and forth and left and right by a moving mechanism (not shown).
次に、上記のようなチャック装置を用いて１クエーハの
接着を行なうには、まず、ウェーハに液体状のワックス
を均一に塗布して固化させるか、あるいは固形のワック
スを均一に塗布する。次いで第１図に承りように、図示
しない移動機構によってチャック本体２のＯリング４．
０リング３をウェーハ１２のワックス１３が塗布されて
いるワックス塗布面の反対側の面に接近させるか、ある
いは接触させ、図示しない真空ポンプにより、通孔１０
．３！Ｉ！通孔９、環状孔８を介して、ワックス塗布面
の反対側の面の外周部近傍を真空吸引して、つ、［−ハ
１２をブヤック本体２にＯリング４．０リング３を介し
て吸着する。このようにすると、０リング４．０リング
３によりワックス塗布面と反対側の面を支持され【いる
ウェーハ１２は、０リング４がＯリング３より下方に位
置しているので、つＩ−ハ１２の周辺部がチャック本体
２側により接近するため、ワックス塗布面が凸状の球面
になって湾曲する。次いで、チャック本体を図示しない
移動機構によって加熱されたキャリアプレートのウェー
ハ接着予定位置の上方に移動させた後、第２図に示すよ
うに、チャック本体２を図示しない移動ａ構によって下
降さＵて、ウェーハ１２の球面状のソックス塗布面のＥ
４部を′ＦｔＩリアプレート１４に接触させる。次いで
、第３図に示すように、通孔１０、連通孔９、環状孔８
を介して空気を入れてワックス塗布面の外周部近傍をキ
ャリアプレート１４に接近させると、ウェーハ１２はワ
ックス塗布面の頂部から周辺部に向ってキャリアプレー
ト１４に接触していってキャリアプレート１４に載＠さ
れる。このとき、固形のワックス１３は加熱されたキ１
νす７プレート１４に接触して溶解する。次いで、ウェ
ーハ１２をキャリアプレート１４に押圧治具等によって
押圧しで接むし、接着終了後、キャリアプレート１４を
冷却してワックス１３を固化する。この後、後］二程で
あるポリシング工程におい゛（゛、ウェーハ１２の接着
面と反対側の面を研磨布に押し付けて研磨する。Next, in order to bond one quafer using the chuck device as described above, first, liquid wax is uniformly applied to the wafer and solidified, or solid wax is uniformly applied to the wafer. Next, as shown in FIG. 1, the O-ring 4. of the chuck body 2 is moved by a moving mechanism (not shown).
The O-ring 3 is brought close to or in contact with the surface of the wafer 12 opposite to the wax-coated surface on which the wax 13 is coated, and the through-hole 10 is opened by a vacuum pump (not shown).
．． 3! I! Through the through hole 9 and the annular hole 8, apply vacuum to the vicinity of the outer periphery of the surface opposite to the wax application surface, and apply the Adsorb. In this way, the wafer 12 whose surface opposite to the wax-applied surface is supported by the O-ring 4. Since the peripheral portion of 12 approaches the chuck body 2 side, the wax-applied surface becomes a convex spherical surface and curves. Next, the chuck main body 2 is moved by a moving mechanism (not shown) above the wafer bonding position of the heated carrier plate, and then, as shown in FIG. 2, the chuck main body 2 is lowered by a moving mechanism (not shown). , E of the spherical sock coated surface of the wafer 12
4 parts are brought into contact with the 'FtI rear plate 14. Next, as shown in FIG. 3, a through hole 10, a communicating hole 9, an annular hole 8
When the vicinity of the outer periphery of the wax-applied surface approaches the carrier plate 14 by introducing air through the Posted @. At this time, the solid wax 13 is heated
It comes into contact with the v7 plate 14 and melts. Next, the wafer 12 is pressed against the carrier plate 14 using a pressing jig or the like, and after the adhesion is completed, the carrier plate 14 is cooled to solidify the wax 13. After this, in the second step of polishing, the surface of the wafer 12 opposite to the adhesive surface is pressed against a polishing cloth and polished.
このようなウェーハの接着方法では、ウェーハ１２をキ
ャリアプレート１４に載置１°る際、ウェーハ１２とキ
ャリアプレート１４との間の空気が周辺部に向って移動
していきウェーハ１２に外へ出ていくため、ウェーハ１
２とキャリアプレート１４との間に残らない。そのため
、この後、ウェーハ１２をキャリアプレートに押圧して
ウェーハ１２をキャリアプレート１４に接着しても、ウ
ェーハ１２とキャリアプレート１４との間に気泡が介在
することがないため、ウェーハ１２の特定の部分を突出
させることがなく均一な接着面を得ることができる。し
たがって、後工程であるポリシング工程において高い平
面度を得ることができる。In this wafer bonding method, when the wafer 12 is placed on the carrier plate 14 and rotated 1°, the air between the wafer 12 and the carrier plate 14 moves toward the periphery and flows out onto the wafer 12. Wafer 1
2 and the carrier plate 14. Therefore, even if the wafer 12 is bonded to the carrier plate 14 by pressing the wafer 12 against the carrier plate 14, no air bubbles will be present between the wafer 12 and the carrier plate 14. A uniform adhesive surface can be obtained without protruding parts. Therefore, high flatness can be obtained in the subsequent polishing step.
また、軟質弾性材であるＯリング４．０リング３を介し
てチャック本体２にウェーハ１２を吸着するようにした
ので、ウェーハ１２を伽つけることがない。さらに、０
リング４．０リング３は変形するので、真空度を変える
ことによって、球面の曲率を所望の曲率にすることがで
きる。Furthermore, since the wafer 12 is attracted to the chuck body 2 via the O-ring 4.0 ring 3, which is a soft elastic material, the wafer 12 is not damaged. Furthermore, 0
Ring 4.0 Since the ring 3 is deformed, the curvature of the spherical surface can be made into a desired curvature by changing the degree of vacuum.
また、上記実施例では、０リング４を０リング３の下方
に位置するようにしたが、０リング４と０リング３の上
）位置を同じにし、０リング３の硬度を０リング４の硬
度より軟かくすれば、ワックス塗布面が凸状の球面にな
るようにウェーハ１２を湾曲させることができる。この
場合には、チャック本体２をト降させ（、ワックス塗布
面の反対側の面にＯリング４を接近１あるいは接触させ
れば、０リング３は上記実施例の場合より接近づるかあ
るいは接触するので、ウェーハ１２のチャック本体２へ
の吸着をより速やかに行なうことができる。In addition, in the above embodiment, the 0-ring 4 is located below the 0-ring 3, but the 0-ring 4 and the 0-ring 3 are placed at the same position (above the 0-ring 3), and the hardness of the 0-ring 3 is set to the hardness of the 0-ring 4. If the wax is made softer, the wafer 12 can be curved so that the waxed surface becomes a convex spherical surface. In this case, by lowering the chuck body 2 (and bringing the O-ring 4 closer to or in contact with the surface opposite to the wax-applied surface, the O-ring 3 will approach or come into contact with the surface opposite to the wax-applied surface. Therefore, the wafer 12 can be attracted to the chuck body 2 more quickly.
（第２実施例）
この発明のウェーハの接着方法の第２実施例を第４図な
いし第６図を参照しながら説明する。(Second Embodiment) A second embodiment of the wafer bonding method of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 6.
図中、第１図ないし第３図と同一構成要素には同一符号
を付しである。In the figure, the same components as in FIGS. 1 to 3 are designated by the same reference numerals.
第４図において符号２１はこの発明を実施する場合に使
用するチャック装置を示しており、チ１？ツク菰＠２１
はチャック部材２２と保持部材２３とからなっている。In FIG. 4, reference numeral 21 indicates a chuck device used in carrying out the present invention. Tsukuko @21
consists of a chuck member 22 and a holding member 23.
チャック部材２２は、たとえば多数のピンホールが設け
られたシリコンゴム等の多孔質の部材であって、かつ下
面が凸状の球面に形成されている。この球面の面積はウ
ェーハ１２の表面の面積より小さく形成されている。上
記チャック部材２２は、下部が開口した保持部材２３に
側面および上面を保持されている。この保持部材２３の
上面中央部には縦方向のｎ通孔２４が穿設されている。The chuck member 22 is a porous member, such as silicone rubber, provided with a large number of pinholes, and has a convex spherical lower surface. The area of this spherical surface is smaller than the area of the surface of the wafer 12. The chuck member 22 is held on its side and top surfaces by a holding member 23 having an open bottom. A vertical n-through hole 24 is bored in the center of the upper surface of the holding member 23. As shown in FIG.
この貫通孔２４の一端はチャック部材２２に開口し、他
端は図示しない真空ポンプに接続している。また保持部
材２３の下面は、チャック部材２２の下面の凸状の球面
と連続した球面に形成されている。１記保持部材２３は
、図示しない移動機構によってＦ上移動ａ３よび前後左
右の水平移動ができるようになっている。One end of this through hole 24 opens into the chuck member 22, and the other end is connected to a vacuum pump (not shown). Further, the lower surface of the holding member 23 is formed into a spherical surface that is continuous with the convex spherical surface of the lower surface of the chuck member 22. 1. The holding member 23 can be moved upward F a3 and horizontally in the front, rear, left and right directions by a moving mechanism (not shown).
次に、上記のようなチャック装置を用いて、つＩ−ハの
接着を行なうには、まず、上記第１実施例と同様にしで
ウェーハにワックスを塗布する。Next, in order to bond the wafers using the chuck device as described above, wax is first applied to the wafers in the same manner as in the first embodiment.
次いで第４図に示ずように、図示しない移動機構によっ
て保持部材２３を下降させて、ウェーハ１２のワックス
１３が塗布されているワックス塗布向の反対側の面にチ
ャック部材２２の凸状の球面の頂部を接近あるいは接触
させ、図示しない真空ポンプにより、ｎ通孔２４、チャ
ック部材２２を介してワックス塗布面の反対側の面の近
傍を真空吸引して、ウェーハ１２をチャック部材２２に
吸着する。このようにすると、ウェーハ１２はチャック
部材２２の凸状の球面に沿つ゛（吸着されるため、ウェ
ーハ１２はワックス塗布面が凸状の球面となって湾曲す
る。次いで、保持部材２３を図示しない移動機構によっ
て加熱されたキャリアプレートのつ、【−ハ接者予定位
置の上方に移動させた後、第５図に示づように、保持部
材２３を図示しない移ａｍ横によって下降させて、ウェ
ーハ１２の球面状のワックス塗布面のＩＣ１部をキャリ
アプレート１４に接触させる。次いで、第６図に示すよ
うに、貫通孔２４、チャック部材２３を介して空気を入
れてワックス塗布面の反対側を昇圧すると、ウェーハ１
２はワックス塗布面の頂部から周辺部に向って主ヤリア
ブレート１４に接触していって、キャリアプレート１４
に載置される。このとき、固形のワックス１３は加熱さ
れたキャリアプレート１４に接触して溶解する。以下は
第１実施例と同様にして接着、研磨される。Next, as shown in FIG. 4, the holding member 23 is lowered by a moving mechanism (not shown), and the convex spherical surface of the chuck member 22 is placed on the surface of the wafer 12 opposite to the direction in which the wax 13 is applied. The top of the wafer 12 is brought close to or in contact with the wafer 12, and the vicinity of the surface opposite to the wax-coated surface is sucked by a vacuum pump (not shown) through the n-through hole 24 and the chuck member 22, thereby adsorbing the wafer 12 to the chuck member 22. . In this way, the wafer 12 is attracted along the convex spherical surface of the chuck member 22, so that the wax-coated surface of the wafer 12 becomes a convex spherical surface and curves. After the carrier plate heated by the moving mechanism is moved above the intended contact position, as shown in FIG. 12 of the spherical wax-applied surface of the IC is brought into contact with the carrier plate 14.Next, as shown in FIG. When the pressure is increased, wafer 1
2 comes into contact with the main carrier plate 14 from the top of the waxed surface toward the periphery, and the carrier plate 14
will be placed on. At this time, the solid wax 13 comes into contact with the heated carrier plate 14 and melts. The following parts are bonded and polished in the same manner as in the first embodiment.
このウェーハの接着方法においてら、上記第１実施例と
同様にウェーハ１２とキャリアプレート１４との間に気
泡が介在することがない均一な接着面を得ることができ
る。With this wafer bonding method, it is possible to obtain a uniform bonding surface between the wafer 12 and the carrier plate 14 without the presence of air bubbles, as in the first embodiment.
また、この実施例ではウェーハ１２のワックス塗布面の
反対側の面の全面がチャック部材２２の球面に沿って吸
着されるので、ワックス塗布面は歪みのない球面に形成
されるため、つＩ−ハ１２とキャリアプレート１４との
間の空気がスムーズにウェーハ１２外へ出ていく。Furthermore, in this embodiment, the entire surface of the wafer 12 opposite to the wax-applied surface is sucked along the spherical surface of the chuck member 22, so that the wax-applied surface is formed into a spherical surface without distortion. Air between the wafer 12 and the carrier plate 14 flows out of the wafer 12 smoothly.
以上説明したように、この発明のウェーハの接着方法で
は、ワックス塗布向が凸状の球面になるようにウェーハ
を湾曲して、この球面状のワックス塗布面の頂部をキャ
リアプレートに接触させた後、上記球面状のワックス塗
布面の頂部力）ら周辺部に向ってワックス塗布面をキャ
リアプレートに接触させていくようにしてウェーハをキ
ャリアプレートに載置するので１ウエー八とキャリアプ
レートとの間の空気が周辺部に向って移動していきウェ
ーハ外へ出（いくためウェーハとキャリアプレートとの
間に残らない。そのため、この後ウェーハをキャリアプ
レートに押圧してウェーハをキャリアプレートに接着し
てｂウェーハと４−１７リアプレートとの間に気泡が介
在することがないためウェーハの特定の部分を突出させ
ることがなく、均一な接着面を得ることができる。した
がって、後工程であるポリシング工程において高い平面
痕 。As explained above, in the wafer bonding method of the present invention, the wafer is curved so that the wax application direction is a convex spherical surface, and the top of this spherical wax application surface is brought into contact with the carrier plate. Since the wafer is placed on the carrier plate in such a way that the waxed surface contacts the carrier plate toward the periphery from the above-mentioned top force of the spherical waxed surface, there is a gap between the wafer and the carrier plate. The air moves toward the periphery and exits the wafer, so it does not remain between the wafer and the carrier plate.Therefore, after this, the wafer is pressed against the carrier plate and the wafer is bonded to the carrier plate. Since there are no air bubbles between the b wafer and the 4-17 rear plate, a specific part of the wafer does not protrude and a uniform bonding surface can be obtained.Therefore, the subsequent polishing step High plane traces.
を得ることができる。can be obtained.
第１図ないし第３図はこの発明の第１実施例を示すｖＡ
′ｒ−あって、ウェーハの接着方法の工程図であり、第
４図ないし第６図はこの発明の第２実施例を示す図であ
って、ウェーハの接着方法の工程図である。
１．２１・・・・・・チャック装置、
２・・・・・・チャック本体、
３．４・・・・・・０リング、
１２・・・・・・ウェーハ、
１３・・・・・・ワックス、
２２・・・・・・チｔｚツク部材、
２３・・・・・・保持部材。Figures 1 to 3 show a first embodiment of the present invention.
FIGS. 4 to 6 are diagrams showing a second embodiment of the present invention, and are process diagrams of a wafer bonding method. 1.21...Chuck device, 2...Chuck body, 3.4...0 ring, 12...Wafer, 13... Wax, 22... Tick member, 23... Holding member.
Claims (1)
るウェーハの接着方法において、ウェーハのワックスが
塗布されたワックス塗布面の反対側を真空吸引するとと
もに上記ワックス塗布面の反対側の面を支持して上記ワ
ックス塗布面が凸状の球面になるように上記ウェーハを
湾曲し、上記球面状のワックス塗布面の頂部をキャリア
プレートに接触させた後、上記ウェーハのワックス塗布
面の反対側を昇圧して上記球面状のワックス塗布面の頂
部から周辺部に向つて上記ワックス塗布面を上記キャリ
アプレートに接触させていくようにして上記ウェーハを
上記キャリアプレートに載置することを特徴とするウェ
ーハの接着方法。In a wafer bonding method in which a wafer is bonded to a carrier plate with wax, the side opposite to the wax-coated surface of the wafer is vacuum-sucked, and the surface opposite to the wax-coated surface is supported and the wax is applied. The wafer is curved so that the coated surface becomes a convex spherical surface, and the top of the spherical wax coated surface is brought into contact with a carrier plate, and then the opposite side of the wax coated surface of the wafer is pressurized to form the spherical surface. A method for bonding wafers, comprising placing the wafer on the carrier plate so that the wax-coated surface contacts the carrier plate from the top of the wax-coated surface toward the periphery.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62258054A JPH01101386A (en) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | Bonding of wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62258054A JPH01101386A (en) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | Bonding of wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01101386A true JPH01101386A (en) | 1989-04-19 |
Family
ID=17314897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62258054A Pending JPH01101386A (en) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | Bonding of wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01101386A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01135439A (en) * | 1987-11-18 | 1989-05-29 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | Adhesion of wafer and device thereof |
| JPH08267357A (en) * | 1995-03-31 | 1996-10-15 | Nec Corp | Abrasive device of substrate and abrasive method thereof |
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-
1987
- 1987-10-13 JP JP62258054A patent/JPH01101386A/en active Pending
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| US6764392B2 (en) | 1999-12-28 | 2004-07-20 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Wafer polishing method and wafer polishing device |
| JP2007149884A (en) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Sumco Corp | Semiconductor wafer polishing method |
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